離子束濺射生長Ge納米點的開題報告

離子束濺射生長Ge納米點的開題報告摘要：Ge納米點是一種具有優(yōu)異光電特性的材料，可以應(yīng)用于光電器件和量子點領(lǐng)域。離子束濺射（IBS）是一種高效的納米結(jié)構(gòu)材料制備技術(shù)，其制備過程不需要高溫或者化學(xué)反應(yīng)，因此很適合制備納米材料。本文擬研究利用IBS技術(shù)制備Ge納米點及其生長過程及控制過程。關(guān)鍵詞：離子束濺射、Ge納米點、生長過程一、研究背景和意義Ge納米點作為一種半導(dǎo)體材料，是近年來發(fā)展非常迅速的研究領(lǐng)域之一。Ge納米點具有許多優(yōu)異的光電學(xué)性質(zhì)，例如強的吸收和發(fā)射量子效應(yīng)，有望應(yīng)用于光電器件、傳感器、信息存儲及顯示等領(lǐng)域。因此，研究Ge納米點的制備和性質(zhì)對推動納米技術(shù)的發(fā)展具有重要的實際意義。離子束濺射是一種高效的納米結(jié)構(gòu)材料制備技術(shù)，對制備納米粒子、納米結(jié)構(gòu)具有非常優(yōu)異的性能。利用離子束濺射技術(shù)制備Ge納米點可以避免高溫或者化學(xué)反應(yīng)的影響，因此很適合制備納米材料。二、研究目的和方案1.研究利用離子束濺射技術(shù)制備Ge納米點及其生長過程的特性。2.研究控制Ge納米點尺寸和形態(tài)的方法及其制備條件的優(yōu)化。3.研究Ge納米點的光電性質(zhì)，包括發(fā)光峰、量子效率等。研究方案：1.采用離子束濺射技術(shù)制備Ge薄膜，并采用剪切反應(yīng)器生長Ge納米點。2.優(yōu)化制備條件，探究控制Ge納米點尺寸和形態(tài)的方法。3.使用熒光光譜等方法表征Ge納米點的光電性質(zhì)。三、研究內(nèi)容和方法1.制備Ge納米點采用離子束濺射技術(shù)制備Ge薄膜，并采用剪切反應(yīng)器生長Ge納米點。調(diào)節(jié)剪切反應(yīng)器的反應(yīng)溫度、反應(yīng)時間、反應(yīng)氣壓、氣氛氣體比例等參數(shù)，探究制備過程的影響規(guī)律。2.表征Ge納米點使用掃描電子顯微鏡（SEM）、透射電子顯微鏡（TEM）等技術(shù)表征Ge納米點的形貌、大小及分布等性質(zhì)。使用熒光光譜等方法表征Ge納米點的光電性質(zhì)。3.優(yōu)化制備條件通過調(diào)整剪切反應(yīng)器的反應(yīng)溫度、反應(yīng)時間、反應(yīng)氣壓、氣氛氣體比例等參數(shù)，探究控制Ge納米點尺寸和形態(tài)的方法。通過優(yōu)化制備條件，得到大小和形態(tài)均勻的Ge納米點。四、預(yù)期成果和意義1.研究利用離子束濺射技術(shù)制備Ge納米點的生長規(guī)律和特性。2.探究控制Ge納米點尺寸和形態(tài)的方法。3.表征Ge納米點的光電性質(zhì)，對其在光電器件、傳感器、信息存儲及顯示等領(lǐng)域的應(yīng)用具有重要意義。4.提供了一種簡單、高效的制備Ge納米點的方法和條件，有望為納米材料的制備和應(yīng)用提供有效的參考。參考文獻：[1]陶錫斌，高現(xiàn)安，王革峰，等.應(yīng)變誘導(dǎo)自組裝法制備金屬納米線[J].低溫物理學(xué)報，2004，26(4):329-332.[2]何本青，張瑞卿，張世巋，等.PtGd納米合金顆粒制備及其催化性能研究[J].中國稀土學(xué)報，2007，25(1):17-20.[3]周曉