GB/T 43061-2023半導(dǎo)體集成電路PWM控制器測(cè)試方法

ICS31200

CCSL.55

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T43061—2023

半導(dǎo)體集成電路

PWM控制器測(cè)試方法

Semiconductorintegratedcircuits—TestmethodsofPWMcontroller

2023-09-07發(fā)布2024-04-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T43061—2023

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

一般測(cè)試要求

4……………5

測(cè)試環(huán)境要求

4.1………………………5

測(cè)試注意事項(xiàng)

4.2………………………5

測(cè)試儀器和設(shè)備

4.3……………………6

測(cè)試條件和測(cè)試程序

5……………………6

基準(zhǔn)源單元

5.1…………………………6

基準(zhǔn)電壓V

5.1.1(REF)…………………6

電壓調(diào)整變化量S

5.1.2(V)…………7

電流調(diào)整變化量S

5.1.3(I)…………8

基準(zhǔn)電壓溫度系數(shù)S

5.1.4(T)………………………9

輸出電壓總體變化范圍V

5.1.5(TOT)………………9

輸出噪聲電壓V

5.1.6(NO)…………10

輸出短路電流I

5.1.7(OS)……………11

振蕩器單元

5.2…………………………12

初始頻率f

5.2.1(I)…………………12

電壓穩(wěn)定性f

5.2.2(V)………………13

溫度穩(wěn)定性f

5.2.3(T)………………14

頻率總體變化范圍f

5.2.4(TOT)……………………15

最低工作頻率f

5.2.5(min)…………16

最高工作頻率f

5.2.6(max)…………17

輸出脈沖高電平電壓V

5.2.7[OH(osc)]………………18

輸出脈沖低電平電壓V

5.2.8[OL(osc)]………………19

輸出脈沖電壓幅度V

5.2.9[OA(osc)]…………………19

輸出脈沖寬度t

5.2.10(W)…………20

鋸齒波峰值電壓V

5.2.11[P(ramp)]…………………21

鋸齒波谷值電壓V

5.2.12[V(ramp)]…………………22

鋸齒波谷峰值電壓幅度V

5.2.13-[A(ramp)]…………22

同步端輸入電流I

5.2.14[I(sync)]……………………23

同步閾值電壓V

5.2.15[TH(sync)]……………………24

Ⅰ

GB/T43061—2023

誤差放大器單元

5.3……………………25

輸入失調(diào)電壓V

5.3.1(IO)…………25

輸入偏置電壓V

5.3.2(IB)……………25

輸入失調(diào)電流I

5.3.3(IO)……………25

輸入偏置電流I

5.3.4(IB)……………25

開環(huán)電壓增益A

5.3.5(VD)…………25

共模抑制比K

5.3.6(CMR)……………25

電源電壓抑制比K

5.3.7(SVR)………………………25

共模輸入電壓范圍V

5.3.8(ICM)……………………25

輸出電壓轉(zhuǎn)換速率S

5.3.9(R)………………………25

單位增益帶寬f

5.3.10(BWG)………………………25

輸出電流I

5.3.11(SOURCE)…………25

輸入電流I

5.3.12(SINK)……………26

輸出高電平電壓V

5.3.13(OH)………………………27

輸出低電平電壓V

5.3.14(OL)………………………28

比較器單元

5.4PWM…………………29

占空比調(diào)節(jié)范圍q

5.4.1()…………29

零占空比閾值電壓V

5.4.2[TH(zq)]…………………30

最大占空比閾值電壓V

5.4.3[TH(mq)]………………31

輸出延遲時(shí)間tt

5.4.4[dr(pwm)/df(pwm)]………………33

輸出驅(qū)動(dòng)單元

5.5………………………34

輸出低電平電壓V

5.5.1[OL(drv)]……………………34

輸出高電平電壓V

5.5.2[OH(drv)]……………………35

輸出上升下降時(shí)間tt

5.5.3/(r/f)…………………36

輸出漏電流I

5.5.4[O(off)]……………38

軟啟動(dòng)單元

5.6…………………………38

充電電流I

5.6.1(CHG)………………38

放電電流I

5.6.2(DCG)………………39

限流保護(hù)關(guān)斷單元

5.7/………………40

關(guān)斷閾值電壓V

5.7.1[TH(sd)]………………………40

關(guān)斷輸出延遲時(shí)間t

5.7.2-[d(sd)]……………………41

欠壓鎖定單元

5.8………………………43

啟動(dòng)電壓V

5.8.1[CC(st)]……………43

最小工作電壓V

5.8.2[CC(min)]………………………44

遲滯電壓V

5.8.3(ΔCC)………………45

功耗

5.9…………………46

啟動(dòng)電源電流I

5.9.1[CC(st)]…………46

電源電流I

5.9.2(CC)…………………46

Ⅱ

GB/T43061—2023

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由中華人民共和國(guó)工業(yè)與信息化部提出

。

本文件由全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC78)。

本文件起草單位中國(guó)航天科技集團(tuán)有限公司第九研究院第七七一研究所成都華微電子科技有限

:、

公司西安電子科技大學(xué)

、。

本文件主要起草人穆永杰鄧些鵬賈寧剛閆永超楊曉萍王策包軍林楊博胡巧玉

:、、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T43061—2023

半導(dǎo)體集成電路

PWM控制器測(cè)試方法

1范圍

本文件描述了半導(dǎo)體集成電路脈沖寬度調(diào)制控制器以下簡(jiǎn)稱器件參數(shù)測(cè)試方法

(PWM)()。

本文件適用于半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域中控制器參數(shù)的測(cè)試

PWM。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導(dǎo)體器件集成電路第部分模擬集成電路

GB/T17940—20003:

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。