大尺寸CaF2晶體生長(zhǎng)過(guò)程的數(shù)值分析及實(shí)驗(yàn)研究的開(kāi)題報(bào)告_第1頁(yè)
大尺寸CaF2晶體生長(zhǎng)過(guò)程的數(shù)值分析及實(shí)驗(yàn)研究的開(kāi)題報(bào)告_第2頁(yè)
大尺寸CaF2晶體生長(zhǎng)過(guò)程的數(shù)值分析及實(shí)驗(yàn)研究的開(kāi)題報(bào)告_第3頁(yè)
全文預(yù)覽已結(jié)束

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶(hù)提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

大尺寸CaF2晶體生長(zhǎng)過(guò)程的數(shù)值分析及實(shí)驗(yàn)研究的開(kāi)題報(bào)告開(kāi)題報(bào)告題目:大尺寸CaF2晶體生長(zhǎng)過(guò)程的數(shù)值分析及實(shí)驗(yàn)研究一、研究背景CaF2是一種重要的透明光學(xué)材料,具有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,如激光領(lǐng)域、光學(xué)光子學(xué)領(lǐng)域、紅外和紫外光學(xué)領(lǐng)域等。隨著現(xiàn)代科技的發(fā)展,對(duì)高品質(zhì)CaF2晶體的需求日益增加,但大尺寸、高質(zhì)量的CaF2晶體制備仍然是一個(gè)極具挑戰(zhàn)性的問(wèn)題。因此,對(duì)大尺寸CaF2晶體的生長(zhǎng)過(guò)程進(jìn)行研究是非常必要的。二、研究?jī)?nèi)容本課題的研究?jī)?nèi)容為大尺寸CaF2晶體生長(zhǎng)過(guò)程的數(shù)值模擬和實(shí)驗(yàn)研究。具體包括以下幾個(gè)方面:1.數(shù)值模擬通過(guò)建立數(shù)值模型,對(duì)大尺寸CaF2晶體生長(zhǎng)過(guò)程進(jìn)行模擬和分析。主要為:(1)建立多物理場(chǎng)耦合模型(2)研究晶體生長(zhǎng)過(guò)程中流場(chǎng)、溫度場(chǎng)及晶體質(zhì)量等影響因素的相互關(guān)系(3)分析各影響因素對(duì)晶體形貌及缺陷的影響2.實(shí)驗(yàn)研究通過(guò)實(shí)驗(yàn)研究,驗(yàn)證數(shù)值模擬結(jié)果的正確性。主要包括:(1)搭建實(shí)驗(yàn)平臺(tái),控制生長(zhǎng)條件(2)觀察晶體生長(zhǎng)過(guò)程中產(chǎn)生的缺陷、形貌變化等現(xiàn)象(3)對(duì)晶體進(jìn)行光學(xué)特性測(cè)試和表面質(zhì)量測(cè)試等三、研究意義本課題的研究意義主要有以下幾個(gè)方面:1.研究大尺寸CaF2晶體生長(zhǎng)的關(guān)鍵因素及其相互關(guān)系,為制備高品質(zhì)CaF2晶體提供技術(shù)支持。2.通過(guò)建立數(shù)值模型,預(yù)測(cè)和優(yōu)化CaF2晶體生長(zhǎng)過(guò)程中的影響因素,提高晶體的生長(zhǎng)質(zhì)量和產(chǎn)量。3.通過(guò)實(shí)驗(yàn)研究,發(fā)掘晶體生長(zhǎng)過(guò)程中的微觀機(jī)制,探索制備高品質(zhì)CaF2晶體的途徑。四、研究方法本課題采用建立多物理場(chǎng)耦合模型進(jìn)行數(shù)值模擬,并通過(guò)實(shí)驗(yàn)研究驗(yàn)證模擬結(jié)果的正確性。五、預(yù)期成果1.建立CaF2晶體生長(zhǎng)的數(shù)值模型,并通過(guò)數(shù)值模擬探究大尺寸CaF2晶體生長(zhǎng)過(guò)程中的影響因素及其相互關(guān)系。2.通過(guò)實(shí)驗(yàn)研究確定大尺寸CaF2晶體生長(zhǎng)的關(guān)鍵因素,并探究晶體生長(zhǎng)過(guò)程中發(fā)生的微觀現(xiàn)象及其產(chǎn)生的原因。3.提高大尺寸CaF2晶體的生長(zhǎng)質(zhì)量和產(chǎn)量,為實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)CaF2晶體的制備提供技術(shù)支持。六、研究進(jìn)展計(jì)劃1.數(shù)值模擬部分第1年:建立多物理場(chǎng)耦合模型,完成各影響因素對(duì)晶體生長(zhǎng)過(guò)程的影響關(guān)系分析第2年:優(yōu)化模型,預(yù)測(cè)晶體的形貌及缺陷,提高晶體的生長(zhǎng)質(zhì)量和產(chǎn)量2.實(shí)驗(yàn)研究部分第1年:搭建實(shí)驗(yàn)平臺(tái),進(jìn)行晶體生長(zhǎng)試驗(yàn)第2年:對(duì)晶體進(jìn)行光學(xué)特性測(cè)試和表面質(zhì)量測(cè)試,驗(yàn)證模擬結(jié)果的正確性七、參考文獻(xiàn)[1]ElSayedAliA,BasiounyFM,ElsayedFMohamed.GrowthandCharacterizationofCaF2SingleCrystals[J].JournalofAdvancedResearch,2010:395-402.[2]Zhang,W.Y.,Lv,L.,Wu,H.L.,&Wang,G.Y.(2019).NumericalStudiesontheEffectsofThermalConditionsandCrystalOrientationontheCrystalGrowthofCalciumFluoride.CrystalResearchandTechnology,54(11),1900131.[3]NairMTS,PunnooseMA,NairPK,etal.Growthandcharacterizationofpureanddopedcalciumfluoridecrystals

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶(hù)所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫(kù)網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶(hù)上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶(hù)上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶(hù)因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論