《新型非易失性存儲器基本性能測試方法》編制說明_第1頁
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文檔簡介

《新型非易失性存儲器基本性能測試方法》團體標準（征求意見稿）編制說明1.工作情況態(tài)硬盤的要求也越來越高。而當前廣泛用作主存的DRAM和廣泛用存儲器（MagneticRandomAccessMemory；MRAM）、相變存儲器（PhaseChangeMemory；PCM）、阻變存儲器（ResistiveRandom的性能測試方法，涵蓋讀寫速度、數據保持性和置位/復位等關鍵性能參數的測量。國際半導體技術發(fā)展路線圖（ITRS）等組織積極制本標準規(guī)定三種新型非易失性存儲器芯片包括磁隨機存儲器芯江省半導體行業(yè)協會關于<非易失性存儲器基本性能測試方法>團體搜索國內外對新型非易失性存儲器基本性能測試方法的標準制定情收集國內相關標準：收集到GB/T6648—1986《半導體集成編寫標準草案及編制說明：根據標準編制原則，經反2.標準編制原則、主要內容及確定依據1.1—2020《標準化工作導則第1部分：標準化文件的結構和起草規(guī)2.2主要內容及確定依據標準主要內容包括新型非易失性存儲器基本性能測試方法的范2.2.4磁存儲器測試、相變存儲器測試、阻對磁存儲器抗磁性測試、讀干擾率/寫錯誤率測試、數據保持時變存儲器測試的測試條件、測試原理、存儲窗口測試以及置位/復位重點參考了GB/T35003—2018《非易失性存儲器耐久和數據保3.知識產權情況4.產業(yè)化情況5.采用國際標準和國外先進標準情況6.與現行相關法律、法規(guī)、規(guī)章及相關標準的協調性GBT35003-2018非易失性TCSTM01003—2023相變存儲6.2本標準與相關法律、法規(guī)、規(guī)章、強制性標準無沖突。GB/T6648——1986半導體集成電路靜態(tài)讀/寫存儲器空白詳細GB/T35003——2018非易GB/T33657納米技術晶圓級納米尺度相變存儲單元電學操作7.

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