文檢課課件課程講案例憶阻器

案例：憶阻器（Memristor）的相關(guān)研究憶阻器Memristor，是一種有記憶功能的非線性電阻。通過控制電流的變化可改變其阻值，如果把高阻值定義為“1”，低阻值定義為“0”，則這種電阻就可以實現(xiàn)存儲數(shù)據(jù)的功能。實際上就是一個有記憶功能的非線性電阻器，能“記憶”先前通過的電荷量。目前正在開發(fā)憶阻器的團(tuán)隊包括惠普、SK海力士、HRL實驗室。檢索詞:

memristor*檢索字段：主題檢索數(shù)據(jù)庫：SCIE4我該先讀哪些文章？高影響力論文？最新發(fā)表的論文？鎖定相關(guān)領(lǐng)域的論文？綜述文章？……1.被引頻次降序排列文獻(xiàn)的使用次數(shù)3.文獻(xiàn)級別用量指標(biāo)近年的高質(zhì)量論文2.ESI高水平論文高影響力論文快速鎖定高影響力的論文——被引頻次（降序）快速鎖定高影響力的論文——被引頻次（降序）惠普科研小組的StrukovDB和WilliamsRS等成功制作了具有憶阻性能的納米級的存儲單元憶阻器，第一次證實了憶阻器的存在。DmitriB

StrukovStanleyWilliams1971年華裔科學(xué)家蔡少棠預(yù)言憶阻器的存在全記錄頁面（參考文獻(xiàn)）全記錄頁面（參考文獻(xiàn)）1971年華裔科學(xué)家蔡少棠預(yù)測除了電子、電容和電感之外，有第四個電路基本元件即憶阻器的存在。但由于缺乏實驗的支撐，憶阻器的概念并沒有引起足夠的關(guān)注。全記錄頁面（施引文獻(xiàn)）全記錄頁面（相關(guān)記錄）2009年蔡少棠與DiVentra等合作發(fā)表論文，在憶阻器的基礎(chǔ)上，提出憶感器、憶容器的定義，極大豐富和完善了非線性無源電路元件的概念。ChuaLeonMassimilianoDiVentra全記錄頁面（相關(guān)記錄）共同引用的參考文獻(xiàn)：17共同引用的參考文獻(xiàn)：11共同引用的參考文獻(xiàn)：916相關(guān)記錄2004199920021994引用

越查越廣20102003施引文獻(xiàn)20082006越查越新2002參考文獻(xiàn)1993199119981980越查越深三維度檢索——把握課題脈絡(luò)使用次數(shù)—最近180天使用次數(shù)—2013年至今使用次數(shù)詳情可以隱藏或打開“文獻(xiàn)級別用量指標(biāo)”文獻(xiàn)的使用次數(shù)3.文獻(xiàn)級別用量指標(biāo)18“文獻(xiàn)級別用量指標(biāo)”"文獻(xiàn)級別用量指標(biāo)”即ItemLevelUsageMetrics(ILUM)針對單篇文獻(xiàn)使用量的新指標(biāo)。數(shù)據(jù)從2013年2月1日開始記錄，針對每篇文獻(xiàn)增加兩個計數(shù)分別為："使用次數(shù)-最近180天"——最近180天內(nèi)某條記錄的全文得到訪問或是對記錄進(jìn)行保存的次數(shù)"使用次數(shù)-2013年至今"——從2013年2月1日開始某條記錄的全文得到訪問或是對記錄進(jìn)行保存的次數(shù)鎖定特定學(xué)科領(lǐng)域論文WebofScience類別納米科學(xué)與納米技術(shù)鎖定特定學(xué)科領(lǐng)域論文21

查看經(jīng)典綜述（文獻(xiàn)類型）

查看經(jīng)典綜述（文獻(xiàn)類型）分析已有文獻(xiàn)的信息價值23分析某研究課題的總體發(fā)展趨勢。找到該研究課題中潛在的合作者和合作機構(gòu)。對該課題領(lǐng)域的國家信息分析，例：國家內(nèi)領(lǐng)先機構(gòu)和高校等。分析檢索結(jié)果24強大的分析功能：?作者?出版年?來源期刊?文獻(xiàn)類型?會議名稱?國家/地區(qū)?基金資助機構(gòu)?授權(quán)號?團(tuán)體作者?機構(gòu)?機構(gòu)擴展?語種?WOS學(xué)科類別?編者?叢書名稱?研究方向了解課題的發(fā)展趨勢以及判斷課題的發(fā)展階段。出版年份分析26-發(fā)現(xiàn)該領(lǐng)域的高產(chǎn)出研究人員-選擇導(dǎo)師-選擇同行審稿專家-選擇潛在的合作者作者分析-發(fā)現(xiàn)該領(lǐng)域高產(chǎn)出的大學(xué)及研究機構(gòu)有利于機構(gòu)間的合作發(fā)現(xiàn)深造的研究機構(gòu)機構(gòu)分析28-發(fā)現(xiàn)該領(lǐng)域高產(chǎn)出的國家