光電板特性測(cè)試方案

光電板I-V特性測(cè)量方案一、標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件：1、 組件溫度——25°c（±2°c）；2、 輻照度——1000W/m2；3、 光譜輻照度分布——AM1.5（詳見GB/T6495.3-1996）。由于光譜輻照度分布在實(shí)際測(cè)量環(huán)境中難以把控，完全再現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)要求，所以測(cè)量時(shí)主要監(jiān)控組件溫度和輻照度，對(duì)于太陽(yáng)模擬器的輻照度，在標(biāo)準(zhǔn)中要求用標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)電池校準(zhǔn)（監(jiān)測(cè)標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)電池的短路電流），現(xiàn)在暫定用總輻射表校準(zhǔn)。二、測(cè)試光電板型號(hào):型號(hào)材料標(biāo)稱Isc(A)Voc(V)Pm(W0Im(A)Vm(V)數(shù)量SM55單晶硅3.4521.7553.1517.45N-5單晶硅3.221482.7917.43日地單晶硅5016.81Solarex多晶硅3.3321.3533.0817.21多晶硅2Isc為短路電流；Voc為斷路電壓；Pm為最大功率；Im為最大功率點(diǎn)電流（峰值電流）；Vm為最大功率點(diǎn)電壓（峰值電壓）。三、 測(cè)量設(shè)備：太陽(yáng)模擬器、總輻射表兩臺(tái)、溫度傳感器四支（兩支測(cè)光電板溫度、兩支測(cè)環(huán)境溫度）、太陽(yáng)能測(cè)試記錄儀（記錄溫度值和輻射值）、直流數(shù)字電壓表（可用外用表代替）、直流電流表、用于固定光電板的支架、導(dǎo)線及控制開關(guān)。四、 測(cè)量電路圖：伏安法測(cè)量電路五、實(shí)驗(yàn)過程：（一）校準(zhǔn)過程：1、 校核電流表和電壓表；2、 用總輻射表校準(zhǔn)模擬器，調(diào)節(jié)為1000W/m2；3、 校準(zhǔn)記錄儀時(shí)間和計(jì)時(shí)用表的時(shí)間（二）測(cè)量過程1、 K1、K2都斷開，連接好光電板，將滑動(dòng)變阻器阻值調(diào)到最大，檢查電壓表、電流表的量程，要求兩者量程要分別大于所測(cè)光電板標(biāo)稱的Voc和Isc的兩倍以上；2、 閉合K1，保持K2斷開，這時(shí)可以得到Voc；（Voc也可由數(shù)據(jù)求得）3、 保持K1閉合，再閉合K2,開始正常點(diǎn)的測(cè)量，滑動(dòng)變阻器由最大逐漸調(diào)小，電壓會(huì)隨著減小，以電壓表每變化0.5V（或1V）記錄一個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)，即一對(duì)電壓電流值，直到電壓值降到0.5V（或1V）以內(nèi)做最后一次記錄，之后斷開K1；4、 經(jīng)上一步可以得出一個(gè)曲線走向，找出電流變化趨勢(shì)發(fā)生明顯轉(zhuǎn)折的A、B兩點(diǎn)，在這兩點(diǎn)之間加大測(cè)量密度，電壓值每變化0.1V（或0.2V）記一個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)，以利于找到最大功率點(diǎn)（Pm），具體操作：把滑動(dòng)變阻器調(diào)到最大阻值，閉合K2、K1，調(diào)節(jié)滑動(dòng)變阻器使電壓為A點(diǎn)電壓，再逐漸調(diào)小電阻，電壓表每降0.1V記錄一次，直到電壓值為B點(diǎn)電壓。I-V特性曲線六、注意事項(xiàng)：1、 記錄數(shù)據(jù)時(shí)要記錄時(shí)間，以便查對(duì)數(shù)據(jù)點(diǎn)的溫度和輻照度；2、 組件測(cè)量溫度要控制在23-27^之間，以減小溫度系數(shù)對(duì)測(cè)量值的干擾（一般電流溫度系數(shù)是正的，電壓溫度系數(shù)是負(fù)的，功率隨溫度的升高而下降）；具體措施：可用遮陽(yáng)布遮擋幾分鐘或模擬器停機(jī)，使溫度降回到允許范圍3、 如果溫度、輻照度不符合測(cè)試的標(biāo)準(zhǔn)條件，要依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)BG/T6495-4進(jìn)行修正，但修正公式中有標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)電池的短路電流和開路電壓的實(shí)測(cè)輸出值；4、 采集兩個(gè)數(shù)據(jù)的間隔時(shí)間要長(zhǎng)于變化響應(yīng)時(shí)間；5、 I