半導(dǎo)體專業(yè)術(shù)語(yǔ)English

專業(yè)術(shù)語(yǔ)1.acceptancetesting(WAT:waferacceptancetesting)2.acceptor:受主，如B，摻入Si中需要接受電子3.ACCESS：一種EDA（EngineeringDataAnalysis）系統(tǒng)4.Acid：酸5.Activedevice：有源器件，如MOSFET（非線性，能夠?qū)π盘?hào)放大）6.Alignmark(key)：對(duì)位標(biāo)記7.Alloy：合金8.Aluminum：鋁9.Ammonia：氨水10.Ammoniumfluoride：NH4F11.Ammoniumhydroxide：NH4OH12.Amorphoussilicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）13.Analog：模擬的14.Angstrom：A（1E-10m）埃15.Anisotropic：各向異性（如POLYETCH）16.AQL(AcceptanceQualityLevel)：接受質(zhì)量原則，在一定采樣下，能夠95%置信度通過(guò)質(zhì)量原則（不同于可靠性，可靠性規(guī)定一定時(shí)間后的失效率）17.ARC(Antireflectivecoating)：抗反射層（用于METAL等層的光刻）18.Antimony(Sb)銻19.Argon(Ar)氬20.Arsenic(As)砷21.Arsenictrioxide(As2O3)三氧化二砷22.Arsine(AsH3)23.Asher：去膠機(jī)24.Aspectration：形貌比（ETCH中的深度、寬度比）25.Autodoping：自攙雜（外延時(shí)SUB的濃度高，造成有雜質(zhì)蒸發(fā)到環(huán)境中后，又回?fù)降酵庋訉樱?6.Backend：后段（CONTACT后來(lái)、PCM測(cè)試前）27.Baseline：原則流程28.Benchmark：基準(zhǔn)29.Bipolar：雙極30.Boat：擴(kuò)散用（石英）舟31.CD：（CriticalDimension）臨界（核心）尺寸。在工藝上普通指條寬，例如POLYCD為多晶條寬。32.Characterwindow：特性窗口。用文字或數(shù)字描述的包含工藝全部特性的一種方形區(qū)域。33.Chemical-mechanicalpolish（CMP）：化學(xué)機(jī)械拋光法。一種去掉圓片表面某種物質(zhì)的辦法。34.Chemicalvapordeposition（CVD）：化學(xué)汽相淀積。一種通過(guò)化學(xué)反映生成一層薄膜的工藝。35.Chip：碎片或芯片。36.CIM：computer-integratedmanufacturing的縮寫。用計(jì)算機(jī)控制和監(jiān)控制造工藝的一種綜合方式。37.Circuitdesign：電路設(shè)計(jì)。一種將多種元器件連接起來(lái)實(shí)現(xiàn)一定功效的技術(shù)。38.Cleanroom：一種在溫度，濕度和干凈度方面都需要滿足某些特殊規(guī)定的特定區(qū)域。39.Compensationdoping：賠償摻雜。向P型半導(dǎo)體摻入施主雜質(zhì)或向N型摻入受主雜質(zhì)。40.CMOS：complementarymetaloxidesemiconductor的縮寫。一種將PMOS和NMOS在同一種硅襯底上混合制造的工藝。41.Computer-aideddesign（CAD）：計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)。42.Conductivitytype：傳導(dǎo)類型，由多數(shù)載流子決定。在N型材料中多數(shù)載流子是電子，在P型材料中多數(shù)載流子是空穴。43.Contact：孔。在工藝中普通指孔1，即連接鋁和硅的孔。44.Controlchart：控制圖。一種用統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)描述的能夠代表工藝某種性質(zhì)的曲線圖表。45.Correlation：有關(guān)性。46.Cp：工藝能力，詳見processcapability。47.Cpk：工藝能力指數(shù)，詳見processcapabilityindex。48.Cycletime：圓片做完某段工藝或設(shè)定工藝段所需要的時(shí)間。普通用來(lái)衡量流通速度的快慢。49.Damage：損傷。對(duì)于單晶體來(lái)說(shuō)，有時(shí)晶格缺點(diǎn)在表面解決后形成無(wú)法修復(fù)的變形也能夠叫做損傷。50.Defectdensity：缺點(diǎn)密度。單位面積內(nèi)的缺點(diǎn)數(shù)。51.Depletionimplant：耗盡注入。一種在溝道中注入離子形成耗盡晶體管的注入工藝。（耗盡晶體管指在柵壓為零的狀況下有電流流過(guò)的晶體管。）52.Depletionlayer：耗盡層?？蓜?dòng)載流子密度遠(yuǎn)低于施主和受主的固定電荷密度的區(qū)域。53.Depletionwidth：耗盡寬度。53中提到的耗盡層這個(gè)區(qū)域的寬度。54.Deposition：淀積。一種在圓片上淀積一定厚度的且不和下面層次發(fā)生化學(xué)反映的薄膜的一種辦法。55.Depthoffocus（DOF）：焦深。56.designofexperiments(DOE)：為了達(dá)成費(fèi)用最小化、減少實(shí)驗(yàn)錯(cuò)誤、以及確保數(shù)據(jù)成果的統(tǒng)計(jì)合理性等目的，所設(shè)計(jì)的初始工程批實(shí)驗(yàn)計(jì)劃。57.develop：顯影（通過(guò)化學(xué)解決除去曝光區(qū)域的光刻膠，形成所需圖形的過(guò)程）58.developer：Ⅰ）顯影設(shè)備；Ⅱ）顯影液59.diborane(B2H6)：乙硼烷，一種無(wú)色、易揮發(fā)、有毒的可燃?xì)怏w，慣用來(lái)作為半導(dǎo)體生產(chǎn)中的硼源60.dichloromethane(CH2CL2)：二氯甲，一種無(wú)色，不可燃，不可爆的液體。61.dichlorosilane(DSC)：二氯甲硅烷，一種可燃，有腐蝕性，無(wú)色，在潮濕環(huán)境下易水解的物質(zhì)，慣用于硅外延或多晶硅的成長(zhǎng)，以及用在沉積二氧化硅、氮化硅時(shí)的化學(xué)氛圍中。62.die：硅片中一種很小的單位，涉及了設(shè)計(jì)完整的單個(gè)芯片以及芯片鄰近水平和垂直方向上的部分劃片槽區(qū)域。63.dielectric：Ⅰ）介質(zhì)，一種絕緣材料；Ⅱ）用于陶瓷或塑料封裝的表面材料，能夠提供電絕緣功效。64.diffusedlayer：擴(kuò)散層，即雜質(zhì)離子通過(guò)固態(tài)擴(kuò)散進(jìn)入單晶硅中，在臨近硅表面的區(qū)域形成與襯底材料反型的雜質(zhì)離子層。65.disilane(Si2H6)：乙硅烷，一種無(wú)色、無(wú)腐蝕性、極易燃的氣體，燃燒時(shí)能產(chǎn)生高火焰，暴露在空氣中會(huì)自燃。在生產(chǎn)光電單元時(shí)，乙硅烷慣用于沉積多晶硅薄膜。66.drive-in：推阱，指運(yùn)用高溫過(guò)程使雜質(zhì)在硅片中分布擴(kuò)散。67.dryetch：干刻，指采用反映氣體或電離氣體除去硅片某一層次中未受保護(hù)區(qū)域的混合了物理腐蝕及化學(xué)腐蝕的工藝過(guò)程。68.effectivelayerthickness：有效層厚，指在外延片制造中，載流子密度在規(guī)定范疇內(nèi)的硅錠前端的深度。69.EM：electromigration，電子遷移，指由通過(guò)鋁條的電流造成電子沿鋁條連線進(jìn)行的自擴(kuò)散過(guò)程。70.epitaxiallayer：外延層。半導(dǎo)體技術(shù)中，在決定晶向的基質(zhì)襯底上生長(zhǎng)一層單晶半導(dǎo)體材料，這一單晶半導(dǎo)體層即為外延層。71.equipmentdowntime：設(shè)備狀態(tài)異常以及不能完畢預(yù)定功效的時(shí)間。72.etch：腐蝕，運(yùn)用物理或化學(xué)辦法有選擇的去除不需的區(qū)域。73.exposure：曝光，使感光材料感光或受其它輻射材料照射的過(guò)程。74.fab：常指半導(dǎo)體生產(chǎn)的制造工廠。75.featuresize：特性尺寸，指單個(gè)圖形的最小物理尺寸。76.field-effecttransistor（FET）：場(chǎng)效應(yīng)管。包含源、漏、柵、襯四端，由源經(jīng)柵到漏的多子流驅(qū)動(dòng)而工作，多子流由柵下的橫向電場(chǎng)控制。77.film：薄膜，圓片上的一層或多層迭加的物質(zhì)。78.flat：平邊79.flatbandcapacitanse：平帶電容80.flatbandvoltage：平帶電壓81.flowcoefficicent：流動(dòng)系數(shù)82.flowvelocity：流速計(jì)83.flowvolume：流量計(jì)84.flux：?jiǎn)挝粫r(shí)間內(nèi)流過(guò)給定面積的顆粒數(shù)85.forbiddenenergygap：禁帶86.four-pointprobe：四點(diǎn)探針臺(tái)87.functionalarea：功效區(qū)88.gateoxide：柵氧89.glasstransitiontemperature：玻璃態(tài)轉(zhuǎn)換溫度90.gowning：凈化服91.grayarea：灰區(qū)92.grazingincidenceinterferometer：切線入射干涉儀93.hardbake：后烘94.heteroepitaxy：?jiǎn)尉чL(zhǎng)在不同材料的襯底上的外延辦法95.high-currentimplanter：束電流不小于3ma的注入方式，用于批量生產(chǎn)96.hign-efficiencyparticulateair(HEPA)filter：高效率空氣顆粒過(guò)濾器，去掉99.97%的不小于0.3um的顆粒97.host：主機(jī)98.hotcarriers：熱載流子99.hydrophilic：親水性100.hydrophobic：疏水性101.impurity：雜質(zhì)102.inductivecoupledplasma(ICP)：感應(yīng)等離子體103.inertgas：惰性氣體104.initialoxide：一氧105.insulator：絕緣106.isolatedline：隔離線107.implant:注入108.impurityn:摻雜109.junction:結(jié)110.junctionspikingn:鋁穿刺111.kerf:劃片槽112.landingpadnAD113.lithographyn制版114.maintainability,equipment:設(shè)備產(chǎn)能115.maintenancen:保養(yǎng)116.majoritycarriern:多數(shù)載流子117.masks,deviceseriesofn:一成套光刻版118.materialn:原料119.matrixn1:矩陣120.meann:平均值121.measuredleakraten:測(cè)得漏率122.mediann:中間值123.memoryn:記憶體124.metaln:金屬125.nanometer(nm)n：納米126.nanosecond(ns)n：納秒127.nitrideetchn：氮化物刻蝕128.nitrogen(N2)n：氮?dú)?，一種雙原子氣體129.n-typeadj：n型130.ohmspersquaren：歐姆每平方:方塊電阻131.orientationn：晶向，一組晶列所指的方向132.overlapn：交迭區(qū)133.oxidationn：氧化，高溫下氧氣或水蒸氣與硅進(jìn)行的化學(xué)反映134.phosphorus(P)n：磷，一種有毒的非金屬元素135.photomaskn：光刻版，用于光刻的版136.photomask,negativen：反刻137.images：去掉圖形區(qū)域的版138.photomask,positiven：正刻139.pilotn：先行批，用以驗(yàn)證該工藝與否符合規(guī)格的片子140.plasman：等離子體，用于去膠、刻蝕或淀積的電離氣體141.plasma-enhancedchemicalvapordeposition(PECVD)n：等離子體化學(xué)氣相淀積，低溫條件下的等離子淀積工藝142.plasma-enhancedTEOSoxidedepositionn：TEOS淀積，淀積TEOS的一種工藝143.pnjunctionn：pn結(jié)144.pockedbeadn：麻點(diǎn)，在20X下觀察到的吸附在低壓表面的水珠145.polarizationn：偏振，描述電磁波下電場(chǎng)矢量方向的術(shù)語(yǔ)146.polyciden：多晶硅/金屬硅化物，解決高阻的復(fù)合柵構(gòu)造147.polycrystallinesilicon(poly)n：多晶硅，高濃度摻雜（>5E19）的硅，能導(dǎo)電。148.polymorphismn：多態(tài)現(xiàn)象，多晶形成一種化合物以最少兩種不同的形態(tài)結(jié)晶的現(xiàn)象149.probern:探針。在集成電路的電流測(cè)試中使用的一種設(shè)備，用以連接圓片和檢測(cè)設(shè)備。150.processcontroln:過(guò)程控制。半導(dǎo)體制造過(guò)程中，對(duì)設(shè)備或產(chǎn)品規(guī)范的控制能力。151.proximityX-rayn:近X射線：一種光刻技術(shù)，用X射線照射置于光刻膠上方的掩膜版，從而使對(duì)應(yīng)的光刻膠暴光。152.purewatern:純水。半導(dǎo)體生產(chǎn)中所用之水。153.quantumdevicen:量子設(shè)備。一種電子設(shè)備構(gòu)造，其特性源于電子的波動(dòng)性。154.quartzcarriern:石英舟。155.randomaccessmemory(RAM)n:隨機(jī)存儲(chǔ)器。156.randomlogicdevicen:隨機(jī)邏輯器件。157.rapidthermalprocessing(RTP)n:快速熱解決(RTP)。158.reactiveionetch(RIE)n:反映離子刻蝕(RIE)。159.reactorn:反映腔。反映進(jìn)行的密封隔離腔。160.recipen:菜單。生產(chǎn)過(guò)程中對(duì)圓片所做的每一步解決規(guī)范。161.resistn:光刻膠。162.scanningelectronmicroscope(SEM)n:電子顯微鏡(SEM)。163.scheduleddowntimen:(設(shè)備)預(yù)定停工時(shí)間。164.Schottkybarrierdiodesn:肖特基二極管。165.scribelinen:劃片槽。166.sacrificialetchbackn:犧牲腐蝕。167.semiconductorn:半導(dǎo)體。電導(dǎo)性介于導(dǎo)體和絕緣體之間的元素。168.sheetresistance(Rs)(orpersquare)n:薄層電阻。普通用以衡量半導(dǎo)體表面雜質(zhì)摻雜水平。169.sideload:邊沿載荷，被彎曲后產(chǎn)生的應(yīng)力。170.silicononsapphire(SOS)epitaxialwafer:外延是藍(lán)寶石襯底硅的原片171.smallscaleintegration(SSI):小規(guī)模綜合，在單一模塊上由2到10個(gè)圖案的布局。172.sourcecode:原代碼，機(jī)器代碼編譯者使用的，輸入到程序設(shè)計(jì)語(yǔ)言里或編碼器的代碼。173.spectralline:光譜線，光譜鑷制機(jī)或分光計(jì)在焦平面上捕獲到的狹長(zhǎng)狀的圖形。174.spinwebbing:旋轉(zhuǎn)帶，在旋轉(zhuǎn)過(guò)程中在下表面形成的細(xì)絲狀的剩余物。175.sputteretch:濺射刻蝕，從離子轟擊產(chǎn)生的表面除去薄膜。176.stackingfault:堆垛層錯(cuò)，原子普通堆積規(guī)律的背離產(chǎn)生的2次空間錯(cuò)誤。177.steambath:蒸汽浴，一種大氣壓下，流動(dòng)蒸汽或其它溫度熱源的暴光。178.stepresponsetime:瞬態(tài)特性時(shí)間，大多數(shù)流量控制器實(shí)驗(yàn)中，普通變化時(shí)段到氣流剛達(dá)成特定地帶的那個(gè)時(shí)刻之間的時(shí)間。179.stepper:步進(jìn)光刻機(jī)（按BLOCK來(lái)曝光）180.stresstest:應(yīng)力測(cè)試，涉及特定的電壓、溫度、濕度條件。181.surfaceprofile:表面輪廓，指與原片表面垂直的平面的輪廓（沒(méi)有特指的狀況下）。182.symptom:征兆，人員感覺到在一定條件下產(chǎn)生變化的弊病的主觀認(rèn)識(shí)。183.tackweld:間斷焊，普通在角落上尋找預(yù)先有的地點(diǎn)進(jìn)行的點(diǎn)焊（用于連接蓋子）。184.Taylortray:泰勒盤，褐拈土構(gòu)成的高膨脹物質(zhì)。185.temperaturecycling:溫度周期變化，測(cè)量出的重復(fù)出現(xiàn)相類似的高低溫循環(huán)。186.testability:易測(cè)性，對(duì)于一種已給電路來(lái)說(shuō)，哪些測(cè)試是合用它的。187.thermaldeposition:熱沉積，在超出950度的高溫下，硅片引入化學(xué)摻雜物的過(guò)程。188.thinfilm:超薄薄膜，堆積在原片表面的用于傳導(dǎo)或絕緣的一層特殊薄膜。189.titanium(Ti):鈦。190.toluene(C6H5CH3):甲苯。有毒、無(wú)色易燃的液體，它不溶于水但溶于酒精和大氣。191.1,1,1-trichloroethane(TCA)(CL3CCH3):有毒、不易燃、有刺激性氣味的液態(tài)溶劑。這種混合物不溶于水但溶于酒精和大氣。192.tungsten(W):鎢。193.tungstenhexafluoride(WF6):氟化鎢。無(wú)色無(wú)味的氣體或者是淡黃色液體。在CVD中WF6用于淀積硅化物，也可用于鎢傳導(dǎo)的薄膜。194.tinning:金屬性表面覆蓋焊點(diǎn)的薄層。195.totalfixedchargedensity(Nth):下列是硅表面不可動(dòng)電荷密度的總和：氧化層固定電荷密度(Nf)、氧化層俘獲的電荷的密度(Not)、界面負(fù)獲得電荷密度(Nit)。196.watt(W):瓦。能量單位。197.waferflat:從晶片的一面直接切下去，用于表明自由載流子的導(dǎo)電類型和晶體表面的晶向，也可用于在解決和雕合過(guò)程中的排列晶片。198.waferprocesschamber(WPC):對(duì)晶片進(jìn)行工藝的腔體。199.well:阱。200.wetchemicaletch:濕法化學(xué)腐蝕。201.trench:深腐蝕區(qū)域，用于從另一區(qū)域隔離出一種區(qū)域或者在硅晶片上形成存儲(chǔ)電容器。202.via:通孔。使隔著電介質(zhì)的上下兩層金屬實(shí)現(xiàn)電連接。203.window:在隔離晶片中，允許上下兩層實(shí)現(xiàn)電連接的絕緣的通道。204.torr:托。壓力的單位。205.vaporpressure:當(dāng)固體或液體處在平衡態(tài)時(shí)自己擁有的蒸汽所施加的壓力。蒸汽壓力是與物質(zhì)和溫度有關(guān)的函數(shù)。206.vacuum:真空。207.transitionmetals:過(guò)渡金屬Yield良率Parameter參數(shù)PAC感光化合物ASIC特殊應(yīng)用集成電路Solvent溶劑Carbide碳Refractive折射Expansion膨脹Strip濕式刻蝕法的一種TM:topmental頂層金屬層WEE周邊曝光PSG硼硅玻璃MFG制造部Runcard運(yùn)作卡POD裝晶舟和晶片的盒子Scratch刮傷Reticle光罩Sputter濺射Spin旋轉(zhuǎn)Merge合并A/D[軍]Analog.Digital,模擬/數(shù)字ACMagnitude交流幅度ACPhase交流相位Accuracy精度"ActivityModelActivityModel"活動(dòng)模型AdditiveProcess加成工藝Adhesion附著力Aggressor干擾源AnalogSource模擬源AOI,AutomatedOpticalInspection自動(dòng)光學(xué)檢查AssemblyVariant不同的裝配版本輸出Attributes屬性AXI,AutomatedX-rayInspection自動(dòng)X光檢查BIST,Built-inSelfTest內(nèi)建的自測(cè)試BusRoute總線布線Circuit電路基準(zhǔn)circuitdiagram電路圖Clementine專用共形開線設(shè)計(jì)ClusterPlacement簇布局CM合約制造商CommonImpedance共模阻抗Concurrent并行設(shè)計(jì)ConstantSource恒壓源CooperPour智能覆銅Crosstalk串?dāng)_CVT,ComponentVerificationandTracking元件確認(rèn)與跟蹤DCMagnitude直流幅度Delay延時(shí)Delays延時(shí)DesignforTesting可測(cè)試性設(shè)計(jì)Designator標(biāo)記DFC,DesignforCost面對(duì)成本的設(shè)計(jì)DFM,DesignforManufacturing面對(duì)制造過(guò)程的設(shè)計(jì)DFR,DesignforReliability面對(duì)可靠性的設(shè)計(jì)DFT,DesignforTest面對(duì)測(cè)試的設(shè)計(jì)DFX,DesignforX面對(duì)產(chǎn)品的整個(gè)生命周期或某個(gè)環(huán)節(jié)的設(shè)計(jì)DSM,DynamicSetupManagement動(dòng)態(tài)設(shè)定管理DynamicRoute動(dòng)態(tài)布線EDIF,TheElectronicDesignInterchangeFormat電子設(shè)計(jì)交互格式EIA,ElectronicIndustriesAssociation電子工業(yè)協(xié)會(huì)ElectroDynamicCheck動(dòng)態(tài)電性能分析ElectromagneticDisturbance電磁干擾ElectromagneticNoise電磁噪聲EMC,ElctromagneticCompatibilt電磁兼容EMI,ElectromagneticInterference電磁干擾Emulation硬件仿真EngineeringChangeOrder原理圖與PCB幅員的自動(dòng)對(duì)應(yīng)修改Ensemble多層平面電磁場(chǎng)仿真ESD靜電釋放FallTime下降時(shí)間FalseClocking假時(shí)鐘FEP氟化乙丙烯FFT,FastFourierTransform快速傅里葉變換FloatLicense網(wǎng)絡(luò)浮動(dòng)FrequencyDomain頻域GaussianDistribution高斯分布Globalflducial板基準(zhǔn)GroundBounce地彈反射GUI,GraphicalUserInterface圖形顧客界面Harmonica射頻微波電路仿真HFSS三維高頻構(gòu)造電磁場(chǎng)仿真IBIS,Input/OutputBufferInformationSpecification模型ICAM,IntegratedComputerAidedManufacturing在ECCE項(xiàng)目里就是指制作PCBIEEE,TheInstituteofElectricalandElectronicEngineers國(guó)際電氣和電子工程師協(xié)會(huì)IGES,InitialGraphicsExchangeSpecification三維立體幾何模型和工程描述的原則ImageFiducial電路基準(zhǔn)Impedance阻抗In-Circuit-Test在線測(cè)試InitialVoltage初始電壓InputRiseTime輸入躍升時(shí)間IPC,TheInstituteforPackagingandInterconnect封裝與互連協(xié)會(huì)IPO,InteractiveProcessOptimizaton交互過(guò)程優(yōu)化ISO,TheInternationalStandardsOrganization國(guó)際原則化組織Jumper跳線LinearDesignSuit線性設(shè)計(jì)軟件包LocalFiducial個(gè)別基準(zhǔn)manufacturing制造業(yè)MCMs,Multi-ChipModules多芯片組件MDE,MaxwellDesignEnvironmentNonlinearDesignSuit非線性設(shè)計(jì)軟件包ODB++OpenDataBase公開數(shù)據(jù)庫(kù)OEM原設(shè)備制造商OLEAutomation目的連接與嵌入On-lineDRC在線設(shè)計(jì)規(guī)則檢查Optimetrics優(yōu)化和參數(shù)掃描Overshoot過(guò)沖Panelfiducial板基準(zhǔn)PCBPCBoardLayoutTools電路板布局布線PCB,PrintedCircuitBoard印制電路板Period周期PeriodicPulseSource周期脈沖源PhysicalDesignReuse物理設(shè)計(jì)可重復(fù)PI,PowerIntegrity電源完整性Piece-Wise-linearSource分段線性源Preview輸出預(yù)覽PulseWidth脈沖寬度PulsedVoltage脈沖電壓QuiescentLine靜態(tài)線RadialArrayPlacement極坐標(biāo)方式的元件布局Reflection反射Reuse實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)重用RiseTime上升時(shí)間Rnging振蕩,信號(hào)的振鈴Rounding圍繞振蕩RulesDriven規(guī)則驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)SaxBasicEngine設(shè)計(jì)系統(tǒng)中嵌入SDE,SerenadeDesignEnvironmentSDT,SchematicDesignTools電路原理設(shè)計(jì)工具Setting設(shè)立SettlingTime建立時(shí)間ShapeBase以外形為基礎(chǔ)的無(wú)網(wǎng)格布線Shove元器件的推擠布局SI,SignalIntegrity信號(hào)完整性Simulation軟件仿真Sketch草圖法布線Skew偏移SlewRate斜率SPC,StaticticalProcessControl統(tǒng)計(jì)過(guò)程控制SPI,Signal-PowerIntegrity將信號(hào)完整性和電源完整性集成于一體的分析工具SPICE,SimulationProgramwithIntegratedCircuitEmphasis集成電路模擬的仿真程序Split/MixedLayer多電源/地線的自動(dòng)分隔SSO同時(shí)交換STEP,StandardfortheExchangeofProductModelDataSymphony系統(tǒng)仿真Timedomain時(shí)域TimestepSetting步進(jìn)時(shí)間設(shè)立UHDL,VHSICHardwareDescriptionLanguage硬件描述語(yǔ)言Undershoot下沖UniformDistribution均勻分布Variant派生VIA-VendorIntegrationAlliance程序框架聯(lián)盟Victim被干擾對(duì)象VirtualSystemPrototype虛擬系統(tǒng)原型VST,VerficationandSimulationTools驗(yàn)證和仿真工具Wizard智能建庫(kù)工具,向?qū)?.專業(yè)術(shù)語(yǔ)術(shù)語(yǔ)英文意義中文解釋LCDLiquidCrystalDisplay液晶顯示LCMLiquidCrystalModule液晶模塊TNTwistedNematic扭曲向列。液晶分子的扭曲取向偏轉(zhuǎn)90度STNSuperTwistedNematic超級(jí)扭曲向列。約180～270度扭曲向列FSTNFormulatedSuperTwistedNematic格式化超級(jí)扭曲向列。一層光程賠償偏甲于STN，用于單色顯示TFTThinFilmTransistor薄膜晶體管Backlight-背光Inverter-逆變器OSDOnScreenDisplay在屏上顯示DVIDigitalVisualInterface（VGA）數(shù)字接口TMDSTransitionMinimizedDifferentialSingnalingLVDSLowVoltageDifferentialSignaling低壓差分信號(hào)Panelink-ICIntegrateCircuit集成電路TCPTapeCarrierPackage柔性線路板COBChipOnBoard通過(guò)綁定將IC裸偏固定于印刷線路板上COFChipOnFPC將IC固定于柔性線路板上COGChipOnGlass將芯偏固定于玻璃上Duty-占空比，高出點(diǎn)亮的閥值電壓的部分在一種周期中所占的比率LEDLightEmittingDiode發(fā)光二極管ELElextroLuminescence電致發(fā)光。EL層由高分子量薄片構(gòu)成CCFL(CCFT)ColdCathodeFluorescentLight/Tude冷陰極熒光燈PDPPlasmaDisplayPanel等離子顯示屏CRTCathodeRadialTude陰極射線管VGAVideoGraphicAnay視頻圖形陳列PCBPrintedCircuitBoard印刷電路板Compositevideo-復(fù)合視頻componentvideo-分量視頻S-video-S端子，與復(fù)合視頻信號(hào)比，將對(duì)比和顏色分離傳輸NTSCNationalTelevisionSystemsCommitteeNTSC制式。全國(guó)電視系統(tǒng)委員會(huì)制式PhaseAlrernatingLinePAL制式（逐行倒相制式）SEquentialCouleurAvecMemoireSECAM制式（次序與存儲(chǔ)彩色電視系統(tǒng)）VideoOnDemand視頻點(diǎn)播DPIDotPerInch點(diǎn)每英寸3.A.M.U原子質(zhì)量數(shù)4.ADIAfterdevelopinspection顯影后檢視5.AEI蝕科后檢查6.Alignment排成始終線，對(duì)平7.Alloy融合：電壓與電流成線性關(guān)系，減少接觸的阻值8.ARC：anti-reflectcoating防反射層9.ASHER:一種干法刻蝕方式10.ASI光阻去除后檢查11.Backside晶片背面12.BacksideEtch背面蝕刻13.Beam-Current電子束電流14.BPSG:含有硼磷的硅玻璃15.Break中斷，stepper機(jī)臺(tái)內(nèi)半途停止鍵16.Cassette裝晶片的晶舟17.CD：criticaldimension核心性尺寸18.Chamber反映室19.Chart圖表20.Childlot子批21.Chip(die)晶粒22.CMP化學(xué)機(jī)械研磨23.Coater光阻覆蓋（機(jī)臺(tái)）24.Coating涂布，光阻覆蓋25.ContactHole接觸窗26.ControlWafer控片27.Criticallayer重要層28.CVD化學(xué)氣相淀積29.Cycletime生產(chǎn)周期30.Defect缺點(diǎn)31.DEP:deposit淀積32.Descum預(yù)解決33.Developer顯影液；顯影（機(jī)臺(tái)）34.Development顯影35.DG:dualgate雙門36.DIwater去離子水37.Diffusion擴(kuò)散38.Doping摻雜39.Dose劑量40.Downgrade降級(jí)41.DRC:designrulecheck設(shè)計(jì)規(guī)則檢查42.DryClean干洗43.Duedate交期44.Dummywafer擋片45.E/R:etchrate蝕刻速率46.EE設(shè)備工程師47.EndPoint蝕刻終點(diǎn)48.ESD:electrostaticdischarge/electrostaticdamage靜電離子損傷49.ET:etch蝕刻50.Exhaust排氣（將管路中的空氣排除）51.Exposure曝光52.FAB工廠53.FIB:focusedionbeam聚焦離子束54.FieldOxide場(chǎng)氧化層55.Flatness平坦度56.Focus焦距57.Foundry代工58.FSG:含有氟的硅玻璃59.Furnace爐管60.GOI:gateoxideintegrity門氧化層完整性61.H.M.D.SHexamethyldisilazane,經(jīng)去水烘烤的晶片，將涂上一層增加光阻與晶片表面附著力的化合物，稱H.M.D.S62.HCI:hotcarrierinjection熱載流子注入63.HDP：highdensityplasma高密度等離子體64.High-Voltage高壓65.Hotbake烘烤66.ID識(shí)別，鑒定67.Implant植入68.Layer層次69.LDD:lightlydopeddrain輕摻雜漏70.Localdefocus局部失焦因機(jī)臺(tái)或晶片造成之臟污71.LOCOS:localoxidationofsilicon局部氧化72.Loop巡路73.Lot批74.Mask(reticle)光罩75.Merge合并76.MetalVia金屬接觸窗77.MFG制造部78.Mid-Current中電流79.Module部門80.NIT:Si3N4氮化硅81.Non-critical非重要82.NP:n-dopedplus(N+)N型重?fù)诫s83.NW:n-dopedwellN阱84.OD:oxidedefinition定義氧化層85.OM:opticmicroscope光學(xué)顯微鏡86.OOC超出控制界限87.OOS超出規(guī)格界限88.OverEtch過(guò)蝕刻89.Overflow溢出90.Overlay測(cè)量前層與本層之間曝光的精確度91.OX:SiO2二氧化硅92.P.R.Photoresisit光阻93.P1:poly多晶硅94.PA;passivation鈍化層95.Parentlot母批96.Particle含塵量/微塵粒子97.PE:1.processengineer;2.plasmaenhance1、工藝工程師2、等離子體增強(qiáng)98.PH:photo黃光或微影99.Pilot實(shí)驗(yàn)的100.Plasma電漿101.Pod裝晶舟與晶片的盒子102.Polymer聚合物103.PORProcessofrecord104.PP:p-dopedplus(P+)P型重?fù)诫s105.PR:photoresist光阻106.PVD物理氣相淀積107.PW:p-dopedwellP阱108.Queuetime等待時(shí)間109.R/C:runcard運(yùn)作卡110.Recipe程式111.Release放行112.Resistance電阻113.Reticle光罩114.RF射頻115.RM:remove.消除116.Rotation旋轉(zhuǎn)117.RTA:rapidthermalanneal快速熱退火118.RTP:rapidthermalprocess快速熱解決119.SA:salicide硅化金屬120.SAB:salici