砷化太陽(yáng)電池的研究現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)

砷化太陽(yáng)電池的研究現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)

0光電池wolbachinggeas太陽(yáng)電池的發(fā)展已有40多年的歷史。20世紀(jì)50年代首次發(fā)現(xiàn)GaAs材料具有光伏效應(yīng)后,LOFERSKI確立了太陽(yáng)電池光電轉(zhuǎn)換效率與材料禁帶寬度Eg間的關(guān)系,即Eg=1.4～1.6eV的材料光電轉(zhuǎn)換效率高。而GaAs材料的Eg=1.43eV,能獲得較高的轉(zhuǎn)換效率。JENNY等首次制成GaAs太陽(yáng)電池,其效率為6.5%。60年代GOBAT等研制了第1個(gè)摻鋅GaAs太陽(yáng)電池,但轉(zhuǎn)換效率僅為9%～10%,遠(yuǎn)低于27%的理論值。70年代,WOODAL等采用LPE技術(shù),在GaAs表面生長(zhǎng)一層寬禁帶AlxGa1-xAs窗口層,大大減少了表面復(fù)合,轉(zhuǎn)換效率提高至16%,開(kāi)創(chuàng)了高效率砷化鎵太陽(yáng)電池的新紀(jì)元。20世紀(jì)80年代后,GaAs太陽(yáng)電池技術(shù)經(jīng)歷了從LPE到MOCVD,從同質(zhì)外延到異質(zhì)外延,從單結(jié)到多結(jié)疊層結(jié)構(gòu)的幾個(gè)發(fā)展階段,其發(fā)展速度日益加快,效率也不斷提高,最高效率已達(dá)到29%。與硅太陽(yáng)電池相比,GaAs太陽(yáng)電池具有更高的光電轉(zhuǎn)換效率、更強(qiáng)的抗輻照能力和更好的耐高溫性能,是公認(rèn)的新一代高性能長(zhǎng)壽命空間主電源。從80年代至今,GaAs太陽(yáng)電池在空間主電源領(lǐng)域的應(yīng)用比例日益增大。1太陽(yáng)電池材料特性GaAs太陽(yáng)電池是一種Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體太陽(yáng)電池,與Si太陽(yáng)電池相比,其特點(diǎn)為:a)光電轉(zhuǎn)換效率高GaAs的禁帶寬度較Si為寬,GaAs的光譜響應(yīng)特性和空間太陽(yáng)光譜匹配能力亦比Si好,因此,GaAs太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率高。Si太陽(yáng)電池理論效率為23%,而單結(jié)和多結(jié)GaAs太陽(yáng)電池的理論效率分別為27%和50%。b)可制成薄膜和超薄型太陽(yáng)電池GaAs為直接躍遷型材料,而Si為間接躍遷型材料。在可見(jiàn)光范圍內(nèi),GaAs材料的光吸收系數(shù)遠(yuǎn)高于Si材料。同樣吸收95%的太陽(yáng)光,GaAs太陽(yáng)電池只需5～10μm的厚度,而Si太陽(yáng)電池則需大于150μm。因此,GaAs太陽(yáng)電池能制成薄膜型,質(zhì)量可大幅減小。c)耐高溫性能好GaAs的本征載流子濃度低,GaAs太陽(yáng)電池的最大功率溫度系數(shù)(-2×10-3℃-1)比Si太陽(yáng)電池(-4.4×10-3℃-1)小很多。200℃時(shí),Si太陽(yáng)電池已不能工作,而GaAs太陽(yáng)電池的效率仍有約10%。d)抗輻射性能好GaAs為直接禁帶材料,少數(shù)載流子壽命較短,在離結(jié)幾個(gè)擴(kuò)散度外產(chǎn)生的損傷,對(duì)光電流和暗電流均無(wú)影響。因此,其抗高能粒子輻照的性能優(yōu)于間接禁帶的Si太陽(yáng)電池。在電子能量為1MeV,通量為1×1015個(gè)/cm2輻照條件下,輻照后與輻照前太陽(yáng)電池輸出功率比,GaAs單結(jié)太陽(yáng)電池>0.76,GaAs多結(jié)太陽(yáng)電池>0.81,而BSFSi太陽(yáng)電池僅為0.70。e)可制成效率更高的多結(jié)疊層太陽(yáng)電池MOCVD技術(shù)的日益完善,Ⅲ-Ⅴ族三元、四元化合物半導(dǎo)體材料(GaInP、AlGaInP、GaInAs等)生長(zhǎng)技術(shù)取得的重大進(jìn)展,為多結(jié)疊層太陽(yáng)電池研制提供了多種可供選擇的材料。2制造技術(shù)2.1條件生長(zhǎng)法lpeLPE是NELSON在1963年提出的一種外延生長(zhǎng)技術(shù)。其原理是以低熔點(diǎn)的金屬(如Ga、In等)為溶劑,以待生長(zhǎng)材料(如GaAs、Al等)和摻雜劑(如Zn、Te、Sn等)為溶質(zhì),使溶質(zhì)在溶劑中呈飽和或過(guò)飽和狀態(tài),通過(guò)降溫冷卻使溶質(zhì)從溶劑中析出,結(jié)晶在襯底上,實(shí)現(xiàn)晶體的外延生長(zhǎng)。20世紀(jì)70年代初,LPE開(kāi)始用于單結(jié)GaAs太陽(yáng)電池的研制。通過(guò)在GaAs單晶襯底上外延生長(zhǎng)n-GaAs、p-GaAs和一層寬禁帶AlxGa1-xAs窗口層,使GaAs太陽(yáng)電池效率明顯提高。LPE設(shè)備成本較低,技術(shù)較為簡(jiǎn)單,可用于單結(jié)GaAs/GaAs太陽(yáng)電池的批產(chǎn)。LPE的缺點(diǎn)是異質(zhì)界面生長(zhǎng)無(wú)法進(jìn)行、多層復(fù)雜結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)難以實(shí)現(xiàn)和外延層參數(shù)難以精確控制等,這限制了GaAs太陽(yáng)電池性能的進(jìn)一步提高。20世紀(jì)90年代初,國(guó)外已基本不再發(fā)展該技術(shù),但歐、俄、日等地區(qū)和國(guó)家仍保留LPE設(shè)備,用于研制小衛(wèi)星電源。2.2-族等3、3,5-2氫化物合成法MOCVD是MANASEVIT在1968年提出的一種制備化合物半導(dǎo)體薄層單晶的方法。其原理是采用Ⅲ族、Ⅱ族元素的金屬有機(jī)化合物Ga(CH3)3、Al(CH3)3、Zn(C2H5)2等和Ⅴ族、Ⅵ族元素的氫化物(PH3、AsH3、H2Se)等作為晶體生長(zhǎng)的源材料,以熱分解的方式在襯底上進(jìn)行氣相沉積(氣相外延),生長(zhǎng)Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體及其三元、四元化合物半導(dǎo)體薄膜單晶。20世紀(jì)70年代末,MOCVD開(kāi)始用于研制GaAs太陽(yáng)電池。與LPE相比,MOCVD雖然設(shè)備成本較高,但具有不可比擬的優(yōu)越性。兩者的比較如表1所示。3國(guó)外技術(shù)進(jìn)步3.1單結(jié)gaas太陽(yáng)電池3.1.1多片lpe工藝20世紀(jì)70～80年代,以GaAs單晶為襯底的單結(jié)GaAs/GaAs太陽(yáng)電池研制基本采用LPE技術(shù)生長(zhǎng),最高效率達(dá)到21%。80年代中期,已能大批量生產(chǎn)面積為2cm×2cm或2cm×4cm的GaAs/GaAs電池,如美國(guó)休斯公司采用多片LPE設(shè)備,年產(chǎn)3萬(wàn)多片2cm×2cm電池,最高效率達(dá)19%,平均效率為17%(AM0);日本三菱公司采用垂直分離三室LPE技術(shù),一個(gè)外延流程可生產(chǎn)200片2cm×2cmGaAs電池,最高效率達(dá)19.3%,平均效率為17.5%(AM0)。此外,國(guó)外也用MOCVD技術(shù)研制GaAs/GaAs太陽(yáng)電池,美國(guó)生產(chǎn)的GaAs/GaAs太陽(yáng)電池,批產(chǎn)的平均效率達(dá)到了17.5%(AM0)。3.1.2mocvd工藝為克服GaAs/GaAs太陽(yáng)電池單晶材料成本高、機(jī)械強(qiáng)度較差,不符合空間電源低成本、高可靠要求等缺點(diǎn),1983年起逐步采用Ge單晶替代GaAs制備單結(jié)GaAs電池。GaAs/Ge太陽(yáng)電池的特點(diǎn)是:具有GaAs/GaAs電池的高效率、抗輻照和耐高溫等優(yōu)點(diǎn),Ge單晶機(jī)械強(qiáng)度高,可制備大面積薄型電池,且單晶價(jià)格約為GaAs的30%。單結(jié)GaAs電池結(jié)構(gòu)如圖1所示。不斷發(fā)展的MOCVD技術(shù),解決了GaAs、Ge異質(zhì)材料界面鈍化的技術(shù)難題,使GaAs/Ge太陽(yáng)電池的效率由16%提高到20%以上。80年代中后期,美、意、日、英等國(guó)的公司用MOCVD技術(shù)大批量生產(chǎn)單結(jié)GaAs/Ge太陽(yáng)電池,批產(chǎn)平均效率已達(dá)18.0%～19.5%(AM0,1個(gè)太陽(yáng)常數(shù))。3.2太陽(yáng)電池的光學(xué)轉(zhuǎn)換單結(jié)GaAs電池只能吸收特定光譜的太陽(yáng)光,其轉(zhuǎn)換效率不高。不同禁帶寬度的Ⅲ-Ⅴ族材料制備的多結(jié)GaAs電池,按禁帶寬度大小疊合,分別選擇性吸收和轉(zhuǎn)換太陽(yáng)光譜的不同子域,可大幅度提高太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率。理論計(jì)算表明(AM0光譜和1個(gè)太陽(yáng)常數(shù)):雙結(jié)GaAs太陽(yáng)電池的極限效率為30%,三結(jié)GaAs太陽(yáng)電池的極限效率為38%,四結(jié)GaAs太陽(yáng)電池的極限效率為41%。多結(jié)太陽(yáng)電池光譜吸收原理如圖2所示。20世紀(jì)80年代中期,國(guó)外逐步開(kāi)始研制高效率多結(jié)疊層電池。多結(jié)疊層電池效率高、溫度系數(shù)低、抗輻射能力強(qiáng),其空間應(yīng)用更具吸引力。3.2.1al0.33-ga0.5-gaas雙結(jié)太陽(yáng)電池的生長(zhǎng)與發(fā)展雙結(jié)GaAs太陽(yáng)電池是由兩種不同禁帶寬度的材料制成的子電池,通過(guò)隧穿結(jié)串接起來(lái)。雙結(jié)電池主要吸收太陽(yáng)光譜的短波段和長(zhǎng)波段。a)Al0.37Ga0.63As/GaAs(Ge)雙結(jié)太陽(yáng)電池在研制單結(jié)GaAs太陽(yáng)電池的過(guò)程中,深入研究了AlGaAs/GaAs的異質(zhì)結(jié)構(gòu)。因此研制雙結(jié)太陽(yáng)電池時(shí),首先關(guān)注的是Al0.37Ga0.63As/GaAs晶格匹配和光譜匹配系統(tǒng),兩者的Eg分別為1.93eV和1.42eV,正處于疊層太陽(yáng)電池所需的最佳匹配范圍。1988年,CHUNG等用MOCVD技術(shù)生長(zhǎng)了Al0.37-Ga0.63As/GaAs雙結(jié)疊層太陽(yáng)電池,其AM0效率達(dá)到23%。研究中發(fā)現(xiàn)生長(zhǎng)高質(zhì)量Al0.37Ga0.63As層非常困難。這是因?yàn)锳l容易氧化,對(duì)氣源和系統(tǒng)中的殘留氧非常敏感,導(dǎo)致少子壽命明顯縮短,無(wú)法顯著提高太陽(yáng)電池的電流密度。此外,Al0.37Ga0.63As電池的抗輻照性能與GaAs電池相仿,不能有效地增加雙結(jié)太陽(yáng)電池的空間應(yīng)用壽命。因此,90年代中期后,對(duì)Al0.37Ga0.63As/GaAs雙結(jié)太陽(yáng)電池的研究未取得新的進(jìn)展。b)Ga0.5In0.5P/GaAs(Ge)雙結(jié)太陽(yáng)電池Ga0.5-In0.5P是另一個(gè)寬帶隙與GaAs晶格匹配的系統(tǒng)。與Al0.37Ga0.63As/GaAs體系相比,Ga0.5In0.5P/GaAs的界面復(fù)合速率很低(約為1.5cm/s),且Ga0.5In0.5P電池具有與InP電池相似的抗輻照性能,故Ga0.5In0.5P/GaAs雙結(jié)太陽(yáng)電池具有更高的性能和更長(zhǎng)的應(yīng)用壽命。其結(jié)構(gòu)如圖3所示。1984年,美國(guó)研制出Ga0.5In0.5P/GaAs疊層雙結(jié)太陽(yáng)電池。通過(guò)不斷研究Ga0.5In0.5P的性能和生長(zhǎng)條件,改進(jìn)源物質(zhì)的純化,優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),使效率不斷提升,由1985年的僅為4%,增至1994年的25.7%。1997年,TAKAMOTO等在P+-GaAs襯底上研制的Ga0.5In0.5P/GaAs雙結(jié)太陽(yáng)電池,其AM0最高效率達(dá)到26.9%。90年代初,Ga0.5In0.5P/GaAs雙結(jié)太陽(yáng)電池從實(shí)驗(yàn)室研制進(jìn)入批產(chǎn)階段,批產(chǎn)的平均效率已達(dá)22%。3.2.2/ge疊層太陽(yáng)電池在Ga0.5In0.5P/GaAs(Ge)雙結(jié)電池的基礎(chǔ)上,1993年國(guó)外開(kāi)始研制效率更高的三結(jié)Ga0.5In0.5P/GaAs/Ge疊層太陽(yáng)電池。其結(jié)構(gòu)如圖4所示。1996年,美國(guó)光譜實(shí)驗(yàn)室研制的該類電池的AM0最高效率達(dá)到25.7%,小批量生產(chǎn)平均效率達(dá)到23.8%;1997年大批量生產(chǎn)平均效率達(dá)到24.5%,2000年最高效率達(dá)到29%,2002年大批量生產(chǎn)平均效率達(dá)到26.5%。目前,國(guó)際上從事多結(jié)電池批產(chǎn)的最知名的兩家公司是美國(guó)的光譜實(shí)驗(yàn)室和Emcore,其年批產(chǎn)能力分別為500kW和200kW。3.2.3電池材料的匹配和帶隙OLSON等發(fā)現(xiàn),因Ge的帶隙(0.67eV)偏低,使Ga0.5In0.5P(1.85eV)、GaAs(1.43eV)、Ge(0.67eV)不能構(gòu)成理想的三結(jié)電池,但Ge可以構(gòu)成四結(jié)電池的底電池。故四結(jié)電池的關(guān)鍵是尋找晶格匹配的第三結(jié)疊層電池材料,其直接帶隙為0.95～1.05eV(AM0光譜)。計(jì)算表明,Ga0.5In0.5P/GaAs/GaInNAs/Ge四結(jié)電池的效率可達(dá)41%。90年代末,OLSON等發(fā)現(xiàn)Ga1-xInxNyAs(y=0.35x)與GaAs晶格匹配,當(dāng)y=3%時(shí),其Eg≈1.0eV。研制的第三結(jié)電池顯示其短路電流密度Jsc=7.4mA/cm2,遠(yuǎn)低于四結(jié)疊層太陽(yáng)電池所需的理想值(>16.5mA/cm2)。雖然四結(jié)電池的理論效率可達(dá)41%,但理想的第三結(jié)材料迄今尚未找到。3.2.4gaas電池在空間應(yīng)用中的發(fā)展現(xiàn)狀70年代初至80年代初,對(duì)GaAs電池進(jìn)行了大量空間飛行試驗(yàn)。1970年和1973年前蘇聯(lián)發(fā)射的“月行器”Ⅰ、Ⅱ宇宙飛船上裝有實(shí)驗(yàn)用GaAs電池。1984年,在“禮炮7號(hào)”飛船的主帆板上安裝了1個(gè)GaAs電池方陣。1983年美國(guó)休斯公司在LIPSⅡ衛(wèi)星上安裝了由1800片2cm×2cmGaAs電池組成的方陣進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。飛行試驗(yàn)表明,GaAs太陽(yáng)電池的可靠性、抗輻射能力和耐高溫性能完全符合空間應(yīng)用的要求。自80年代初以來(lái),國(guó)外在航天飛行器空間主電源,尤其是在小衛(wèi)星空間電源系統(tǒng)中開(kāi)始應(yīng)用GaAs太陽(yáng)電池,GaAs組件所占比例逐漸增大,目前已占90%。前蘇聯(lián)1986年發(fā)射的“和平號(hào)”軌道空間站,裝備了10kW單結(jié)Ga1-xAlxAs/GaAs異質(zhì)界面電池,方陣面積比功率達(dá)到180W/m2。經(jīng)8a的空間運(yùn)行,太陽(yáng)電池陣輸出功率衰退≯15%。1988年初,日本發(fā)射的CS-3通信衛(wèi)星,衛(wèi)星主電源安裝了8萬(wàn)片三菱公司生產(chǎn)的2cm×4cmGaAs太陽(yáng)電池,平均效率為18.9%(AM0)。1997年,休斯公司發(fā)射的一顆HS601HP系列衛(wèi)星,空間主電源采用了GaInP2/GaAs/Ge雙結(jié)電池。這是首顆采用多結(jié)電池的商業(yè)衛(wèi)星,其電池壽命初期的平均效率為21.6%,遠(yuǎn)高于GaAs/Ge單結(jié)電池的18.5%,從而顯著增加了太陽(yáng)電池陣列的功率輸出能力。這些電池的電學(xué)性能、抗輻照性能和機(jī)械性能,完全滿足空間質(zhì)量要求和衛(wèi)星應(yīng)用要求。此后,多結(jié)GaAs太陽(yáng)電池開(kāi)始正式步入空間應(yīng)用領(lǐng)域。目前,多結(jié)電池在軌應(yīng)用已達(dá)250kW以上。最值得注意的是,2002年6月美國(guó)發(fā)射的GalaxyIIIC衛(wèi)星采用了美光譜實(shí)驗(yàn)室生產(chǎn)的、效率高達(dá)26.5%的改進(jìn)型三結(jié)GaInP2/GaAs/Ge太陽(yáng)電池。4電池驗(yàn)證試驗(yàn)70年代中期至90年代中期,國(guó)內(nèi)均采用LPE技術(shù)研制GaAs電池。這種方法設(shè)備簡(jiǎn)單、毒性小、外延層質(zhì)量較高,但GaAs的表面復(fù)合速率較高,多層復(fù)雜結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)和厚度的精確控制難以實(shí)現(xiàn)。單結(jié)GaAs/GaAs電池效率已從14%提高至20%,電池面積從1cm×1cm提高至2cm×4cm,從單片研制發(fā)展到50～100片/爐,已達(dá)到空間實(shí)用化水平。90年代中期,國(guó)內(nèi)開(kāi)始采用MOCVD技術(shù)研制GaAs電池?！熬盼濉逼陂g主要研制單結(jié)GaAs電池,其中單結(jié)GaAs/GaAs電池最高效率達(dá)到21%(AM0),單結(jié)GaAs/Ge電池達(dá)到20%(AM0)?！笆濉背跗?單結(jié)GaAs/Ge電池進(jìn)入批產(chǎn),批產(chǎn)平均效率達(dá)到18.5%～19.0%(AM0)。同時(shí)開(kāi)始采用MOCVD技術(shù)研制多結(jié)GaAs電池。目前雙結(jié)GaInP/GaAs電池最高效率已達(dá)到23.5%(AM0),三結(jié)GaInP/GaAs/Ge電池的研究處于起步狀態(tài)。在1988年9月發(fā)射的FY-1A星上,進(jìn)行了我國(guó)首次GaAs電池的衛(wèi)星標(biāo)定試驗(yàn)。試驗(yàn)用20mm×20mm×0.3mm單結(jié)GaAs電池,直接安裝在衛(wèi)星的太陽(yáng)方陣帆板上,利用衛(wèi)星的高精度遙測(cè)系統(tǒng)測(cè)量了短路電流Isc和溫度,電池標(biāo)定誤差為+0.24%。在1990年9月發(fā)射的FY-1B星上,進(jìn)行了4W組合件的電功率輸出試驗(yàn)。試驗(yàn)用54片太陽(yáng)電池(2并×27串組合件),直接安裝在衛(wèi)星的太陽(yáng)帆板上,與其處于同一工作狀態(tài)。經(jīng)分析計(jì)算遙測(cè)數(shù)據(jù),得到在空間標(biāo)準(zhǔn)條件下組合件輸出功率為4.17W(最大為4.5W),對(duì)應(yīng)的光電轉(zhuǎn)換效率為16.37%(最大為17.61%)。在軌運(yùn)行期間,組合件性能穩(wěn)定,工作正常。2001年1月發(fā)射的“神舟3號(hào)”飛船和2002年5月發(fā)射的“海洋-1”衛(wèi)星上,進(jìn)行了單結(jié)GaAs電池的搭載試驗(yàn)?！笆濉蹦┢?國(guó)內(nèi)將在各種衛(wèi)星上大規(guī)模應(yīng)用單結(jié)GaAs/Ge電池。5前景5.1太陽(yáng)電池陣的優(yōu)化改造目標(biāo)改進(jìn)多結(jié)GaAs太陽(yáng)電池的結(jié)構(gòu)和制備工藝,提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率(三結(jié)Ga0.5In0.5P/GaAs/Ge太陽(yáng)電池突破32%,四結(jié)GaAs太陽(yáng)電池突破35%),擴(kuò)大批產(chǎn)能力(年產(chǎn)量大于10MW),大幅提高空間太陽(yáng)電池方陣的面積比功率、質(zhì)量比功率和應(yīng)用壽命,降低太陽(yáng)電池陣的成本。Si和GaAs電池性能和成本的比較如表2所示。5.2薄膜電池的反滲透膜技術(shù)GaAs電池質(zhì)量大、費(fèi)用高,利用GaAs材料對(duì)陽(yáng)光吸收系數(shù)大的特點(diǎn),可制成薄膜型(厚度5～10μm)。就空間應(yīng)用而言,薄膜化可大大減輕太陽(yáng)方陣質(zhì)量,從而提高電池的質(zhì)量比功率(由120W/kg提高到600W/kg以上)。80～90年代,GaAs薄膜電池的最高效率雖已達(dá)到22%,但由于制備技術(shù)難度很大,且大面積薄膜的移植和組裝非常困難,因此,其空間應(yīng)用受到較大的限制。隨著大面積GaAs薄膜電池的均勻性、剝離、移植、組裝及配套柔性帆板等方面研究的深入,預(yù)期在未來(lái)5～10a內(nèi),高效率大面積GaAs薄膜電池將逐步應(yīng)用于空間。5.3gaas聚光電池的發(fā)展趨勢(shì)采用聚光器是目前空間光伏界的趨勢(shì)之一。空間聚光陣列具有更高的抗輻射性能、更低的費(fèi)用和更高的效率,并可減少電池批產(chǎn)的資金投入。多結(jié)GaAs太陽(yáng)電池因其高效率、高電壓(低電流)和高溫特性好等優(yōu)點(diǎn),而被廣泛用于聚光系統(tǒng)。目前高效率三結(jié)Ga0.5In0.5P/GaAs/Ge聚光電池的最高效率已達(dá)到34%(AM1.5,210太陽(yáng)常數(shù)),批產(chǎn)效率已達(dá)到28%(AM1.5,100～300太陽(yáng)常數(shù))。聚光太陽(yáng)電池大部分用于地面系統(tǒng),空間應(yīng)用的進(jìn)展緩慢。主要的難題是對(duì)日跟蹤機(jī)構(gòu)非常復(fù)雜,空間散熱非常困難。目前少部分用于空間的聚光太陽(yáng)電池,聚光倍數(shù)均較低,成本相應(yīng)較高。GaAs聚光電池發(fā)展的重點(diǎn)是:提高光電轉(zhuǎn)換效率(>40%)和批產(chǎn)能力(年批產(chǎn)大于300MW),大幅降低成本