鍍膜基礎(chǔ)知識(shí)_第1頁
鍍膜基礎(chǔ)知識(shí)_第2頁
鍍膜基礎(chǔ)知識(shí)_第3頁
鍍膜基礎(chǔ)知識(shí)_第4頁
鍍膜基礎(chǔ)知識(shí)_第5頁
已閱讀5頁，還剩23頁未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

鍍膜基礎(chǔ)知識(shí)TP:Jason鍍膜工程部真空鍍膜技術(shù)簡介真空鍍膜真空鍍膜物理氣相沉積化學(xué)氣相沉積蒸鍍離子鍍?yōu)R鍍熱化學(xué)氣相沉積法電漿化學(xué)氣相沉積法加熱蒸鍍電子束蒸鍍直流射頻物理沉積:主要經(jīng)過物理變化而制成的薄膜?；瘜W(xué)沉積:主要仍利用高溫空間（亦含基板）或被活性化空間的化學(xué)反

應(yīng)以成膜。真空鍍膜技術(shù)簡介PVD(PhysicalVaporDeposition)的定義1、物理氣相沉積，是指在真空條件下，用物理的方法使材料沉積在基體上的薄膜制備技術(shù)2、PVD鍍膜主要分為如下四大類：（1）真空蒸發(fā)鍍膜（2）真空離子鍍膜（3）真空濺射鍍膜（磁控濺射）（4）分子束外延鍍膜真空蒸發(fā)鍍膜真空蒸發(fā)鍍膜原理真空蒸發(fā)鍍膜過程真空離子鍍膜真空離子鍍的定義真空離子鍍的原理及過程真空離子鍍的原理及過程真空離子鍍的特點(diǎn)真空離子鍍的特點(diǎn)真空離子鍍的特點(diǎn)真空離子鍍的特點(diǎn)真空離子鍍的特點(diǎn)磁控濺射鍍膜磁控濺射原理磁控濺射原理2、磁控濺射的主要特征磁控濺射的主要特征203.1電離原子的組成：中子、質(zhì)子、電子電離：磁控濺射的名詞213.2發(fā)光現(xiàn)象發(fā)光現(xiàn)象：電子從外界獲得能量向高能量電子層遷移，處于激活態(tài)。從高能級(jí)返回低能級(jí)電子層將伴隨發(fā)光現(xiàn)象。磁控濺射的名詞223.3壓力及分子平均自由程平均自由程：指分子兩次碰撞之間的距離，是一個(gè)統(tǒng)計(jì)平均值。簡易的計(jì)算公式如下：電漿必須在一定的氣壓在才能存在。磁控濺射的名詞233.4濺射系統(tǒng)真空系統(tǒng)電源系統(tǒng)供氣系統(tǒng)腔體Chamber冷卻水系統(tǒng)磁控濺射的構(gòu)成243.4濺射原理陰極表面：磁控濺射的機(jī)理25磁控的作用與構(gòu)型:–電子沿磁力線螺旋運(yùn)動(dòng)；–增加了電子運(yùn)動(dòng)的路徑；–提高了電子與氣體分子的碰撞概率；–運(yùn)動(dòng)路徑的增加與電子運(yùn)動(dòng)方向和磁場夾角有關(guān)；磁控作用26磁控下電子運(yùn)動(dòng)軌跡磁控下電子軌跡27磁控濺射靶的構(gòu)型?平面磁控濺射靶：–大面積、不受形狀限制；–適合流水線生產(chǎn)?柱狀磁控濺射靶：–360o濺射，沉積幾何簡單；–薄膜均勻性好

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論