介孔二氧化硅材料1

介孔二氧化硅材料的制備與表征姓名：專業(yè)：學號：出處：山東師范大學文獻：介孔二氧化硅材料的制備與表征作者：梁靜霞2023/10/61材料與化學化工學院目錄CONTENT介孔二氧化硅材料的制備及其形態(tài)控制第二章緒論第一章介孔二氧化硅材料的形成機理研究第三章第四章總結及啟示2023/10/62材料與化學化工學院1緒論2023/10/63材料與化學化工學院一

緒論1.1多孔材料的定義與分類1.2介孔材料的研究進展1.3介孔二氧化硅材料的研究進展1.4介孔二氧化硅材料的應用研究1.4.1催化領域的應用1.4.2生物科技方面的應用1.4.3吸附/分離的應用1.5選題依據和研究內容2023/10/64材料與化學化工學院1.1多孔材料的定義與分類定義：具有許多一定大小的孔隙以及比表面積高的結構材料被稱為多孔材料。特點：多孔材料比表面積高但是相對密度卻較低、吸附性好并且質量很輕、能夠很好地隔熱隔音、滲透性相當好，從而在吸附、分離、隔熱、消音、還有過濾等方面有很多應用?？梢云帘坞姶挪?，在化學方面進行反應催化和儲蓄化學能，并且在各種生物工程方面有大量的實際應用，在航空航天、電子通訊、交通、醫(yī)療、環(huán)保、冶金、機械、化工和石化工業(yè)等與人類生活息息相關的產業(yè)方面有更廣泛的應用。分類：

2023/10/65材料與化學化工學院1.2介孔材料的研究進展

1992年，J.S.Beck等人在堿性條件下得到了M-41S的一系列有序介孔材料。S.Park等用陰離子表面活性劑開發(fā)了不同結構組成的介孔材料。T.J.Pinnavaia等人以中性胺表面活性劑和中性無機前驅物為介孔材料的模板合成了納米介孔材料。D.Y.Zhao等人用PEO型三元嵌段共聚物作為模板合成得到了介孔SiO2材料(SBA-11，12，14，15，16)，并且該材料是排列有序的，均是利用加入不同劑量的共溶劑從而使得材料的孔徑大小在5nm-30nm范圍內可調。P.Y.Feng等得到籠形介孔二氧化硅材料(FDU-1)孔徑達到12nm。R.Ryoo等用MCM-48的介孔材料為模板，得到了有序炭介孔材料。2023/10/66材料與化學化工學院1.3介孔二氧化硅材料的研究進展科學家們首次利用甲烷基季銨鹽陽離子這一表面活性劑作為模板從而合成出了M41S(MCM-41、MCM-48、MCM-50)這一系列的氧化硅有序介孔分子篩。在堿性環(huán)境下共同導向劑和分散劑是以三嵌段聚醚非離子表面活性劑充當，而結構導向劑是陽離子長鏈季銨鹽，從而制備出來了介孔大小在2nm-5nm范圍內的球形并且有序的介孔二氧化硅納米材料即MCM-41。在制備大孔徑的有序介孔二氧化硅材料時，以嵌段聚醚非離子作為表面活性劑，在酸性條件下便可以制備出4nm-6.6nm的大孔徑范圍內的有序介孔二氧化硅材料(SBA-15型)。2023/10/67材料與化學化工學院1.4介孔二氧化硅材料的應用研究催化領域的應用生物科技方面的應用直接作為催化劑，有序介孔材料能夠使產物的擴散速度加快、選擇性達100％、轉化率可達90％。由于結構的特點有靈活性和孔分布窄等，把摻雜氧化物金屬、配合物等催化劑加入到有序介孔材料骨架中是現(xiàn)階段有序介孔分子篩在催化劑中應用最廣的研究方面生物大分子，如酶、蛋白質、核酸等，分子的尺寸小于10nm，病毒尺寸的大小在30nm附近，孔徑在2nm～50nm之間的有序介孔材料因為它沒有毒性，使得該材料在酶、蛋白質等物質的分解、固定上起到了相當重要的作用吸附/分離的應用作為理想的吸附或者改性材料，由于有序介孔材料具有大的比表面積以及較多的孔容量等特性，在分離以及吸附等應用領域有著更為廣泛的作用。2023/10/68材料與化學化工學院1.5選題依據和研究內容

介孔二氧化硅納米材料兼具了介孔材料和納米材料的雙重特性，以及非常高的化學穩(wěn)定性和生物相容性、合成方便、成本低廉等特點，使其除了在傳統(tǒng)的介孔材料應用領域外，在其他領域如生物醫(yī)藥和基因工程等方面也顯示了極大的應用前景。近年來，關于介孔二氧化硅材料的研究非常多，并且取得了很好的研究成果，但是仍然存在許多問題亟待解決，比如實驗過程非常繁瑣，介孔二氧化硅材料的結構還不夠清楚，理論模型還需進一步研究，介孔材料的微觀控制還不夠精確等。目前水熱合成法是介孔二氧化硅材料的主要合成方法，但是合成時間長（最少十幾個小時）并且操作繁瑣，因而縮短時間、簡化流程是合成二氧化硅材料面臨的主要任務。因此本文簡化了水熱法合成介孔二氧化硅的流程，并對合成的樣品進行表征。

2023/10/69材料與化學化工學院2介孔二氧化硅材料的制備及其形態(tài)控制2023/10/610材料與化學化工學院二介孔二氧化硅材料的制備及其形態(tài)控制2.1介孔二氧化硅的制備過程2.2介孔二氧化硅材料的具體制備方法及表征2.2.1樣品的SEM分析

2.2.2樣品的TEM分析2.2.3小角X-射線衍射2.2.4傅立葉變換紅外光譜(FT-IR)分析2.2.5核磁共振（NMR）2.2.6拉曼譜（Raman）2.3酸度對孔徑大小及形貌的影響2.4溫度對介孔二氧化硅材料的影響2023/10/611材料與化學化工學院2.1介孔二氧化硅的制備過程(3)之后再向上述水溶液體系中加入硅酸酯，其中有機表面活性劑與硅源的物質的量之比可以在25:1-1:500范圍內，硅酸酯的物質的量濃度在0.02-5mol/L之間。繼續(xù)攪拌后分離、洗滌、離心并干燥。最后在高溫下煅燒以去除表面活性劑。(1)將過渡金屬鹽溶解于鹽酸等酸性溶液中，在一定溫度下攪拌使其完全溶解。所述的過渡金屬離子濃度在0.1-1mol/L之間，本方法可以用的過渡性金屬鹽可以是活潑金屬的強酸鹽，比如金屬鈉、鎂、鉀等金屬的鹽酸鹽、硫酸鹽和硝酸鹽等。(2)溶解之后向上述水溶液中加入有機大分子表面活性劑做模板然后繼續(xù)在一定溫度下磁力攪拌一段時間，所述表面活性劑與所加的鹽酸鹽的物質的量之比在5:1-500:1之間，并且表面活性劑的物質的量濃度在一定范圍內。2023/10/612材料與化學化工學院2.2介孔二氧化硅材料的具體制備方法及表征例一將0.3g的過渡性金屬鹽ZnCl2加入到100mL物質的量濃度為2mol/L的稀鹽酸溶液中,在35℃恒定溫度時用磁力攪拌使金屬鹽完全溶解在水溶液里,然后向上述體系中加入2.5g非離子表面活性劑P123。在恒溫35℃時磁力攪拌3小時，之后向上述體系中滴加5.6mL正硅酸四乙酯（TEOS）,之后繼續(xù)攪拌6小時,室溫下靜置24小時,倒出上清液,將剩余白色沉淀物轉移至坩堝中。最后在550℃條件下煅燒3小時（箱式爐每分鐘升溫5℃）。圖2-1（a）TEM圖片圖2-1（b）SEM圖片2023/10/613材料與化學化工學院2.2介孔二氧化硅材料的具體制備方法及表征例二將0.3g的過渡性金屬鹽ZnCl2加入到100mL物質的量濃度為1mol/L的稀鹽酸溶液中，在35℃恒定溫度時用磁力攪拌使金屬鹽完全溶解在水溶液里，然后向上述水溶液體系中加入2.5g非離子表面活性劑P123。在恒溫35℃時磁力攪拌3小時，之后向上述體系中滴加5.6mL正硅酸四乙酯（TEOS），之后繼續(xù)攪拌6小時，室溫下靜置24小時，倒出上清液，將剩余白色沉淀物轉移至坩堝中。最后在550℃條件下煅燒3小時（箱式爐每分鐘升溫5℃）。圖2-2（a）TEM圖片圖2-2（b）SEM圖片2023/10/614材料與化學化工學院2.2介孔二氧化硅材料的具體制備方法及表征例三將0.3g的過渡性金屬鹽ZnCl2加入到100mL物質的量濃度為2mol/L的稀鹽酸溶液中，在35℃恒定溫度時用磁力攪拌使金屬鹽完全溶解在水溶液里，然后向上述水溶液體系中加入2.5g非離子表面活性劑F127。在恒溫35℃時磁力攪拌3小時，之后向上述體系中滴加5.6mL正硅酸四乙酯（TEOS），之后繼續(xù)攪拌6小時，室溫下靜置24小時，倒出上清液，將剩余白色沉淀物轉移至坩堝中。最后在450℃條件下煅燒3小時（箱式爐每分鐘升溫5℃）。圖2-3（a）TEM圖片圖2-3（b）SEM圖片2023/10/615材料與化學化工學院2.2.1樣品的SEM分析按例一的條件制備樣品1-6，僅改變鹽酸的濃度，如下所示：2023/10/616材料與化學化工學院2.2.1樣品的SEM分析樣品1HCl(2mol/L)樣品2HCl(1mol/L)樣品4HCl(0.1mol/L)樣品3HCl(0.5mol/L)樣品5HCl(0.01mol/L)樣品6HCl(0.001mol/L)2023/10/617材料與化學化工學院2.2.2樣品的TEM分析樣品1HCl(2mol/L)樣品2HCl(1mol/L)樣品3HCl(0.5mol/L)樣品4HCl(0.1mol/L)樣品5HCl(0.01mol/L)樣品6HCl(0.001mol/L)2023/10/618材料與化學化工學院2.2.3小角X-射線衍射

當酸度為1mol/L時，在2θ=1.2°處有一個小峰，說明此薄片狀材料的孔道排列具有一定的有序性。

當酸度為0.01mol/L時，未出現(xiàn)小角衍射峰，說明被測樣品的有序度下降，不存在平行排列的有序孔道，但并不能排除孔道的存在。

當酸度為0.001mol/L時，未出現(xiàn)小角衍射峰，說明這種酸度下制備的二氧化硅高度有序孔道不存在，或者說在SiO2超微結構中孔道已經消失。

由此可知，上述三種情況下小角X-射線衍射結果與TEM觀察結果基本一致。2023/10/619材料與化學化工學院2.2.4傅立葉變換紅外光譜(FT-IR)分析

圖中1，2，3分別為在1mol/LHCl、0.01mol/LHCl、0.001mol/LHCl的條件下制備的介孔SiO2的紅外光譜圖。由圖可見，1100cm-1處寬并強的峰是非對稱的Si-O-Si反對稱伸縮振動峰，790cm-1、500cm-1處的吸收帶為對稱的Si-O-Si伸縮振動峰，3450cm-1處的非常寬且強的峰是結構水分子的-OH反對稱伸縮振動峰。其中的三個吸收峰是SiO2的典型特征吸收峰，紅外光譜表明樣品中存在大量的橋氧結構，表明已生成SiO2。紅外吸收光譜表明，酸度不同時，Si-OH基團的O-H伸縮振動強度略有不同。其中，HCl濃度是1mol/L時峰最強，隨HCl濃度的降低，峰強逐漸減弱。2023/10/620材料與化學化工學院2.2.5核磁共振（NMR）

納米介孔二氧化硅材料表面存在著3種硅羥基，包括單羥基HS、氫鍵羥基Hh和雙羥基Hg，我們在檢測時一般運用核磁共振技術直接地定量地檢測這三個硅羥基，圖中在7.2和0處有兩個強峰，在2.6處有1個弱峰，在2.2處有一個弱峰，在1.2處有一個弱峰。三個峰的強度比依次減弱，歸屬于納米介孔材料中3種不同的硅羥基，即單羥基HS、氫鍵羥基Hh和和雙羥基Hg。2023/10/621材料與化學化工學院2.2.6拉曼譜（Raman）