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文檔簡介

半導體物理期末試題半導體物理期末試題

一、選擇題（每題2分，共10題）

1.半導體是指能夠_________________。

a.導電

b.斷電

c.絕緣

2.當pn結加正向電壓時，常稱之為______________。

a.正向偏置

b.反向偏置

c.斷電

3.半導體在常溫下的禁帶寬度約為____________。

a.1eV

b.2eV

c.3eV

4.在摻雜半導體中，如果放入的摻雜雜質種類與基體元素種類相同，稱之為____________摻雜；如果放入的摻雜雜質種類與基體元素種類不相同，稱之為_____________摻雜。

a.n型，p型

b.p型，n型

c.p型，n型

5.熱電偶是基于熱電效應原理制成的一種__________________。

a.溫度計

b.電阻

c.電流

6.三極管是由__________結構組成的器件。

a.pn

b.npn

c.pnp

7.共振器中的諧振腔是一種具有特定_______________的裝置。

a.質量

b.尺寸

c.溫度

8.半導體二極管的有效特性方程為_________________。

a.I=I0*(e^(qU/kT)-1)

b.I=I0*(e^(qU/n)-1)

c.I=I0*(e^(q/nU)-1)

9.在正向偏置的二極管中，當二極管正向電流增大時，二極管正向電壓__________。

a.增大

b.減小

c.不變

10.碳化硅是一種常用的_________________。

a.反射鏡材料

b.金剛砂

c.陶瓷材料

二、簡答題（每題10分，共4題）

1.簡述pn結的形成原理與特性。

2.簡述半導體的摻雜原理與類型。

3.簡述三極管的工作原理及其應用領域。

4.什么是諧振腔？舉例說明諧振腔的應用。

三、計算題（每題20分，共2題）

1.已知在一個p型半導體中，施主雜質濃度為1e18，擴散深度為10um，施主雜質擴散系數為1e-3cm^2/s，求施主雜質擴散的時間。

2.一個正向偏置的二極管，如果正向電壓為0.5V，正向電流為10mA，反向飽和電流為1nA，求二極管正向電流的理論值。

四、分析題（每題30分，共1題）

1.選擇性放置半導體材料的摻雜雜質可以改變半導體

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