碳化硅準(zhǔn)一維納米結(jié)構(gòu)制備、場發(fā)射特性及應(yīng)用基礎(chǔ)研究的開題報告_第1頁
碳化硅準(zhǔn)一維納米結(jié)構(gòu)制備、場發(fā)射特性及應(yīng)用基礎(chǔ)研究的開題報告_第2頁
碳化硅準(zhǔn)一維納米結(jié)構(gòu)制備、場發(fā)射特性及應(yīng)用基礎(chǔ)研究的開題報告_第3頁
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碳化硅準(zhǔn)一維納米結(jié)構(gòu)制備、場發(fā)射特性及應(yīng)用基礎(chǔ)研究的開題報告題目:碳化硅準(zhǔn)一維納米結(jié)構(gòu)制備、場發(fā)射特性及應(yīng)用基礎(chǔ)研究一、研究背景和意義碳化硅材料因其良好的機械、熱學(xué)、化學(xué)性能以及較高的半導(dǎo)體能帶寬度而備受關(guān)注。而準(zhǔn)一維納米結(jié)構(gòu)作為新型納米材料,具有較小的尺寸效應(yīng)、更高的比表面積和更好的催化性能,已成為此領(lǐng)域研究的熱點。本課題的研究將圍繞碳化硅準(zhǔn)一維納米結(jié)構(gòu)的制備方法、場發(fā)射性能及其應(yīng)用研究展開,旨在深入了解碳化硅準(zhǔn)一維納米結(jié)構(gòu)的物理性質(zhì)、制備方法、性能表現(xiàn)及其應(yīng)用潛力,以期為材料科學(xué)領(lǐng)域的研究提供一定的參考和借鑒。二、研究內(nèi)容和技術(shù)路線1.準(zhǔn)一維納米結(jié)構(gòu)制備方法的研究通過對碳化硅準(zhǔn)一維納米結(jié)構(gòu)的制備方法進行研究,探索其適用的制備條件、材料來源、制備工藝等關(guān)鍵因素,為后續(xù)的性能測試和應(yīng)用研究提供必要的樣品基礎(chǔ)。具體涉及到的制備方法有:管道法、電化學(xué)法和化學(xué)汽相沉積法等。2.準(zhǔn)一維納米結(jié)構(gòu)的場發(fā)射性能研究通過納米材料發(fā)射場電子的研究,探索碳化硅準(zhǔn)一維納米結(jié)構(gòu)的發(fā)射效果和場致發(fā)射的最佳操作條件,研究其電子發(fā)射的基本機理和電流-電壓的特性曲線等。3.基于準(zhǔn)一維納米結(jié)構(gòu)的應(yīng)用研究采用碳化硅準(zhǔn)一維納米結(jié)構(gòu)作為晶體管、光電器件、傳感器等方面材料的研究載體,探究其在NEMS、MEMS等領(lǐng)域的應(yīng)用潛力,從而推進準(zhǔn)一維納米結(jié)構(gòu)材料的工程化和工業(yè)化應(yīng)用。技術(shù)路線:1.實驗板塊(1)碳化硅準(zhǔn)一維納米結(jié)構(gòu)的制備和純化技術(shù);(2)碳化硅準(zhǔn)一維納米結(jié)構(gòu)的表征方法和表征結(jié)果分析;(3)碳化硅準(zhǔn)一維納米結(jié)構(gòu)的場發(fā)射性能研究。2.應(yīng)用研究板塊(1)基于準(zhǔn)一維納米結(jié)構(gòu)材料的晶體管、光電器件、傳感器等方面的應(yīng)用研究;(2)碳化硅準(zhǔn)一維納米結(jié)構(gòu)在NEMS、MEMS等領(lǐng)域的研究。三、研究預(yù)期結(jié)果和意義1.建立碳化硅準(zhǔn)一維納米結(jié)構(gòu)在場發(fā)射和各種應(yīng)用領(lǐng)域的基礎(chǔ)性理論體系,推動碳化硅準(zhǔn)一維納米結(jié)構(gòu)材料的研究和應(yīng)用。2.為準(zhǔn)一維納米材料的制備方法和技術(shù)的發(fā)展提供必要的實驗和理論依據(jù),深入挖掘碳化硅準(zhǔn)一維納米結(jié)構(gòu)的物理特性及其應(yīng)用潛力。3.提高碳化硅準(zhǔn)一維納米結(jié)構(gòu)材料在光電、傳感、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域的應(yīng)用價值,促進碳化硅準(zhǔn)一維納米結(jié)構(gòu)材料的工業(yè)化應(yīng)用進程。四、參考文獻[1]LiW,LiYZ,ZhangXX,etal.Synthesis,characterizationandfieldemissionpropertyofSiCone-dimensionalnanostructures.JournalofPhysicsDAppliedPhysics,2009,42(19):195307.[2]ShenJY,XuNS,DengZT.Preparationandfieldemissionpropertiesofdouble-layeredSiCnanowiresarrays.ChemicalPhysicsLetters,2004,383(5-6):471-474.[3]YaoSD,WangYS,ZhuJD,etal.Tunablegrowthofsiliconcarbonnanowireswithadjustablestructuresandfie

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