無機材料科學(xué)基礎(chǔ)智慧樹知到課后章節(jié)答案2023年下陜西理工大學(xué)

無機材料科學(xué)基礎(chǔ)智慧樹知到課后章節(jié)答案2023年下陜西理工大學(xué)陜西理工大學(xué)

第一章測試

按材料的化學(xué)組成（或基本組成）分類，可以分為（）。

A:無機非金屬材料

B:高分子材料

C:復(fù)合材料

D:金屬材料

答案:無機非金屬材料

;高分子材料

;復(fù)合材料

;金屬材料

按材料尺寸及形態(tài)分類，可以分為（）。

A:零維（納米）材料

B:三維（塊體）材料

C:二維（薄膜）材料

D:一維（纖維）材料

答案:零維（納米）材料

;三維（塊體）材料

;二維（薄膜）材料

;一維（纖維）材料

主要用于各種現(xiàn)代工業(yè)及尖端科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域的高性能特種陶瓷包括（）。

A:復(fù)合材料

B:日用陶瓷

C:結(jié)構(gòu)陶瓷

D:功能陶瓷

答案:結(jié)構(gòu)陶瓷

;功能陶瓷

半導(dǎo)體材料按結(jié)構(gòu)可分為（）。

A:非晶態(tài)

B:多晶態(tài)

C:準(zhǔn)晶態(tài)

D:單晶態(tài)

答案:非晶態(tài)

;多晶態(tài)

;單晶態(tài)

多孔材料共同持點是（）。

A:密度小

B:對氣體有選擇性透過作用

C:孔隙率高

D:比表面積大

答案:密度小

;對氣體有選擇性透過作用

;孔隙率高

;比表面積大

第二章測試

依據(jù)等徑球體的堆積原理得出，六方密堆積的堆積系數(shù)（）立方密堆積的堆積系數(shù)。

A:等于

B:小于

C:不確定

D:大于

答案:等于

某AX型晶體，A+的電荷數(shù)為1，A-B鍵的S=1/6，則A+的配位數(shù)為（）。

A:4

B:8

C:6

D:12

答案:6

在ABO3（鈣鈦礦）型結(jié)構(gòu)中，B離子占有（）。

A:三方柱空隙晶體

B:立方體空隙

C:四面體空隙

D:八面體空隙

答案:八面體空隙

能夠發(fā)生自發(fā)極化效應(yīng)的物質(zhì)包括（）。

A:剛玉

B:鈦酸鋇

C:金紅石

D:鈦酸鈣

答案:鈦酸鋇

構(gòu)成硅酸鹽晶體的基本結(jié)構(gòu)單元為[SiO4]，兩個相鄰的[SiO4]之間可以通過哪種方式相互連接（）。

A:共頂

B:共面

C:共棱

D:共頂、共面共棱

答案:共頂

第三章測試

對于形成雜質(zhì)缺陷而言，低價正離子占據(jù)高價正離子位置時，該位置帶有負(fù)電荷，為了保持電中性，會產(chǎn)生（）。

A:正離子空位

B:負(fù)離子空位

C:間隙正離子

D:間隙負(fù)離子

答案:負(fù)離子空位

;間隙正離子

固溶體的特點是摻入外來雜質(zhì)原子后原來的晶體結(jié)構(gòu)不發(fā)生轉(zhuǎn)變，但發(fā)生點陣畸變，性能變化。所形成的固溶體包括有限固溶體和無限固溶體兩種類型，其中（）。

A:結(jié)構(gòu)相同是無限固溶的充要條件

B:結(jié)構(gòu)相同不是形成固溶體的條件

C:結(jié)構(gòu)相同是有限固溶的必要條件

D:結(jié)構(gòu)相同是無限固溶的必要條件，不是充分條件

答案:結(jié)構(gòu)相同是無限固溶的必要條件，不是充分條件

按照晶體結(jié)構(gòu)缺陷形成的原因，可將晶體結(jié)構(gòu)缺陷的類型分為（）。

A:熱缺陷

B:電荷缺陷

C:雜質(zhì)缺陷

D:非化學(xué)計量缺陷

答案:熱缺陷

;電荷缺陷

;雜質(zhì)缺陷

;非化學(xué)計量缺陷

位錯的滑移是指位錯在何種力的作用下，在滑移面上的運動，結(jié)果導(dǎo)致永久形變（）。

A:結(jié)構(gòu)應(yīng)力

B:熱應(yīng)力

C:外力

D:化學(xué)力

答案:外力

熱缺陷亦稱為本征缺陷，是指由熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點（原子或離子）。當(dāng)離子晶體生成肖特基缺陷（Schottkydefect）時，（）。

A:正離子空位和負(fù)離子空位是同時成對產(chǎn)生的，同時伴隨晶體體積的縮小

B:正離子空位和負(fù)離子空位是同時成對產(chǎn)生的，同時伴隨晶體體積的增加

C:正離子空位和負(fù)離子間隙是同時成對產(chǎn)生的，同時伴隨晶體體積的增加

D:正離子間隙和負(fù)離子空位是同時成對產(chǎn)生的，同時伴隨晶體體積的增加

答案:正離子空位和負(fù)離子空位是同時成對產(chǎn)生的，同時伴隨晶體體積的增加

第四章測試

硅酸鹽玻璃的結(jié)構(gòu)是以硅氧四面體為結(jié)構(gòu)單元形成的（）的聚集體。

A:近程無序，遠(yuǎn)程有序

B:近程有序，遠(yuǎn)程有序。

C:近程無序，遠(yuǎn)程無序

D:近程有序，遠(yuǎn)程無序

答案:近程有序，遠(yuǎn)程無序

在硅酸鹽熔體中，當(dāng)R=O/Si減小時，相應(yīng)熔體組成和性質(zhì)發(fā)生變化，熔體析晶能力（）。

A:減小

B:不確定

C:不變

D:增大

答案:減小

可以根據(jù)3T曲線求出熔體的臨界冷卻速率。熔體的臨界冷卻速率越小，就（）形成玻璃。

A:緩慢

B:越快

C:越難

D:越容易

答案:越容易

當(dāng)O/Si比趨近于4時，Li2O-SiO2、Na2O-SiO2、K2O-SiO2三種熔體的粘度大小次序為（）。

A:Li2O-SiO2＜K2O-SiO2＜Na2O-SiO2

B:Li2O-SiO2＜Na2O-SiO2＜K2O-SiO2

C:K2O-SiO2＜Na2O-SiO2＜Li2O-SiO2

D:Na2O-SiO2＜Li2O-SiO2＜K2O-SiO2

答案:K2O-SiO2＜Na2O-SiO2＜Li2O-SiO2

Si:O趨近于1/2時硅酸鹽晶體的結(jié)構(gòu)類型為（）。

A:架狀

B:層狀

C:鏈狀

D:島狀

答案:架狀

過冷度越大，相應(yīng)的成核位壘越小，臨界晶核半徑越小，析晶能力（）。

A:越大

B:不變

C:越小

D:0

答案:不變

過冷度愈大，臨界晶核半徑越小，相應(yīng)地相變（）。

A:不受影響

B:越大

C:越小

D:愈易進行

答案:愈易進行

在硅酸鹽熔體中，當(dāng)R＝O/Si減小時，相應(yīng)熔體組成和性質(zhì)的變化是：非橋氧百分?jǐn)?shù)（），熔體粘度增大，熔體析晶傾向減小。

A:不變

B:減小

C:增大

D:0

答案:減小

第五章測試

為提高陶瓷坯釉的附著力，應(yīng)降低（）。

A:

B:

C:

D:

答案:

;

粗糙度對液固相潤濕性能的影響是（）

A:固體表面越粗糙，越不易被潤濕

B:粗糙度對潤濕性能無影響

C:不一定

D:固體表面越粗糙，越易被潤濕

答案:不一定

為了提高液相對固相的潤濕性，在固-氣和液-氣界面張力不變時，必須使液-固界面張力（）。

A:保持不變

B:降低

C:有時升高，有時降低

D:升高

答案:升高

固體的表面能與表面張力在數(shù)值上不相等，一般說來，同一種物質(zhì)，其固體的表面能（）液體的表面能。

A:小于

B:大于

C:等于

D:小于等于

答案:大于

判斷重構(gòu)表面是指表面原子層在水平方向上的周期性與體內(nèi)，垂直方向的層間距與體內(nèi)各自是否相同（）。

A:相同；相同

B:相同；不同

C:不同；不同

D:不同；相同

答案:不同；相同

第六章測試

相的主要特點有（）。

A:相與相之間有界面，越過界面時性質(zhì)突變

B:一個相在物理性質(zhì)和化學(xué)性質(zhì)上都是微觀尺度的均勻，且只含有一種物質(zhì)

C:相與物質(zhì)的數(shù)量多少無關(guān)，也與物質(zhì)是否連續(xù)無關(guān)

D:一種物質(zhì)可以有幾個相

答案:相與相之間有界面，越過界面時性質(zhì)突變

;相與物質(zhì)的數(shù)量多少無關(guān)，也與物質(zhì)是否連續(xù)無關(guān)

;一種物質(zhì)可以有幾個相

鹽水溶液中的獨立組元數(shù)是（）。

A:2

B:3

C:1

D:4

答案:2

單元系統(tǒng)的相圖中，相界線上的自由度為（）。

A:2

B:0

C:1

D:3

答案:1

Si02高低溫型轉(zhuǎn)變的特點包括（）

A:體積變化小

B:體積變化對生產(chǎn)影響小

C:結(jié)構(gòu)變化小

D:轉(zhuǎn)變速度快

答案:體積變化小

;結(jié)構(gòu)變化小

;轉(zhuǎn)變速度快

判斷三元系統(tǒng)相圖中界線的性質(zhì)用到的規(guī)則是（）。

A:切線規(guī)則

B:杠桿規(guī)則

C:重心規(guī)則

D:連線規(guī)則

答案:切線規(guī)則

第七章測試

在離子型材料中，影響擴散的缺陷來自兩個方面：熱缺陷和摻雜點缺陷。由它們引起的擴散分別稱為（）。

A:穩(wěn)定擴散和不穩(wěn)定擴散

B:無序擴散和有序擴散

C:本征擴散和非本征擴散

D:自擴散和互擴散

答案:本征擴散和非本征擴散

穩(wěn)定擴散（穩(wěn)態(tài)擴散）是指在垂直擴散方向的任一平面上，單位時間內(nèi)通過該平面單位面積的粒子數(shù)（）。

A:隨位置而變化

B:不隨時間而變化

C:隨高度而變化

D:隨時間而變化

答案:不隨時間而變化

在晶體中存在雜質(zhì)時對擴散有重要的影響，主要是通過（），使得擴散系數(shù)增大。

A:降低缺陷濃度

B:使晶格發(fā)生畸變

C:增加缺陷濃度

D:增加缺陷濃度，使晶格發(fā)生畸變

答案:增加缺陷濃度，使晶格發(fā)生畸變

擴散過程與晶體結(jié)構(gòu)有密切的關(guān)系，擴散介質(zhì)結(jié)構(gòu)與擴散的關(guān)系是（）。

A:越疏松；活化能越大

B:越疏松；越困難

C:越緊密；越困難

D:越緊密；活化能越小

答案:越緊密；越困難

空位擴散是指晶體中的空位躍遷入鄰近原子，而原子反向遷入空位，這種擴散機制適用于（）的擴散。

A:各種類型固溶體

B:各種類型固溶體和間隙型固溶體

C:間隙型固溶體

D:置換型固溶體

答案:置換型固溶體

第八章測試

A，B進行反應(yīng)生成AmBn,為擴散控制的固相反應(yīng)，若DB》DA，則在AmBn-A界面上，反應(yīng)物B的濃度CB為（）

A:2

B:0

C:1

D:不確定

答案:0

兩固相反應(yīng)，增大壓力有助于顆粒的接觸面積，加速物質(zhì)傳遞過程，使反應(yīng)速度增加；有液相參加的固相反應(yīng)，提高壓力不表現(xiàn)積極作用，甚至適得其反。（）

A:錯B:對

答案:對

固相反應(yīng)過程主要包括界面上的化學(xué)反應(yīng)和產(chǎn)物內(nèi)部物質(zhì)傳遞兩個步驟。因此，除反應(yīng)物的化學(xué)組成、特性和結(jié)構(gòu)狀態(tài)以及溫度、壓力等因素外，凡是可能活化晶格，促進物質(zhì)的內(nèi)、外擴散作用的因素，都會對反應(yīng)產(chǎn)生影響。（）

A:對B:錯

答案:對

楊德方程適用于固相反應(yīng)穩(wěn)定擴散的反應(yīng)初期。（）

A:對B:錯

答案:對

金斯特林格采用楊德球狀模型，但放棄了擴散截面不變的假設(shè)。因此，金斯特林格方程能夠描述轉(zhuǎn)化率很大情況下的固相反應(yīng)。（）

A:錯B:對

答案:對

第九章測試

調(diào)幅分解屬于連續(xù)型相變。它是一種無熱力學(xué)能壘、無形核的固態(tài)相變。（）

A:錯B:對

答案:對

一般而言，隨熔體性質(zhì)不同，自發(fā)結(jié)晶所需的過冷度可以不同，但都包含晶核生成和晶體長大兩個過程。（）

A:對B:錯

答案:對

成核-長大型相變是材料中常見的一種相變，如結(jié)晶釉的形成。成核-長大型相變是由（）的濃度起伏開始發(fā)生相變，并形成新相核心。

A:其他幾項均不對

B:程度大，范圍小

C:程度大，范圍大

D:程度小，范圍小

答案:程度大，范圍小

在成核－生長機制的液－固相變過程中，其成核過程有非均勻成核與均勻成核之分。將非均勻成核與均勻成核過程的成核勢壘相比較，有如下關(guān)系（）。

A:非均勻成核勢壘≤均勻成核勢壘

B:非均勻成核勢壘＝均勻成核勢壘

C:非均勻成核勢壘≥均勻成核勢壘

D:視具體情況而定，其他三種均可能

答案:非均勻成核勢壘≤均勻成核勢壘

按熱力學(xué)方法分類，相變可以分為一級相變和二級相變，一級相變是在相變時兩相化學(xué)勢相等，其一階偏微熵不相等，因此一級相變（）。

A:無相變潛熱，無體積改變

B:無相變潛熱，并伴隨有體積改變

C:有相變潛熱，并伴隨有體積改變

D:有相變潛熱，無體積改變

答案:有相變潛熱，并伴隨有體積改變

第十章測試

從工藝的角度考慮，下列選項中不是造成二次再結(jié)晶的原因的是（）

A:原始粒度不均勻B:坯體成型壓力不均勻

C:燒結(jié)速率太快D:燒結(jié)溫度過低

答案:燒結(jié)溫度過低

目前常用γGB晶界能和γSV表面能之比值來衡量燒結(jié)的難易，若材料γGB/γSV越大，