NiTi薄膜的制備與性能研究的開題報(bào)告_第1頁
NiTi薄膜的制備與性能研究的開題報(bào)告_第2頁
NiTi薄膜的制備與性能研究的開題報(bào)告_第3頁
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文檔簡介

太陽電池用SiN/a-Si/poly-Si/NiTi薄膜的制備與性能研究的開題報(bào)告一、選題背景及意義太陽能電池以其環(huán)保能源、可再生能源等特點(diǎn)受到了廣泛的關(guān)注,目前主要有單晶硅太陽能電池和多晶硅太陽能電池等。但是傳統(tǒng)材料成本高、制作工藝復(fù)雜等問題亟待解決。因此,研究新型太陽能電池材料及制備工藝有重要的現(xiàn)實(shí)意義。本研究擬采用SiN/a-Si/poly-Si/NiTi薄膜,將其作為太陽能電池的光學(xué)吸收層以及P型導(dǎo)電層,研究其在太陽能電池中的應(yīng)用效果。希望通過本研究,提高太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率,以應(yīng)對可再生能源的需求,解決能源短缺與環(huán)境污染帶來的挑戰(zhàn)。二、研究內(nèi)容1、制備SiN/a-Si/poly-Si/NiTi薄膜的生長工藝和工藝參數(shù)控制。2、對制備的SiN/a-Si/poly-Si/NiTi薄膜進(jìn)行表征,包括結(jié)構(gòu)、形貌等性質(zhì)。3、設(shè)計(jì)太陽能電池器件,并采用所制備的SiN/a-Si/poly-Si/NiTi薄膜來制作光學(xué)吸收層以及P型導(dǎo)電層。4、測試太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率,并分析其性能特點(diǎn)。5、分析制備SiN/a-Si/poly-Si/NiTi薄膜的工藝優(yōu)缺點(diǎn),并提出改進(jìn)建議。三、研究方法1、采用物理氣相沉積(PVD)技術(shù),制備SiN/a-Si/poly-Si/NiTi薄膜。2、采用X射線衍射法(XRD)、掃描電鏡(SEM)等手段,對所制備的SiN/a-Si/poly-Si/NiTi薄膜進(jìn)行表征。3、在已有的太陽能電池制備工藝基礎(chǔ)上,設(shè)計(jì)太陽能電池器件,并采用所制備的SiN/a-Si/poly-Si/NiTi薄膜來制作光學(xué)吸收層以及P型導(dǎo)電層。4、使用太陽能模擬器測試太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率,并對其進(jìn)行性能優(yōu)化與分析。5、結(jié)合實(shí)驗(yàn)結(jié)果,分析SiN/a-Si/poly-Si/NiTi薄膜材料制備中存在的問題,并提出改進(jìn)意見。四、預(yù)期結(jié)果1、獲得制備SiN/a-Si/poly-Si/NiTi薄膜的生長工藝和工藝參數(shù)控制。2、對SiN/a-Si/poly-Si/NiTi薄膜進(jìn)行表征,包括結(jié)構(gòu)、形貌等性質(zhì)。3、成功設(shè)計(jì)太陽能電池器件,并采用所制備的SiN/a-Si/poly-Si/NiTi薄膜來制作光學(xué)吸收層以及P型導(dǎo)電層。4、測試太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率,分析其性能特點(diǎn)。5、分析制備SiN/a-Si/poly-Si/NiTi薄膜的工藝優(yōu)缺點(diǎn),并提出改進(jìn)建議。五、參考文獻(xiàn)1、M.E.Mera-Adasme,R.Escobar-Galindo,A.Santana-Solano,V.Hernandez-Silva,“EffectofnitrogenflowrateduringSiNx:Hgrowthbyplasmaenhancedchemicalvapordepositiononthepassivationperformanceofmono-andmulticrystallinesiliconsolarcells,”MaterialsScienceinSemiconductorProcessing,vol.80,pp.78–84,2018.2、J.Solis,M.Garcia-Ramirez,P.S.Figueroa-Gutiérrez,A.Dobrynin,“SiNxlayerspreparedbyplasma-enhancedatomiclayerdepositionforsiliconsolarcells,”SolarEnergyMaterialsandSolarCells,vol.206,p.110275,2020.3、D.G.Iyamu,G.J.O.Oduselu,“TheeffectofnitrogengasflowrateontheopticalandelectricalpropertiesofsiliconnitridethinfilmdepositedbyPN-CVD,”JournalofMaterialsScience:MaterialsinElectronics,vol.29,no.21,pp.18217–18224,2018.4、Z.Fu,L.Zeng,L.Chen,H.Huang,G.Zou,W.Liu,“Preparationofpoly-Sithinfilmb

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