《新能源汽車電力電子技術(shù)》 習(xí)題及答案 第二章 第四節(jié) 絕緣柵雙極型晶體管認(rèn)知（有答案）

第四節(jié)絕緣柵雙極型晶體管認(rèn)知一、選擇題1.三極管具有放大(B)作用。

A.電壓

B.電流

C.功率

D.電位

2.三極管工作于放大區(qū)時，其外部條件是(B)。

A.發(fā)射結(jié)正偏，集電縝正偏B.發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏

C.發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏D.發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏

3.三極管工作于放大區(qū)時，集電極電流IC受（D）控制，與VBE幾乎無關(guān)。

A.RB

B.VCE

C.RC

D.IB某單管共射放大電路在處于放大狀態(tài)時，電位分別是UB=8.3V,UE=9V,UC=2V,則此三極管一定是（A）。

A.PNP硅管

B.NPN硅管

C.PNP鍺管

D.NPN鍺管

5.測得三極管IB1=30μA時，IC1=2.4mA;IB2=40μA時，IC2=3mA，則該管的交流電流放大系數(shù)為（B）。

A.80

B.60

C.75

D.100

6.晶體管共發(fā)射極輸出特性常用一族曲線表示，其中每一條曲線對應(yīng)一個特定的（C）。

A.iC

B.UCE

C.iB

D.iE7.某NPN型三極管VB=4.7V,

VC=4.3V，VE=4V,此三極管處于（A）狀態(tài)?

A.飽和

B.放大

C.截止D.以上都不對

8.某NPN型三極管VB=2.7V,VC=10V,VE=2.0V,此三極管處于（B）狀態(tài)?

A.飽和

B.放大

C.截止D.以上都不對

9.某NPN型三極管VB=1.3V,VC=5V,VE=1.6V,此三極管處于（C）狀態(tài)?

A.飽和

B.放大

C.截止D.以上都不對

10.如果三極管工作在截止區(qū)，兩個PN結(jié)狀態(tài)（B）。

A.均為正偏

B.均為反偏

C.發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏D.發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏11.NNP型三極管實現(xiàn)放大作用時，三極電位之間的關(guān)系是（B）。

A.VE>VB>VC

B.VE<VB<VC

C.VB>VC>VE

D.VB<VC<VE

12.某晶體管的發(fā)射極電流等于1mA，基極電流等于20μA，則它的集電極電流等于（A）。

A.0.98mA

B.1.02mA

C.0.8mA

D.1.2mA

13.對放大電路中的三極管進(jìn)行測量，各極對地電壓分別為UB=2.7V,UE=2V,UC=9V,則該管工作在（A）。

A.放大區(qū)

B.飽和區(qū)

C.截止

D.無法確定三極管的電流分配規(guī)律是（B）。

A.IB=IEIC

B.IE=IB+IC

C.IC=IB+IE

D.IE=IBIC

15.NPN型三極管和PNP型三極管的區(qū)別是（C）。

A.由兩種不同材料硅和鍺制成

B.摻入的雜質(zhì)元素不同

C.P區(qū)和N區(qū)的位置不同D.以上都對

16.PNP型三極管實現(xiàn)放大作用時，三極電位之間的關(guān)系是（A）。

A.VE>VB>VC

B.VE<VB<VC

C.VB>VC>VE

D.VB<VC<VE

17.用直流電壓表測得放大電路中某晶體管電極1、2、3的電位各為V1=2V,V2=6V,V3=2.7V,則（B）。

A.1為e

2為b

3為c

B.1為e

3為b

2為c

C.2為e

1為b

3為c

D.3為e1為b2為c

18.三極管工作于飽和區(qū)時，其外部條件是（A）。

A.發(fā)射結(jié)正偏，集電縝正偏B.發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏

C.發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏

D.發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏

19.工作在放大區(qū)的某三極管，如果當(dāng)IB從12uA增大到22uA時，IC從1mA變?yōu)?mA,那么它的β約為（C）。

A.83

B.91

C.100

D.120當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時，發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應(yīng)為（B）。

A.前者反偏、后者也反偏

B.前者正偏、后者反偏

C.前者正偏、后者也正偏D.前者反偏、后者正偏

21.某單管共射放大電路在處于放大狀態(tài)時，三個電極A、B、C對地的電位分別是UA=2.3V,UB=3V,UC=0V,則此三極管一定是（A）。

A.PNP硅管B.NPN硅管

C.PNP鍺管

D.NPN鍺管

22.某單管共射放大電路在處于放大狀態(tài)時，三個電極A、B、C對地的電位分別是UA=2.3V,UB=2V,UC=12V,則此三極管一-定是（D）。A.PNP硅管B.NPN硅管C.PNP鍺管D.NPN鍺管23.絕緣柵雙極性晶體管簡稱（B）。A.MOSFETB.IGBTC.GTRD.GTO24.緣柵雙極性晶體管內(nèi)部為（D）層結(jié)構(gòu)。A.一B.二C.三D.四25.緣柵雙極性晶體管的輸入極為（B）。A.PNPB.MOSFETC.NPND.MOSTED26.緣柵雙極性晶體管的輸出極為（A）。A.PNPB.MOSFETC.NPND.MOSTED27.IGBT是特性是（D）。A.輸出飽和壓降低B.輸入阻抗高C.開關(guān)速度高D.以上都是28.IGBT在（A）等領(lǐng)域廣泛使用。A.交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路﹑牽引傳動B.交流電機(jī)、開關(guān)電源、照明電路﹑牽引傳動C.交流電機(jī)、變頻器、照明電路﹑牽引傳動D.交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源﹑牽引傳動29.IGBT是一種三端器件，（C）。A.它們分別是柵極C，集電極G和發(fā)射極EB.它們分別是柵極G，集電極E和發(fā)射極CC.它們分別是柵極G，集電極C和發(fā)射極ED.它們分別是柵極E，集電極C和發(fā)射極G30.（D）相當(dāng)于用一個MOSFET驅(qū)動的厚基區(qū)PNP晶體管。A.GIOB.GITC.IGCOD.IGBT31.IGBT的（B）是由柵極和發(fā)射極間的電壓Ua決定的。。A.開通B.開通和關(guān)斷C.關(guān)斷D.開通或關(guān)斷32.當(dāng)柵極與發(fā)射極間施加（C）時，MOSFET內(nèi)的溝道消失。A.反向電壓B.不加信號C.反向電壓或不加信號D.反向電壓和不加信號33.電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)使得電阻RN（B），這樣高耐壓的IGBT也具有很小的通態(tài)壓降。A.增加B.減小C.不變D.改變34.絕緣柵雙極型晶體管的靜態(tài)特性表現(xiàn)為（A）。A.轉(zhuǎn)移特性和輸出特性B.轉(zhuǎn)移特性或輸出特性C.轉(zhuǎn)移特性D.輸出特性35.轉(zhuǎn)移特性描述的是（D）的關(guān)系。A.集電極電流IC與柵射電容B.柵射電壓UGEC.集電極電流D.集電極電流IC與柵射電壓UGE之間

36.輸出特性描述的是以柵射電壓為參考變量時，（B）之間的關(guān)系。。A.集電極電流IC與集射極間電壓UCEB.集射極間電壓UCE與柵射電壓UGEC.集電極電流IC與柵射電壓UGED.以上說法都不對37.緣柵雙極型晶體管的檢測實驗步驟說法正確的是（D）。

A.取出數(shù)字萬用表，選擇電阻檔，并對萬用表進(jìn)行校零B.將萬用表黑表筆固定在某一個管腳上，紅表筆分別接其他兩只管腳，讀取數(shù)值C.將萬用表紅表筆固定到管腳1上，黑表筆分別接其他兩只管腳，讀取數(shù)值D.以上都是38.普通雙極型晶體管是（B）。

A.一個PN結(jié)組成B.二個PN結(jié)組成C.三個PN結(jié)組成D.四個PN結(jié)組成39.穩(wěn)壓管正常工作時工作在（C）區(qū)。A.正向?qū)˙.反向?qū)–.反向截止D.飽和區(qū)40.PN結(jié)加正向電壓時，耗盡層將（B）。A.變寬B.變窄C.不變D.不定43.以下特性中，半導(dǎo)體不具有的是（D）。A.摻雜特性B.單向?qū)щ娦蠧.光敏特性D.熱敏特性44.雙向晶體管工作在截止區(qū)的條件：發(fā)射結(jié)和集電結(jié)分別是（C）。A.反偏，正偏B.正偏，反偏C.反偏，反偏D.正偏，正偏三極管三種組態(tài)放大電路中，電壓放大倍數(shù)小于1的是(B)。

A.共射電路B.共基電路C.共集電路D.不能

46.三極管三種組態(tài)放大電路中，輸出電阻最小的是（C）。

A.共射電路B.共基電路

C.共集電路D.不能確定47.晶體管工作在放大區(qū)時的偏置狀態(tài)為（A）。

A.b--e

b--c間均正向偏置

B.b--eb--c間均反偏

C.b--e間正偏、b--c反偏D.b--e間反偏、b--c正偏

48.在單管共射放大器中（C）。

A.i。與Vi反相

B.V。與i。同相

C.V。與Vi同相

D.V。與Vi反相49.對于雙極型晶體管，下列說法正確的是（C）。

A.發(fā)射極和集電極可以調(diào)換使用，因為發(fā)射區(qū)和集電區(qū)的摻雜濃度相同

B.發(fā)射極和集電極可以調(diào)換使用，因為發(fā)射極和集電極的電流基本相同

C.發(fā)射極和集電極不能調(diào)換使用,因為發(fā)射區(qū)和集電區(qū)的摻雜濃度不相同發(fā)射區(qū)摻雜濃度比集電區(qū)高

D.發(fā)射極和集電極不能調(diào)換使用，因為發(fā)射區(qū)和集電區(qū)的摻雜濃度不相同發(fā)射區(qū)摻雜濃度比集電區(qū)低改變雙極型晶體管共射基本放大電路的集電極電阻R。和電源電壓Vo，下列說法正確的是（B）。

A.只改變直流負(fù)載線的斜率B.改變直流負(fù)載線與兩坐標(biāo)軸的交點(diǎn)，但不改變直流負(fù)載線的斜率

C.改變直流負(fù)載線與兩坐標(biāo)軸的交點(diǎn)和直流負(fù)載線的斜率

D.無任何影響

51.在雙極型晶體管共射基本放大電路中，當(dāng)β一定時，在一定范圍內(nèi)增大IE，放大電路的電壓放大倍數(shù)將(A)。

A.增大B.減小C.不變D.不能確定52.雙極型晶體管工作在放大區(qū)和飽和區(qū)的電流放大系數(shù)之間的關(guān)系為（D）。

A.工作在飽和區(qū)的電流放大系數(shù)大于工作在放大區(qū)的電流放大系數(shù)

B.工作在飽和區(qū)的電流放大系數(shù)等于工作在放大區(qū)的電流放大系數(shù)

C.工作在飽和區(qū)的電流放大系數(shù)小于工作在放大區(qū)的電流放大系數(shù)

D.工作在飽和區(qū)的電流放大系數(shù)與工作在放大區(qū)的電流放大系數(shù)的關(guān)系不能確定對于雙極型晶體管，下列敘述正確的是（B）

A.基區(qū)厚、摻雜濃度低

B.基區(qū)厚、摻雜濃度高

C.基區(qū)薄、摻雜濃度高D.基區(qū)薄、摻雜濃度低在雙極型晶體管共射基本放大電路中，適當(dāng)增大R，電壓放大倍數(shù)和輸出電阻分別是（D）。

A.變大，變大B.變大，不變C.變小，變大D.變小，變小共射基本放大電路，溫度升高時，基極電流IBQ將（B）。

A.增大B.減小C.不變D.不能確定電壓源電路的輸出電阻越，其穩(wěn)壓特性越好;電流源電路的輸出電阻越

,其穩(wěn)定性越好。（C）

A.大;大B.小;大C.小;小D.大;小57.共集基本放大電路具有如下哪項特點(diǎn)（B）。

A.輸出與輸入同相，電壓增益略大于1

B.輸出與輸入同相，電壓增益小于1但約等于1，輸入電阻大和輸出電阻小

C.輸出與輸入同相，電壓增益等于1,輸入電阻大和輸出電阻小

D.帶負(fù)載能力差放大電路的負(fù)載所獲得的能量主要是由（B）提供的。

A.輸入端的信號源

B.加在放大電路.上的直流穩(wěn)壓電源

C.電路中的有源元件D.電路中的無源元件

58.某放大電路在負(fù)載開路時的輸出電壓的有效值為4V，接入3K歐姆負(fù)載電阻后，輸出電壓有效值降為3V,這說明放大電路的輸出電阻為（A）。

A.2K歐姆

B.5K歐姆

C.3K歐姆

D.1K歐姆有兩個電壓放大倍數(shù)相同，輸入和輸出電阻不同的放大電路甲和乙，對同一個具有內(nèi)阻信號源的電壓進(jìn)行放大。在負(fù)載開路的條件下測得甲的輸出電壓小，哪個電路的輸入電阻大?（B）。

A.甲的輸入電阻大B.乙的輸入電阻大C.甲乙-樣大D.無法確定直接耦合放大電路存在零點(diǎn)漂移的主要原因是（A）。

A.晶體管參數(shù)受溫度的影響B(tài).晶體管參數(shù)的分散性

C.電阻阻值有誤差

D.電容值有誤差

62.集成運(yùn)算放大器的輸入級一般采用差分放大電路，是因為差分放大電路可以（D）。

A.提高共模抑制比

B.提高開環(huán)電壓增益

C.提高電路的輸入電阻

D.實現(xiàn)單端輸入變雙端輸出集成運(yùn)算放大器的輸入級一般采用差分放大電路，是因為差分放大電路可以（C）。

A.提高共模抑制比

B.提高開環(huán)電壓增益C.提高電路的輸入電阻

D.實現(xiàn)單端輸入雙端輸出64.功率放大電路的最大輸出功率是指（C）。

A.晶體管上得到的最大功率

B.電源提供的最大功率

C.負(fù)載上獲得的最大輸出功率

D.電源提供的功率由兩個三極管復(fù)合組成的復(fù)合管，共有（C）種類型。

A.2

B.4

C.8

D.16

66.差動放大電路的共模信號是兩個輸入端信號的（D）。

A.差值B.和值C.平均值D.有效值67.橋式整流電路在接入濾波電容后，二極管的導(dǎo)通角，濾波電容容值增大，則二極管的導(dǎo)通角。（D）

A.增大，增大B.減少，減少C.不變，減少D.增大，不變68.在直流穩(wěn)壓電源電路中，采用橋式整流、電容濾波，負(fù)載為電阻。若濾波電容增加，二極管的導(dǎo)通角（C）。

A.增加

B.不變

C.不變且等于180°

D.減小在直流電源中整流的目的是(A)。

A.利用二極管的單向?qū)щ娦裕瑢⒔涣麟妷鹤優(yōu)閱蜗蛎}動電壓

B.將正弦波變?yōu)榉讲?/p>

C.將高頻信號變?yōu)榈皖l信號D.改變交流信號的輸出幅度

在直流電源中濾波的目的是（C）。A.將交流變直流

B.將高頻變低頻

C.濾除整流電路輸出電壓中的脈動成分D.將正弦波變化為鋸齒波二、判斷題1.NPN型和PNP型三極管都有三個電極、兩個PN結(jié)，正常工作時外加電壓的要求相同。（×）2.三極管工作在放大狀態(tài)時，集電極電流是由多子漂移形成的。（×）3.三極管具有兩個PN結(jié)，因此把兩個二極管反向串聯(lián)起來，也能具有放大能力。（×）4.三極管的外部電流關(guān)系是ic=βiB，這是一個線性方程，所以三極管是線性器件。（×）5.三極管工作于哪個區(qū)域與外加電壓的情況有關(guān)。（√）6.測出某三極管的共基電流放大系數(shù)a小于1,表明該管子沒有放大能力。（×）7.由于三極管的發(fā)射區(qū)和集電區(qū)的摻雜濃度不同，所以發(fā)射極和集電極互換后電流放大能力大大減小。（√）8.只要是硅三極管，無論是NPN還是PNP型，正常工作時，發(fā)射結(jié)的工作電壓VBE都為左右。（×）9.三極管的共射電流放大系數(shù)β和共基直流電流放大系數(shù)a之間的關(guān)系為β=a/(1+a)。（×）10.三極管的ICEO大約為ICBO的(1+)倍。（√）11.場效應(yīng)管的優(yōu)點(diǎn)是有很高的輸入電阻。（√）12.絕緣柵場效應(yīng)管的柵極靜態(tài)輸入電流比結(jié)型場效應(yīng)管的小。（√）13.耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管的柵極靜態(tài)電流比增強(qiáng)型絕緣柵場效應(yīng)管的小。（×）14.用雙極型晶體管組成的共射放大電路與用場效應(yīng)管組成的共源放大電路相比,前者的輸入電阻比后者大。（×）15.小功率場效應(yīng)晶體管在使用中，其源極和漏極可以互換。（√）

16.雙極型晶體管具有NPN或PNP對稱結(jié)構(gòu)，所以發(fā)射極和集電極也可以互換。（×）17.場效應(yīng)管通過電壓控制實現(xiàn)信號放大的條件是工作在恒流區(qū)。（√）18.N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的VGS越負(fù)，iD越小，VGS不可為正。（√）19.N溝道增強(qiáng)型絕緣柵場效應(yīng)管的VGS也一樣。（×）20.場效應(yīng)管是單極型電壓控制器件，即使柵極電流為零，也可正常放大。（√）21.場效應(yīng)管是電壓控制器件,iD=gmVGS,這是個線性方程，所以它是線性器件。（×）22.場效應(yīng)管的輸出電阻特別高。（×）23.絕緣柵雙極型晶體管是兼具GTR和MOSFET各自優(yōu)點(diǎn)的復(fù)合式全控型器件。（√）24.絕緣柵雙極型晶體管不具有GTR通態(tài)電阻低、電流容量大等優(yōu)點(diǎn)。（×）25.IGBT適合應(yīng)用于中小功率的電力電子裝置。（√）26.IGBT等效為一個N溝道MOSFET和一個PNP型晶體三極管構(gòu)成的復(fù)合管。（√）三、填空題1.絕緣柵雙極型晶體管是兼具GTR和MOSFET各自優(yōu)點(diǎn)的復(fù)合式全控型器件。2.絕緣柵雙極型晶體管具有MOSFET的輸入阻抗高，驅(qū)動功率小，開關(guān)頻率高等優(yōu)點(diǎn)。3.絕緣柵雙極型晶體管具有GTR通態(tài)電阻低、電流容量大等優(yōu)點(diǎn)。4.IGBT適合應(yīng)用于中小功率的電力電子裝置。5.IGBT在交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路﹑牽引傳動等領(lǐng)域廣泛使用。6.IGBT是一種三端器件。7.IGBT是一種三端器件，它們分別是柵極G，集電極C和發(fā)射極E。8.IGBT等效為一個N溝道MOSFET和一個PNP型晶體三極管構(gòu)成的復(fù)合管。9.IGBT導(dǎo)電以GTR為主，RN是GTR厚基區(qū)內(nèi)的調(diào)制電阻。10.ICBT的驅(qū)動原理與電力MOSFET基本相同，是一種場控器件。11.ICBT的開通和關(guān)斷是由柵極和發(fā)射極間的電壓Ua決定的。12.電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)使得電阻RN減小，這樣高耐壓的IGBT也具有很小的通態(tài)壓降。13.絕緣柵雙極型晶體管的靜態(tài)特性表現(xiàn)為轉(zhuǎn)移特性和輸出特性14.轉(zhuǎn)移特性描述的是集電極電流IC與柵射電壓UGE之間的關(guān)系。15.閾值電壓UGE（th）是IGBT能實現(xiàn)電導(dǎo)調(diào)制而導(dǎo)通的最低柵射電壓，隨溫度升高而略有下降。16.當(dāng)柵射電壓小于UGE（th）時，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。17.輸出特性描述的是以柵射電壓為參考變量時，集電極電流IC與集射極間電壓UCE之間的關(guān)系。四、問答題1.簡述IGBT管放大能力值的粗略判斷。答：①用MF500型萬用表R×10k擋，紅表筆接e極，黑表筆接c極時，阻值為無窮大；②若這時用手指同時接觸一下黑表筆與G極，阻值立即降至110kΩ；③若用黑表筆觸一下G極，再次測得c、e極間正向電阻已降為16kΩ左右。2.IGBT管的好壞可用什么進(jìn)行檢測答：指針萬用表的Rxlk擋來檢測，或用數(shù)字萬用表的“\o"二極管專題欄目"二極管”擋來測量PN結(jié)正向壓降進(jìn)行判斷。3.簡述絕緣柵雙極型晶體管的轉(zhuǎn)移特性答：①