嵌入式學習心得

LPC2136是ARM7架構(gòu)，是32位地址總線和數(shù)據(jù)總線，可以尋址的范圍為2的32次方=4GB(0x00000000~0xFFFFFFFF)

我們的程序在哪里運行?

還記得我們在做“跑馬燈”和“蜂鳴器”兩個實驗，用ads1.2中建立工程文件的時候有設置三個地址：

ROBase：0x40000000

RWBase：0x40001000

Imageentrypoint：0x40000000

開始沒有講為什么，通過上面的系統(tǒng)存儲器映射圖解不知大家是否有所悟。LPC2136內(nèi)部自帶32KBRAM和256KBFLASH。

32KBRAM分布在整個CPU存儲器空間的0x40000000~0x40007FFF；

256KBFLASH分布在整個CPU存儲器空間的0x00000000~0x0003FFFF；

ROBase是告訴編譯系統(tǒng)把編譯生成的目標碼放在0x40000000起始的位置，也就是代碼段存放在0x40000000開始的位置。

RWBase告訴編譯系統(tǒng)把各種變量(常量放在RO開始的位置)，堆棧放在0x40001000起始的位置。

Imageentrypoint：是告訴編譯系統(tǒng)程序入口點在0x40000000，即程序從這個地址開始執(zhí)行。(此部分在附錄二中細說)Flash與RAM的區(qū)別

通過以上所說，好像FLASH在這里沒什么用，如果你的RO地址定位在RAM中，那么FLASH確實沒有用。但FLASH是必須的功能部件。

Flash的作用也許要從其與RAM的區(qū)別說起：

區(qū)別一：RAM是易失性存儲器，F(xiàn)lash是非易失性存儲器。通俗的說，存儲在RAM中的數(shù)據(jù)掉電后數(shù)據(jù)丟失；而存儲在FLASH中的數(shù)據(jù)掉電后任然保持。(必須通過工具或特殊命令來擦除)

區(qū)別二：RAM是可讀寫存儲器，F(xiàn)lash只讀存儲器。(也許有人要問，F(xiàn)lash難道不能寫嗎？Flash可以寫，但不能象RAM一樣做簡單賦值操作，必須通過Flash寫命令寫，而且寫入數(shù)據(jù)的最小單位為512字節(jié)，即一個扇區(qū))

區(qū)別三：RAM訪問速度快，而Flash訪問速度慢的多。

區(qū)別四：RAM價格昂貴，F(xiàn)lash便宜。FLASH有何用途

我們一般在調(diào)試程序的時候為了提高開發(fā)進度，都把程序放在RAM中調(diào)試，在RAM中調(diào)試有一個缺陷就是每次上電必須下載程序到板子上，當產(chǎn)品的各個模塊調(diào)試OK，產(chǎn)品就要實現(xiàn)脫機功能，即把程序燒寫到FLASH中，這樣就不需要每次上電加載程序。我們手中拿的手機，在開發(fā)階段都是在R