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文檔簡(jiǎn)介

第五章

放大電路的頻率響應(yīng)

(5-0)第五章放大電路的頻率響應(yīng)§5.1

頻率響應(yīng)概述§5.2晶體管的高頻等效模型

§5.3

場(chǎng)效應(yīng)管的高頻等效模型§5.4

單管放大電路的頻率響應(yīng)§5.5

多級(jí)放大電路的頻率響應(yīng)§5.6

頻率響應(yīng)與階躍響應(yīng)§5.7

Multisim應(yīng)用舉例1

在放大電路中,由于耦合電容、旁路電容、晶體管極間電容、分布電容、寄生電容等的存在,當(dāng)輸入信號(hào)的頻率過(guò)高或過(guò)低時(shí),電路的放大倍數(shù)不但數(shù)值會(huì)減小,而且會(huì)產(chǎn)生超前或滯后的相移,因此電路的放大倍數(shù)是頻率的函數(shù),這種函數(shù)關(guān)系稱為頻率響應(yīng)或頻率特性?!?.1頻率響應(yīng)概述2一、高通電路3幅頻特性相頻特性下限(截止)頻率4二、低通電路5幅頻特性相頻特性上限(截止)頻率6三、波特圖高通電路波特圖低通電路波特圖5.71O3dB7電路的截止頻率由電容所在回路的時(shí)間常數(shù)τ確定。當(dāng)信號(hào)頻率為下限頻率fL

或上限頻率fH時(shí),放大電路的增益下降3dB,且產(chǎn)生+45o或-45o相移。在近似分析中,可用折線化的近似波特圖表示放大電路的頻率特性。放大電路的通頻帶fbw=

fH-

fL結(jié)論8§5.2晶體管的高頻等效模型一、混合π模型:根據(jù)結(jié)構(gòu)建立的物理模型體電阻、結(jié)電阻、結(jié)電容gm為跨導(dǎo),它不隨信號(hào)頻率的變化而變化9混合π模型的簡(jiǎn)化及單向化:使信號(hào)單向傳遞密勒定理10簡(jiǎn)化的晶體管高頻等效模型11簡(jiǎn)化的混合π模型的主要參數(shù)T管模型:

h參數(shù)模型混合π模型12二、電流放大倍數(shù)的頻率響應(yīng)由定義知:共射截止頻率13電流放大倍數(shù)的波特圖注意折線化曲線的誤差-20dB/10倍頻特征頻率14晶體管的頻率參數(shù)共射截止頻率:

fβ特征頻率:

fT

β0

fβ共基截止頻率:

=(1+β0)

β0

fT從IEQ估算從手冊(cè)查得求Cπ:

15§5.3場(chǎng)效應(yīng)管的高頻等效模型高頻等效模型簡(jiǎn)化模型16§5.4單管放大電路的頻率響應(yīng)5.4.1單管共射放大電路的頻率響應(yīng)分頻段考慮:17一、中頻電壓放大倍數(shù)18二、低頻電壓放大倍數(shù)高通19下限截止頻率:20三、高頻電壓放大倍數(shù)低通21上限截止頻率:22四、完整頻率響應(yīng)的波特圖綜合考慮23五、截止頻率下限截止頻率:上限截止頻率:由電容所在回路的時(shí)間常數(shù)決定245.4.2單管共源放大電路的頻率響應(yīng)255.4.3放大電路頻率響應(yīng)的改善和增益帶寬積一、低頻特性的改善:

應(yīng)增大耦合電容C

所在回路的時(shí)間常數(shù),以降低fL,但改善的程度有限。

最佳解決方法:采用直接耦合方式。26二、高頻特性的改善:

應(yīng)減小

C’π所在回路時(shí)間常數(shù),以增大fH。∴fH的提高與Ausm

的增大相互矛盾!通常fH>>fL

通頻帶fbw=fH-fL≈

fH→增益與帶寬矛盾

→引入新參數(shù):增益帶寬積

27三、增益帶寬積:28

因rbb’

和Cμ由晶體管決定,故管子選定后,放大電路增益帶寬積就大體確定。即:增益增大多少倍,帶寬幾乎就變窄多少倍。

為改善電路的高頻特性,拓展頻帶,應(yīng)首選rbb’

和Cob(≈Cμ)均小的高頻管,并盡量減小C’π所在回路總等效電阻。此外,也可采用共基電路。

注意:放大電路的通頻帶并非越寬越好,而是夠?qū)捵詈茫欣诘挚雇獠扛蓴_信號(hào)。

29§5.5多級(jí)放大電路的頻率響應(yīng)n級(jí)放大電路的電壓放大倍數(shù)幅頻特性:相頻特性:n個(gè)放大管→n個(gè)低通電路

m個(gè)耦合或旁路電容→m個(gè)高通電路30n級(jí)放大電路截止頻率的估算下限頻率fL:上限頻率fH:結(jié)論:1.放大電路的級(jí)數(shù)越多,頻帶越窄;

2.若fLk

遠(yuǎn)高于其它各級(jí),則fL≈fLk;3.若fHk遠(yuǎn)低于其它各級(jí),則fH≈fHk;n個(gè)耦合或旁路電容n個(gè)放大管31兩級(jí)放大電路的波特圖例132解:∵低頻有一拐點(diǎn),為20dB/十倍頻

∴電路有一耦合或旁路電容

fL=10Hz

∵高頻有一拐點(diǎn),為-60dB/十倍頻

∴電路為三級(jí)放大電路,每級(jí)f’H=2×105HzP243例5.5.1例2某電路各級(jí)均為共射電路,求:fL,fH,Au。33P244例5.5.2例3試求電路的各fL和fH。解:∵fL=1/2πτ

fH=1/2πττ=RC∴關(guān)鍵應(yīng)求各電容所在電路的等效電阻34耦合或旁路電容:短路;級(jí)間電容:開路若C1=C2=Ce,則τe<<τ1、τ2,

Ce的影響很大35§5.6頻率響應(yīng)與階躍響應(yīng)頻率響應(yīng):

在頻域內(nèi)分析,考查輸入信號(hào)幅值不變時(shí),輸出信號(hào)的幅值和相位隨頻率的變化而變化的情況。階躍響應(yīng):

在時(shí)域內(nèi)分析,考查輸入信號(hào)為階躍函數(shù)時(shí),輸出信號(hào)的前沿和頂部的變化情況。36放大電路的階躍響應(yīng)上升時(shí)間傾斜率超調(diào)量37§5.7Multisim應(yīng)用舉例----Q點(diǎn)穩(wěn)定電路頻響分析下限頻率:若某電容所在回路的τ明顯小于其它電容所在回路的τ,則電路

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