模擬電子技術(shù)5章習(xí)題答案

./5放大電路的頻率響應(yīng)自我檢測(cè)題一．選擇和填空1．放大電路對(duì)高頻信號(hào)的放大倍數(shù)下降,主要是因?yàn)镃的影響；低頻時(shí)放大倍數(shù)下降,主要是因?yàn)锳的影響。<A.耦合電容和旁路電容；B.晶體管的非線性；C.晶體管的極間電容和分布電容>2．共射放大電路中當(dāng)輸入信號(hào)頻率為fL、fH時(shí),電路放大倍數(shù)的幅值約下降為中頻時(shí)的A；或者說是下降了DdB；此時(shí)與中頻相比,放大倍數(shù)的附加相移約為G度。<A.0.7,B.0.5,C.0.9>；<D.3dB,E.5dB,F.7dB>；<G.-45°,H.-90°,I.-180°>3．某放大電路的對(duì)數(shù)幅頻響應(yīng)如圖選擇題3所示。由圖可見,該電路的中頻電壓增益=1000；上限頻率=108Hz；下限頻率=102Hz；當(dāng)時(shí)電路的實(shí)際增益=57dB；當(dāng)時(shí)電路的實(shí)際增益=57dB。圖選擇題34．若放大電路存在頻率失真,則當(dāng)為正弦波時(shí),D?！睞.會(huì)產(chǎn)生線性失真B.為非正弦波C.會(huì)產(chǎn)生非線性失真D.為正弦波5．放大電路如圖選擇題5所示,其中電容Ｃ１增大,則導(dǎo)致D?！睞.輸入電阻增大B.輸出電阻增大C.工作點(diǎn)升高D.下限頻率降低圖選擇題5二．判斷題〔正確的在括號(hào)畫√,錯(cuò)誤的畫×1．改用特征頻率fT高的晶體管,可以改善阻容耦合放大電路的高頻響應(yīng)特性?！病?．增大分布電容的容量,可以改善阻容耦合放大電路的低頻響應(yīng)特性?！病?．幅度失真和相位失真統(tǒng)稱為非線性失真?！病?．當(dāng)某同相放大電路在輸入一個(gè)正弦信號(hào)時(shí)產(chǎn)生了頻率失真,則輸出電壓波形將為非正弦。〔×5．當(dāng)放大電路輸入一個(gè)三角波電壓時(shí),輸出電壓波形的上升、下降斜線明顯彎曲,因此可以肯定該放大電路的非線性失真較大。〔√6．當(dāng)晶體管選定后,在信號(hào)頻率遠(yuǎn)大于上限截止頻率時(shí),放大電路增益與信號(hào)頻率乘積近似為一個(gè)常數(shù)?！病?．當(dāng)晶體管和放大電路的結(jié)構(gòu)選定之后,提高放大電路的電壓放大倍數(shù),必會(huì)犧牲放大電路的頻帶寬度?！病?．在阻容耦合放大電路中,增大耦合電容的容量,有利于高頻信號(hào)暢通,因此可以改善高頻響應(yīng)特性?！病亮?xí)題5.1某放大電路的,,現(xiàn)輸入信號(hào)頻率為2MHz的正弦波,試問輸出波形是否會(huì)產(chǎn)生頻率失真？若輸入信號(hào)是由100kHz和2MHz兩種頻率分量組成的波形,問此時(shí)輸出信號(hào)波形有無頻率失真？解：〔1輸入信號(hào)頻率為2MHz的正弦波時(shí),輸出不會(huì)產(chǎn)生頻率失真?！?若輸入信號(hào)是由100kHz和2MHz兩種頻率分量組成的波形,則輸出波形有頻率失真。5.2一共射放大電路的通頻帶為100Hz100kHz,中頻電壓增益,最大不失真交流輸出電壓圍為-4V+4V,試求：〔1若輸入一個(gè)的正弦信號(hào),輸出波形是否會(huì)產(chǎn)生頻率失真和非線性失真？若不失真,則輸出電壓的峰值是多大？與間的相位差是多少？〔2若,重復(fù)回答〔1中的問題?！?若,輸出波形是否會(huì)失真？解：〔1因?yàn)檩斎胄盘?hào)的工作頻率,處于中頻區(qū)所以輸出波形不會(huì)產(chǎn)生非線性失真,又因?yàn)檩斎胄盘?hào)是單一頻率的正弦波,所以輸出也不會(huì)產(chǎn)生頻率失真。根據(jù)上述計(jì)算可知,輸出電壓的峰值為1V,因是共射電路,與間的相位差是-180°〔2因?yàn)檩斎胄盘?hào)的工作頻率,處于中頻區(qū)所以輸出波形會(huì)產(chǎn)生非線性失真,但因輸入是單一頻率的正弦波,故不會(huì)產(chǎn)生頻率失真?！?因?yàn)檩斎胄盘?hào)的工作頻率,處于高頻區(qū),電壓放大倍數(shù)小于中頻放大倍數(shù),即所以輸出即不會(huì)產(chǎn)生非線性失真。又因?yàn)檩斎胄盘?hào)是單一頻率的正弦波,輸出不會(huì)產(chǎn)生頻率失真。5.3已知某放大電路電壓放大倍數(shù)的頻率特性為試求該電路的上、下限頻率,中頻電壓增益的分貝數(shù),輸出電壓與輸入電壓在中頻區(qū)的相位差。解：將的表達(dá)式分子、分母同時(shí)除以,可得：對(duì)比簡(jiǎn)單RC高通、低通濾波電路的放大倍數(shù)表達(dá)式,可知：上限頻率,下限頻率,中頻電壓增益,輸入電壓與輸出電壓在中頻區(qū)的相位差為0°5.4已知某放大電路的電壓放大倍數(shù)的頻率特性為試畫出該電路的幅頻響應(yīng)波特圖,并求出中頻增益、上限頻率和下限頻率。解：將的表達(dá)式與簡(jiǎn)單RC高通、低通濾波電路的放大倍數(shù)表達(dá)式進(jìn)行對(duì)比,可知：,上限頻率,下限頻率。該電路的幅頻響應(yīng)波特圖如下：5.5一個(gè)高頻晶體管,在時(shí),其低頻H參數(shù)為：,,晶體管的特征頻率,,試求混合π型模型參數(shù)：、、、。解：,,,5.6放大電路如圖題5.6所示,已知三極管為3DG8D,,,,,,,,,,,,,,試求：〔1畫出電路的高頻小信號(hào)等效電路,估算其上限頻率；〔2畫出電路的低頻小信號(hào)等效電路,估算其下限頻率。圖題5.6解：〔1高頻小信號(hào)等效電路如下：〔2低頻小信號(hào)等效電路如下：5.7已知圖題5.7所示放大電路中,晶體管的,,要求中頻增益為,下限截止頻率為,試確定和C1的大小。圖題5.7解：5.8電路如圖題5.8所示,設(shè)信號(hào)源阻,其中晶體管參數(shù)為：,,,,；其余參數(shù)如圖中所示。試求：〔1混合π型模型參數(shù)：、、；〔2電路的上限頻率；〔3中頻區(qū)電壓增益；〔4增益帶寬積。圖題5.8解：〔1〔2〔3〔45.9已知晶體管電路如圖題5.8所示,設(shè)信號(hào)源阻為,已知晶體管,,,估算電路的下限頻率。解：,〔1輸入回路：〔2輸出回路：5.10有一個(gè)N溝道耗盡型MOS場(chǎng)效應(yīng)管〔＝1mA,三個(gè)電阻〔分別為、、和兩個(gè)電容〔分別為0.1μF、10μF,要求從中選擇合適的電阻、電容組裝一個(gè)如圖題5.10所示的放大電路〔其負(fù)載電阻為,并希望該放大電路有較高的輸入電阻和盡量低的下限截止頻率。圖題5.10解：〔1為使電路有盡可能高的輸入電阻,必須取大值,所以應(yīng)取?！?在此電路中,,則,所以,為保證電路具有合適的靜態(tài)工作點(diǎn),應(yīng)取。因?yàn)?若、兩者相差4倍以上,電路最終的下限截止頻率取決于兩者中較大的下限頻率,所以要使下限截止頻率盡可能低,應(yīng)取,取。5.11已知圖題5.11所示電路中,兩個(gè)晶體管的和相同,,＝,試分析：〔1定性分析C1、C2、C3中哪一個(gè)電容對(duì)放大電路的下限截止頻率起決定性作用？〔簡(jiǎn)要說明理由〔2估算該放大電路的下限截止頻率。