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文檔簡介

1.熟悉半導(dǎo)體工藝的一般步驟。2.掌握集成三極管制造工藝流程及工藝步驟的要求。3.牢記相關(guān)工藝步驟溫度和時(shí)間控制、溶液配比要求。4.學(xué)習(xí)半導(dǎo)體工藝參數(shù)的測試，學(xué)會(huì)用顯微鏡進(jìn)行測試觀察。5.學(xué)會(huì)用探針臺(tái)進(jìn)行集成三極管芯片的性能參數(shù)測試。半導(dǎo)體工藝建立在一些已經(jīng)成熟的工藝步驟基礎(chǔ)上，半導(dǎo)體的基本工藝步驟是：氧化層生長、熱擴(kuò)散、光刻、離子注入、沉積（蒸發(fā)）和一）氧化：氧化是在硅片表面生長一層二氧化硅SiO,膜的過程。這層膜的作用是：保護(hù)和鈍化半導(dǎo)體表面：作為雜質(zhì)選擇擴(kuò)散的掩蔽層；用于電極引線和其下面的硅器件之間的絕緣：用作MOS電容和MOS器件柵極的介電層等等。高溫氧化就是把硅襯底置于1000℃以上的高溫下，并通入氧化性氣體，使襯底表面的一層硅氧化成SiO,。高溫氧化又分為：干氧氧化、濕氧氧化和水汽氧化三種。干氧氧化速率慢，但所得到的二氧化硅層質(zhì)量較好，且和光刻膠有良好的粘附性（不易浮膠），而水汽氧化恰好相反，氧化速度快，使所得的二氧化硅層質(zhì)量較差，而且過量的水還有腐蝕Si的作用，所以很少單獨(dú)采用水汽氧化。但終究濕氧氧化生長的二氧化硅層的質(zhì)量不如干氧氧化的好，且易引起Si表面內(nèi)雜質(zhì)再分布。所以，在生長較厚的氧化層時(shí)，往往采用干氧-濕氧-干氧的工藝步驟。二）

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