標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/Z 43510-2023 集成電路TSV三維封裝可靠性試驗(yàn)方法指南》是一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)指導(dǎo)性技術(shù)文件，旨在為集成電路領(lǐng)域內(nèi)采用通硅過(guò)孔（Through Silicon Via, TSV）技術(shù)進(jìn)行三維封裝的產(chǎn)品提供一套系統(tǒng)的可靠性測(cè)試方法。該標(biāo)準(zhǔn)涵蓋了從設(shè)計(jì)階段到最終產(chǎn)品驗(yàn)證過(guò)程中可能遇到的各種可靠性挑戰(zhàn)，并提出了相應(yīng)的測(cè)試策略與具體實(shí)施步驟。

首先，針對(duì)TSV三維封裝結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)介紹了多種失效模式及其產(chǎn)生機(jī)理，包括但不限于熱應(yīng)力引起的裂紋、電遷移導(dǎo)致的短路或開路等問(wèn)題。通過(guò)分析這些潛在故障點(diǎn)，能夠幫助工程師在早期設(shè)計(jì)時(shí)就考慮到如何優(yōu)化布局以提高整體穩(wěn)定性。

其次，《GB/Z 43510-2023》還列舉了一系列適用于TSV三維封裝器件的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試項(xiàng)目，如溫度循環(huán)測(cè)試、高加速壽命測(cè)試（HALT）、濕度敏感度等級(jí)評(píng)定等。每種測(cè)試都有明確的操作流程說(shuō)明以及推薦參數(shù)設(shè)置范圍，確保不同實(shí)驗(yàn)室之間可以獲得可比性的結(jié)果數(shù)據(jù)。

此外，為了保證測(cè)試過(guò)程的有效性和準(zhǔn)確性，本標(biāo)準(zhǔn)也強(qiáng)調(diào)了對(duì)測(cè)試設(shè)備及環(huán)境條件的要求，比如溫度控制精度、振動(dòng)隔離措施等。同時(shí)指出，在執(zhí)行任何一項(xiàng)可靠性試驗(yàn)之前，都需要先完成必要的樣品篩選工作，剔除那些明顯存在缺陷或者不符合規(guī)格要求的個(gè)體。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2023-12-28 頒布
  • 2024-04-01 實(shí)施
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GB/Z 43510-2023集成電路TSV三維封裝可靠性試驗(yàn)方法指南_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

ICS31200

CCSL.55

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化指導(dǎo)性技術(shù)文件

GB/Z43510—2023

集成電路TSV三維封裝可靠性

試驗(yàn)方法指南

IntegratedcircuitTSV3Dpackagingreliabilitytestmethodsguideline

2023-12-28發(fā)布2024-04-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/Z43510—2023

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出

。

本文件由全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC78)。

本文件起草單位中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院電子科技大學(xué)華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心

:、、

有限公司中國(guó)航天科技集團(tuán)公司第九研究院第七七一研究所工業(yè)和信息化部電子第五研究所中國(guó)

、、、

科學(xué)院微電子研究所中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所

、。

本文件主要起草人李錕彭博肖克來(lái)提吳道偉周斌高見(jiàn)頭李文昌

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/Z43510—2023

集成電路TSV三維封裝可靠性

試驗(yàn)方法指南

1范圍

本文件提供了硅通孔三維封裝的工藝開發(fā)驗(yàn)證用可靠性試驗(yàn)方法指南

(TSV)。

本文件適用于采用先通孔中通孔以及后通孔三種工藝流程制造的三維封裝的工藝驗(yàn)證

、TSV

試驗(yàn)

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)

GB/T4937.44:(HAST)

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分快速溫度變化雙液槽法

GB/T4937.1111:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分塑封表面安裝器件耐潮濕和焊

GB/T4937.2020:

接熱綜合影響

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分高溫工作壽命

GB/T4937.2323:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分非密封表面安裝器件在可靠性

GB/T4937.3030:

試驗(yàn)前的預(yù)處理

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分溫濕度貯存

GB/T4937.4242:

半導(dǎo)體器件集成電路第部分半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范不包括混合電路

GB/T1275011:()

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分穩(wěn)態(tài)溫度濕度偏置壽命試驗(yàn)

IEC60749-55:(Semi-

conductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part5:Steady-statetemperaturehumidity

biaslifetest)

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分高溫貯存

IEC60749-66:(Semiconductordevices—

Mechanicalandclimatictestmethods—Part6:Storageathightemperature)

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分無(wú)偏置強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)

IEC60749-2424:

(Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part24:Acceleratedmoistureresist-

ance—UnbiasedHAST)

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分閂鎖試驗(yàn)

IEC60749-2929:(Semiconductor

devices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part29:Latch-uptest)

半導(dǎo)體器件柵極介電層的時(shí)間相關(guān)電介質(zhì)擊穿試驗(yàn)

IEC62374()(TDDB)[Semiconductorde-

vices—Timedependentdielectricbreakdown(TDDB)testforgatedielectricfilms]

半導(dǎo)體器件恒流電遷移試驗(yàn)

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