半導(dǎo)體名詞解釋

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ACTIVEAREA主動(dòng)區(qū)(工作區(qū))主動(dòng)晶體管(ACTIVEFRANSISTOR)被制造的區(qū)域即所謂的主動(dòng)區(qū)(activearea)在標(biāo)準(zhǔn)之MOS制造過(guò)程中ACTIVEAREA是由，一層氮化硅光罩及等接氮化硅蝕刻之后的局部特區(qū)氧化(LOCOSOXIDATION)所形成的，而由于利用到局部場(chǎng)氧化之步驟．所以ActiveAREA會(huì)受到鳥嘴(BIRD’SBEAK)之影響而比原先之氮化硅光罩所定義的區(qū)域來(lái)得小以長(zhǎng)0.6UM之場(chǎng)區(qū)氧化而言大概會(huì)有O.5UM之BIRD'SBEAK存在也就是說(shuō)ACTIVEAREA比原在之氮化硅光罩定義之區(qū)域小O.5UM

Acetone丙酮1.丙碗是有機(jī)溶劑的一種，分子式為CH30HCH32.性質(zhì)：無(wú)色，具剌激性薄荷臭味之液體3.用途：在FAB內(nèi)之用途，主要在于黃光室內(nèi)正光阻之清洗、擦拭4﹒毒性：對(duì)神經(jīng)中樞具中度麻醉性，對(duì)皮膚粘膜具輕微毒性，長(zhǎng)期接觸會(huì)引起皮膚炎，吸入過(guò)量之丙酮蒸氣會(huì)刺激鼻、眼結(jié)膜、咽喉粘膜、甚至引起頭痛、念心、嘔吐、目眩、意識(shí)不明等。5﹒允許濃度:1000ppm

ADI顯影后檢查AfterDevelopingInspection之縮寫目的：檢查黃光室制程;光阻覆蓋對(duì)準(zhǔn)曝光弓顯影。發(fā)現(xiàn)缺點(diǎn)后，如覆蓋不良、顯影不良‥‥等即予修改(Rework)﹒以維產(chǎn)品良率、品質(zhì)。方法：利用目檢、顯微鏡為之。

AEI蝕刻后檢查1.AEI即AfterEtchingInspection，在蝕刻制程光阻去除、前反光阻去除后，分別對(duì)產(chǎn)品實(shí)施主檢或抽樣檢查。2.AEI之目的有四：2-1提高產(chǎn)品良率，避免不良品外流。2-2達(dá)到品質(zhì)的一致性和制程之重復(fù)性。2-3顯示制程能力之指針。2-4防止異常擴(kuò)大，節(jié)省成本3.通常AEI檢查出來(lái)之不良品，非必要時(shí)很少做修改。因?yàn)橹厝パ趸瘜踊蛑亻L(zhǎng)氧化層可能造成組件特性改變可靠性變差、缺點(diǎn)密度增加。生產(chǎn)成本增高，以及良率降低之缺點(diǎn)。

AirShower空氣洗塵室進(jìn)入潔凈室之前，須穿無(wú)塵衣，因在外面更衣室之故﹒無(wú)塵衣上沽著塵埃，故進(jìn)潔凈室之前﹒須經(jīng)空氣噴洗機(jī)將塵埃吹掉。

Alignment對(duì)準(zhǔn)目的：在IC的制造過(guò)程中，必須經(jīng)過(guò)6至10次左右的對(duì)準(zhǔn)、曝光來(lái)定義電路圖案，對(duì)準(zhǔn)就是要將層層圖案精確地定義顯像在芯片上面。方法：利用芯片上的對(duì)準(zhǔn)鍵﹒一般用十字鍵﹒和光罩上的對(duì)準(zhǔn)鍵合對(duì)為之方式：1.人眼對(duì)準(zhǔn)，2.用光、電組合代替人眼，即機(jī)械式對(duì)準(zhǔn)。

ALLOY/Sinter融合ALLOY之目的在使鋁與硅基（SILICONSUBSTRATE）之接鋼有OHMIIC特性，即電壓與電流成線性關(guān)系。ALLOY也可降低接觸的阻力值。

AL/SI鋁/硅靶此為金屬濺鍍時(shí)所使用的一種金屬合金材料利用AR游離的離子，讓其撞擊此靶的表面，把AL/SI的原子撞擊出來(lái)，而鍍?cè)谛酒砻嫔?，一般使用之組成為AL/SI(1%)，將此當(dāng)做組件與外界導(dǎo)線連接。

AL/SI/CU鋁/硅/銅金屬濺鍍時(shí)所使用的原料名稱，通常是稱為TARGET，其成份為0.5%銅，1%硅及98.5%鋁，一般制程通常是使用99%鋁1%硅．后來(lái)為了金屬電荷遷移現(xiàn)象(ELECTROMIGRATION)故滲加0.5%銅降低金屬電荷遷移

ALUMINUM鋁此為金屬濺鍍時(shí)，所使用的一種金屬材料，利用AR離子，讓其撞擊此種材料做成的靶表面﹒把AL原子撞擊出來(lái)，而鍍?cè)谛酒砻嫔?，將此做為組件與外界導(dǎo)線之連接。

ANGLELAPPING角度研磨ANGLELAPPING的目的是為了測(cè)量JUNCTION的深度，所作的芯片前處理，這種采用光線干涉測(cè)量的方法就稱之ANAGLELAPPING。公式為Xj=/NF，即JUNCTION深度等于入射光波長(zhǎng)的一半與干涉條紋數(shù)之乘積。但漸漸的隨著VLSI組件的縮小，準(zhǔn)確度及精密度都無(wú)法因應(yīng)，如SRP(SPREADINGRESISTANCEPRQBING)也是應(yīng)用﹒ANGLELAPPING的方法作前處理，采用的方法是以表面植入濃度與阻質(zhì)的對(duì)應(yīng)關(guān)系求出JUNCTION的深度，精確度遠(yuǎn)超過(guò)入射光干涉法。

ANGSTROM埃是一個(gè)長(zhǎng)度單位，其大小為1公尺的佰億分之一，約人的頭發(fā)寬度之伍拾萬(wàn)分之一。此單位常用于IC制程上，表示其層(如SiO2，POLY，SIN‥)厚度時(shí)用。

APCVD(ATMOSPRESSURE)常壓化學(xué)氣相沉積APCVD為ATMOSPHERE(大氣),PRESSURE（壓力）,CHEMICAL(化學(xué)),VAPOR(氣相)及DEPOSITION(沉積)的縮寫，也就是說(shuō)，反應(yīng)氣體(如SIH4(g)，BPSG含硼及磷的硅化物BPSG乃介于POLY之上，METAL之下，可做為上下二層絕緣之用，加硼、磷，主要目的在使回流后的STEP較平緩，以防止METALLINE濺鍍上去后，造成斷線。

BREAKDOWNVOLTAGE崩潰電壓反向P-N接面組件所加之電壓為P接負(fù)而N接正，如為此種接法則當(dāng)所加電壓通在某個(gè)特定位以下時(shí)反向電流很小，而當(dāng)所加電壓大于此特定位后，反向電流會(huì)急遽的增加，此特定值也就是吾人所謂的崩潰電壓(BREAKDOWNVOLTAGE)一般吾人定義反向P+-N接面之反向電流為1UA時(shí)之電壓為崩潰電壓在P+-N或?yàn)镹+-P之接回組件中崩潰電壓，隨著N(或者P)之濃度之增加而減小。

Burnin預(yù)燒試驗(yàn)「預(yù)燒」(Burnin)為可靠性測(cè)試的一種，旨在檢驗(yàn)出那些在使用初期即損壞的產(chǎn)品，而在出貨前予以剔除。預(yù)壞試驗(yàn)的作法，乃是將組件(產(chǎn)品)置于高溫的環(huán)境下，加上指定的正向或反向的直流電壓，如此殘留在晶粒上氧化層與金屬層之外來(lái)雜質(zhì)離子或腐蝕性離子將容易游離而使故障模式(FailureMode)提早顯現(xiàn)出來(lái)，達(dá)到篩選、剔除「早期夭折」產(chǎn)品之目的。預(yù)燒試驗(yàn)分為「靜態(tài)預(yù)燒」(StaticBurnin)與「動(dòng)態(tài)預(yù)燒」(DynamicBurnin)兩種，前者在試驗(yàn)時(shí)，只在組件上加上額定的工作電壓及消耗額定的功率。而后者除此外并有仿真實(shí)際工作情況的訊號(hào)輸入，故較接近實(shí)際況，也較嚴(yán)格?；旧?，每一批產(chǎn)品在出貨前，皆須作百分之百的預(yù)燒試驗(yàn)，但由于成本及交貨期等因素，有些產(chǎn)品就祇作抽樣(部分)的預(yù)燒試驗(yàn)，通過(guò)后才貨。另外，對(duì)于一些我們認(rèn)為它品質(zhì)夠穩(wěn)定且夠水準(zhǔn)的產(chǎn)品，亦可以抽樣的方式進(jìn)行。當(dāng)然，具有高信賴度的產(chǎn)品，皆須通過(guò)百分之百的預(yù)燒試驗(yàn)。

CAD計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)CAD:ComputerAidedDesign計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)，此名詞所包含的范圍很廣?？煞悍Q一切以計(jì)算機(jī)為工具所進(jìn)行之設(shè)計(jì)；因此不僅在IC設(shè)計(jì)上用得到，建筑上之設(shè)計(jì)，飛機(jī)、船體之設(shè)計(jì)，都可能用到。在以往計(jì)算機(jī)尚未廣泛應(yīng)用時(shí)，設(shè)計(jì)者必須以有限之記億、經(jīng)驗(yàn)來(lái)進(jìn)行設(shè)計(jì)?？墒怯辛怂^CAD后﹒我們把一些常用之規(guī)則、經(jīng)驗(yàn)存入計(jì)算機(jī)后，后面的設(shè)計(jì)者，便可節(jié)省不少?gòu)念^摸索的工作，如此不僅大幅的提高了設(shè)計(jì)的效率，也提高了設(shè)計(jì)的準(zhǔn)確度，使設(shè)計(jì)的領(lǐng)域進(jìn)入另一新天地。

CDMeasurement微距測(cè)量CD：CriticalDimension之簡(jiǎn)稱。通常于一層次中，為了控制其最小線距，我們會(huì)制作一些代表性之量測(cè)圖形于晶方中，通常置于晶方之邊緣。量測(cè)CD之層次通常是對(duì)于線距控制較重要之層次，如氮化硅、POLY、CONT、MET…等，而目前較常用于量測(cè)之圖形有品字型

，L-BAR等。

簡(jiǎn)言之，微距測(cè)量常當(dāng)作一個(gè)重要之制程指針，可代表黃光制程之控制好壞。

CH3COOH醋酸ACETICACID醋酸澄清，無(wú)色液體，有刺激性氣味，熔點(diǎn)16.63oC，沸點(diǎn)118oC。與水、酒精、乙醚互溶。可燃。冰醋酸是99.8%以上之純化物，有別于水溶液的醋酸。食入或吸入純醋酸有中等的毒性。對(duì)皮膚及組織有刺激性，危害性不大，被濺到用水沖洗。

Chamber真空室，反應(yīng)室專指一密閉的空間，而有特殊的用途、諸如抽真空，氣體反應(yīng)或金屬濺鍍等。因此常需對(duì)此空間之種種外在或內(nèi)在環(huán)境加以控制；例如外在粒子數(shù)(particle)、濕度等及內(nèi)在溫度、壓力、氣逞流量、粒子數(shù)等達(dá)到最佳的反應(yīng)條件。

Channel信道當(dāng)在MOS電晶注的閘極加上電壓（PMOS為負(fù)，NMOS為正）。則閘極下的電子或電洞會(huì)被其電場(chǎng)所吸引或排斥而使閘極下之區(qū)域形成一反轉(zhuǎn)層(Inversionlayer)。也就是其下之半導(dǎo)體p-type變成N-typeSi，N-type變成p-typeSi，而與源極和汲極成同type，故能導(dǎo)通汲極和源極。我們就稱此反轉(zhuǎn)層為"信道"。信道的長(zhǎng)度"ChannelLength"對(duì)MOS組件的參數(shù)有著極重要的影響，故我們對(duì)POLYCD的控制需要非常謹(jǐn)慎。

Chip,Die晶粒一片芯片(OR晶圓，即Wafer)上有許多相同的方形小單位，這些小單位即稱為晶粒。同一芯片上之每個(gè)晶粒都是相同的構(gòu)造，具有相同的功能，每個(gè)晶粒經(jīng)包裝后，可制成一顆顆我們?nèi)粘Ｉ钪谐Ｒ?jiàn)的IC，故每一芯片所能制造出的IC數(shù)量是很可觀的。同樣地，如果因制造的疏忽而產(chǎn)生的缺點(diǎn)，往住就會(huì)波及成百成千個(gè)產(chǎn)品。

CLTCarrierLifeTime載子生命周期一.定義少數(shù)載子在溫度平衡時(shí)電子被束縛在原子格內(nèi)，當(dāng)外加能量時(shí)，電子獲得能量，脫離原子格束縛形成自由形態(tài)，而參與電流導(dǎo)通的工作，但能量消失后，這些電子/電洞將因再結(jié)合因素，回復(fù)至平衡狀態(tài)，因此當(dāng)這些再載子由被激發(fā)后回復(fù)平衡的"LifeTime"。二﹒應(yīng)用范圍1.評(píng)估爐管和清洗槽的干凈度2.針對(duì)芯片之清潔度及損傷程度對(duì)CLT值有影響為a﹒芯片中離子污染濃度及污染之金屬種類b.芯片中結(jié)晶缺陷濃度

CMOS互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體金屬氧化膜半導(dǎo)體(MOS,METAL-OXIDESEMICODUCTOR)其制造程序及先在單晶硅上形成絕緣氧化膜，再沉積一層復(fù)晶硅(或金屬)做為閘極，利用加到閘極的電場(chǎng)來(lái)控制MOS組件的開關(guān)(導(dǎo)電或不導(dǎo)電)。按照導(dǎo)電載子的種類，MOS又可分成兩種類型:NMOS(由電子導(dǎo)電)和PMOS(由電洞導(dǎo)電)。而互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS,COMPLEMENTARYMOS）則是由NMOS及PMOS組合而成，具有省電，抗噪聲能力強(qiáng)、α一PARTICLE免役力好等許多優(yōu)點(diǎn)，是超大規(guī)模集成電路(VLSI)的主流。MOS的基本構(gòu)造如圖所示:

Coating光阻覆蓋將光阻劑以浸泡、噴霧、刷布、或滾壓等方法加于芯片上，稱為光阻覆蓋，而效果最佳的方法還是使用旋轉(zhuǎn)法。旋轉(zhuǎn)法乃是將芯片以真空吸附于一個(gè)可旋轉(zhuǎn)拘芯片支持器上，適量的光阻劑加在芯片中央，然后芯片開始轉(zhuǎn)動(dòng)，芯片上的光阻劑向外流開，很均勻的散在芯片上。要得到均勻的光阻膜。旋轉(zhuǎn)速率必須適中穩(wěn)定，而旋轉(zhuǎn)速度和光阻劑粘滯性決定所鍍光阻劑的厚度。光阻劑加上后，必須經(jīng)過(guò)軟烤的步驟，以除去光阻劑中過(guò)多的溶劑，進(jìn)而使光阻膜較為堅(jiān)硬，同時(shí)增加光阻膜與芯片的接合能力，而控制軟烤效果的主要方法就是在于適當(dāng)調(diào)登軟烤溫度與時(shí)間。經(jīng)過(guò)了以上的鍍光阻膜及軟烤過(guò)程，也就是完成了整個(gè)光阻覆蓋的步驟。

CROSSSECTlON橫截面IC的制造，基本上是由一層一層的圖案堆積上去，而為了了解堆積圖案的結(jié)構(gòu)，以改善制程，或解決制程問(wèn)題，以電子顯微鏡(SEM)來(lái)觀察，而切割橫截面，觀察橫截面的方式，是其中較為普遍之一種。

C-VPLOT電容、電壓圓譯意為電容、電壓圖，也就是說(shuō)當(dāng)組件在不同狀況下，在閘極上施以某一電壓時(shí)，會(huì)產(chǎn)生不同之電容值，(此電壓可為正或負(fù))，如此組件為理想的組件，也就是閘極和汲極和源極間幾乎沒(méi)有雜質(zhì)在里面(COMTAMINATION)則當(dāng)外界環(huán)境改變時(shí)，(溫度或壓力)并不太會(huì)影響它的電容值，利用此可MONITORMOS組件之好壞，一般ΔV<0.2為正常。

CWQC全公司品質(zhì)管制以往有些經(jīng)營(yíng)者或老板，一直都認(rèn)為品質(zhì)管制是品管部門或品管主管的責(zé)任，遇到品質(zhì)管制做不好時(shí)，即立即指責(zé)品質(zhì)主管，這是不對(duì)的。品質(zhì)管制不是品質(zhì)部門或某一單位就可以做好的，而是全公司每一部門全體人員都參與才能做好。故品質(zhì)管制為達(dá)到經(jīng)營(yíng)的目的，必須結(jié)合公司內(nèi)所有部門全體人員協(xié)力合作，構(gòu)成一個(gè)能共同認(rèn)識(shí)、易于實(shí)施的巖系，并使工作標(biāo)準(zhǔn)化，且使所訂的各種事項(xiàng)確實(shí)實(shí)行，使自市場(chǎng)調(diào)查、研究、研發(fā)、設(shè)計(jì)、采購(gòu)、制造、檢查、試驗(yàn)、出貨、銷售、服務(wù)為止的每一階段的品質(zhì)都能有效的管理，就是所謂的全公司品質(zhì)管制(CompanyWideQualityControl)。實(shí)施CWQC的目的最主要的就是要改善企業(yè)體質(zhì)，即發(fā)掘問(wèn)題的豈質(zhì)、重視計(jì)劃的體質(zhì)、重視指向的體質(zhì)、重視過(guò)程的體質(zhì)、以及全員有體系導(dǎo)向的體賈。

CycleTime生產(chǎn)周期時(shí)間指原料由投入生產(chǎn)線到產(chǎn)品于生產(chǎn)線產(chǎn)出所須之生產(chǎn)/制造時(shí)間。在TI-Acer，生產(chǎn)周期時(shí)尚有兩種解釋:一為"芯片產(chǎn)出周期時(shí)間"（wafer-outtime）；一為"制程周期時(shí)間"(Processcycletime)"芯片產(chǎn)出周期時(shí)間"乃指單一批號(hào)之芯片由投入到產(chǎn)出所須之生產(chǎn)/制造時(shí)間。"制程周期時(shí)間"則指所有芯片于單一工站平均生產(chǎn)/制造時(shí)間之總和，亦即每一工站均有一平均生產(chǎn)/制造時(shí)間，而各工站(從頭至尾)平均生產(chǎn)/制造之加總即為該制程之制程周期時(shí)間。目前TI-AcerLineReport之生產(chǎn)周期時(shí)間乃探用"制程周期時(shí)間"。一般而言，生產(chǎn)周期時(shí)間可以下列公式概略推算之：在制品（WIP）生產(chǎn)周期時(shí)間＝產(chǎn)能（Throughout）

CycleTime生產(chǎn)周期IC制造流程復(fù)雜，且其程序很長(zhǎng)﹒自芯片投入至晶圓測(cè)試完成，謂之CycleTime。由于IC生命周期很短，自開發(fā)、生產(chǎn)至銷售，需要迅速旦能掌握時(shí)效。故CycleTime愈短，競(jìng)爭(zhēng)能力就愈高，能掌握產(chǎn)品上市契機(jī)，就能獲取最大的利潤(rùn)。由于CycleTime長(zhǎng)，不容許生產(chǎn)中的芯片因故報(bào)廢或重做，故各項(xiàng)操作過(guò)程都要依照規(guī)范進(jìn)行，且要做好故障排除。讓產(chǎn)品順利流程，早日出FAB，上市銷售。

DEFECTDENSITY缺點(diǎn)密度"缺點(diǎn)密度"系指芯片單位面積上(如每平方公分，每平方英吋等)有多少"缺點(diǎn)數(shù)"之意，此缺點(diǎn)數(shù)一般可分兩大類：A.可視性缺點(diǎn)B.不可視性缺點(diǎn)。前者可藉由一般光學(xué)顯微鏡檢查出來(lái)(如橋接、斷線)后者則須藉助較精密電子儀器檢驗(yàn)(如晶格缺陷)由于芯片制造過(guò)程甚為復(fù)雜漫長(zhǎng)，芯片上缺點(diǎn)數(shù)愈少，產(chǎn)品良率品質(zhì)必然愈佳，故"缺點(diǎn)密度"常被用來(lái)當(dāng)做一個(gè)工廠制造的產(chǎn)品品質(zhì)好壞的指針。

DehydrationBake去水烘烤目的:去除芯片表面水分，增加光阻附著力，以免曝光顯影后光阻掀起。方法:在光阻覆蓋之前，利用高溫（120℃或150℃）加熱方式為之。

DENSIFY密化CVD沈積后由于所沈積之薄膜(THINFILM)之密度很低，故以高溫步驟使薄膜中之分子重新結(jié)合以提高其密度，此種高溫步驟即稱為密化。密化通常以爐管在800℃以上的溫度完成，但也可在RTP(RAPIDTHERMALPROCESS)(快速升降溫機(jī)臺(tái))完成。

Descume電漿預(yù)處理1﹒電漿預(yù)處理，系利用電漿方式(Plasma)，將芯片表面之阻加以去除，但其去光阻之時(shí)間，較一般電漿光阻去除(Stripping)為短。其目的只是在于將芯片表面之光阻因顯影預(yù)烤等制程所造成之光阻毛邊或細(xì)屑(Scum)加以去除，以使圖形不失真，蝕刻出來(lái)之圖案不會(huì)有殘余。2﹒有關(guān)電漿，去除光阻之原理，請(qǐng)參閱「電漿光阻去除」(Ashing)。3﹒通常作電漿預(yù)處理，均以較低之壓力，較小之功率為之，也就是使光阻之蝕刻率降得很低﹒使得均勻度能提高，以保持完整的圖形，達(dá)到電漿預(yù)處理的目的。

DESIGNRULE設(shè)計(jì)規(guī)范由于半導(dǎo)體制程技術(shù)，系一門專業(yè)、精致又復(fù)雜的技術(shù)，容易受到不同制造設(shè)備制程方法(RECIPE)的影響，故在考慮各項(xiàng)產(chǎn)品如何從事制造技術(shù)完善、成功地制造出來(lái)時(shí)，須有一套規(guī)范來(lái)做有關(guān)技術(shù)上之規(guī)定，此即"DESIGNRULE"，其系依照各種不同產(chǎn)品的需求、規(guī)格，制造設(shè)備及制程方法、制程能力，各項(xiàng)相關(guān)電性參數(shù)規(guī)格等之考慮，訂正了如：1.各制程層次、線路之間距離、線寬等之規(guī)格。2.各制程層次厚度、深度等之規(guī)格。3.各項(xiàng)電性參數(shù)等之規(guī)格。等規(guī)格，以供產(chǎn)品設(shè)計(jì)者及制程技術(shù)工程師等人之遵循、參考。

DesignRule設(shè)計(jì)準(zhǔn)則DesignRule：設(shè)計(jì)準(zhǔn)則，反應(yīng)制程能力，及制程、組件參數(shù)，以供IC設(shè)計(jì)者，設(shè)計(jì)IC時(shí)的參考準(zhǔn)則。一份完整的DesignRule包括有下列各部份:制程參數(shù):如氧化層厚度、復(fù)晶、金屬層厚度等，其它如流程、ADI、AEI參數(shù)，主要為擴(kuò)散與黃光兩方面的參數(shù)。電氣參數(shù):提供給設(shè)計(jì)者，做仿真電路時(shí)之參考。布局參數(shù):即一般所謂的3μm，2μm，1.5μm…等等之Rules，提供布局員布局之依據(jù)。光罩制做資料:提供給光罩公司做光罩時(shí)之計(jì)算機(jī)資料，如CDBAR、測(cè)試鍵之?dāng)[放位置，各層次之相對(duì)位置之?dāng)[放等。

DiebyDieAlignment每Field均對(duì)準(zhǔn)每個(gè)Field在曝光前均針對(duì)此單一Field對(duì)準(zhǔn)之方法，稱為DiebydieAlignment。也就是說(shuō)，每個(gè)Field均要對(duì)準(zhǔn)。

Diffusion擴(kuò)散在一杯很純的水上點(diǎn)一滴紅墨水，不久后可發(fā)現(xiàn)水表面顏色漸漸淡去，而水面下漸漸染紅，但顏色是愈來(lái)愈淡，這即是擴(kuò)散的一例。在半導(dǎo)體工業(yè)上常在很純的硅芯片上以預(yù)置或離子布植的方式做擴(kuò)散源(即紅墨水)。因固態(tài)擴(kuò)散比液體慢很多(約數(shù)億年)，故以進(jìn)爐管加高溫的方式，使擴(kuò)散在數(shù)小時(shí)內(nèi)完成。

DIWATER去離子水IC制造過(guò)程中，常需要用酸堿溶液來(lái)蝕刻，清洗芯片。這些步驟之后，又須利用水把芯片表面殘留的酸堿清除。而且水的用量是相當(dāng)大。然而IC工業(yè)用水，并不是一般的自來(lái)水，而是自來(lái)水或地下水經(jīng)過(guò)一系列的純化而成。原來(lái)自來(lái)水或地下水中，含有大量的細(xì)菌，金屬離子及PARTICLE，經(jīng)廠務(wù)的設(shè)備將之殺菌過(guò)濾和純化后，即可把金屬離子等雜質(zhì)去除，所得的水即稱為"去離子水"。專供IC制造之用。

Doping摻入雜質(zhì)．為使組件運(yùn)作，芯片必須摻以雜質(zhì)，一般常用的有：1.預(yù)置:在爐管內(nèi)通以飽和的雜質(zhì)蒸氣，使芯片表面有一高濃度的雜質(zhì)層，然后以高溫使雜質(zhì)驅(qū)入，擴(kuò)散;或利用沉積時(shí)同時(shí)進(jìn)行預(yù)置。2.離子植入:先使雜質(zhì)游離，然后加速植入芯片。

DRAM,SRAM動(dòng)態(tài)，靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存隨機(jī)存取記憶器可分動(dòng)態(tài)及靜態(tài)兩種，主要之差異在于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)，在一段時(shí)間(一般是0.5ms~5ms）后，資料會(huì)消失，故必須在資料未消失前讀取原資料再重寫(refresh)，此為其最大缺點(diǎn)，此外速度較慢也是其缺點(diǎn)。而DRAM之最大好處為，其每一記憶單元(bit)只需一個(gè)Transistor(晶體管）+一個(gè)Capacitor(電容器)，故最省面積，而有最高之密度。而SRAM則有不需重寫、速度快之優(yōu)點(diǎn)，但是密度低，其每一記憶單元(bit)有兩類:1.需要六個(gè)Transistor(晶體管）,2﹒四個(gè)Transistor(晶體管）+兩個(gè)Loadresistor(負(fù)載電阻)。由于上述它優(yōu)缺點(diǎn)，DRAM一般皆用在PC(個(gè)人計(jì)算機(jī))或其它不需高速且記憶容量大之記憶器，而SRAM則用于高速之中大型計(jì)算機(jī)或其它只需小記憶容量，如：監(jiān)視器(Monitor)、打印機(jī)(Printer)等周控制或工業(yè)控制上。

Drivein驅(qū)入離子植入(ionimplantation)雖然能較精確地選擇雜質(zhì)數(shù)量，但受限于離子能量，無(wú)法將雜質(zhì)打入芯片較深(um級(jí))的區(qū)域，因此需借著原子有從高濃度往低濃度擴(kuò)散的性質(zhì)，在相當(dāng)高的溫度去進(jìn)行，一方面將雜質(zhì)擴(kuò)散到較深的區(qū)域，且使雜質(zhì)原子占據(jù)硅原子位置，產(chǎn)生所要的電性，另外也可將植入時(shí)產(chǎn)生的缺陷消除。此方法稱之驅(qū)入。在驅(qū)入時(shí)，常通入一些氧氣﹒因?yàn)楣柩趸瘯r(shí)，會(huì)產(chǎn)生一些缺陷，如空洞(Vacancy)，這些缺陷會(huì)有助于雜質(zhì)原子的擴(kuò)散速度。另外，由于驅(qū)入是藉原子的擴(kuò)散，因此其方向性是各方均等，甚至有可能從芯片逸出(out-diffusion)，這是需要注意的。

E-beamLithography電子束微影技術(shù)目前芯片制作中新使用之對(duì)準(zhǔn)機(jī)，其曝光光源波長(zhǎng)約為(365nm~436nm)，其可制作線寬約0.5u之IC圖型。但當(dāng)需制作更細(xì)之圖型時(shí)，則目前之對(duì)準(zhǔn)機(jī)，受曝光光源波長(zhǎng)之限制，而無(wú)法達(dá)成，因此在次微米之微影技術(shù)中，即有用以電子束為曝光光源者，由于電子束波長(zhǎng)甚短(0.1?），故可得甚佳之分辨率，作出更細(xì)之IC圖型，此種技術(shù)即稱之電子束微影技術(shù)。電子束微影技術(shù)，目前已應(yīng)用于光罩制作上，至于應(yīng)用于芯片制作中，則仍在發(fā)展中。

EFREarlyFailureRate早期故障率EarlyFailureRate是產(chǎn)品可靠度指針。意謂IC到客戶手中使用其可能發(fā)生故障的機(jī)率。當(dāng)DRAM生產(chǎn)測(cè)試流程中經(jīng)過(guò)BURN-IN高溫高壓測(cè)試后，體質(zhì)不佳的產(chǎn)品便被淘汰掉。為了確定好的產(chǎn)品其可靠度達(dá)到要求，所以從母批中取樣本做可靠度試驗(yàn)，試驗(yàn)中對(duì)產(chǎn)品加高壓高溫，催使不耐久的產(chǎn)品故障，因而得知產(chǎn)品的可靠度。故障機(jī)率與產(chǎn)品生命期之關(guān)系，類似浴缸，稱為BathtubCurve，如下圖:

Electromigration電子遷移所謂電子遷移，乃指在電流作用下今金屬。此系電子的動(dòng)量傳給帶正電之金屬離子所造成的。當(dāng)組件尺寸愈縮小時(shí)，相對(duì)地電流密度則愈來(lái)愈大;當(dāng)此大電流經(jīng)過(guò)集成電路中之薄金屬層時(shí)，某些地方之金屬離子會(huì)堆積起來(lái)，而某些地方則有金屬空缺情形，如此一來(lái)，堆積金屬會(huì)使鄰近之導(dǎo)體短路，而金屬空缺則會(huì)引起斷路。材料搬動(dòng)主要原動(dòng)力為晶界擴(kuò)散。有些方法可增加鋁膜導(dǎo)體對(duì)電遷移之抗力，例如:與銅形成合金，沉積時(shí)加O等方式。

ELECTRON/HOLE電子/電洞電子是構(gòu)成原子的帶電粒子，帶有一單位的負(fù)電荷，環(huán)繞在原子核四周，形成原子。電洞是晶體中，在原子核間的共享電子，因受熱干擾或雜質(zhì)原子取代，電子離開原有的位置所遺留下來(lái)的"空缺"因缺少一個(gè)電子，無(wú)法維持電中性，可視為帶有一單位的正電荷。

Ellipsometer橢圓測(cè)厚儀將已知波長(zhǎng)之入射光分成線性偏極或圓偏極，照射在待射芯片，利用所得之不同橢圓偏極光之強(qiáng)度訊號(hào)，以Fourier分析及Fresnel方程式，求得待測(cè)芯片膜厚與折射率之儀器，稱為橢圓測(cè)厚仿。簡(jiǎn)單之結(jié)構(gòu)如下圖所示:

EMElectronMigrationTest電子遷移可靠度測(cè)試當(dāng)電流經(jīng)過(guò)金屬導(dǎo)線，使金屬原子獲得能量，沿區(qū)塊邊界(GrainBoundaries)擴(kuò)散(Diffusion)，使金屬線產(chǎn)生空洞(Void)，甚至斷裂，形成失效。其對(duì)可靠度評(píng)估可用電流密度線性模型求出：AF＝[J(stress)/J(op)]n×exp[Ea/Kb(1/T(top)-1/T(stress))]TF＝AF×T(stress)

EndPointDetector終點(diǎn)偵測(cè)器在電漿蝕刻中，利用其反應(yīng)特性，特別設(shè)計(jì)用以偵測(cè)反應(yīng)何時(shí)完成的一種裝置。一般終點(diǎn)偵測(cè)器可分為下列三種:(1)雷射終點(diǎn)偵測(cè)器（LaserEndpointDetector）:利用雷射光入射反應(yīng)物(即芯片)表面，當(dāng)蝕刻發(fā)生時(shí)，反應(yīng)層之厚度會(huì)逐漸減少，因而反射光會(huì)有干涉訊號(hào)產(chǎn)生，當(dāng)蝕刻完成時(shí)，所接收之訊號(hào)亦己停止變化，即可測(cè)得終點(diǎn)。

(2)

激發(fā)光終點(diǎn)偵涕器（OpticalEmissionEndpointDetector）:用一光譜接收器，接收蝕刻反應(yīng)中某一反應(yīng)副產(chǎn)物(Byproduct)所激發(fā)之光諳，當(dāng)蝕刻反接逐漸完成，此副產(chǎn)物減少，光譜也漸漸變?nèi)?，即可偵測(cè)得其終點(diǎn)。

(3)

時(shí)間偵測(cè)器：直接設(shè)定反應(yīng)時(shí)間，當(dāng)時(shí)間終了，即結(jié)束其反應(yīng)。

Energy能量能量是物理學(xué)之專有名詞。如上圖，B比A之電壓正l00伏，若在A板上有一電子受B板正電吸引而加速跑到B板，這時(shí)電子在B板就比在A板多了100電子伏特的能量。

EPIWAFER磊晶芯片磊晶系在晶體表面成長(zhǎng)一層晶體。

EPROM（ERASABLE-PROGRAMMABLEROM）電子可程序只讀存儲(chǔ)器MASKROM內(nèi)所存的資料是在FAB內(nèi)制造過(guò)程中便已設(shè)定好，制造完后便無(wú)法改變。就像任天堂游戲卡內(nèi)的MASKROM，存的是金牌瑪麗，就無(wú)法變成雙截龍。而EPROM是在ROM內(nèi)加一特殊結(jié)構(gòu)叫AFAMDS，它可使ROM內(nèi)的資料保存。但常紫外光照到它時(shí)，它會(huì)使ROM內(nèi)的資料消失，每一個(gè)記憶單位都?xì)w零。然后工程人員再依程序的規(guī)范，用30伏左右的電壓將0101…資料灌入每一記憶單位。如此就可灌電壓，照紫光，重復(fù)使用，存入不同的資料。也就是說(shuō)如果任天堂游戲卡內(nèi)使用的是EPROM，那么您打膩了金牌瑪麗，就把卡匣照紫光，然后灌雙截龍的程序進(jìn)去?？ㄏ痪妥兂呻p截龍卡，不用去交換店交換了。

ESD靜電破壞ElectrostaticDamage靜電放電ElectrostaticDischarge1.

自然界之物質(zhì)均由原子組成，而原子又由質(zhì)子、中子及電子組成，在平常狀態(tài)下，物質(zhì)呈中性，而在日?；顒?dòng)中，會(huì)使物質(zhì)失去電子，或得到電子﹒此即產(chǎn)生一靜電，得到電子之物質(zhì)為帶負(fù)靜電，失去電子即帶正靜電。靜電大小會(huì)隨著日常的工作環(huán)境而有所不同，如下表所示。

活動(dòng)情形靜電強(qiáng)度（Volt）10-20﹪相對(duì)濕度65-95﹪相對(duì)濕度走過(guò)地毯走過(guò)塑料地扳在椅子上工作拿起塑料活頁(yè)夾袋拿起塑料帶工作椅墊摩擦35,00012,0006,0007,00020,00018,0001,5002501006001,0001,500表l日常工作所產(chǎn)生的靜電強(qiáng)度表2.

當(dāng)物質(zhì)產(chǎn)生靜電后，隨時(shí)會(huì)放電，若放到電子組件上，例如IC，則會(huì)將組件破壞而使不能正常工作，此即為靜電破壞或靜電放電。3.

防止靜電破壞方法有二：在組件設(shè)計(jì)上加上靜電保護(hù)電路。在工作環(huán)境上減少靜電。例如工作桌之接地線，測(cè)試員之靜電環(huán)，在運(yùn)送上使用防靜電膠套及海綿等等。

ETCH蝕刻在機(jī)體電路的制程中，常常需要將整個(gè)電路圖案定義出來(lái)，其制造程序通常是先長(zhǎng)出或蓋上一層所需要之薄膜，再利用微影技術(shù)在這層薄膜上，以光阻定義出所欲制造之電路圖案，再利用化學(xué)或物理方式將不需要之部份去除，此種去除步驟，便稱為蝕刻(ETCH)。一般蝕刻可分為濕式蝕刻(WETETCH)，及干式蝕刻(DRYETCH)兩種。所謂濕蝕刻乃是利用化學(xué)品(通常是酸液)與所欲蝕刻之薄膜，起化學(xué)反應(yīng)，產(chǎn)生氣體或可溶性，生成物，達(dá)到圖案定義之目的。而所謂干蝕刻，則是利用干蝕刻機(jī)臺(tái)產(chǎn)生電漿將所欲蝕刻之薄膜，反應(yīng)產(chǎn)生氣體，由PUMP抽走達(dá)到圖案定表之目的。

Exposure曝光其意表略同于照相機(jī)底片之感光在基集成電路之制造過(guò)程中，定義出精細(xì)之光阻圖形為其中重要的步驟，以運(yùn)用最廣之5XSTEPPER為例，其方式為以對(duì)紫外線敏感之光阻膜作為類似照相機(jī)底片，光罩上則有我們所設(shè)計(jì)之各種圖形，以特殊波長(zhǎng)之光線(G-LINE436NM)照射光罩后，經(jīng)過(guò)縮小鏡片(REDUCTIONLENS)光罩上之圖形則呈5倍縮小后，精確地定義在底片上(芯片上之光阻膜)經(jīng)過(guò)顯影后，即可將照到光(正光阻)之光阻顯掉，而得到我們想要之各種精細(xì)圖形，以作為蝕刻或離子植人用。因光阻對(duì)于某特定波長(zhǎng)之光線特別敏感，故在黃光室中，找將一切照明用光源過(guò)濾成黃色，以避免泛白光源中含有對(duì)光阻有感光能力之波長(zhǎng)成份在，這一點(diǎn)各相關(guān)人員應(yīng)特別注意，否則會(huì)發(fā)生光線污染現(xiàn)象，而擾亂精細(xì)之光阻圖形。

FabricationFAB制造Fabrication為"裝配"或"制造"之意，與Manufacture意思一樣。半導(dǎo)體制造程序，其步驟繁多，且制程復(fù)雜，需要有非常精密的設(shè)備和細(xì)心的作業(yè)，才能達(dá)到無(wú)缺點(diǎn)的品質(zhì)。FAB系Fabrication之縮寫，指的是"工廠"之意。我們常稱FAB為"晶圓區(qū)"，例如：進(jìn)去"FAB"之前須穿上防塵衣。

FBFCFullBitFunctionChip全功能芯片由于產(chǎn)品上會(huì)有缺陷，所以有些芯片無(wú)法全功能工作。因此須要雷射修補(bǔ)前測(cè)試，以便找到缺陷位置及多寡，接著就能利用雷射修補(bǔ)將有缺陷的芯片修補(bǔ)成全功能的芯片。(當(dāng)缺陷超過(guò)一定限度時(shí)，無(wú)法修補(bǔ)成全功能芯片)

FIELD/MOAT場(chǎng)區(qū)FIELD直譯的意思是”場(chǎng)”。如運(yùn)動(dòng)場(chǎng)，足球場(chǎng)和武道場(chǎng)等的場(chǎng)都叫做FIELD。它的涵義就是一個(gè)有專門用途的區(qū)域。在IC內(nèi)部結(jié)構(gòu)中，有一區(qū)域是隔離電場(chǎng)的地方，通常介于兩個(gè)MOS晶體管之間，稱為場(chǎng)區(qū)。場(chǎng)區(qū)之上大部份會(huì)長(zhǎng)一層厚的氧化層。

FILTRATION過(guò)濾用過(guò)濾器（FILTER,為一半透明膜折疊而成）將液體或氣體中的雜質(zhì)給過(guò)濾掉，此稱為FILTRATION（過(guò)濾）故IC制造業(yè)對(duì)潔凈度的要求是非常的嚴(yán)，故各種使用的液體或氣體（包括大氣）必須借著過(guò)濾以達(dá)到潔凈的要求。待過(guò)濾之液體及氣體能經(jīng)過(guò)過(guò)濾器且成功地將雜質(zhì)擋下，必須借著一個(gè)PUMP制造壓差來(lái)完成，如何選擇一組恰當(dāng)?shù)倪^(guò)濾器及PUMP是首要的課題。

FITFailureinTimeFIT是用以表示產(chǎn)品可靠度的單位FIT＝1Failurein109Device-Hours例如：1000Devices工作1000Hours后1Device故障，則該產(chǎn)品的可靠度為：（1Failure）/（1000Device×1000Hours）＝1000FITs

Foundry客戶委托加工客戶委托加工主要是接受客戶委托，生產(chǎn)客戶自有權(quán)利的產(chǎn)品，也就是客戶提供光罩，由聯(lián)華來(lái)生產(chǎn)制造，在將成品出售給客戶，只收取代工費(fèi)用，這種純粹代工，不涉及銷售的方式在國(guó)際間較通常的稱呼就叫硅代工（SiliconFoundry）。

FourPointProbe四點(diǎn)針測(cè)．是量測(cè)芯片片阻值(SheetResistance)Rs的儀器。．其原理如下:

上圖ABCD四針，A、D間通以電流I，B、C兩針量取電壓差(ΔV)，則Rs=K．ΔV/I．K是比例常數(shù)，和機(jī)臺(tái)及針尖距離有關(guān)

F/SFinesonicClean超音波清洗超音波清洗的主要目的是用來(lái)去除附著在Wafer表面的particle，其反應(yīng)機(jī)構(gòu)有二:1﹒化學(xué)作用:利用SC-1中的NH4,OH,H2O2，與Silicon表面反應(yīng)，將particle剝除。2﹒物理作用:利用頻率800KHz，功率450Wx2的超音波震蕩去除particle。

FTIR傅氏轉(zhuǎn)換紅外線光譜分析儀FTIR乃利用紅外線光譜經(jīng)傅利葉轉(zhuǎn)換進(jìn)而分析雜質(zhì)濃度的光譜分析儀器。．己發(fā)展成熟，可Routine應(yīng)用者，計(jì)有:a.BPSG/PSG之含磷、含硼量預(yù)測(cè)。b.芯片之含氧、含碳量預(yù)測(cè)c.磊晶之厚度量測(cè)．發(fā)展中需進(jìn)一步Setup者有:a.氮化硅中氫含量預(yù)測(cè)b.復(fù)晶硅中含氧量預(yù)測(cè)c.光阻特性分析FTIR為一極便利之分析儀器，STD的建立為整個(gè)量測(cè)之重點(diǎn)，由于其中多利用光學(xué)原理，芯片狀況(i.e.晶背處理狀況)對(duì)量測(cè)結(jié)果影響至鉅。

FTYFinalTestYield在晶圓出廠后，仍須經(jīng)過(guò)包裝及T1(斷/短路測(cè)試)，Burn-in(燒結(jié))，T3(高溫功能測(cè)試)，T4(低溫功能測(cè)試)，QA測(cè)試，方能銷售，出貨至客戶手中。在這段漫長(zhǎng)而繁復(fù)的測(cè)試過(guò)程中，吾人定義FinalTestYield為:T1Yield*Burn-inYield*T3Yield*T4Yield

FukeDefect成因?yàn)楣杌镏趸?，尤其是以水蒸氣去致密化PBSG時(shí)會(huì)發(fā)生，造成閘極(PolyGate)與金屬間的短路，如圖所示：

硅化物之氧化可分為二類型：(以TiSi2為例)l﹒熱力學(xué)觀點(diǎn)SiO2是最穩(wěn)定，故Si擴(kuò)散至TiSi2之表面時(shí)，會(huì)與H20反應(yīng)成SiO2而非TiO2。2﹒動(dòng)力學(xué)觀點(diǎn)而言，當(dāng)Si不足時(shí)，則會(huì)形成TiO2而將TiSi2分解。

GATEOXIDE閘極氧化層GATEOXIDE是MOSFET(金氧半場(chǎng)效晶體管)中，相當(dāng)重要的閘極之下的氧化層。此氧化層厚度較薄，且品質(zhì)要求也較嚴(yán)格。

GateValve閘閥用來(lái)控制氣體壓力之控制裝置。通常閘閥開啟愈大，氣體于反應(yīng)室內(nèi)呈現(xiàn)之壓力較低，反之，開啟愈小，壓力較高。

GECGoodElectricalChip優(yōu)良電器特性芯片能夠合于規(guī)格書(DataBook)上所定義電器特性的芯片。這些芯片才能被送往芯片包裝工廠制成成品銷售給客戶。

GETTERING吸附"GETTERING"--系于半導(dǎo)休制程中，由于可能受到晶格缺陷"(CRYSTALDEFECT)或金屬類雜質(zhì)污染等之影響，造成組件接口之間可能有漏電流(JUNCTIONLEAKAGE)存在，而影響組件特性;如何將這些晶格缺陷、金屬雜質(zhì)摒除解決的種種技術(shù)上做法，就叫做"GETTERING"(吸附)吸附一般又可分"內(nèi)部的吸附°一INIRNINGSICGETTERING。及"外部的吸附"一EXTRINSICGETTERING﹒前者系在下線制造之前先利用特殊高溫步讓謀晶圓表面的「晶格缺陷或含氧量」盡量降低。后者系利用外在方法如:晶背傷言、磷化物(POCL3)預(yù)置ETC將晶圓表面的缺陷及雜質(zhì)等盡量吸附到晶圓背面。二者均可有效改善上述問(wèn)題。

G-lineG-光線G-line系指一種光波的波長(zhǎng)，多系水銀燈所發(fā)出之光波波長(zhǎng)之一，其波長(zhǎng)為436nm。G-line之光源，最常作為Stepper之曝光用，Stepper所用之水銀燈，本來(lái)系由許多不同之波長(zhǎng)的光組成，利用一些Mirror和Filter反射、過(guò)濾的結(jié)果，會(huì)將其它波長(zhǎng)之光過(guò)濾掉，僅余G-line作為曝光用，使用單一波長(zhǎng)作為曝光光源可以得到較佳的能量控制和解析力，但由于其為單色波，故產(chǎn)生之駐波效應(yīng)(StandingWave)對(duì)光阻圖案產(chǎn)生很大的影響，在選擇最佳光阻厚度，以符合駐波的特性，成為G-lineStepper最主要的工作之一。

GlobalAlignment整片性對(duì)準(zhǔn)與計(jì)算GlobalAlignment系指整片芯片在曝光前，先做整片性對(duì)準(zhǔn)與計(jì)算，然后接著可做整片芯片之曝光。?GlobalAlignment分為二種1.普通的GlobalAlignment:每片芯片共對(duì)準(zhǔn)左右二點(diǎn)。2.AdvanceGlobalAlignment:每月芯片對(duì)準(zhǔn)預(yù)先設(shè)定好之指定數(shù)個(gè)Field的對(duì)準(zhǔn)鍵，連續(xù)對(duì)準(zhǔn)完畢并經(jīng)計(jì)算機(jī)計(jì)算后，才整片曝光。

GOIGateOxideIntegrity閘極氧化層完整性半導(dǎo)體組件中，閘極氧化層的完整與否，關(guān)系著電容上電荷的存放能力，故需設(shè)計(jì)一適當(dāng)流程，其主要目的在測(cè)閘極氧化層之崩潰電壓(breakdownvoltage)、有效氧化層厚度等，以仿真閘極氧化層的品質(zhì)及可信賴度，通常即以此崩潰電壓值表示GOI的優(yōu)劣程度。GRAINSIZE顆粒大小直譯為顆粒大小。一種晶體材料形成后，從微觀的角度來(lái)看，材料都是一大堆顆粒累疊在一起而成。這些顆粒有大有小，尺寸不一。而且材料的特性也會(huì)因?yàn)轭w粒大小而變化，故常要注意其大小變化。GRRStudyGaugeRepeatabilityandReproducibility量測(cè)儀器重復(fù)性與再現(xiàn)性之研究將量測(cè)儀器的重復(fù)性一儀器本身的變異，再現(xiàn)性--操作人本身的變異，用統(tǒng)計(jì)的方法算出，以判斷量測(cè)儀器是否符合制程參數(shù)控制之需要。

H2SO4硫酸SUIFURICACID硫酸目前最廣泛使用的工業(yè)化學(xué)品。強(qiáng)力腐蝕性，濃稠，油狀液體，依純度不同，由無(wú)色至暗棕色，與水以各種不同比例互溶。甚具活性。溶解大部份的金屬。濃硫酸具氧化，脫水，磺化大部分的有機(jī)化合物，常常引起焦黑。比重1.84，沸點(diǎn)315℃。與水混合時(shí)，須格外小心，由于放熱引起爆炸性的濺潑，永遠(yuǎn)是將酸加到水中，而非加水至酸中。不小心被濺到，用大量水沖洗。目前在線上，主要用于SO清洗及光阻去除

H3PO4磷酸PHOSPHORICACID磷酸無(wú)色無(wú)味起泡液體或透明晶形固體。依溫度，濃度而定。在20℃50及75﹪強(qiáng)度為易流動(dòng)液體，85﹪為似糖漿，100%酸為晶體。比重1.834，熔點(diǎn)42.35℃。在213﹪失去Y2H2O，形成焦磷酸。溶于水，乙醇，腐蝕鐵及合金。對(duì)皮膚，眼睛有剌激性，不小心被濺到，可用水沖洗。目前磷酸用于SI3N4的去除，濃度是85﹪，沸點(diǎn)156℃，SI3N4與SIO2的蝕刻比約為30:1

HCL氯化氫（鹽酸）HYDROCHLORICACID鹽酸。無(wú)色或淡黃色，發(fā)煙，剌激性液體。氯化氫的水溶液。鹽酸是一種強(qiáng)烈酸性及高腐蝕性酸。市面出售之"濃或發(fā)煙酸含有氯化氫38%，比重1.19。氯化氫溶解在水中有各種不同的濃度?？扇苡谒凭?，苯，不可燃。用途廣泛?？捎糜谑称芳庸?，金屬之酸洗與清潔，工業(yè)酸化，一般之清洗，實(shí)驗(yàn)試藥。不小心被濺到，用大量水沖洗。目前線上，主要用于RCA清洗。

HEPA高效率過(guò)濾器HEPA(HighEfficiencyParticulateAirFilter)為CleanRoom內(nèi)用以濾去微粒之裝置，一般以玻璃纎維制成，可將0.1μm或0.3μm以上之微粒濾去99.97﹪，壓力損失約12.5mm-H2O。層流臺(tái)能保持Class100以下之潔凈度，即靠HEPA達(dá)成。目前除層流臺(tái)使用HEPA外，其它如烤箱、旋轉(zhuǎn)機(jī)，為了達(dá)到控制Particle的效果﹒也都裝有HEPA之設(shè)計(jì)。

HILLOCK凸起物金屬濺鍍后為使金屬與硅基(SI-SUBSTRATE)有良好的歐姆式接觸需先經(jīng)融合過(guò)程。在融合過(guò)程中因鋁與硅的熱膨脹系數(shù)不同，(鋁將會(huì)膨脹較快)，而造成部份的鋁無(wú)法向外擴(kuò)張只得向上膨脹造成小山丘狀的”凸起物”（HILLOCK）

HMDSHMDS蒸鍍HMDS原為化學(xué)藥品HexaMethylDiSilazane的縮寫，在此則是指芯片在上光阻前的一個(gè)預(yù)先處理步驟。HMDS蒸鍍就是利用惰性氣體(例如氮?dú)?帶著HMDS的蒸汽通過(guò)芯片表面，而在晶面上形成一層薄膜。其目的在于消除芯片表面的微量水份。防止空氣中的水汽再次吸附于晶面。增加光阻劑(尤其是正光阻)對(duì)于晶面的附著能力，進(jìn)而減少在爾后之顯影過(guò)程中產(chǎn)生光阻掀起，或是在蝕刻時(shí)產(chǎn)生了”Undercutting”的現(xiàn)象。目前在規(guī)范中規(guī)定于HMDS蒸鍍完4小時(shí)內(nèi)須上光阻以確保其功能。

HNO3硝酸NITRICACID硝酸透明，無(wú)色或微黃色，發(fā)煙，易吸濕之腐蝕性液體，能腐蝕大部份金屬。其黃色是由于曝光所產(chǎn)生之二氧化氮，為強(qiáng)氧化劑，可與水混合，沸點(diǎn)78℃，比重1.504。對(duì)皮膚有腐蝕性，為強(qiáng)氧化劑，與有機(jī)物接觸有起火危險(xiǎn)。清洗爐管用。

HotElectronEffect熱電子效應(yīng)在VLSI的時(shí)代，ShortChannelDevices勢(shì)在必行，而目前一般Circuit應(yīng)用上又未打算更改SupplyVoltage；如此一來(lái)，VG=VDS=5V情況下，將造成ImpactIonization（撞擊游離化）現(xiàn)象發(fā)生于Drain鄰近區(qū)域。伴隨而生之Electron-Holepairs(電子電洞對(duì))，絕大部份經(jīng)由Drain(Electrons)orSub.(Holes)導(dǎo)流掉。但基于統(tǒng)計(jì)觀點(diǎn)，總會(huì)有少部份Electrons（i.e.Hot-Electrons)所具Energy，足以克服Si-SiO2之BarrierHeight(能障)，而射入SiO2，且深陷（Trap）其中。另亦有可能在Hot-Electrons射入過(guò)程中打斷Si-H鍵結(jié)，而形成InterfaceTrap于Si-SiO2接口。不論遵循上述二者之任一，均將導(dǎo)致NMOSPerformance的退化(Degradation)現(xiàn)象。

I-LineStepperI-Line步進(jìn)對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī)當(dāng)光罩與芯片對(duì)準(zhǔn)后，利用365nm之波長(zhǎng)為光源，將預(yù)作在光罩上之圖形以M：1之比例，一步一步的重復(fù)曝至芯片上之機(jī)器(如圖)。

M:1歩階及重復(fù)

Impurity雜質(zhì)．純粹的硅是金剛石結(jié)構(gòu)，在室溫下不易導(dǎo)電。（如圖一）。．這時(shí)如加入一些B11或As75取代硅的位置，就會(huì)產(chǎn)生"電洞"或°載子"，加以偏壓后就可輕易導(dǎo)電。加入的東西即稱為雜質(zhì)。(圖二，圖三)。圖一礦石結(jié)構(gòu)SiSi||Si—Si—Si|Si圖二電洞SiSiΟ|Si—B11—Si|Si圖三SiSi||Si—As75—Si|?Si載子

IntegratedCircuitIC集成電路集成電路是一九五八年由美國(guó)的德卅儀器公司所發(fā)明的。它是將一個(gè)完整的電子電路處理在一塊小小的硅芯片上，然后再以金屬聯(lián)機(jī)與外在引線相接，外加陶瓷或塑料包裝的裝置，由于它能將原本需要許多零件的電子電路集中縮小，因此被稱為集成電路。它具備優(yōu)于傳統(tǒng)電子電路的三個(gè)特性：體積小、價(jià)廉、可靠。依照其集積化的程度可區(qū)分為小型(SSI)、中型(MSI)、大型(LSI)、超大型(VLSI)集成電路

IONIMPLANTER離子植入機(jī)在IC制程中有時(shí)需要精確地控制雜質(zhì)的濃度及深度，﹒此時(shí)即不宜由擴(kuò)散之方式為之，故以"離子植入機(jī)°解離特定氣體后調(diào)整離子束電流(BEAMCURRENT)，計(jì)算電流X時(shí)間得到所植入雜質(zhì)的濃度并利用加速電壓控制植入的深度。

IonImplanter離子植入由于加速器及真空技術(shù)的發(fā)展，離子布植機(jī)成為本世紀(jì)高科技產(chǎn)品之一，取代了早先的預(yù)置制程。．其好處有：1.可精確控制劑量。2.在真空下操作，可免除雜質(zhì)污染。3.可精確控制植入的深度。4.是一種低溫的制程，5.只要能游離，任何離子皆可植入。IsotropicEtching等向性蝕刻在蝕刻反應(yīng)中，除了縱向反應(yīng)發(fā)生外﹒橫向反應(yīng)亦同時(shí)發(fā)生(見(jiàn)下圖)，此種蝕刻即稱之為等向性蝕刻，一般化學(xué)濕蝕刻多發(fā)生此種現(xiàn)象。

干式蝕刻，其蝕刻后的橫截面具有異向性蝕刻特性(Anisotropic)，即可得到較陡的圖形﹒如下：

ITYIntegratedTestYield為界定產(chǎn)品從waferfab至組裝、測(cè)試所有流程的良率，其定義為:IntegratedTestYLD＝WaferYield*MPY*ATYNote：MPY：Multi-ProbeYieldATY：AssemblyTestYield

LATCHUP栓鎖效應(yīng)當(dāng)VLSI線路密度增加，LATCH-UP之故障模式于MOSVLSI中將愈來(lái)愈嚴(yán)重，且僅發(fā)生于CMOS電路，所有CMOS線路西寄生晶體管所引起的LATCHUP問(wèn)題稱之為SCR(SILICON-CONTROLLEDRECTIFIER)LATCH-UP，在SI基體內(nèi)CMOS中形成兩個(gè)雙載子晶體管P-N-P-N形式的路徑，有如一個(gè)垂直的P+-N-P與一個(gè)水平N+-P-N晶體管組合形成于CMOS反相器，如果因電壓降過(guò)大，或受到外界電壓，電流或光的觸發(fā)時(shí)，將造成兩個(gè)晶體管互相導(dǎo)過(guò)而短路，嚴(yán)重的括，將使IC燒毀，故設(shè)CMOS路防止LATCH-UP的發(fā)生是當(dāng)前IC界最重要的課題。

Layout布局Layout：此名詞用在IC設(shè)計(jì)時(shí)，是指將設(shè)計(jì)者根據(jù)客戶需求所設(shè)計(jì)之線路，經(jīng)由CAD(計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì))，轉(zhuǎn)換成實(shí)際制作IC時(shí)，所需要之光罩布局，以便去制作光罩。因?yàn)榇艘徊季止ぷ鳗q關(guān)系到光罩作出后是和原設(shè)計(jì)者之要求符合，因此必須根據(jù)一定之規(guī)則，好比一場(chǎng)游戲一樣，必須循一定之規(guī)則，才能順利完成﹒而布局完成后之圖形便是IC工廠制作時(shí)所看到的光罩圖形。

LoadLock傳送室用來(lái)隔絕反應(yīng)室與外界大氣直接接觸，以確保反應(yīng)室內(nèi)之潔凈，降低反應(yīng)室受污染之程度。一般用于電漿蝕刻及金屬濺鍍等具有真空反應(yīng)室之設(shè)備。LoadLock和無(wú)LoadLock之差異如下圖

系統(tǒng)起初門均關(guān)閉，其傳送芯片之動(dòng)作為：傳送芯片→打開LoadLockA→將芯片放人，關(guān)閉，抽真空→打開，將芯片入反應(yīng)室，抽其空→開始蝕刻或?yàn)R鍍→蝕刻OK→打開，將芯片移至→,關(guān)上，抽真空，再破真空→打開LoadLockB→送出芯片→關(guān)上真空→系統(tǒng)恢復(fù)起初狀。無(wú)LoadLock者缺與，

LotNumber批號(hào)批號(hào)乃為線上所有材料之"身份證"，keyin批號(hào)如同申報(bào)流動(dòng)戶口，經(jīng)由SMS系統(tǒng)藉以管制追蹤每批材料之所在站別，并得以查出每批材料之詳細(xì)相關(guān)資料，故為生產(chǎn)過(guò)程中之重要步驟。批號(hào)為7碼，其編排方法如下:XX年號(hào)929394XXXX流水序號(hào)000010000200003以下類推*批號(hào)之產(chǎn)生乃于最初投片時(shí)由SMS系統(tǒng)自動(dòng)產(chǎn)生。

LPCVD（LOWPRESSURE）低壓化學(xué)氣相沉積LPCVD的全名是LOWPRESSURECHEMICALVAPORDEPOSITION,即低壓化學(xué)氣相沉積。這是一種沉積方法。在IC制程中，主要在生成氮化硅，復(fù)晶二氧化硅及非晶硅等不同材料。

LPSinter低壓燒結(jié)低壓燒結(jié)(LowPressureSinter,LPSinter)，指在低于大氣壓力下(一般為50Pa或更低)，加熱組件。目地在使金屬膜內(nèi)之原子，藉由熱運(yùn)動(dòng)重新排列，以減少原有之晶格缺陷，形成較佳之金屬結(jié)晶顆粒以增加膜之品質(zhì)。由于在低壓下熱傳導(dǎo)之途徑主要為幅射(Radiation)而非對(duì)流(Convection)或傳導(dǎo)(Conduction)，因此控溫之方式須選以加熱線圈為監(jiān)控溫度(SpikeControl)而非實(shí)際芯片或管內(nèi)之溫度(ProfileControl)，以避免過(guò)熱(Over-Shooting)之現(xiàn)象。

LPYLaserProbeYield雷射修補(bǔ)前測(cè)試良率針測(cè)出能夠被雷射修補(bǔ)后，產(chǎn)生出全功能的芯片﹒以便送入雷射修補(bǔ)機(jī)，完成雷射修補(bǔ)的動(dòng)作。此測(cè)試時(shí)由全功能芯片所計(jì)算出之良品率稱之。由于芯片上有缺失，無(wú)法所有的芯片一開始就是全功能芯片，須要經(jīng)過(guò)雷射修補(bǔ)前測(cè)試，計(jì)算出缺陷多寡及位置，以便進(jìn)行雷射修補(bǔ)，將缺陷較少的芯片修補(bǔ)成全功能芯片。（缺陷超過(guò)一定限度時(shí)無(wú)法修補(bǔ)成全功能芯片）

MASK光罩MASK之原意為面具，而事實(shí)上，光罩在整個(gè)IC制作流程上，所扮演之角色，亦有幾分神似。光罩主要之用途，在于利光阻制程，將我們所需要之圖形一直復(fù)印在芯片上，制作很多之IC晶方。而光罩因所用之對(duì)準(zhǔn)機(jī)臺(tái)，也分為1X,5X,10X,MASK（即1:1,5:1,10:1）等，而根據(jù)其制作之材質(zhì)又可分為石英光罩（QUARTY），綠玻璃光罩等。

Micro,Micrometer,Micron微，微米Micro為10-6,1Micro＝10-61Micrometer＝10-6m＝1Micron＝1μm通常我們說(shuō)1μ即為10-6m。又因?yàn)??＝10-8cm＝10-8m（原子大小）故1μ＝10,000?約為一萬(wàn)個(gè)原子堆積而成的厚度或長(zhǎng)度。

Misalign對(duì)準(zhǔn)不良定義：這層光阻圖案和上層（即留在芯片上者）圖案疊對(duì)不好，超出規(guī)格。；原因：人為，機(jī)臺(tái)，芯片彎曲，光罩‥．種類：例如:下列對(duì)準(zhǔn)狀況，可依照不同層次的規(guī)格決定要不要修改。

MOS金屬半導(dǎo)體構(gòu)成IC的晶體管結(jié)缸可分為兩型一雙載子型(bipolar)和MOS型(Metal-Oxide-Semiconductor)。雙載子型IC的運(yùn)算速度較快但電力消耗較大，制造工程也復(fù)雜，并不是VLSI的主流。而MOS型是由電場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)集積化而成。先在硅上形成絕緣氧化膜之后，再由它上面的外加電極(金屬或復(fù)晶硅)加入電場(chǎng)來(lái)控制某動(dòng)作，制程上比較簡(jiǎn)單，也較不耗電，最早成為實(shí)用化的是P-MOS，但其動(dòng)作速度較慢，不久，更高速的N-MOS也被采用。一旦進(jìn)入VLSI的領(lǐng)域之后﹒NMOS的功率消耗還是太大了，于是由P-MOS及N-MOS組合而成速度更高、電力消耗更少的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS，ComplementaryMOS)遂成為主流。

MPYMultiProbeYield多功能針測(cè)良率針測(cè)出符合電器特性要求的芯片，以便送到封包工廠制成內(nèi)存成品;此測(cè)試時(shí)得到的良品率稱之。每片晶圓上并不是每一個(gè)芯片都能符合電器特性的要求，因此須要多功能針測(cè)以找出符合要求的芯片。

MTBFMeanTimeBetweenFailure故障平均時(shí)間MTBF為設(shè)備可靠度的評(píng)估標(biāo)準(zhǔn)之一，其意指設(shè)備前后發(fā)生故障的平均時(shí)間。MTBF時(shí)間愈短表示設(shè)備的可靠度愈佳，另外MTTR為MeanTimetoRepair為評(píng)估設(shè)備修復(fù)的能力。

N2,Nitrogen氮?dú)饪諝庵屑s4/5是氮?dú)?，氮?dú)馐且话捕ㄖ栊詺怏w，由于取得不難且安定，故Fab內(nèi)常用以當(dāng)作Purge管路，除去臟污、保護(hù)氣氛、傳送氣體(CarrierGas)、及稀釋(Dilute)用途，另外﹒氮?dú)庠诹阆?96℃(77°F)以下即以液態(tài)存在，故常被用做真空冷卻源。

NPtypeSemiconductorNP型半導(dǎo)體一般金屬由于阻值相當(dāng)?shù)?10-2Ω-cm以下)，因此稱之為良導(dǎo)體﹒而氧化物等阻值高至105Ω-cm以上﹒稱之非導(dǎo)體或絕緣體。若阻值在10-2~10-5Ω-cm之間﹒則名為半導(dǎo)體。IC工業(yè)使用的硅芯片，阻值就是在半導(dǎo)體的范圍，但由于Si(硅)是四價(jià)鍵結(jié)(共價(jià)鍵)的結(jié)構(gòu)，若摻雜有如砷(As)﹒磷(P)等五價(jià)元素，且占據(jù)硅原子的地位(SubstitutionalSites)﹒則多出一個(gè)電子，可用來(lái)導(dǎo)電﹒使導(dǎo)電性增加，稱之為N型半導(dǎo)體。若摻雜硼(B)等三價(jià)元素﹒且仍占據(jù)硅原子的地位，則鍵結(jié)少了一個(gè)電子，因此其它違結(jié)電子在足夠的熱激發(fā)下，可以過(guò)來(lái)填補(bǔ)，如此連續(xù)的電子填補(bǔ)﹒稱之為定電洞傳導(dǎo)，亦使硅之導(dǎo)電性增加，稱之為P型半導(dǎo)體。因此N型半導(dǎo)體中，其主要常電粒子為帶負(fù)電的電子，而在P型半導(dǎo)體中，則為常正電的電洞。在平衡狀況下(室溫)不管N型或P型半導(dǎo)體，其電子均與電洞濃度的乘積值不變。故一方濃度增加，另一方即相對(duì)減少。

NSGNondopedSilicateGlass無(wú)滲入雜質(zhì)硅酸鹽玻璃NSG為半導(dǎo)體集成電路中之絕緣層材料，通常以化學(xué)氣相沉積的方式生成，具有良好的均勻覆蓋特性以及良好的絕緣性質(zhì)。主要應(yīng)用于閘極與金屬或金屬與金屬間高低不平的表面產(chǎn)生均勻的覆蓋及良好的絕緣，并且有助于后續(xù)平坦化制程薄膜的生成。

NumericalAperture.NA數(shù)值孔徑N.A﹒NA值是投影式對(duì)準(zhǔn)機(jī)，其光學(xué)系統(tǒng)之解析力(Resolution)好壞的一項(xiàng)指針。NA值愈大，則其解析力也愈佳。

亦即，鏡片愈大，焦距愈短者，解析力就愈佳，但鏡片的制作也就愈難，因?yàn)橐桩a(chǎn)生色差(ChromaticAberration)及像畸變(Distorsion)，以CANONStepper為例，其NA=0.42，換算成照像機(jī)光圈值，f/#＝1/2×0.42＝1.19，如此大的光圈值，Stepper鏡片之昂貴也就不足為奇了。

OEBOxideEtchBack氧化層平坦化蝕刻將Poly-1上之多余氧化層(Filling0X)除去，以達(dá)到平坦化之目的。

OhmicContact歐姆接觸歐姆接觸是指金屬與半導(dǎo)體之接觸，而其接觸面之電阻值遠(yuǎn)小于半導(dǎo)體本身之電阻，使得組件操作時(shí)，大部分的電壓降在于活動(dòng)區(qū)(Activeregion)而不在接觸面。欲形成好的歐姆接觸，有二個(gè)先決條件：（1）金屬與半導(dǎo)體間有低的界面能障(BarrierHeight)（2）半導(dǎo)體有高濃度的雜質(zhì)摻入(N≧1012cm-3)前者可使界面電流中熱激發(fā)部分(ThermionicEmission)增加;后者則使界面空乏區(qū)變窄，電子有更多的機(jī)會(huì)直接穿透(Tunneling)，而同使Rc阻值降低。若半導(dǎo)體不是硅晶，而是其它能量間隙(EnergyCap)較大的半導(dǎo)體(如GaAs)，則較難形成歐姆接觸(無(wú)適當(dāng)?shù)慕饘倏捎?，必須于半導(dǎo)體表面摻雜高濃度雜質(zhì)，形成Metal-n＋-norMetal-p+-p等結(jié)構(gòu)。

ONOOxideNitrideOxide氧化層-氮化層-氧化層半導(dǎo)體組件，常以O(shè)NO三層結(jié)構(gòu)做為介電質(zhì)(類似電容器)，以儲(chǔ)存電荷，使得資料得以在此處存取。在此氧化層-氮化層-氧化層三層結(jié)構(gòu)，其中氧化層與基晶層的接合較氮化層好，而氮化層居中，則可阻擋缺陷(如pinhole)的延展，故此三層結(jié)構(gòu)可互補(bǔ)所缺。

OPL（OpLife）OperationLifeTest使用期限（壽命）任何對(duì)象從開始使用到失效所花時(shí)間為失效時(shí)間(TimeofFailure:TF)，對(duì)產(chǎn)品而言，針對(duì)其工作使用環(huán)境(Operation)，所找出的TF，即為其使用期限(OperationLifeTime)。其方法為:AF=exp[β(Estress-Eop)]*exp[Ea/K(l/Top-1/Tstress)]‥(1)K＝8.63*10-5FailureRateλ（t）＝no.ofFailure*109/TotalTestTime*AF*Device,TotalTestTime*AF＝OperationHours

OXYGEN氧氣無(wú)色，無(wú)氣味，無(wú)味道雙原子氣體。在-183℃液化成淺藍(lán)色的液體，在-218℃固化。在海平面上，空氣中約占20%體積的氧，溶于水和乙醇，不可燃，可以助燃。在電漿光阻去除中，O2主要用來(lái)去除光阻用。在電漿干蝕刻中，O2,混入CF4氣體中，可增加CF4氣體的蝕刻速度。目前O2氣主要用途在于電漿光阻去除。利用O2在電漿中產(chǎn)生氧的自由基(RADICAL)，與光阻中的有機(jī)物反應(yīng)產(chǎn)生CO2和H2O氣體蒸發(fā)，達(dá)到去除光阻的效果。

P磷．自然界元素之一。由15個(gè)質(zhì)子及16個(gè)中子所組成。．離子植入的磷離子，是由氣體PH3，經(jīng)燈絲加熱分解得到的P+離子，借著Extraction抽出氣源室經(jīng)加速管加速后﹒布植在芯片上。．是一種N-type離子，用做磷植入，S/D植入等，

PARTICLECONTAMINATION塵粒污染“塵粒污染”：由于芯片制造過(guò)程甚為漫長(zhǎng)，經(jīng)過(guò)的機(jī)器、人為操作處理甚為繁雜，但因機(jī)器、人為均或多或少會(huì)產(chǎn)生一些塵粒PARTICLE，這些塵粒一旦沾附到芯片上，即會(huì)造成污染影響，而傷害到產(chǎn)品品質(zhì)與良率，此即“塵粒污染”。我們?cè)诓僮鬟^(guò)程中，應(yīng)時(shí)時(shí)防著各項(xiàng)塵粒污染來(lái)源。

ParticleCounter塵粒計(jì)數(shù)器潔凈室之等級(jí)是以每立方呎內(nèi)之微粒數(shù)為分類標(biāo)準(zhǔn)，而計(jì)算微粒數(shù)的儀器即稱塵粒計(jì)數(shù)器，

PassivationOXIDEP/O護(hù)層為IC最后制程，用以隔絕Device和大氣?？煞謨煞N材料：a﹒大部分產(chǎn)品以PSG當(dāng)護(hù)層(PContent2-4%)，b.少部分以PECVD沉積之氮化硅為之。因與大氣接觸，故著重在Corrosion(鋁腐蝕)、Crack（龜裂）、PinHole(針孔)之防冶。除了防止組件為大氣中污染之隔絕之外，護(hù)層可當(dāng)作下層Metal層之保護(hù)，避免Metal被刮傷。

P/DParticleDefect塵粒缺陷ParticleDefect塵粒缺陷為當(dāng)今影響4MDRAW制程良率的最大主因，一般而言，Particlesize如大于designrule的二分之一，足以造成組件的損壞。放在cleanroom的潔凈度要求，操作人員的潔凈紀(jì)律、設(shè)備本身的結(jié)構(gòu)以及制程的條件和設(shè)備維修的能力，無(wú)一不為了降低particle和提升良率而做最大的努力。

PECVD電漿CVDCVD化學(xué)反應(yīng)所需之能量可以是熱能、光能或電漿。以電漿催化之CVD稱做PECVD。PECVD的好處是反應(yīng)速率快、較低的基板溫度及StepCoverage；缺點(diǎn)是產(chǎn)生較大的應(yīng)力，現(xiàn)Feb內(nèi)僅利用PECVD做氮化硅護(hù)層。PECVD英文全名為PlasmaEnhancementCVD。

Pellicle光罩護(hù)膜一般在光罩曝光過(guò)程中，易有微塵掉落光罩上，而使chip有重復(fù)性缺陷，放在光罩上下面包圍一層膜，稱之Pellicle。好處如下：1﹒微塵僅只掉落在膜上，光繞射結(jié)果對(duì)于此微塵影響圖按程度將降至最低。2﹒無(wú)須經(jīng)清洗過(guò)程而只須用空氣槍吹去膜上異物即可將異物(微塵)去除。

PELLICLE光罩保護(hù)膜顧名思義，光罩保護(hù)膜之最大功能，即在保護(hù)光罩，使之不受外來(lái)臟污物之污染，而保持光罩之潔凈；一般使用之材料為硝化纖微素，而厚度較常用的有2.85U，0.86U兩種。一般而言，可將PELLICLE分為兩部份:(I)FRAME:骨架部分，支持其薄膜之支架，其高度稱為STAND-OFF，一般而言，愈高其能忍受PARTICLE之能力愈高，但須配合機(jī)臺(tái)之設(shè)計(jì)使用，(II)FILM：透明之薄膜，其厚度之均勻度，透光率是使用時(shí)重要之參數(shù)。PELLICLE之壽命，除了人為損傷外，一般均可曝光數(shù)十萬(wàn)次，透光率衰減后才停用并更換。

光罩PELLICLE膜LENSSYSTEMPARTICLEWAFERPELLICLE面之成像

PH3氫化磷．一種半導(dǎo)體工業(yè)用氣體。，經(jīng)燈絲加熱供給能量后，可分解成:P'，PH＋，PH2＋。(及H+)．通常P+最大。可由質(zhì)諳諳場(chǎng)分析出來(lái)，做N-type之離子布植用。

PHOTORESIST光阻"光阻"為有機(jī)材料，系利用光線照射，使有機(jī)物質(zhì)進(jìn)行光化學(xué)反應(yīng)而產(chǎn)生分子結(jié)構(gòu)變化，再使用溶劑使之顯像。目前一般商用光阻主要含二部份(1)高分子樹脂(2)光活性物質(zhì)，依工作原理不同可分為正，負(fù)型二類:(1)正型:光活性物質(zhì)為DIAZOQUINOUE類，照光前難溶于堿液中，有抑制溶解樹脂功能，照光后產(chǎn)生酸，反有利于堿液溶解，因此可區(qū)分曝光區(qū)與非曝光區(qū)。(2)負(fù)型:光活性物質(zhì)為DIAZlDE類，照后生成極不安定之雙電子自由基，能與高分子樹脂鍵結(jié)，而增加分子量，選擇適當(dāng)溶劑便可區(qū)分分子量不同之曝光區(qū)與非曝光區(qū)。

PilotWafer試作芯片PilotWafer為試作芯片，并非生產(chǎn)芯片(PrimeWafer)。在操作機(jī)器前，為了確定機(jī)器是否正常所作的試片，或機(jī)器作完維修、保養(yǎng)后所作的測(cè)試用芯片均稱為PilotWafer,由于PilotWafer所作出來(lái)的結(jié)果將決定該批的制程條件，故處理PilotWafer時(shí)，所抱持的態(tài)度必須和處理PrimeWafer一樣慎重。

PINHOLE針孔在光阻制程所謂的針孔，就是在光阻覆蓋時(shí)，光阻薄膜無(wú)法完全蓋住芯片表面，而留有細(xì)小如針孔般的缺陷，在蝕刻制程時(shí)，很可能就被蝕刻穿透，而致芯片的報(bào)廢。在以往使用負(fù)光阻制程時(shí)，由于負(fù)光阻粘稠性較大，覆蓋較薄，因此，容易出現(xiàn)針孔，故有些層次(如CONTACT)，必須覆蓋兩次，才能避免針孔的發(fā)生。目前制程大多使用正光阻，覆蓋較原，已無(wú)針孔的問(wèn)題存在，QC亦不做針孔測(cè)試。

PiranhaClean過(guò)氧硫酸清洗過(guò)氧硫酸(PeroxymonosulfuricAcid)又稱為CARO'sacid，其主要由硫酸加雙氧水反應(yīng)生成，反應(yīng)式如下:H2SO4+H2O2＜＝＞H2SO5+H2OH2SO5為一強(qiáng)氧化劑，可將有機(jī)物氧化分解為CO2+H2O，因此在IC制程中常用來(lái)去除殘余之光阻，另外對(duì)金屬污染及微塵污染也有相當(dāng)好的清洗效果。Piranha原意為食人魚，在這里則是用來(lái)形容過(guò)氧硫酸與光阻之間的劇烈反應(yīng)。

PIX聚醯胺膜PIX作用為緩沖護(hù)層，可保護(hù)CELL于封裝時(shí)緩沖封裝所造成之應(yīng)力，且可隔絕α-Particle,PIX本身為一負(fù)光阻，其制造過(guò)程如附圖。

PlasmaEtching電漿蝕刻在干蝕刻(DryEtch)技術(shù)中，一般多采用電漿蝕刻(PlasmaEtching)與活性離子蝕刻(ReactiveIonEtching)，通常電漿蝕刻使用較高之壓力(大于200mT)及較小之RF功率，當(dāng)芯片浸在電漿之中，曝露在電漿之表層原子or分子與電漿中之活性原子接觸并發(fā)生反應(yīng)而形成氣態(tài)生成物而離開晶面造成蝕刻，此類蝕刻即稱之為電漿蝕刻。所謂電漿(Plasma)即為氣體分子在一電場(chǎng)中被游離成離子(正、負(fù)電荷)、電子、及中性基(Radical)等，在純化學(xué)反應(yīng)中，吾人取中性基為蝕刻因子，在R.I.E時(shí)，取活性離子作為蝕刻因子。

PMPreventiveMaintenance定期保養(yǎng)設(shè)備正常運(yùn)轉(zhuǎn)期間停機(jī)，實(shí)施定期(每天、每周、每月或每季等)的設(shè)備保養(yǎng)。例如:檢修，上油，潤(rùn)滑，更換消耗材等。有良好的PM才能發(fā)揮高的設(shè)備運(yùn)轉(zhuǎn)效率，發(fā)揮設(shè)備最高的使用率。

POCL3三氯氧化磷．一種用做N+擴(kuò)散用之化合物。．通常以N2為"載氣"(CarrierGas)，帶著POCL3和O2(氧氣)一起進(jìn)入高溫爐管，然后產(chǎn)主下列反應(yīng)：4POCL3+3O2→2P2O5+6Cl25P2O5+5Si→4P+5SiO2在反應(yīng)過(guò)程中，磷沉淀于硅表面，同時(shí)硅表面亦形成一氧化層。

POLYSILICON復(fù)晶硅SILICON是IC制造的主要原料之一。通常其結(jié)構(gòu)都是單晶(單一方向的晶體)。而本名詞也是SILICON，只是其結(jié)構(gòu)是復(fù)晶結(jié)構(gòu)。即其結(jié)晶的結(jié)構(gòu)是多方向的，而非單一方向。POLYSILICON通常用低壓化學(xué)氣相沉積的方法沉積而得。其主要用途在作MOS的閘極及單元的連接。

P0X聚醯胺膜含光罩功能POX為PIX/POReticleCombine之略寫，即PIX除具緩沖護(hù)層之作用，同時(shí)可做POPattern用之光阻。PIX,本身為一負(fù)光阻。其制造過(guò)程如附圖。

Preheat預(yù)熱做金屬濺鍍時(shí)。第一個(gè)Station是用來(lái)預(yù)熱芯片其目的有二:使芯片在大氣中吸附的氣體，藉加熱加速其在真空中之排除(Outgas)，濺鍍時(shí)，可以有較干凈的界面。芯片溫度高，濺鍍之金屬原子可以有較高的移動(dòng)率，而使表面擴(kuò)散較完全，有較好的表面覆蓋性(StepCoverage)。但預(yù)熱的溫度有其限制，高的濺鍍溫度使得金屬與硅之接觸電阻(Rc)升高，也使得金屬突起(Hillock)變得嚴(yán)重，而讓表面反射率變差。在金屬閘(MetalGate)產(chǎn)品，也發(fā)現(xiàn)溫度不同會(huì)造成其臨界電壓(VT)的改變。

pressure壓力氣體分子撞擊反應(yīng)室之器壁所產(chǎn)生之力量。氣體分子愈少、壓力愈低。反之氣體分子愈多、壓力愈高。．如壓力之大氣壓力(1atm)時(shí)，表示真空，其壓力單位即為真空度。1大氣壓=latm=760mmHg水銀柱壓力1Torr(托)=1/760atm=lnnHg．如壓力＞大氣壓力時(shí)，即用單位面積所受的重量表示。如Kg/cm2，或psi(lb（磅）/in2（吋））。一般電漿蝕刻機(jī)之壓力為5Omillitorr~0.5rorr一般使用之氣瓶之壓力約為5OOpsi~2OO0psi。

ReactiveIonEtchingR.I.E活性離子蝕刻在電漿蝕刻時(shí)，電漿里包含了活性原子、活性離子(正離子)及電子，當(dāng)壓力較低(小于100mT)且氣體兩端所加之電壓(RFPower)夠高時(shí)，活性離子即被迅速加速?zèng)_向