鈮酸鋰晶體行業(yè)研究

鈮酸鋰晶體行業(yè)研究：AI催生新需求，國產(chǎn)替代推動新方向1、算力需求增長催生800G光模塊需求算力是數(shù)字經(jīng)濟(jì)時(shí)代新生產(chǎn)力，已成為推動數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展的核心力量、支撐數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展的堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)，對推動科技進(jìn)步、促進(jìn)行業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型以及支撐經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展發(fā)揮重要的作用。根據(jù)中國信通院《中國算力發(fā)展指數(shù)白皮書(2021年)》測算，算力每投入1元，將帶動3-4元的經(jīng)濟(jì)產(chǎn)出。在IDC、浪潮信息和清華大學(xué)聯(lián)合編制的《2022-2023全球計(jì)算力指數(shù)評估報(bào)告》中，IDC通過對樣本國家的IT支出與數(shù)字經(jīng)濟(jì)、GDP的投入產(chǎn)出比計(jì)算，IT支出每投入一美元資金可以拉動15美元的數(shù)字經(jīng)濟(jì)產(chǎn)出，拉動29美元的GDP產(chǎn)出。另外，《2022—2023全球計(jì)算力指數(shù)評估報(bào)告》也顯示，十五個樣本國家的計(jì)算力指數(shù)平均每提高1點(diǎn)，國家的數(shù)字經(jīng)濟(jì)和GDP分別增長3.6‰和1.7‰，并且預(yù)計(jì)該趨勢在2023年到2026年繼續(xù)保持。算力水平方面，據(jù)《中國算力發(fā)展指數(shù)白皮書（2022年）》，美國、中國、歐洲、日本在全球算力規(guī)模中的份額分別為34%、33%、14%和5%，全球基礎(chǔ)算力競爭以美國和中國為第一梯隊(duì)且差距在不斷縮小。據(jù)中國信息通信研究院測算，2021年我國計(jì)算機(jī)設(shè)備算力總規(guī)模達(dá)到202EFlops，全球占比約為33%，保持50%以上的高速增長，高于全球增速；其中，基礎(chǔ)算力、智能算力、超算算力規(guī)模分別為95EFlops、104EFlops、3EFlops，同比增速分別為24%、85%和30%。人工智能受算力發(fā)展的直接影響，ChatGPT的推出引起全球范圍內(nèi)的廣泛關(guān)注，AIGC表現(xiàn)出強(qiáng)勁的市場潛力。在IDC預(yù)測中，全球AI計(jì)算市場的規(guī)模將從2022年195.0億美元增長到2026年的346.6億美元，CAGR達(dá)到15.46%，其中生成式AI計(jì)算市場規(guī)模將從2022年的8.2億美元增長到2026年的109.9億美元。AI的快速發(fā)展推動算力需求快速上升。光通信則是算力網(wǎng)絡(luò)的重要基礎(chǔ)和堅(jiān)實(shí)底座，預(yù)計(jì)這將進(jìn)一步推動海外云巨頭對于數(shù)據(jù)中心硬件設(shè)備的需求增長與技術(shù)升級。據(jù)Lightcounting預(yù)測，全球光模塊的市場規(guī)模在未來5年將以CAGR11%保持增長，2027年將突破200億美元。800G光模塊具有高速傳輸、高密度、低功耗和高可靠性的特點(diǎn)，可廣泛適用于IDC數(shù)據(jù)中心、光通信骨干網(wǎng)等應(yīng)用場景。AIGC的高速發(fā)展將進(jìn)一步促進(jìn)數(shù)據(jù)流量的持續(xù)增長和包括光模塊在內(nèi)的ICT行業(yè)的發(fā)展，加速光模塊向800G及以上產(chǎn)品迭代。800G光模塊是最新一代光傳輸系統(tǒng)的標(biāo)配，擁有巨大的市場潛力。據(jù)行業(yè)知名研究機(jī)構(gòu)LightCounting預(yù)測，800G光模塊有望從2025年開始主導(dǎo)市場。按照銷售額口徑統(tǒng)計(jì)，400G光模塊的市場規(guī)模有望從2022年的11億美元下降至2025年的8億美元；800G光模塊的市場規(guī)模有望從2022年的2億美元上升至2025年的16億美元，800G光模塊的占比有望從2022年的7%上升至2025年的50%。2、調(diào)制器是光模塊的核心部件之一在光通信網(wǎng)絡(luò)中，光模塊是光纖通信系統(tǒng)中的核心器件，是交換機(jī)與設(shè)備之間傳輸?shù)妮d體，主要用于光網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備上如匯聚交換機(jī)、核心路由器、OLT、DSLAM等設(shè)備的光接口。光模塊是一個功能模塊，是進(jìn)行光電和電光轉(zhuǎn)換的光電子配件，是光收發(fā)一體模塊（OpticalTransceiver）。光模塊的主要作用是發(fā)送端把設(shè)備的電信號轉(zhuǎn)換為光信號，接收端把光信號轉(zhuǎn)換為設(shè)備的電信號，實(shí)現(xiàn)光電信號的轉(zhuǎn)換。光模塊電子元器件主要由激光器、調(diào)制器、接收器和控制芯片等部分組成。激光器是光模塊中最重要的部分之一，其功率和穩(wěn)定性直接決定了數(shù)據(jù)傳輸質(zhì)量的好壞。調(diào)制器是光模塊的另一個重要組成部分，其主要功能是將電信號轉(zhuǎn)化為可傳輸?shù)墓庑盘?，也就是將?shù)字信號或模擬信號調(diào)制到激光器輸出的光波中，實(shí)現(xiàn)數(shù)字光傳輸。接收器是光模塊中用于接收光信號的元器件，其主要功能是將接收到的光信號轉(zhuǎn)換為電信號，以供后續(xù)電子設(shè)備進(jìn)行處理。接收器在接收光信號時(shí)，需要進(jìn)行放大和濾波等處理，以提高信號的質(zhì)量并降低噪聲。根據(jù)2022年6月頭豹研究院數(shù)據(jù)，在中端光模塊中，光器件成本占比約73%，電路芯片占比約18%。在光器件中，光發(fā)射組件和光接收組件合計(jì)占比約80%。根據(jù)2020年8月光庫科技公告顯示，預(yù)計(jì)2023年薄膜鈮酸鋰調(diào)制成本構(gòu)成中，直接材料費(fèi)比例最高，達(dá)到59%。3、薄膜鈮酸鋰調(diào)制器具有尺寸小、帶寬大的優(yōu)點(diǎn)，適用于高速率光模塊3.1、各類調(diào)制器梳理根據(jù)調(diào)制光的屬性，光調(diào)制器可分為幅度調(diào)制器、偏振調(diào)制器、相位調(diào)制器、波長調(diào)制器等。根據(jù)光調(diào)制中所使用材料的光學(xué)特性，主要可以分為折射率調(diào)制器和吸收調(diào)制器這兩類。根據(jù)不同工作原理，光學(xué)調(diào)制器可分為聲光、電光、全光調(diào)制器等。光通信行業(yè)中使用到的調(diào)制器一般是電光調(diào)制器，是現(xiàn)代通信產(chǎn)業(yè)的核心部件，通過將通信設(shè)備中的高速電子信號轉(zhuǎn)化為光信號，在光纖中實(shí)現(xiàn)信息的遠(yuǎn)距離高速傳輸。光調(diào)制器的性能不僅決定了發(fā)射光信號的碼率、質(zhì)量和傳輸距離，也是光模塊尺寸和功耗的決定性因素。因此，電光調(diào)制器是高速光通信鏈路核心器件之一。目前，常見的電光調(diào)制器按材料劃分主要可以分為硅基調(diào)制器、石墨烯調(diào)制器、磷化銦（IndiumPhosphide，InP）調(diào)制器、聚合物調(diào)制器和鈮酸鋰（LithiumNiobate，LN）調(diào)制器等。硅基調(diào)制器是利用硅材料的等離子色散效應(yīng)來實(shí)現(xiàn)對光場的調(diào)控，從而實(shí)現(xiàn)高速的電光轉(zhuǎn)換。硅基調(diào)制器具有尺寸小、工藝兼容、制造成本低等優(yōu)點(diǎn)。然而，受限于硅材料中載流子的遷移速度，硅基調(diào)制器的線性度較差，進(jìn)而會影響整個微波光子系統(tǒng)的動態(tài)范圍。除此之外，硅基調(diào)制器的消光比較小，因此不適用于長距離的通信場景。對于石墨烯調(diào)制器而言，可以通過化學(xué)摻雜或外加偏置電壓調(diào)控石墨烯中的載流子濃度，從而實(shí)現(xiàn)電控石墨烯的光吸收能力。但是，石墨烯調(diào)制器的能耗較大，同樣不適用于長距離傳輸系統(tǒng)中，并且石墨烯調(diào)制器無法承受高功率電信號的驅(qū)動。InP（磷化銦）調(diào)制器中的電光轉(zhuǎn)換是由量子阱限制斯塔克效應(yīng)（Quantum-ConfinedStarkEffect，QCSE）來實(shí)現(xiàn)的，其主要原理是通過控制外加電場的變化，引起載流子變化從而實(shí)現(xiàn)折射率變化，但同時(shí)伴隨電致吸收。由于InP屬于III-V族材料，因此InP調(diào)制器可以實(shí)現(xiàn)與激光器和探測器的單片集成，但是面臨電光調(diào)制帶寬受載流子遷移速率的限制、調(diào)制線性度差、器件損耗較大的缺點(diǎn)。有機(jī)聚合物電光調(diào)制器是利用有機(jī)聚合物被極化以后，在外部電場的作用下，材料的折射率會隨著電場的變化而發(fā)生變化，從而實(shí)現(xiàn)電光調(diào)制。盡管有機(jī)聚合物電光調(diào)制器的調(diào)制帶寬較大，但是它可能會發(fā)生退極化以及老化的現(xiàn)象，從而引起信號傳輸不穩(wěn)定的問題。鈮酸鋰材料具有較強(qiáng)的電光效應(yīng)，其折射率會隨著外部驅(qū)動電壓發(fā)生線性變化，是實(shí)現(xiàn)電光調(diào)制功能的重要材料之一。通常來說，鈮酸鋰調(diào)制器的響應(yīng)時(shí)間在飛秒級別以上，它的透明窗口寬，溫度特性好，因此利用鈮酸鋰可以實(shí)現(xiàn)快速、穩(wěn)定的電光調(diào)制。目前，大多數(shù)商用鈮酸鋰調(diào)制器采用的是塊體材料鈮酸鋰，基于鈦擴(kuò)散或質(zhì)子交換制成的波導(dǎo)。這些波導(dǎo)的纖芯和包層之間的折射率對比度較低，其光學(xué)模式的尺寸非常大。較弱的光學(xué)限制要求金屬電極與光波導(dǎo)間隔很遠(yuǎn)，降低了電光效率。以上原因?qū)е铝藗鹘y(tǒng)鈮酸鋰調(diào)制器的尺寸較大，并且需要很高的驅(qū)動電壓。除此之外，傳統(tǒng)的分立式鈮酸鋰器件無法進(jìn)行片上集成，不利于系統(tǒng)集成化的進(jìn)一步發(fā)展。近年來，隨著材料、光子集成與微納加工等相關(guān)科學(xué)與技術(shù)的快速發(fā)展，出現(xiàn)了許多具有高調(diào)制速率、低功耗、低成本以及高集成度的電光調(diào)制器，其中最典型的是薄膜鈮酸鋰調(diào)制器。體材料鈮酸鋰電光調(diào)制器中的波導(dǎo)對光學(xué)模式的限制能力較弱，導(dǎo)致器件的電光調(diào)制效率偏低，存在器件半波電壓高、帶寬受限、尺寸大等不足。與傳統(tǒng)的體材料鈮酸鋰相比，薄膜鈮酸鋰在繼承其固有線性電光效應(yīng)強(qiáng)和本征光損耗低等優(yōu)點(diǎn)的同時(shí)，可以大幅度縮短調(diào)制電極與波導(dǎo)之間的間距，從而獲得較大的電光調(diào)制效率。3.2、鈮酸鋰調(diào)制器具有更高速率，順應(yīng)單波200G及以上發(fā)展趨勢根據(jù)華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院觀點(diǎn)，目前行業(yè)內(nèi)的主流電光調(diào)制器有三種，其基底分別采用硅、磷化銦和鈮酸鋰材料，并且根據(jù)其優(yōu)缺點(diǎn)不同，可適用于不同通信距離的應(yīng)用場景?；诠杌恼{(diào)制器速率約為60-90Gbaud，基于磷化銦（InP）調(diào)制器可達(dá)到130Gbaud，而基于LiNbO3的調(diào)制器可能超過130Gbaud?；谶@種優(yōu)勢，鈮酸鋰調(diào)制器在長途相干光傳輸和超高速數(shù)據(jù)中心的場景具備良好的競爭力，主要用在100Gbps以上的長距骨干網(wǎng)相干通訊和單波100/200Gbps的超高速數(shù)據(jù)中心中。根據(jù)OFweek光通訊網(wǎng)，鈮奧光電開發(fā)的薄膜鈮酸鋰調(diào)制器芯片目前已可實(shí)現(xiàn)超低驅(qū)動電壓（Vπ＜1V）和高速率（最新記錄260Gbaud）。薄膜鈮酸鋰調(diào)制器的低半波電壓、大調(diào)制帶寬、低光學(xué)損耗、高線性度以及高消光比等優(yōu)點(diǎn)是實(shí)現(xiàn)高速光通信和高性能微波光子系統(tǒng)的理想途徑。根據(jù)頭豹研究院觀點(diǎn)，QSFP-DD是400G光模塊主流的封裝形式，其主要通過8*50Gbps實(shí)現(xiàn)400G速率，隨著后續(xù)800G、1.6T甚至更高速率光模塊的推進(jìn)，也將推動單波100G以上技術(shù)不斷發(fā)展。根據(jù)中興光電子技術(shù)有限公司《800Gbit/s光模塊技術(shù)及應(yīng)用》的觀點(diǎn)，從長期來看（2026年前），光/電單信道200Gbit/s技術(shù)將會實(shí)現(xiàn)普及；從短期來看（2024年前），由于單信道200Gbit/s的光電芯片器件和均衡技術(shù)目前尚不成熟，產(chǎn)業(yè)界仍需要時(shí)間來突破相關(guān)技術(shù)瓶頸，因而鈮酸鋰技術(shù)路線未來可期。3.3、國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)頭部企業(yè)均已布局鈮酸鋰調(diào)制器路線考慮到薄膜鈮酸鋰材料優(yōu)異的性能，當(dāng)前主要光模塊廠商新易盛、聯(lián)特科技等以及供應(yīng)商光迅科技、華工科技等均已布局鈮酸鋰技術(shù)路線。4、長晶或?yàn)楹诵沫h(huán)節(jié)，國內(nèi)企業(yè)產(chǎn)品部分指標(biāo)已接近國外第一梯隊(duì)4.1、鈮酸鋰單晶生長過程中的熱場設(shè)計(jì)或?yàn)楹诵闹苽洵h(huán)節(jié)鈮酸鋰需要經(jīng)過單晶生長、退火極化、定向等數(shù)十個流程，制備流程復(fù)雜，工藝難度大，國內(nèi)目前部分廠商如天通股份等已掌握單晶生長、切片、黑化、拋光等技術(shù)申請專利。由于下游器件向小型化、批量化、低成本方向發(fā)展，因而也要求鈮酸鋰晶體材料向大尺寸方向發(fā)展，其中單晶生長為最核心的環(huán)節(jié)之一，根據(jù)徐秋峰專利《一種大尺寸鈮酸鋰晶體的制備方法》中介紹：國內(nèi)現(xiàn)有鈮酸鋰產(chǎn)品以4英寸為主，對于大尺寸(6英寸、8英寸、10英寸)鈮酸鋰單晶生長來說，存在生長界面溫場調(diào)控困難、繼承性缺陷多、晶體熱應(yīng)力大等問題，極易導(dǎo)致晶體開裂。同時(shí)大尺寸鈮酸鋰晶體存在較高的邊際溫度，使得鋰離子易高溫?fù)]發(fā)，導(dǎo)致鈮酸鋰晶體中含有大量的本征缺陷，以及晶體居里溫度不穩(wěn)定且一致性差，嚴(yán)重影響晶體的質(zhì)量，限制了其在許多領(lǐng)域的應(yīng)用。因而單晶生長過程中的熱場設(shè)計(jì)或?yàn)樽钪匾沫h(huán)節(jié)之一。公開號為CN113529170A的發(fā)明專利公開了一種超大尺寸鈮酸鋰單晶的生長方法，采用提拉法制備小尺寸晶體，在小尺寸晶體生長結(jié)束后提拉一段細(xì)頸，然后進(jìn)入擴(kuò)肩、等徑和收尾階段，完成超大尺寸鈮酸鋰單晶的生長，以此解決中心熱量對流不利問題。公開號為CN111206282A的發(fā)明專利公開了一種8英寸鈮酸鋰晶體的生產(chǎn)方法，采用多層溫場，保證溫場均勻無突變，避免晶體多晶和開裂；制備多晶原料時(shí)進(jìn)行多次混合燒料，確保晶體居里溫度穩(wěn)定。2023年5月8日，位于徐州經(jīng)開區(qū)的天通凱巨科技有限公司鈮酸鋰大尺寸晶片項(xiàng)目正式量產(chǎn)，意味著在光通信領(lǐng)域關(guān)鍵原材料上成功突破“卡脖子”技術(shù)，實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化替代。4.2、大尺寸鈮酸鋰晶片仍被國外廠商壟斷，但國內(nèi)企業(yè)產(chǎn)品部分指標(biāo)已接近國外第一梯隊(duì)全球鈮酸鋰單晶行業(yè)主要企業(yè)為日本信越化學(xué)、日本住友金屬、德國愛普科斯、德國KorthKristalle、中國臺灣兆遠(yuǎn)科技、中國大陸德清華瑩和天通股份等。根據(jù)共研網(wǎng)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2021年國內(nèi)鈮酸鋰企業(yè)產(chǎn)能主要集中在德清華瑩和天通股份，約各占40%，而目前大尺寸鈮酸鋰晶片市場仍被國外廠商壟斷，國產(chǎn)率低于5%。國內(nèi)已有諸如天通凱巨（天通股份子公司）、南智芯材、德清華瑩等企業(yè)布局大尺寸產(chǎn)品，未來國產(chǎn)替代可期。從主要各公司官網(wǎng)展示的產(chǎn)品指標(biāo)看，如厚度偏差、翹曲度、透光范圍等核心指標(biāo)國內(nèi)企業(yè)已接近國外第一梯隊(duì)日本住友金屬、德國KorthKristalle等企業(yè)。5、鈮酸鋰晶體市場空間測算鈮酸鋰根據(jù)不同應(yīng)用場景分光學(xué)級和聲學(xué)級，被用于制備聲學(xué)濾波器、諧振器、延遲線、電光調(diào)制器、電光調(diào)Q開關(guān)、相位調(diào)制器等器件。這些器件在手機(jī)、電視機(jī)、光通訊、激光測距、電場探測器等發(fā)揮重要的作用。根據(jù)智研咨詢報(bào)告，2022年全球鈮酸鋰單晶市場規(guī)模為3.17億美元，中國鈮酸鋰單晶行業(yè)市場規(guī)模逐年攀升由2016年的1.32億元增長至2022年的3.56億元；2022年進(jìn)口鈮酸鋰單晶和國產(chǎn)鈮酸鋰單晶的均價(jià)分別為488元/片和208元/片；2022年國內(nèi)鈮酸鋰單晶需求量為162萬片；據(jù)此計(jì)算出2022年海外需求約為365萬片。假設(shè)按照聲學(xué)級鈮酸鋰：光學(xué)級鈮酸鋰=9:1的比例測算，則2022年全球聲學(xué)級鈮酸鋰晶體和光學(xué)級鈮酸鋰晶體需求量分別為474萬片和53萬片。根據(jù)半導(dǎo)體企業(yè)Resonant統(tǒng)計(jì)，2016-2020年全球射頻濾波器市場規(guī)模從50億美元增長至150億美元，平均復(fù)合增長率為31.6%，預(yù)計(jì)到2025年市場規(guī)模有望超過302億美元。根據(jù)頭豹研究院《2020年中國射頻濾波器行業(yè)精品報(bào)告》的數(shù)據(jù)，按照約0.17美元單個射頻濾波器價(jià)值量測算，全球射頻濾波器數(shù)量有望從2022年1157.6億個上升至2025年的1761.7億個。根據(jù)Yole預(yù)測，2022年SAW濾波器占比為40%，我們假設(shè)后續(xù)SAW濾波器的占比保持40%不變。根據(jù)切割數(shù)量=（晶圓面積/芯片面積-π*（晶圓直徑/芯片對角線長度））*良率計(jì)算，假設(shè)SAW濾波器芯片尺寸為0.95mm*0.65mm，良率為80%，則單個4英寸鈮酸鋰晶圓可制造濾波器數(shù)量為9086個，對應(yīng)全球SAW濾波器消耗聲學(xué)級鈮酸鋰晶體數(shù)量有望從2022年的458.7萬片上升至2025年的698萬片；全球聲學(xué)級鈮酸鋰晶體需求有望從2022年的474.1萬片上升至2025年的713.9萬片。根據(jù)LightCounting預(yù)測，假設(shè)400G光模塊的市場規(guī)模從2022年的11億美元下降至2025年的8億美元；800G光模塊的市場規(guī)模從2022年的2億美元上升至2025年的16億美元。考慮到薄膜鈮酸鋰調(diào)制器在長距離場景更有優(yōu)勢，我們做兩種情形假設(shè)：保守估計(jì)：2025年800G光模塊中，薄膜鈮酸鋰調(diào)制器占比達(dá)到5%；400G光模塊中，薄膜鈮酸鋰調(diào)制器占比達(dá)到1%。按照前文切割數(shù)量的公式計(jì)算，假設(shè)50%良率，單個4英寸鈮酸鋰晶圓可制造薄膜鈮酸鋰調(diào)制器數(shù)量25個，假設(shè)按照單通道200G測算，單個400G光模塊和800G光模塊各使用2個和4個薄膜鈮酸鋰調(diào)制器，則全球光模塊領(lǐng)域消耗光學(xué)級鈮酸鋰晶體數(shù)量有望在2025年達(dá)到2.3萬片。樂觀估計(jì)：2025年800G光模塊中，薄膜鈮酸鋰調(diào)制器占比達(dá)到15%；400G光模塊中，薄膜鈮酸鋰調(diào)制器占比達(dá)到5%。按照前文切割數(shù)量的公式計(jì)算，假設(shè)50%良率，單個4英寸鈮酸鋰晶圓可制造薄膜鈮酸鋰調(diào)制器數(shù)量25個，假設(shè)按照單通道200G測算，單個400G光模塊和800G光模塊各使用2個和4個薄膜鈮酸鋰調(diào)制器，則全球光模塊領(lǐng)域消耗光學(xué)級鈮酸鋰晶體數(shù)量有望在2025年達(dá)到7.1萬片。根據(jù)華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院觀點(diǎn)，光學(xué)鈮酸鋰下游光纖陀螺占比較大，對鈮酸鋰的需求較為依賴，預(yù)計(jì)中國光纖陀螺市場規(guī)模有望從2021年的156.6億元上升至2024年的257.7億元，2021年-2024年CAGR18%，我們以此增速近似替代其他領(lǐng)域光學(xué)級鈮酸鋰晶體數(shù)量的增速。結(jié)合以上保守和樂觀兩種假設(shè)，我們預(yù)計(jì)2025年全球鈮酸鋰晶體需求有望達(dá)到802.7-807.6萬片。根據(jù)光庫科技公告，假設(shè)2022-2025年薄膜鈮酸鋰調(diào)制器價(jià)格為5865元/件，對應(yīng)2022-2025年毛利率分別為29%/32%/35%/50%，假設(shè)薄膜鈮酸鋰晶體占營業(yè)成本的比例為15%，以此推算出2022-2025年光模塊領(lǐng)域薄膜鈮酸鋰晶體單價(jià)為15805.6/15137.8/14469.9/11130.7元每片。根據(jù)先前保守和樂觀的假設(shè)，預(yù)計(jì)2025年光模塊領(lǐng)域薄膜鈮酸鋰晶體的市場規(guī)模有望達(dá)到2.5-7.9億元。綜上所述，根據(jù)保守和樂觀假設(shè)，預(yù)計(jì)2025年全球鈮酸鋰晶體市場規(guī)模有望達(dá)到35.0-40.4億元，2022-2025年CAGR17.9%-23.6%，其中光模塊領(lǐng)域薄膜鈮酸鋰市場規(guī)模的占比將有望達(dá)到7.2%-19.6%。6、投資分析6.1天通股份——以材料為核心，電子材料+專用裝備協(xié)同發(fā)展天通股份主要圍繞“以材料為核心，電子材料+專用裝備協(xié)同發(fā)展”的發(fā)展戰(zhàn)略，聚焦在粉體材料和專用裝備、晶體材料和專用裝備兩條業(yè)務(wù)。電子材料中主要產(chǎn)品包括磁性材料、藍(lán)寶石晶體材料和壓電晶體材料，專用設(shè)備產(chǎn)品主要為晶體材料專用設(shè)備和粉體材料專用設(shè)備。公司上市來營業(yè)收入不斷增長，2001年-2022年CAGR為14.36%，其中2017-2022年?duì)I業(yè)收入CAGR達(dá)到15.64%，近年來營收增長依然強(qiáng)勁，反映公司在經(jīng)歷多年成長后依舊具備十足潛力。公司2022年實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入45.08億元，同比增長10.35%，營業(yè)收入增長主要來源于專用裝備制造與安裝業(yè)務(wù)中光伏設(shè)備業(yè)務(wù)、電子材料制造業(yè)務(wù)中磁性材料制造業(yè)務(wù)和電子部件制造與服務(wù)；實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤6.69億元，同比增長61.30%；實(shí)現(xiàn)扣非歸母凈利潤3.67億元，同比增長25.81%。公司2022年毛利率和凈利率分別為25.43%和14.95%，毛利率同比下降0.5Pct，但是凈利率提升4.6Pct，系2022年期間費(fèi)率同比下滑1.24Pct同時(shí)2022年投資凈收益較2021年顯著提升。2023年前三季度公司實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入28.88億元，同比-15.25%；歸母凈利潤2.79億元，同比-57.22%；2023年前三季度公司毛利率和凈利率分別為22.28%和9.77%，較