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引言：半導(dǎo)體晶體管集成電路集成塊芯片第一節(jié)半導(dǎo)體的基本知識物體導(dǎo)體絕緣體半導(dǎo)體導(dǎo)電特性半導(dǎo)體的溫度影響光照影響雜質(zhì)影響第二章半導(dǎo)體器件一、本征半導(dǎo)體：非常純凈的單晶1、半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)和共價鍵半導(dǎo)體的組成材料鍺硅一種晶體，都是+4價元素，外層4個價電子+14原子核硅原子模型+4價電子簡化模型共價鍵結(jié)構(gòu)圖共價鍵：由于晶體中原子之間距離很近，價電子不僅受到所屬原子核的作用，而且還受到相鄰原子核的吸引，使得一個價電子為相鄰的原子核所共有，形成共價鍵。2、半導(dǎo)體中的載流子（電子和空穴）比較1）T=-273時（絕對零度），由于共價鍵束縛作用，本征半導(dǎo)體中無可自由移動電荷，近似為絕緣體。2）常溫下，熱運(yùn)動影響，價電子很易獲得能量擺脫共價鍵束縛成為自由電子，產(chǎn)生自由電荷。本征激發(fā)：本征半導(dǎo)體在熱（或光照）等作用下產(chǎn)生電子和空穴對的現(xiàn)象，稱為本征激發(fā)。本征激發(fā)產(chǎn)生的電子和空穴是成對出現(xiàn)的。本征激發(fā)本征半導(dǎo)體在常溫下產(chǎn)生電子和空穴的現(xiàn)象電子兩種載流子：自由電子和空穴自由電子：價電子擺脫共價鍵的束縛而成帶負(fù)電空穴：價電子成為自由電子后在原處留下空穴帶正電復(fù)合：自由電子和空穴發(fā)生中和3、兩種載流子的運(yùn)動比較1）無外電場時，做無規(guī)則的熱運(yùn)動，電子填充空穴；或空穴的遷移。2）有外電場時，做有規(guī)則的定向運(yùn)動。二、雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體分為：1、N型半導(dǎo)體P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體本征硅中摻入+5價元素磷P，P與Si組成4對共價鍵，多余一個電子，易

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