MCNP快速入門2課件

第八章蒙特卡羅方法應用程序介紹蒙特卡羅方法應用軟件的特點常用的通用蒙特卡羅程序簡介MCNP程序輸入的描述例子減方差

MCNP運用以下卡片來減小方差：助記符卡片類型IMP柵元重要性ESPLT能量分裂和俄國輪盤賭PWT次級光子權(quán)重EXT指數(shù)變換VECT方向矢量定義FCL強迫碰撞助記符卡片類型WWE權(quán)重窗的能量或時間間隔WWN權(quán)重窗的邊界WWP權(quán)重窗的參數(shù)WWG權(quán)重窗生成器WWGE權(quán)重窗生成器的能量或時間間隔MESH分層重要性網(wǎng)格權(quán)窗生成器PD探測器貢獻DXCDXTRAN貢獻BBREM韌致輻射偏倚因子IMP或WWN卡之一是必須的，其它卡片是可選的。IMP

柵元重要性卡 格式：IMP:n

x1

x2…xi…xI

n＝中子為N，光子為P，電子為E。

N,P

、P,E

或N,P

,E

也是允許的， 如果它們的值相同。

xi

＝柵元i

的重要性，i

＝1，2，…，I

I

＝問題中的柵元總數(shù)。

缺?。涸谝粋€MODENP

問題中，若省略了IMP:P卡，則所有柵元的光子重要性都置1，除非其中子重要性為零，這時其光子重要性也為零。 柵元重要性卡用于輸入各個柵元的重要性。 零重要性可以用來終止粒子的歷史。

IMP

卡是必須的，除非用了WWN卡。例：IMP:N 122M0120R

表示柵元1的中子重要性為1，柵元2為2，柵元3為4，柵元4為0，柵元5至25為1。此時如果一個粒子從柵元2進入柵元3，則粒子分裂為兩個粒子，每個粒子權(quán)重為原來的一半。若粒子從柵元3進入柵元2，則以50％的概率進行俄國輪盤賭終止粒子的歷史，如果未能終止，則粒子的權(quán)重加倍。 如果粒子進入“0”重要性柵元，則粒子被殺死。 如果粒子進入真空柵元，則即不分裂也不終止，然而，當粒子離開真空進入一個非真空柵元時，則要根據(jù)其重要性比值的增減進行分裂或俄國輪盤賭。ESPLT

能量分裂和俄國輪盤賭卡 格式：ESPLT:n

N1

E1

N2

E2…N5

E5

n＝中子為N，光子為P，電子為E。

Ni

＝粒子分裂的軌跡數(shù)。

Ei

＝發(fā)生分裂的能量（MeV）。

缺?。菏÷源丝▌t不進行能量分裂。 該卡用于進行能量分裂和俄國輪盤賭。 該卡可用能量權(quán)窗來代替。 該卡最多可輸入5對參數(shù)。Ni可以不是整數(shù)，也可以是一個在0和1之間的數(shù)，此時要進行的是俄國輪盤賭，該值為其存活概率。

當粒子能量降至Ei以下時，進行分裂或俄國輪盤賭。當粒子能量升至Ei以上時，則進行相反的動作（Ni＜0時，這種情況不進行動作）。 對于有裂變或熱中子散射的情況，中子能量就有可能增加。例：

ESPLT:N 2.12.01.25.001

該例表示當粒子能量降至0.1MeV以下時，做一個1變2的分裂，當粒子能量降至0.01MeV以下時，同樣做一個1變2的分裂，當粒子能量降至0.001MeV以下時，做一個存活概率為25％的俄國輪盤賭。 反之，當粒子能量升至0.1MeV以上時，做一個存活概率為50％的俄國輪盤賭，當粒子能量升至0.01MeV以上時，同樣做一個存活概率為50％的俄國輪盤賭，當粒子能量升至0.001MeV以上時，做一個1變4的分裂。PWT

光子權(quán)重卡 格式：PWT

W1

W2…Wi…WI

Wi

＝柵元i

中中子碰撞產(chǎn)生光子的 相對權(quán)重門限。

I

＝問題中的柵元總數(shù)。

缺省：省略此卡，則所有柵元的Wi=-1。 該卡用于控制中子碰撞產(chǎn)生的次級光子數(shù)目和權(quán)重。

對于正的Wi項，只有權(quán)重大于WL＝Wi*Is/

Ii的次級光子能產(chǎn)生，否則要進行俄國輪盤賭決定其是否存活，其中Is和Ii分別是中子源柵元和誘發(fā)光子柵元的中子重要性。 對于負Wi項，權(quán)重門限為WL＝-Wi*Ws*Is/

Ii，其中Ws是中子的源權(quán)重。

如果Wp>WL，將產(chǎn)生

Np(<10)

＝Wp/(5

*WL)+1個光子， 每個光子權(quán)重為Wp/

Np。 如果Wp<WL，則進行幸存概率 為Wp/WL的俄國輪盤賭，成功則 產(chǎn)生一個權(quán)重為WL的光子。 如果Wi=0，則只要有可能總 是產(chǎn)生光子。如果Wi=-1.0E6則 不讓該柵元產(chǎn)生次級光子。EXT

指數(shù)變換卡 格式：EXT:n

A1

A2…Ai…AI

n ＝中子為N，光子為P，對電子無效。

Ai

＝柵元i

的指數(shù)變換項，格式為A=QVm，

Q描述表示拉伸強度，Vm

定義拉伸方向。

I

＝問題中的柵元總數(shù)。

缺?。翰贿M行指數(shù)變換，Ai=0。 該卡用于拉伸粒子的輸運距離。 當某個柵元設置了強迫碰撞或沒有設置有效的權(quán)重控制時，不應使用指數(shù)變換。當粒子通量近似為一個指數(shù)分布時（如強吸收問題），指數(shù)變換有比較好的效果。

指數(shù)變換方法通過調(diào)整總截面來拉伸粒子的輸運距離，方法如下： 拉伸參數(shù)p

可用以下三種方法指定：

拉伸方向用Ai項中的Vm定義，有以下三種選擇：

Ai項中沒有Vm，即拉伸參數(shù)僅填寫Ai=Q。這時拉伸方向即為粒子運動方向（μ＝1）。 該方法不推薦，除非Ai=Q

=S

（飛行路徑隱式俘獲）， 這時輸運距離是散射距離 而不是碰撞距離。指定拉伸方向為Vm，拉伸方向是從碰撞點到指定點(xm,ym,zm)的方向，其中(xm,ym,zm)由VECT卡指定。μ是粒子運動方向與拉伸方向Vm之間的夾角余弦。Ai的符號表明拉伸方向是朝向還是背離(xm,ym,zm)。指定拉伸方向為Vm=X、Y或Z，則μ是粒子運動方向與X、Y或Z軸之間的夾角余弦。Ai的符號表明拉伸方向是朝向還是背離X、Y或Z軸方向。例：EXT:N 00.7V2S-SV2-.6V90.5V9SZ-.4X

VECT V9000V2111

該例中有10個柵元，對于光子以及柵元1、2和7都不做指數(shù)變換。下面為其它柵元徑跡長度拉伸一覽表：柵元AiQVm拉伸參數(shù)拉伸方向3.7V2.7V2p＝0.7朝向點(1,1,1)4SSp＝Σa/Σt粒子運動方向5-SV2S-V2p＝Σa/Σt遠離點(1,1,1)6-.6V9.6-V9p＝0.6遠離原點8.5V9.5V9p＝0.5朝向原點9SZSZp＝Σa/Σt沿著＋Z軸10-.4X.4-Xp＝0.4沿著－X軸VECT

矢量輸入卡 格式：VECTVm

xm

ym

zm

…Vn

xn

yn

zn

…

m，n ＝標記矢量Vm和Vn的任意編號。

xm,ym,zm

＝定義矢量Vm的三維坐標值。

缺省：無。

VECT卡的數(shù)據(jù)項為4個一組定義一個矢量，可定義任意數(shù)目的矢量，這些矢量可用于指數(shù)變換或用于用戶程序。FCL

強迫碰撞卡 格式：FCL:n

x1

x2…xi…xI

n＝中子為N，光子為P，對電子無效。

xi

＝柵元i

的強迫碰撞控制參數(shù)，

-1≤xi≤1。

I

＝問題中的柵元總數(shù)。

缺?。簒i

＝0，不強迫碰撞。

FCL卡控制中子或光子在每個柵元內(nèi)強迫碰撞，這對點探測器或DXTRAN球產(chǎn)生貢獻是非常有用的。當粒子進入強迫碰撞的柵元時，在其曲面上不做權(quán)窗游戲。

如果xi≠0，則用適當?shù)臋?quán)重控制把進入柵元i

的粒子分為碰撞部分和不碰撞部分。如果|xi|<1，對碰撞部分以|xi|的幸存概率做俄國輪盤賭以防止碰撞的歷史數(shù)變得太大。如果一些強迫碰撞的柵元彼此相鄰，則建議選xi為小數(shù)。 如果xi＜0，強迫碰撞過程僅適用于進入該柵元的粒子。強迫碰撞之后，不考慮權(quán)重截斷并用通常的模擬方式處理以后的全部碰撞。不忽略權(quán)窗，在記錄對探測器和DXTRAN球的貢獻后使用這些權(quán)窗。

如果xi＞0，強迫碰撞過程適用于進入該柵元的粒子以及碰撞后在權(quán)重截斷或權(quán)窗游戲中存活的粒子。粒子繼續(xù)被分為不碰撞部分和碰撞部分（以概率|xi|存活）直至其被權(quán)重截斷或權(quán)窗游戲殺死。 一般情況下令xi＝1或－1。當一些強迫碰撞的柵元彼此相鄰或者強迫碰撞產(chǎn)生的粒子歷史數(shù)高于我們的預期數(shù)目時，應置xi為小數(shù)。 當使用重要性時，選xi＞0，因為如果xi＜0時將關(guān)閉權(quán)重截斷游戲。

權(quán)窗卡 權(quán)窗是對指定空間及能量重要性函數(shù)提供重要性（IMP:n卡）以及能量分裂（ESPLT:n卡）的另一種方法。它們也能提供時間重要性函數(shù)。其優(yōu)點是：提供空間和時間或能量的二維的重要性函數(shù)。控制粒子的權(quán)重。與其它減方差技巧不矛盾，如指數(shù)變換卡。在粒子穿越曲面或碰撞，或者兩者都可以使用。能夠控制分裂和俄國輪盤賭的程度?？稍谥付ǖ目臻g或能量范圍內(nèi)關(guān)閉權(quán)窗?？捎脵?quán)窗生成器自動產(chǎn)生權(quán)窗。

權(quán)窗卡 權(quán)窗的缺點是：權(quán)窗不如重要性直觀易懂。當源粒子權(quán)重改變時，權(quán)窗需要重新歸一。WWE

權(quán)窗能量或時間卡 格式：WWE:nE1

E2…Ei

…Ej

；j

＜99

n＝中子為N，光子為P，電子為E。

Ei

＝能量間隔，第i

個能窗為：Ei-1＜E≤Ei

E0

＝0

缺?。喝绻麤]有此卡，但又使用權(quán)窗，則建立 一個整個能量或時間范圍的區(qū)間。 該卡是選擇卡，必須和WWN卡配合使用。 該卡為WWN卡定義了一個能量或時間間隔，最低能量為0，最小時間為－∞，在WWN卡不用填寫。至于該卡填寫的是能量還是時間間隔，要根據(jù)WWP卡上的第六項來指定。WWN

權(quán)窗邊界卡 格式：WWNi:nwi1

wi2…wij

…wiJ

n＝中子為N，光子為P，電子為E。

wij

＝在柵元j

，能量或時間間隔為

Ei-1＜E≤Ei（WWE卡定義）的權(quán)重下限。 如果沒有WWE卡，i＝1。

J

＝問題中的柵元總數(shù)。 除非使用了重要性卡或網(wǎng)格權(quán)重卡，否則必須使用權(quán)重窗（WWN和WWP卡）。 該卡指定了與空間和能量有關(guān)的權(quán)窗下限。它必須和WWP卡一起使用。如果權(quán)窗和能量或時間有關(guān)，則應有WWE卡。如果使用了WWN:n卡，則不應使用同一個粒子類型n的IMP:n卡。

若wij<0，則進入柵元j的粒子將被殺死，即負值對應零重要性。如果某個能量群用了負值，則該柵元的其它能量群必須都用負值。 若wij>0，則粒子進入柵元j或在柵元j中發(fā)生碰撞時，要根據(jù)WWP卡上定義的參數(shù)決定是分裂還是俄國輪盤賭。 若wij=0，則關(guān)掉在柵元j能量間隔i

的權(quán)窗游戲，并打開權(quán)重截斷游戲。這時，在CUT卡上指定一個最低的截斷權(quán)重是合適的，否則進入該柵元的大部分粒子將被權(quán)重截斷游戲殺死。

權(quán)窗的權(quán)重下限是個絕對的量，而不是相對的，因此一定要注意其它減方差技巧所引起的權(quán)重的變化情況。 在權(quán)窗邊界卡上必須指定每個柵元每個能量間隔的權(quán)重下限，不得空缺。例1：

WWE:N E1E2E3 WWN1:N w11w12w13w14 WWN2:N w21w22w23w24 WWN3:N w31w32w33w34例2：

WWN1:P w11w12w13WWP

權(quán)窗參數(shù)卡 格式：

WWP:nWUPNWSURVNMXSPLNMWHERESWITCHNMTIME

n ＝中子為N，光子為P，電子為E。

WUPN ＝當粒子權(quán)重超過WUPN與權(quán)窗下限的乘 積時，粒子將被分裂。要求WUPN≥2。

WSURVN ＝如果粒子在俄國輪盤賭中幸存，則其 權(quán)重變?yōu)閃SURVN與權(quán)窗下限的乘積， 要求1＜WSURVN

＜WUPN

。

MXSPLN ＝粒子分裂時，分裂數(shù)目不超過MXSPLN

； 粒子進行俄國輪盤賭時，幸存概率 不小于1/MXSPLN

。MXSPLN＞1。 MWHERE ＝該參數(shù)決定在什么地方檢查粒子權(quán)重。 －1：僅在粒子碰撞時檢查粒子權(quán)重。

0：在粒子穿越界面以及碰撞時檢查粒子權(quán)重。

1：僅在粒子穿越界面時檢查粒子權(quán)重。

SWITCHN ＝該參數(shù)決定從那里獲得權(quán)窗下限。 ＜0：從外部的WWINP文件中讀入。 ＝0：從WWNi卡讀入。 ＞0：權(quán)窗下限等于SWITCHN除以柵元重要性。

MTIME ＝指定能量相關(guān)或時間相關(guān)的權(quán)窗。

0，權(quán)窗與能量有關(guān)（WWE卡指定能量間隔）。

1，權(quán)窗與時間有關(guān)（WWE卡指定時間間隔）。

缺省：WUPN＝5；WSURVN＝0.6*WUPN；MXSPLN＝5；

MWHERE＝0；SWITCHN＝0；MTIME＝0。

權(quán)窗生成卡 權(quán)窗生成器估算由用戶指定的空間及能量范圍的重要性。然后按與該重要性成反比計算與空間及能量有關(guān)的權(quán)窗參數(shù)。 權(quán)窗生成器估算柵元的平均重要性。如果柵元太大，則柵元內(nèi)部的重要性變化也大，這時平均重要性就不能代表這個柵元。不適當?shù)膸缀蚊枋鲆矔疣徑鼥旁g的重要性差別較大。還好，權(quán)窗生成器能夠確定幾何描述對于采樣來說是否適當并給出信息。如果幾何描述對重要性的劃分不合適，則應使用網(wǎng)格權(quán)窗。WWG

權(quán)窗生成器卡格式：WWG It

Ic

Wg

J

J

J

J

IE

It

＝問題的計數(shù)號（Fn卡上的n）。權(quán)窗生成器將根 據(jù)由TFn卡定義的特殊的計數(shù)區(qū)間進行優(yōu)化。

Ic

＝產(chǎn)生柵元權(quán)窗或網(wǎng)格權(quán)窗。 ＞0：產(chǎn)生柵元權(quán)窗，Ic為參考柵元(通常用源柵元)。 ＝0：產(chǎn)生網(wǎng)格權(quán)窗（MESH卡）。

Wg＝產(chǎn)生網(wǎng)格或柵元Ic的權(quán)窗下限的值。 ＝0：為平均源權(quán)重的一半。

J

＝未用。

IE

＝產(chǎn)生能量相關(guān)或時間相關(guān)的權(quán)窗。 ＝0：說明WWGE卡定義的是能量間隔。 ＝1：說明WWGE卡定義的是時間間隔。

WWG卡為計數(shù)It生成最優(yōu)的重要性函數(shù)。對于柵元權(quán)窗生成器，將在輸出文件OUTP

的WWE和WWNi卡上打印重要性函數(shù)及其評價和總結(jié)；同時也在權(quán)窗生成器的輸出文件WWOUT

中打印。而對于網(wǎng)格權(quán)窗生成器，重要性函數(shù)以及網(wǎng)格描述僅寫到WWOUT文件中。這兩種情況對于在接續(xù)運行中使用生成的權(quán)窗重要性函數(shù)是很容易的，只需在WWP卡上讓SWITCHN＜0即可。 對于許多問題來說，MCNP生成的重要性函數(shù)要優(yōu)于一個有經(jīng)驗的用戶在IMP卡上推測的值。 要生成與能量或時間有關(guān)的權(quán)窗，需要WWGE卡對能量或時間進行劃分。WWGE

權(quán)窗生成器的能量或時間卡 格式：WWGE:nE1

E2…Ei

…Ej

；j≤15

n＝中子為N，光子為P，電子為E。

Ei

＝能量間隔，第i

個能窗為：Ei-1＜E≤Ei

E0

＝0

缺?。喝绻麤]有此卡，但又使用權(quán)窗，則建立 一個整個能量或時間范圍的區(qū)間。 如果有此卡但沒有輸入項，則將產(chǎn)生10個能量/時間間隔，Ei

＝10i-8

MeV/10-8秒，j＝10。MESH分層重要性網(wǎng)格權(quán)窗生成器卡 格式：MESH

網(wǎng)格變量=描述

等號“=”是可選的。網(wǎng)格變量說明變量說明缺省GEOM網(wǎng)格幾何，直角（“xyz”或“rec”）或圓柱（“rzt”或“cyl”）幾何。xyzREF參考點坐標。必須指定ORIGIN網(wǎng)格原點的坐標。（圓柱系為底面中心，直角系為底面左后角）0,0,0AXS圓柱幾何的軸向。0,0,1VEC沿AXS軸，θ＝0的面的方向。1,0,0網(wǎng)格變量說明（續(xù)）變量說明缺省IMESH粗網(wǎng)格的位置。對于直角幾何為x方向，對于圓柱幾何為徑向。無IINTS相應粗網(wǎng)格中，細網(wǎng)格劃分的數(shù)目。對于直角幾何為x方向，對于圓柱幾何為徑向。10JMESH粗網(wǎng)格的位置。對于直角幾何為

y方向，對于圓柱幾何為軸向。無JINTS相應粗網(wǎng)格中，細網(wǎng)格劃分的數(shù)目。對于直角幾何為y方向，對于圓柱幾何為軸向。10KMESH粗網(wǎng)格的位置。對于直角幾何為z方向，對于圓柱幾何為θ方向。無KINTS相應粗網(wǎng)格中，細網(wǎng)格劃分的數(shù)目。對于直角幾何為z方向，對于圓柱幾何為θ方向。10

粗網(wǎng)格的位置依次為各個方向上正向的界面位置。對于直角幾何，界面分別為垂直于x、y和z

軸的平面，位置為其在柵元幾何中的坐標。而且原點指定了粗網(wǎng)格在各個方向上的最負向的界面位置。 對于圓柱幾何，原點為底面中心在柵元幾何中的坐標，粗網(wǎng)格的位置為其相對于圓柱幾何(r,z,θ)原點正向的界面位置，最負的界面位置為(0,0,0)。圓柱幾何需要AXS和VEC向量，它們可以不是直角，但不能平行，它們定義了圓柱幾何原點的θ＝0的半平面。θ方向的坐標為該半平面旋轉(zhuǎn)的相對值，從0至1，θ方向最后一個界面坐標值必須是1。

在粗網(wǎng)格中再按給定的數(shù)目均勻地劃分出細網(wǎng)格，就完成了整個網(wǎng)格的劃分，網(wǎng)格必須覆蓋整個柵元幾何。權(quán)窗生成方法與柵元權(quán)窗類似。例1 GEOM=recREF=1e-61e-70 ORIGIN=-66.34-38.11-60 IMESH -16.53.853.66 IINTS 1038

例2

GEOM=cylREF=1e-61e-70ORIGIN=123 IMESH 2.5566.34 IINTS 215 JMESH 33.142.153.4139.7 JINTS 63413 KMESH .51 KINTS 55PD

探測器貢獻卡 格式：PDn

P1

P2…Pi…PI

n＝計數(shù)器編號。

Pi

＝柵元i

對探測器貢獻的概率。

I

＝問題中的柵元總數(shù)。

缺省：Pi＝1。用PD0卡可改變?nèi)笔≈怠?/p>

PDn卡減少對指定探測器不太重要的柵元對探測器計數(shù)的貢獻數(shù)目，節(jié)省計算時間。在柵元i中的每次碰撞，都以Pi的概率判斷其是否對該探測器作貢獻。如果要記錄貢獻，則記錄值要乘以1/Pi(Pi＝0除外)，以保證記錄結(jié)果的無偏性。 當我們要分析探測器貢獻中來自各個柵元的貢獻比例時，該卡是很有用的?？稍谕晃恢枚x多個探測器，分配不同的概率值（1或0）即可。DXC

DXTRAN貢獻卡 格式：DXCm:n

P1

P2…Pi…PI

m＝要應用的DXTRAN球的編號，零或缺 省表示應用于所有DXTRAN球。

n＝中子為N，光子為P，電子為E。

Pi

＝柵元i

對DXTRAN球貢獻的概率。

I

＝問題中的柵元總數(shù)。

缺省：m＝0，Pi＝1。 該卡與PDn卡類似，只是該卡是應用于DXTRAN球的。BBREM

韌致輻射偏倚卡 格式：DXC

b1

b2…b49

m1

m2…mn

b1

＝任意正值（當前未用）。

b2…b49

＝韌致輻射能譜的偏移因子。

m1…mn

＝要引入韌致輻射偏倚的材料列表。 韌致輻射過程會產(chǎn)生許多低能光子，但我們經(jīng)常是對高能的光子更感興趣。要產(chǎn)生更多高能光子的方法之一是使用能量偏移。例：BBREM1.1.46I10.888999

該例對于材料888和999中韌致輻射光子的抽樣數(shù)目的比例隨著能量的增加而逐漸增大。而在其它材料中不做能量偏移抽樣。源定義助記符卡片類型SDEF通用源SIn源的信息SPn源的概率SBn源的偏倚DSn相關(guān)的源SCn源的注釋SSW寫曲面源SSR讀曲面源KCODE臨界源KSRC臨界計算的源起始點ACODEα特征值源對于點探測器或DXTRAN球還需定義其它一些變量。ERG粒子能量(MeV)，或能量群號。TME粒子發(fā)射的時間（

10-8

秒）。UUU，VVV，WWW粒子的飛行方向。XXX，YYY，ZZZ粒子的位置。IPT粒子的類型。WGT粒子的權(quán)重。ICL發(fā)射粒子的柵元。JSU發(fā)射粒子的曲面，如果發(fā)射點不在曲面上，則JSU＝0。源對其產(chǎn)生的每個粒子，必須定義下列MCNP變量值SDEF

通用源卡 格式：SDEF

源變量=描述

等號“=”是可選的。

源變量和MCNP源必須設置的變量不完全一樣，有許多是用來控制最終變量抽樣值的中間量。所有源變量都有缺省值。源變量的描述有以下三種格式：顯值；在一個分布號前加D；在一個變量前面加F，后面跟一個D在前面的分布號。

Var=Dn

表示從分布n

中抽取源變量Var。

VarFvar'Dn

則表示從分布n

中抽取源變量Var，而分布n

與變量var'

有關(guān)，只允許一級相關(guān)。 每個分布僅用于一個源變量。源變量說明變量說明缺省CEL柵元。根據(jù)XXX，YYY，ZZZ和UUU，VVV，WWW確定。SUR曲面。0（柵元源）ERG粒子能量（MeV）。14MeVTME時間（10-8

秒）。0源變量說明（續(xù)一）變量說明缺省DIRμ，μ是VEC和方向UUU，VVV，WWW的夾角余弦。方位角總是在0°～360°之間均勻抽取。體源：μ在－1～1上均勻抽?。ǜ飨蛲栽矗?。面源：μ在0～1上的余弦分布

f(μ)＝2μ

中抽取。VECDIR的參考矢量。體源：必須，各向同性除外。面源：垂直于曲面，符號為NRM。NRM曲面法向的符號。+1源變量說明（續(xù)二）變量說明缺省POS抽樣位置的參考點。0,0,0RAD抽樣位置離開POS或AXS的徑向距離。0EXT柵元源：沿AXS方向離開POS的距離。曲面源：離開AXS的角度余弦。0AXS用于EXT和RAD的參考矢量。沒有方向X抽樣位置的X坐標。無XY抽樣位置的Y坐標。無YZ抽樣位置的Z坐標。無Z源變量說明（續(xù)三）變量說明缺省CCCCookie-cutter柵元。無ARA曲面的面積（當平面源對點探測器要求直接貢獻時才需要此卡）。無WGT源粒子權(quán)重。1EFF位置選舍抽樣效率判據(jù)。0.01PAR源發(fā)射的粒子的類型。1＝中子2＝光子3＝電子1：包括中子的問題。2：無中子但有光子問題。3：僅有電子的問題。SIn

源信息卡 格式：SIn 選項I1…Ik

n ＝分布號（n

＝1～999）。

選項＝Ii的說明，允許的值是： 省略或H：直方圖分布的區(qū)間邊界，僅用于標量。

L：離散的源變量值。

A：定義概率分布密度的點。

S：分布號。

I1…Ik＝源變量值或分布號。

缺?。篠InH

I1…Ik

SPn

源概率卡 格式：SPn 選項P1…Pk

或：SPn fab

n ＝分布號（n

＝1～999）。

選項＝Pi的說明，允許的值是： 省略：對H或L分布與D相同， 對A分布為概率密度。

D：H或L分布的各個區(qū)間的概率值(不用歸一)。

C：H或L分布的各個區(qū)間的累積概率值。

V：僅用于柵元分布。概率與柵元體積成 正比（若有Pi，要乘以Pi

）。

P1…Pk＝源變量概率。

f

＝內(nèi)部函數(shù)的標識符。

a，b

＝內(nèi)部函數(shù)的輸入?yún)?shù)。

缺?。篠PnD

P1…Pk

SBn

源偏移卡 格式：SBn 選項B1…Bk

或：SBn fab

n，選項，f

，a，b

均和SPn卡一樣，只有一點不同，即內(nèi)部函數(shù)f只允許－21和－31。

B1…Bk＝源變量偏移概率。

缺?。篠BnD

B1…Bk

SPn卡的第一種格式的第一項是正數(shù)或非數(shù)值，表明該卡及它的SIn卡定義了一個概率分布函數(shù)。

SPn卡的第二種格式的第一項是負數(shù)，表示使用一個內(nèi)部解析函數(shù)產(chǎn)生源變量的一個連續(xù)的概率密度函數(shù)。內(nèi)部函數(shù)說明源變量函數(shù)號輸入?yún)?shù)說明ERG－2aMaxwell裂變譜。p(E)＝CE1/2exp(-E/a)ERG－3abWatt裂變譜。p(E)＝Cexp(-E/a)sinh(bE)1/2ERG－4abGaussian聚變譜。p(E)＝Cexp[-((E-b)/a)2]ERG－5aEvaporation能量譜。p(E)＝CEexp(-E/a)ERG－6abMuir速度Gaussian聚變譜。p(E)＝Cexp[-((E1/2

-b1/2)/a)2]ERG－7ab備用內(nèi)部函數(shù)說明（續(xù)）源變量函數(shù)號輸入?yún)?shù)說明DIR、RAD、EXT－21a冪指數(shù)分布。p(x)＝C|

x

|aDIR、EXT－31a指數(shù)分布。p(μ)＝Ce

aμTME－41ab時間的Gaussian分布。p(t)＝Cexp[-(1.6651092(t-b)/a)2]DSn

相關(guān)源分布卡（復合分布） 格式：DSn 選項J1…Jk

或：DSn T I1

J1…Ik

Jk

或：DSn Q V1

S1…Vk

Sk

n＝分布號（n

＝1～999）。

選項＝Ji的說明，允許的值是： 省略或H：連續(xù)分布的源變量值，僅用于標量。

L：離散的源變量值。

S：分布號。

T

＝獨立變量值后面跟相關(guān)變量的值， 這些變量必須是離散的標量。

Ii

＝獨立變量的值。

Ji

＝相關(guān)變量的值。

Q

＝獨立變量值后面跟分布號， 這些變量必須是標量。

Vi

＝單調(diào)增加的獨立變量的值。

Si

＝相關(guān)變量的分布號。

缺?。篋SnH

J1…Jk

對與另一個源變量有關(guān)的變量用DS卡代替SI卡，不使用SP卡和SB卡。一般來說，MCNP先對獨立變量抽樣，然后根據(jù)DS卡的格式確定相關(guān)變量的值。SCn

源注釋卡 格式：SCn 注釋

n＝分布號（n

＝1～999）。 在源分布表和源分布頻率表中，作為源分布的標題部分打印該注釋。一般源的例子例1： SDEFERG=D1POS=xyzWGT=w SI1 HE1

E2…Ek SP1 D0

P2…Pk SB1 D0

B2…Bk

這是個位于(x,y,z)，權(quán)重為w的各向同性點源，能量采用偏移分布抽樣。例2： SDEFSUR=mAXS=ijkEXT=D6

SB6

-311.5 $SI6

-11；

SP6

-310

這是曲面m上的源。發(fā)射方向用余弦分布抽樣確定。通過分布6對與方向(i,j,k)的夾角余弦按指數(shù)偏移抽樣確定源粒子在曲面上的位置。粒子權(quán)重的最大和最小值是

e1.5＝4.48和e-1.5＝0.223。例3： SDEFSUR=mNRM=-1DIR=D1WGT=w SB1

-212 $SI6

01；SP6

-211

這是球面m上向內(nèi)發(fā)射的源。如果w＝r2（r為球面m的半徑），則該源和VOID卡、VOL卡以及計數(shù)類型2和4一起可以估計曲面的面積和柵元的體積。SB1卡的方向偏移使更多粒子朝著最感興趣柵元所在的球m的中心發(fā)射。同時，該偏移順便提供了球m體積的零方差估計。例4： SDEFSUR=mPOS=xyzRAD=D1CCC=n

SI1

r

$SI1

0

r；SP1

-211

這是沿正法線方向從曲面m上發(fā)射的單向源。源位置在以(x,y,z)為中心，r為半徑的曲面上，用戶必須確保點(x,y,z)在曲面m上。如果所抽取的點不在Cookie-cutter柵元n內(nèi)，則舍棄該點并重新抽樣。例5：復合分布

SDEFPOS=D1ERGFPOSD2 SI1 L53.36753.36 SP1

.3.7 DS2 S34 SI3 H21014 SP3 D012 SI4

-3a

b

這是兩個各向同性點源，其中有0.3的概率在(5,3.3,6)處，能量服從階梯分布3；而有0.7的概率在(75,3.3,6)處，此時能量服從Watt裂變譜分布4。例6：復合分布

SDEFSUR=D1CELFSURD2ERGFSURD6 XFSURD3YFSURD4ZFSURD5 SI1 L100 SP1 .8.2 DS2 L088 DS6 S6162 SP61 -3.982.2 SP62 -31.052.7

這是一個面源(面10、概率0.8)

和一個柵元源(柵元88、概率0.2)， 對于柵元源要在長方體內(nèi)均勻抽樣、挑選。DS3 S031SI31 2030SP31 01DS4 S041SI41 -1736SP41 01DS5 S051SI51 -1010SP51 01計數(shù)描述 下列卡片用來記錄計算結(jié)果：助記符卡片類型Fna計數(shù)類型FCn計數(shù)注釋En計數(shù)能量間隔Tn計數(shù)時間間隔Cn計數(shù)方向余弦間隔FQn計數(shù)打印層次FMn計數(shù)乘子DEn/DFn劑量能量/劑量函數(shù)EMn計數(shù)能量乘子助記符卡片類型TMn計數(shù)時間乘子CMn計數(shù)余弦乘子CFn計數(shù)柵元標志SFn計數(shù)曲面標志FSn計數(shù)片段劃分SDn計數(shù)片段的體積/面積FUn子程序TALLYX輸入TFn計數(shù)漲落打印DD探測器和DXTRAN診斷DXTDXTRAN球參數(shù)FTn計數(shù)特殊處理Fna

計數(shù)類型卡

助記符類型說明Fn單位*Fn單位F1:(N、P、E)面流粒子MeVF2:(N、P、E)面通量粒子/cm2MeV/cm2F4:(N、P、E)體通量粒子/cm2MeV/cm2F5a:(N、P)點或環(huán)探測器通量粒子/cm2MeV/cm2F6:(N、P、N,P)平均沉積能量MeV/克109J/克F7:N平均裂變沉積能量MeV/克109J/克F8:(P、E、P,E)探測器探測的能譜脈沖MeV+F8:E沉積電荷電荷無曲面和柵元計數(shù)（類型1、2、4、6和7）簡單格式： Fn:pl S1…Sk一般格式： Fn:pl S1…(S2…S3)(S4…S5)S6

S7…

n ＝計數(shù)號（n

＝1～999）。

pl＝N或P或N,P

或E。

Si

＝用于計數(shù)的問題曲面號或柵元號或T。 這里只允許用柵元卡上列出的柵元以及界定這些柵元是曲面。 上面的簡單格式建立了該計數(shù)的k個曲面或柵元區(qū)間，對每個曲面或柵元單獨列出結(jié)果。 對于一般格式，區(qū)間按單個曲面或柵元以及若干個曲面或柵元的集合來劃分。括號表示內(nèi)部所有項的集合，括號內(nèi)的項還可以用在其它集合或單獨使用。T是卡上列出的其它所有項的合集的簡寫。例1： F2:N

136T

該卡指定了4個中子通量計數(shù)，分別為穿過曲面1、3、6的平均通量以及穿過所有這三個曲面的平均通量。例2： F1:P

(12)(345)6

該卡指定了3個光子流量計數(shù)，這三個計數(shù)分別是對曲面1和2的合集；曲面3、4和5的合集以及曲面6的計數(shù)。例3： F371:N

(123)(14)

T

該卡指定了3個中子流量計數(shù)，分別是對曲面1、2和3的合集；曲面1和4的合集以及曲面1、2、3和4的合集的計數(shù)。注意，這里的T對重復出現(xiàn)的曲面1只使用了一次。探測器計數(shù)（類型5）點探測器格式：

Fn:pl XYZ±R0

n ＝計數(shù)號。

pl ＝N或P。

XYZ ＝探測器點的位置。

±R0

＝探測器鄰域球的半徑：

＋R0：以厘米為單位。

－R0：以平均自由程數(shù)為單位。 （空腔處不能用）環(huán)探測器格式：

Fna:pl a0r±R0

n ＝計數(shù)號。

a

＝字母X、Y或Z，環(huán)的對稱軸。

pl ＝N或P。

a0

＝環(huán)平面在a軸（對稱軸）上的截距。

r ＝環(huán)的半徑（厘米）。

±R0

＝同點探測器，但鄰域球選在環(huán)上的一點。

使用探測器之前一定要先了解有關(guān)探測器的內(nèi)容，因為如果使用不當會導致不可靠的結(jié)果。對于要穿過零重要性區(qū)域的探測器是得不到計數(shù)的。在具有軸對稱的問題中，最好使用環(huán)探測器而不用點探測器。 對具有相同n或na指定的多個探測器，只需簡單地在同一張卡的后面依次給出各個探測器的輸入?yún)?shù)組即可。 如果相同類型（例如F5:N和F15:N）的多個探測器在同一位置上，此時從碰撞點到探測器的貢獻只計算一次，而不是對每個探測器都分別計數(shù)。

探測器輸出通常分為兩部分：探測器的總貢獻（作為所定義區(qū)間如能量的函數(shù)）。源對探測器的直接貢獻（無碰撞貢獻）。 源的貢獻總是包含在總貢獻中，如果不想打印源的貢獻，只需在探測器計數(shù)卡的末尾加上符號ND即可。 選擇R0的法則是：R0應相當于球內(nèi)粒子平均能量的約1/8～1/2個平均自由程，在空腔內(nèi)R0應為零；R0最好按厘米數(shù)給，這樣方差較小。鄰域球內(nèi)只能包含一種材料（MCNP不檢查），否則結(jié)果可能會不正確。脈沖幅度計數(shù)（類型8）簡單格式： Fn:pl S1…Sk一般格式： Fn:pl S1…(S2…S3)(S4…S5)S6

S7…

n ＝計數(shù)號（n

＝1～999）。

pl＝P或E或P,E

。

Si

＝用于計數(shù)的問題柵元號或T。 脈沖幅度計數(shù)可以記錄在一個探測器中由輻射產(chǎn)生的脈沖的能量分布。該卡后面列出的是柵元號或柵元集合，與F4卡一樣。集合計數(shù)是累計計數(shù)而非平均計數(shù)。只允許有柵元區(qū)間以及能量區(qū)間。 不論pl取何值，該計數(shù)類型將記錄光子和電子，即粒子類型P、E或P,E對計數(shù)類型8是等價的。

對于脈沖幅度計數(shù)卡在選擇能量間隔的時候要注意，應該把零區(qū)間和ε區(qū)間包括在里面，例如：

E8 01E-51E-31E-1…

零區(qū)間用來處理由于撞出電子而產(chǎn)生負計數(shù)的情況；ε(1E-5)區(qū)間內(nèi)將記錄穿過柵元但沒有沉積能量的粒子。FCn

計數(shù)注釋卡 格式：FCn 注釋

n ＝計數(shù)號。 該卡的注釋內(nèi)容將作為計數(shù)Fn的標題。當用某種方法修改計數(shù)的時候，該卡就特別有用，在以后看輸出結(jié)果時會得到提示，知道該計數(shù)是修改過的或是非標準的。En

計數(shù)能量卡 格式：En E1…Ek

n＝計數(shù)號。

Ei

＝計數(shù)n的第i

個能量間隔的上界。

缺省：如果沒有此卡，則建立一個整個能量范圍的區(qū)間，除非用E0卡更改了缺省值。 可以使用E0卡對所有計數(shù)建立一個缺省的能量間隔結(jié)構(gòu)。

MCNP會自動給出覆蓋所有能量區(qū)間的總計數(shù)，但如果在該卡的末尾填寫字符“NT”，則不記錄該總計數(shù)。如果在該卡的末尾填寫字符“C”，則記錄的是計數(shù)累計值，最后一個是覆蓋所有能量的總計數(shù)。例子：E11.1120

該例子為F11計數(shù)劃分了四個能量間隔。截止能量～0.1MeV0.1～1MeV1～20MeV整個能量范圍Tn

計數(shù)時間卡 格式：Tn T1…Tk

n＝計數(shù)號。

Ti

＝計數(shù)n的第i

個時間間隔的上界。

缺?。喝绻麤]有此卡，則建立一個整個時間范圍的區(qū)間，除非用T0卡更改了缺省值。 可以使用T0卡對所有計數(shù)建立一個缺省的時間間隔結(jié)構(gòu)。

MCNP會自動給出覆蓋所有時間區(qū)間的總計數(shù)，但如果在該卡的末尾填寫字符“NT”，則不記錄該總計數(shù)。如果在該卡的末尾填寫字符“C”，則記錄的是計數(shù)累計值，最后一個是覆蓋所有時間的總計數(shù)。例子：T2 -111.0+37NT

該例子為F2計數(shù)劃分了三個時間間隔。－∞～－1（10-8

秒）－1～1（10-8

秒）1～1.0+37(+∞)（10-8

秒） 該例子不打印總時間上的總計數(shù)。Cn

計數(shù)余弦卡 格式：Cn C1…Ck

n ＝計數(shù)號。

Ci

＝計數(shù)n的第i

個角的余弦間隔的上界。

C0＝－1，C1>－1，Ck＝1。

缺省：如果沒有此卡，則建立一個整個角度范圍的區(qū)間，除非用C0卡更改了缺省值。 可以使用C0卡對所有計數(shù)建立一個缺省的角度間隔結(jié)構(gòu)。 該卡僅用于計數(shù)類型1。角度是相對于粒子穿過曲面那一點的正法線方法定義的，正法線方法總是朝著對該曲面具有正向的柵元。 在FTn卡上用選擇項FRVUVW可以指定角度是相對于參考矢量（u,v,w）定義的。 MCNP不會自動給出整個角度范圍內(nèi)的總計數(shù)，但如果在該卡的末尾填寫字符“T”，則記錄該總計數(shù)。如果在該卡的末尾填寫字符“C”，則記錄的是計數(shù)累計值，最后一個是整個角度范圍內(nèi)的總計數(shù)。例子：C1 -.868-.50.5.8681

該例子為F1計數(shù)劃分了6個角度間隔。180°～150°150°～120°120°～90°90°～60°60°～30°30°～0°

該例子不打印整個角度范圍內(nèi)的總計數(shù)。FQn

打印層次卡

格式：FQna1

a2…a8

n＝計數(shù)號。

ai

＝F

——柵元、曲面或探測器。

D

——直接或標記。

U

——用戶。

S

——分段。

M

——乘子。

C

——余弦。

E

——能量。

T

——時間。

缺省：按上述次序打印。

a1為最外層嵌套，a7和a8制成一個表。a7a8橫向豎向

字母ai表示了所有8種可能的計數(shù)區(qū)間類型。該卡用于改變在輸出文件中計數(shù)打印的次序。這些字母需用空格分開，如果只輸入部分字母，則它們被放在該卡的最后，其余部分按其缺省的次序放在該卡的最前面。 根據(jù)問題的具體情況適當?shù)卣{(diào)整輸出結(jié)構(gòu)，可提高輸出文件的可讀性。 用FQ0卡可改變?nèi)笔〉拇蛴〈涡颉Mn

計數(shù)乘子卡 格式：FMn

(單元組1)(單元組2)…T

n＝計數(shù)號。(單元組i)＝((乘子組1)(乘子組2)…(衰減組))

T

＝若有T，則給出所有單元的總計數(shù)。(衰減組)＝C-1m1px1

m2px2…(乘子組i)＝C

m

(反應表1)(反應表2)…(特殊乘子組i)＝C-k

C

＝增值常數(shù)。

-1

＝衰減器標記。

m

＝Mm卡上指定的材料號。(反應表i)＝反應號的乘(空格)與加(:)的運算。DEn

劑量能量卡

DFn

劑量函數(shù)卡 格式：DEn A

E1…Ek

DFn B

F1…Fk

n＝計數(shù)號。

Ei

＝第i

個能量點（MeV）。

Fi

＝對應第i

個能量點的劑量函數(shù)值。

A

＝LOG或LIN，能量表按對數(shù)或線性插值。

B

＝LOG或LIN，劑量函數(shù)表的插值方法。

缺?。喝魶]有填寫A或B，則按對數(shù)插值處理。能量乘子卡EMnM1…Mk時間乘子卡TMnM1…Mk余弦乘子卡CMnM1…Mk

n＝計數(shù)號（n=0則指定缺省值）。

Mi

＝第i

個區(qū)間的乘子。CFn

柵元標記卡（計數(shù)類型1,2,4,6,7） 格式：CFn C1…Ck

n＝計數(shù)號。

Ci

＝要做標記的柵元。 粒子離開指定的柵元時將被打上標記，帶標記的粒子產(chǎn)生的貢獻除了記錄到正常的計數(shù)中，還要記錄到一個標記計數(shù)中去，這兩種計數(shù)將被分別列出。該方法可以確定穿過感興趣區(qū)域的粒子對計數(shù)的貢獻。 一個帶標記的中子所產(chǎn)生的次級光子也帶有標記。例子：

F4:N

61013

CF4 34

這個例子中，中子在離開柵元3或4時將被打上標記。計數(shù)將有兩份輸出，第一份輸出是柵元6、10和13的總徑跡長度計數(shù)。第二份輸出的也是這些柵元的計數(shù)，只不過這些計數(shù)是穿過柵元3或4以后的中子對這些柵元的計數(shù)貢獻。SFn

曲面標記卡（計數(shù)類型1,2,4,6,7） 格式：SFn S1…Sk

n＝計數(shù)號。

Si

＝要做標記的曲面。 該卡與CFn卡一樣，只不過是在粒子穿過指定的曲面時才打上標記。 對同一計數(shù)可以同時用CFn卡和SFn卡，但是輸出的帶標記的計數(shù)只有一份。FSn

分段計數(shù)卡（計數(shù)類型1,2,4,6,7） 格式：FSn S1…Sk

n＝計數(shù)號。

Si

＝帶符號（指向）的分段曲面。 該卡用于把一個計數(shù)柵元或曲面分成若干段分別計數(shù)。其好處是不必為了計數(shù)而設置額外的柵元。 分段的曲面同樣要在曲面描述卡上定義，但它們不一定是實際幾何的組成部分，因此不用把這些曲面與柵元之間的關(guān)系考慮得太復雜。

FSn卡上輸入的k個曲面將劃分出k+1

個曲面或體積段，這k個曲面按它們的次序和指向把計數(shù)n分成k+1個計數(shù)單元。如果FSn卡的末尾出現(xiàn)T，則還要增加一個總計數(shù)單元。 對計數(shù)卡上的每個曲面或柵元，單元按下列方法進行分割：單元1：曲面或柵元中符合曲面S1指向的部分。單元2：剩余部分中符合曲面S2指向的部分?！瓎卧猭：剩余部分中符合曲面Sk指向的部分。單元k+1：剩余部分。單元k+2：若給出T

，整個曲面或柵元的總計數(shù)。例子：

11-2.2212-3-4-56IMP:N=1 20#1IMP:N=0 1PY0 2PZ-1 3PY2 4PZ1 5PX1 6PX–1 SDEFPOS=010ERG=1 M16012.60–1 F2:N3 7PX.5 8PX-.5 9PZ.5 10PZ-.5 FS27-10-89SDn

分段除數(shù)卡（計數(shù)類型1,2,4,6,7） 格式：SDn (D11

D12

…

D1m)…

(Dk1

Dk2

…

Dkm)

n＝計數(shù)號。

k

＝Fn卡上柵元或曲面的數(shù)目，包括T。

m

＝FSn卡上分段的數(shù)目，包括剩余段及T。

Dij

＝第i

個柵元或曲面上的第j

段的 面積、體積或質(zhì)量。DXT

DXTRAN卡

格式：DXT:

nx1y1z1RI1RO1x2y2z2

RI2RO2

...DWC1DWC2DPWT

n＝N或P，對E無效。

xiyizi

＝第i

個球的球心位置。

RIi

＝第i

個球的內(nèi)半徑。

ROi

＝第i

個球的外半徑。

DWC1＝球中的截斷權(quán)重上限。

DWC2

＝球中的截斷權(quán)重下限。

DPWT

＝最小光子權(quán)重。FTn

計數(shù)特殊處理卡

格式：FTnID1

P1,1

P1,2

P1,3…ID2

P2,1

P2,2

P2,3…

n＝計數(shù)號。

IDi

＝第i

項特殊處理的標識符。

FRV

用于計數(shù)類型1角度間隔的參考方向。

GEB

高斯能量展寬。

TMC

時間卷積。

INC

指定碰撞次數(shù)。

ICD

指定要記錄對探測器作貢獻的柵元。

ELC

電流計數(shù)。

Pi,j

＝第i

項特殊處理的參數(shù)。特殊處理的描述以及參數(shù)：角度間隔的參考方向

FRV

V1V2V3

Vi是參考矢量V的XYZ分量，可以不歸一。該矢量用于計數(shù)類型1，作為角度的參考方向。高斯能量展寬

GEB

abc

參數(shù)指定了物理輻射探測器能量展寬的半高寬。 ，E為能量。時間卷積

TMC

ab

模擬方波脈沖發(fā)射的源粒子，粒子發(fā)射從時間a開始到時間

b結(jié)束。材料描述 這組卡片用于指定在柵元中所使用的材料成分和使用哪些截面數(shù)據(jù)。助記符卡片類型Mm材料成分DRXS離散反應截面TOTNU總裂變NONU裂變截斷AWTAB原子量XSn截面文件VOID否定材料PIKMT次級光子產(chǎn)生偏倚MGOPT多群特征描述Mm材料成分卡格式：

Mm ZAID1fr1ZAID2fr2…關(guān)鍵字=值

…

ZAIDi

＝材料中第i

種成份的截面數(shù)據(jù)， 形式為ZZZAAA.nnX或ZZZAAA

ZZZ是元素的原子序號，AAA是原子量。

AAA＝000表示自然元素。 （附錄G）nn是截面庫標識符；

X是數(shù)據(jù)分類，C：連續(xù)；D：離散。

fri

＝材料中第i

種成份的原子核數(shù)目的比例 （負值表示重量比例）。

關(guān)鍵字=值，符號“=”可選擇。關(guān)鍵字有：

GAS ＝m

標記

m＝0材料處于緊密狀態(tài)(液態(tài)或固態(tài))。

m＝1材料處于氣態(tài)。

ESTEP ＝n

將該材料中電子每能量步的子步數(shù)增 加到n

，如果該值小于內(nèi)建值，則忽略。

NLIB ＝id

將缺省的中子標識改為字符串id

。

PLIB ＝id

將缺省的光子標識改為字符串id

。

ELIB ＝id

將缺省的電子標識改為字符串id

。

COND ＝id

設置材料的傳導狀態(tài)。

<0，非導體

=0（缺?。?，如果成份中至少有一種非導 體則為非導體；否則為導體。

>0，如果成份中至少有一種導體則為導體DRXS

離散反應截面卡格式：

DRXS

ZAID1ZAID2…ZAIDi…

或空白

ZAIDi

＝形式為ZZAAA.nn或的標識號

ZZZ是元素的原子序號，AAA是原子量。

nn是中子庫標識符。 該卡所列的核素將使用離散能量的截面處理。如果DRXS后沒有輸入項，則對所有核素使用離散能量的截面處理。缺省的使用連續(xù)能量的截面處理。 該卡僅用于中子截面。ATWAB

原子量卡格式：

ATWAB

ZAID1AW1ZAID2AW2…

ZAIDi

＝Mm材料卡上使用的ZAID，但不包括 數(shù)據(jù)分類X。

AWi

＝原子量。

缺?。喝绻麤]有此卡，則使用截面目錄文件XSDIR 和截面表中的原子量。 該卡上的數(shù)據(jù)項將代替截面目錄文件XSDIR 和截面表中的原子量。VOID

取消材料卡格式：VOID

或：VOIDC1

C2…Ci

Ci：柵元號 該卡將所有柵元或指定柵元的材料號和密度置為零而使其成為真空。 該卡用于檢查幾何錯誤或計算體積。能量和熱處理方式指定 這組卡片用于控制MCNP的能量以及其它物理狀況。助記符卡片類型PHYS能量物理截斷TMP自由氣體模型熱溫度THTME熱時間卡MTmS(α,β)材料卡PHYS

能量物理截斷卡中子格式：PHYS:NEMAXEMCNFIUNRDNB

EMAX

＝中子能量上限（MeV）。

EMCNF

＝能量邊界，中子能量高于它 時按隱式俘獲處理，低于它 時則直接模擬俘獲。

缺省：EMAX＝∞；EMCNF＝0MeV。光子格式：PHYS:PEMCPFIDESNOCOH

EMCPF

＝用細致物理處理的光子能量上限(MeV)。

IDES

＝0，在MODEE問題中，光子將產(chǎn)生電子 或在厚靶韌致輻射模型中產(chǎn)生韌致輻 射光子。 ＝1，光子將不產(chǎn)生上述電子。

NOCOH

＝0，會發(fā)生相干散射。 ＝1，不會發(fā)生相干散射。

缺?。篍MCNF＝100MeV；IDES＝0，NOCOH＝0。 光子能量高于EMCPF時，用簡單物理模型處理的光子的輸運，包括光電效應、康普頓散射和對產(chǎn)生。電子格式：PHYS:EEMAXIDESIPHOTIBADISTRG BNUMXNUMRNOKENUMNUMB

EMAX

＝電子能量上限（MeV）。

IDES

＝0/1，光子將產(chǎn)生/不產(chǎn)生電子

IPHOT

＝0/1，電子將產(chǎn)生/不產(chǎn)生光子

IBAD

＝0，完全的韌致輻射角分布表。 ＝1，簡單的韌致輻射角分布近似。

缺?。篍MAX＝100MeV；

IDES，IPHOT，IBAD，ISTRG＝0；

BNUM，XNUM，RNOK，ENUM＝1；

NUMB＝0。問題截斷卡 這組卡片在初始運行或接續(xù)運行的輸入文件中均可使用，用于終止粒子的歷史或中斷計算。助記符卡片類型CUT截斷粒子歷史ELPT柵元能量截斷NPS歷史數(shù)截斷CTIME計算時間截斷CUT

截斷卡 格式：CUT:n

TEWC1WC2SWTM

n

＝中子為N，光子為P，電子為E。

T

＝截斷時間（10-8

秒）。

E

＝截斷能量（MeV）。

WC1，WC2＝截斷權(quán)重的上下限。

SWTM

＝源粒子最小權(quán)重。中子缺?。篢=∞，E=0MeV，WC1=-0.50，WC2=-0.25。光子缺?。篢=中子截斷，E=0.001MeV，

WC1=-0.50，WC2=-0.25。 如果用了F8計數(shù)，則WC1=WC2=0。電子缺?。篢=中子截斷，E=0.001MeV，WC1=WC2=0。 缺省：SWTM