模擬電子技術模擬習題

模擬電子技術模擬習題一、單選題（共80題，每題1分，共80分）1、理想集成運放的開環(huán)放大倍數Au0為（）。A、∞；B、0；C、不定。正確答案：A2、PN結的單向導電性只有在外加電壓時才能體現出來。（）A、對:B、錯正確答案：A3、放大電路的集電極電流超過極限值ICM，就會造成管子燒損。（錯）A、對:B、錯正確答案：B4、因放大電路對不同頻率信號成分的放大能力和相移能力不同而造成輸出畸變的現象稱為（）A、飽和失真B、頻率失真C、交越失真D、截止失真正確答案：B5、共發(fā)射極放大電路的反饋元件是()。A、電阻REB、電阻RCC、電阻RB正確答案：A6、分析集成運放的非線性應用電路時,不能使用的概念是()。A、虛斷。B、虛地;C、虛短;正確答案：C7、P型半導體中多數載流子是______。A、自由電子B、空穴C、PN結正確答案：B8、集成運放電路采用直接耦合方式是因為()A、可最大限度的減小零點漂移B、集成工藝難于制造大容量電容C、可獲得很大的放大倍數D、可防止交越失真的產生正確答案：B9、在本征半導體中加入_____元素可形成P型半導體。A、四價B、三價C、五價正確答案：B10、晶體三極管超過()所示極限參數時,必定被損壞。A、集電極最大允許電流ICM;B、集—射極間反向擊穿電壓U(BR)CEO;C、集電極最大允許耗散功率PCM;D、管子的電流放大倍數。正確答案：C11、測得晶體管三個電極的靜態(tài)電流分別為0.06mA,3.6mA和3.66mA,該晶體管的β等于()A、50B、60C、61D、100正確答案：B12、測得NPN型三極管上各電極對地電位分別為VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,說明此三極管處在()。A、放大區(qū)B、飽和區(qū)C、截止區(qū)D、反向擊穿區(qū)正確答案：A13、放大電路的集電極電流超過極限值ICM,就會造成管子燒損。()A、錯誤B、正確;正確答案：A14、集成電路內部,各級之間的耦合方式通常采用()A、阻容耦合B、光電耦合C、直接耦合D、變壓器耦合正確答案：C15、雙極型三極管的輸出特性曲線上可分為（）A、死區(qū)、正向導通區(qū)、反向截止區(qū)和反向擊穿區(qū)四個分區(qū)B、恒流區(qū)、放大區(qū)和截止區(qū)三個分區(qū)C、放大區(qū)、飽和區(qū)和截止區(qū)三個分區(qū)D、恒流區(qū)、飽和區(qū)、截止區(qū)和擊穿區(qū)四個分區(qū)正確答案：C16、N型半導體中的多數載流子是()A、自由電子B、正離子C、負離子D、空穴正確答案：A17、集成運放一般分為兩個工作區(qū)，它們分別是（）。A、正反饋與負反饋；B、虛斷和虛短。C、線性與非線性；正確答案：C18、基極電流iB的數值較大時,易引起靜態(tài)工作點Q接近()。A、截止區(qū);B、飽和區(qū);C、死區(qū)。正確答案：B19、集成運放電路采用直接耦合方式是因為（）A、可最大限度的減小零點漂移B、可獲得很大的放大倍數C、可防止交越失真的產生D、集成工藝難于制造大容量電容正確答案：D20、“虛短”和“虛斷”兩個重要概念，無論是分析運放的線性電路還是非線性電路均適用。A、錯誤B、正確;正確答案：A21、基本放大電路中的主要放大對象是（）。A、直流信號；B、交流信號；C、交直流信號均有。正確答案：B22、放大交流信號，只能采用阻容耦合方式或變壓器耦合方式。（）A、錯B、對:正確答案：A23、穩(wěn)壓二極管的正常工作狀態(tài)是（）。A、截止狀態(tài)；B、任意狀態(tài)。C、反向擊穿狀態(tài)；D、導通狀態(tài)；正確答案：C24、晶體三極管的輸出特性曲線上可分為()A、恒流區(qū)、飽和區(qū)、截止區(qū)和擊穿區(qū)四個分區(qū)B、恒流區(qū)、放大區(qū)和截止區(qū)三個分區(qū)C、死區(qū)、正向導通區(qū)、反向截止區(qū)和反向擊穿區(qū)四個分區(qū)D、放大區(qū)、飽和區(qū)和截止區(qū)三個分區(qū)正確答案：D25、微變等效電路不能進行靜態(tài)分析,也不能用于功放電路分析。()A、正確;B、錯誤正確答案：A26、測得NPN型三極管上各電極對地電位分別為VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，說明此三極管處在（）。A、放大區(qū)；B、飽和區(qū)；C、截止區(qū)；D、反向擊穿區(qū)。正確答案：A27、共射組態(tài)的放大電路，如果輸出波形出現下削波，一定發(fā)生了截止失真。A、錯誤B、正確;正確答案：A28、電壓放大電路首先需要考慮的技術指標是()。A、不失真問題B、放大電路的電壓增益C、管子的工作效率正確答案：A29、N型半導體是在本征半導體中加入微量的()元素構成的。A、四價;B、六價。C、五價;D、三價;正確答案：C30、P型半導體是在本征半導體中加入微量的（）元素構成的。A、六價。B、三價；C、四價；D、五價；正確答案：B31、單極型半導體器件是()。A、場效應管B、二極管C、雙極型三極管D、穩(wěn)壓管正確答案：A32、放大電路只有既放大電壓又放大電流時，才能稱為具有放大作用。A、正確;B、錯誤正確答案：B33、理想集成運放的兩個重要結論是()。A、虛斷與虛短;B、斷路與短路。C、虛短與虛地;正確答案：A34、基極電流iB的數值較小時,易引起靜態(tài)工作點Q接近()。A、截止區(qū);B、飽和區(qū);C、死區(qū)D、非線性區(qū)正確答案：A35、虛短”就是兩點并不真正短接，但具有相等的電位。（）A、對:B、錯正確答案：A36、差動放大電路能夠有效地抑制零漂，因此具有很高的共模抑制比。（）A、錯B、對:正確答案：B37、集成運放的非線性應用存在（）現象。A、虛地；B、虛斷；C、虛斷和虛短。正確答案：B38、對于工作在放大區(qū)的晶體三極管而言,下列式子正確的是:()A、ie=βibB、ie=βicC、ic=βib正確答案：C39、正常工作在反向擊穿區(qū)的特殊二極管是（）。A、變容二極管B、發(fā)光二極管C、光電二極管D、穩(wěn)壓二極管正確答案：D40、晶體管的電流放大倍數通常等于放大電路的電壓放大倍數。（）A、錯B、對:正確答案：A41、集成運放一般分為兩個工作區(qū),它們分別是()。A、線性與非線性;B、虛斷和虛短。C、正反饋與負反饋;正確答案：A42、射極輸出器的電壓放大倍數等于1,因此它在放大電路中作用不大。()A、錯誤B、正確;正確答案：A43、理想集成運放的輸入電阻為()。A、∞;B、不定。C、0;正確答案：A44、PNP型三極管工作在放大狀態(tài)時，其發(fā)射極電位最高，集電極電位最低。（）A、錯B、對:正確答案：B45、PNP型三極管用于放大時，應使發(fā)射結、集電結處于（）。A、發(fā)射結反偏、集電結正偏B、發(fā)射結正偏、集電結正偏C、發(fā)射結正偏、集電結反偏D、發(fā)射結反偏、集電結反偏正確答案：C46、共射放大電路輸出波形出現上削波，說明電路出現了飽和失真。（）A、對:B、錯正確答案：B47、對于工作在放大區(qū)的晶體三極管而言,下列式子正確的是A、ie=(1+β)*ibB、ic=β*ieC、ie=(1+β)*ic正確答案：A48、分壓式偏置的共射放大電路，若VB點電位偏高，電路易出現（）。A、截止失真B、飽和失真C、交越失真D、不會失真正確答案：B49、P型半導體是在本征半導體中加入微量的()元素構成的。A、六價B、四價C、三價D、五價正確答案：C50、對于工作在放大區(qū)的晶體三極管而言，下列式子正確的是：A、Ie=βIbB、I=βIbC、Ic=βIb正確答案：C51、如果兩個信號,它們的大小相等,相位相同,則它們是()信號。A、模擬B、共模C、差模正確答案：B52、絕緣柵型場效應管的輸入電流()。A、較小;B、為零;C、較大;D、無法判斷。正確答案：B53、“虛短”和“虛斷”兩個重要概念，無論是分析運放的線性電路還是非線性電路均適用。（）A、錯B、對:正確答案：A54、場效應管正常工作時，電路中的電流是由（）構成的。A、空穴載流子B、少子C、自由電子載流子D、多子正確答案：D55、場效應管是一種（）A、電流控制的電壓源B、電流控制的電流源C、電壓控制的電壓源D、電壓控制的電流源正確答案：D56、低頻小信號放大電路中，輸入、輸出具有反相關系的放大電路是（）A、共基放大電路B、共射放大電路C、共集電放大電路D、共漏放大電路正確答案：B57、雙極型三極管各種組態(tài)的放大電路，輸入、輸出均為反相關系。A、錯誤B、正確;正確答案：A58、射極輸出器的輸出電阻小,說明該電路的()A、帶負載能力強;B、減輕前級或信號源負荷。C、帶負載能力差;正確答案：A59、分析集成運放的非線性應用電路時，不能使用的概念是（）。A、虛地；B、虛斷。C、虛短；正確答案：C60、基本放大電路通常都存在零點漂移現象。()A、錯誤B、正確;正確答案：B61、NPN型晶體管構成的共射極放大電路的交流輸出波形頂部出現失真為（）失真。A、交越B、頻率C、截止D、飽和正確答案：C62、電壓放大電路首先需要考慮的技術指標是（）。A、放大電路的電壓增益；B、不失真問題；C、管子的工作效率。正確答案：B63、低頻小信號放大電路中，輸入、輸出具有反相關系的放大電路是（）A、共射放大電路B、共集放大電路C、共基放大電路D、共漏放大電路正確答案：A64、測得NPN三極管各電極對地電壓分別為VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，則該管必工作在（）。A、放大區(qū)B、飽和區(qū)C、截止區(qū)D、反向擊穿區(qū)正確答案：A65、分壓式偏置的共發(fā)射極放大電路中,若VB點電位過高,電路易出現()。A、截止失真;B、飽和失真;C、晶體管被燒損。正確答案：B66、具有輸入、輸出反相關系的小信號放大電路是()A、射極輸出器B、共射放大電路C、共基放大電路D、共集電放大電路正確答案：B67、晶體三極管的集電極和發(fā)射極類型相同，因此可以互換使用。（）A、對:B、錯正確答案：B68、共射放大電路輸出波形出現上削波,說明電路出現了飽和失真。()A、錯誤B、正確;正確答案：A69、集成運放工作在非線性應用電路時，（）的概念不再適用。A、虛斷B、虛短C、虛地D、基準正確答案：B70、三極管超過()所示極限參數時,必定被損壞。A、集電極最大允許電流ICMB、集—射極間反向擊穿電壓U(BR)CEOC、集電極最大允許耗散功率PCMD、管子的電流放大倍數正確答案：C71、分壓式偏置的共射放大電路,若VB點電位偏低,電路易出現()。A、截止失真B、飽和失真C、交越失真D、不會失真正確答案：A72、輸出端交流短路后仍有反饋信號存在，可斷定為電流負反饋。（）A、對:B、錯正確答案：A73、晶體三極管的輸出特性曲線上可分為（）A、恒流區(qū)、放大區(qū)和截止區(qū)三個分區(qū)B、放大區(qū)、飽和區(qū)和截止區(qū)三個分區(qū)C、死區(qū)、正向導通區(qū)、反向截止區(qū)和反向擊穿區(qū)四個分區(qū)D、恒流區(qū)、飽和區(qū)、截止區(qū)和擊穿區(qū)四個分區(qū)正確答案：B74、因為N型半導體的多子是自由電子，所以它帶負電。A、錯誤B、正確;正確答案：A75、絕緣柵型場效應管的輸入電流()。A、為零B、無法判斷C、較小D、較大正確答案：A76、NPN型晶體管構成的共射極放大電路的交流輸出波形底部出現失真為（）失真。A、飽和B、頻率C、截止D、交越正確答案：A77、射極輸出器的輸出電阻小,說明該電路的()A、帶負載能力差B、減輕前級或信號源負荷C、帶負載能力強正確答案：C78、集成運放工作在線性應用電路時的分析依據是（）兩個重要概念。A、虛短和虛斷B、虛斷和虛地C、虛短和虛地D、線性和非線性正確答案：A79、基極電流iB的數值較大時,易引起靜態(tài)工作點Q接近()。A、飽和區(qū)B、死區(qū)C、截止區(qū)正確答案：A80、集成運放使用時不接負反饋，電路中的電壓增益稱為開環(huán)電壓增益。（）A、對:B、錯正確答案：B二、判斷題（共20題，每題1分，共20分）1、二極管只要工作在反向擊穿區(qū),一定會被擊穿損壞。()A、正確B、錯誤正確答案：B2、虛短”就是兩點并不真正短接,但具有相等的電位。()A、正確B、錯誤正確答案：A3、共射放大電路輸出波形出現上削波,說明電路出現了飽和失真。()A、正確B、錯誤正確答案：B4、放大交流信號,只能采用阻容耦合方式或變壓器耦合方式。()A、正確B、錯誤正確答案：B5、集成運放在開環(huán)狀態(tài)下,輸入與輸出之間存在線性關系。()A、正確B、錯誤正確答案：B6、二極管有熱擊穿和電擊穿,電擊穿是可逆的。()A、正確B、錯誤正確答案：A7、模擬電子技術經歷了電子管階段、晶體管階段以及集成電路階段。A、正確B、錯誤正確答案：A8、“虛短”和“虛斷”兩個重要概念,無論是分析運放的線性電路還是非線性電路均適用。()A、正確B、錯誤正確答案：B9、當三極管的集電極電流大于它的最大允許電流ICM時,該管必被擊穿。()A、正確B、錯誤正確答案：B10、差動放大電路利用其對稱性,可以有效地抑制零點漂移現象。()A、正確B、錯誤正確答案：A11、集成運放只能處理交流信號。()A、正確B、錯誤正確答案：B12、放大電路中的所有電容器,起的作用均為通交隔直。()A、正確B、錯誤正確答案：A13、共射組態(tài)的放大電路,如果輸出波形出現下削波,一定發(fā)生了截止失真。()A、正確B、錯誤正確答案：B14、晶體三極管的集電極和發(fā)射極類型相同,因此可以互換使用。()A、正確B、錯誤正確答案