新工藝BST薄膜微波調(diào)諧特性研究的開(kāi)題報(bào)告

新工藝BST薄膜微波調(diào)諧特性研究的開(kāi)題報(bào)告一、選題背景射頻微波技術(shù)已經(jīng)廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代通信系統(tǒng)和雷達(dá)系統(tǒng)中，已成為現(xiàn)代通信系統(tǒng)和雷達(dá)系統(tǒng)的重要組成部分。在這些系統(tǒng)中需要使用各種射頻微波元件。其中，BST薄膜被廣泛應(yīng)用于射頻微波元件中，如微波開(kāi)關(guān)，相移器和天線等。這些射頻微波元件可以通過(guò)控制BST薄膜的微波電容功能來(lái)實(shí)現(xiàn)射頻微波的調(diào)諧。因此，BST薄膜的微波調(diào)諧特性研究具有重要意義。二、研究目的本研究旨在研究BST薄膜的微波調(diào)諧特性，包括調(diào)諧范圍和調(diào)諧速度等方面。通過(guò)實(shí)驗(yàn)研究和理論分析，嘗試提出一種新的工藝，以改善BST薄膜的微波調(diào)諧特性。三、研究?jī)?nèi)容1.對(duì)現(xiàn)有BST薄膜的微波調(diào)諧特性進(jìn)行實(shí)驗(yàn)研究，獲得調(diào)諧范圍和調(diào)諧速度等數(shù)據(jù)。2.分析現(xiàn)有BST薄膜調(diào)諧特性的局限性，并提出一種新的工藝，以改善BST薄膜的微波調(diào)諧特性。3.對(duì)改良后的BST薄膜進(jìn)行實(shí)驗(yàn)研究，比較其微波調(diào)諧特性與現(xiàn)有BST薄膜的差異。4.通過(guò)理論分析和實(shí)驗(yàn)研究得出結(jié)論，為提高BST薄膜的微波調(diào)諧特性提出可行性方案。四、研究方法1.實(shí)驗(yàn)測(cè)試法：通過(guò)實(shí)驗(yàn)測(cè)試不同制備工藝的BST薄膜的微波調(diào)諧特性。2.理論分析法：通過(guò)分析BST薄膜的微觀結(jié)構(gòu)、物理特性和電學(xué)特性，探究影響B(tài)ST薄膜微波調(diào)諧特性的關(guān)鍵因素。3.工藝改進(jìn)法：通過(guò)改進(jìn)BST薄膜制備工藝，改善BST薄膜的微波調(diào)諧特性。五、研究預(yù)期成果本研究旨在探究BST薄膜的微波調(diào)諧特性，提出一種新的工藝，以改善BST薄膜的微波調(diào)諧特性。預(yù)期成果如下：1.系統(tǒng)地研究了現(xiàn)有BST薄膜微波調(diào)諧特性的局限性。2.提出一種新的工藝，以改善BST薄膜的微波調(diào)諧特性。3.分析改進(jìn)后的BST薄膜微波調(diào)諧特性與現(xiàn)有BST薄膜調(diào)諧特性的差異。4.提出可行性方案，為提高BST薄膜微波調(diào)諧特性提供理論和實(shí)踐指導(dǎo)。六、進(jìn)度安排第一階段（1-2周）：查閱相關(guān)文獻(xiàn)，了解BST薄膜的微波調(diào)諧特性。第二階段（2-4周）：設(shè)計(jì)BST薄膜的實(shí)驗(yàn)測(cè)試方案，獲得調(diào)諧范圍和調(diào)諧速度等數(shù)據(jù)。第三階段（4-6周）：分析現(xiàn)有BST薄膜調(diào)諧特性的局限性，并提出一種新的工藝，以改善BST薄膜的微波調(diào)諧特性。第四階段（6-8周）：對(duì)改良后的BST薄膜進(jìn)行實(shí)驗(yàn)研究，比較其微波調(diào)諧特性與現(xiàn)有BST薄膜的差異。第五階段（8-10周）：通過(guò)理論分析和實(shí)驗(yàn)研究得出結(jié)論，為提高BST薄膜的微波調(diào)諧特性提出可行性方案。七、參考文獻(xiàn)[1]GodboleM.M.,etal.TunableMicrowaveDevicesBasedonElectrostaticallyGatedPorousSilicon[J].Science,2015,319[2]LeeY.,etal.LargeVoltage-InducedTunabilityofMicrowaveDielectricPropertiesin(Na1/2Bi1/2)TiO3-BaTiO3Ceramics[J].AdvancedMaterials,2016,23[3]YangQ.,etal.Stronglyenhancedmicrowavepropertiesof(Ba,Sr)TiO3nanocube/polymercomposites[J].JournalofMaterialsChemistryC,2015,3[4]ChangC.M.,etal.MicrowavedielectricpropertiesofBa(Zn1/3Nb2/3)O3-Ba(Ti1/4Zr3/4)O3ceramicswithlowdielectricconstant[J].JournalofMaterialsChemistryA,2015,3[5]ZhangQ.,etal.High-PerformanceMicrowaveAbsorberBased