256CTA技術(shù)顱頸部血管造影中的應(yīng)用完整版

256CTA技術(shù)顱頸部血管造影中的應(yīng)用隨著經(jīng)濟(jì)發(fā)展和生活水平的提高，腦血管病已經(jīng)成為人類3大主要死亡原因之一，由于其起病隱匿、發(fā)展迅速，致死、致殘率高，極大的危害了人們的健康。及時、恰當(dāng)?shù)闹委熓菗尵然颊呱年P(guān)鍵，而早期、快速、準(zhǔn)確的診斷是有效治療的必備前提。因此，當(dāng)務(wù)之急是尋找最優(yōu)的診斷方法。目前常用的診斷方法有數(shù)字減影血管造影術(shù)（digitalsudtractionangiography，DSA）、CT血管造影術(shù)（computedtomographicangiography，CTA）、磁共振血管造影（magneticreconanceangiorgraphy，MRA）及多普勒超聲。掃描技術(shù)3.0TSiemensTrioTim磁共振儀，MRS采用PRESS序列，TR/TE1700/135ms，多體素相位矩陣，層厚=15mm，F(xiàn)OV12cmx12cm，1次激發(fā)。成像時間6min35s后處理方法

運(yùn)用MR機(jī)附帶的波譜分析軟件自動完成Ganssian曲線，得到化學(xué)位移圖、波譜圖，分別測量感興趣區(qū)NAA、Cho、Cr等代謝物濃度，同時計算Cho/Cr比值這些化學(xué)信息代表組織或活體中相應(yīng)代謝物的濃度，反應(yīng)組織細(xì)胞的代謝狀況，MRS是從組織細(xì)胞代謝方面來表達(dá)其病理改變MRS分析有單體素（singlevoxel,SV）和多體素（multi-voxel，MV）技術(shù)。SV一般成像時間3-5min，體素大小為2cmx2cmx2cm，對小的病變體素可縮小。SV技術(shù)主要缺陷是解剖范圍覆蓋太小，對體素放置的位置要求高

MV技術(shù)可以進(jìn)行二維單層面成像，也可進(jìn)行三維多層面成像，可同時獲取人體多個體素的代謝信息同時顯示病變組織及其對周圍結(jié)構(gòu)的侵犯情況，同時可以做出偽彩圖將不同代謝物的分布情況顯示在參照磁共振圖像上，因此較SV技術(shù)提供更多的代謝信息，具有更大臨床應(yīng)用價值

MRS分析一般要計算以下幾個特性：譜線的共振頻率、譜峰高、半峰全寬（fullwidthathalfmaximum，F(xiàn)WHM）及譜線下面積等。其橫坐標(biāo)代表共振頻率，采用百萬分率（ppm，ppm表示10-6）為單位，縱坐標(biāo)表示MR信號強(qiáng)度用于臨床的主要是1H-MRS，1H-MRS可以檢測到N-乙酰天門冬氨酸（NAA）、乳酸（Lac）、膽堿化合物（Cho）、總肌酸（Cr）、谷氨酰胺（Gln）、谷氨酸（Glu）、γ-氨基丁酸（GABA）等。前4種是常見的代謝物，可采用絕對定量數(shù)值或用信號強(qiáng)度比值兩種方法來反應(yīng)其濃度變化Cr較穩(wěn)定，常被作為參照值。NAA位于神經(jīng)元胞體和突觸中，由線粒體生成，其含量直接反應(yīng)神經(jīng)元的密度及其活性，Cho是磷酸、膽堿卵磷脂和甘油磷酸膽堿的前驅(qū)物質(zhì)，存在于神經(jīng)元和膠質(zhì)細(xì)胞中，參與細(xì)胞膜的構(gòu)成，膠質(zhì)細(xì)胞內(nèi)的濃度高于神經(jīng)元，因而主要反應(yīng)神經(jīng)膠質(zhì)細(xì)胞變化MRS分析對磁場的均勻性要求較高，為了獲取高質(zhì)量的波譜，分析興趣區(qū)的選擇因盡量避開血液、空氣、腦脊液、脂肪、壞死組織、金屬、鈣化和骨骼等，這些組織可以產(chǎn)生磁敏感偽影影響局部磁場的均勻性MRS是唯一能夠即時、動態(tài)、客觀反應(yīng)組織細(xì)胞生化代謝情況的無創(chuàng)性檢測技術(shù)，該技術(shù)對顱腦腫瘤、顱腦損傷、功能性神經(jīng)疾病、前列腺疾病等的診斷有重要臨床應(yīng)用價值MRS在顱腦腫瘤的應(yīng)用

膠質(zhì)瘤：腫瘤細(xì)胞增長旺盛常侵犯周圍組織致使神經(jīng)元破壞，MRS表現(xiàn)為不同程度的NAA峰下降，Cho峰升高，而Cr峰一般較穩(wěn)定。惡性程度高的膠質(zhì)瘤可以出現(xiàn)Lac峰（膠質(zhì)母細(xì)胞瘤約10%），Cho、Lip峰較高病例1：左額葉腫物：間變性膠質(zhì)細(xì)胞瘤WHOⅢ級伴大片狀壞死，局部進(jìn)展為膠質(zhì)母細(xì)胞瘤WHOⅣ級腦轉(zhuǎn)移瘤：來源于腦外組織，腫瘤內(nèi)部無神經(jīng)元存在，其MRS表現(xiàn)為無NAA峰、Cho峰顯著升高、Cr峰減少或消失、Cho/Cr比值升高，可以出現(xiàn)Lac峰和Lip峰（約73.7%）。這與腫瘤細(xì)胞增殖旺盛和有絲分裂增加導(dǎo)致細(xì)胞膜代謝異常增高、能量耗竭、糖無氧酵解增加有關(guān)

腦膜瘤：顱內(nèi)腦外腫瘤，病理分良性及惡性，良性多見。一般典型腦膜瘤NAA峰降低或消失、Cr下降、Cho升高，可以出現(xiàn)L