晶體管原理-部分習題講解課件_第1頁
晶體管原理-部分習題講解課件_第2頁
晶體管原理-部分習題講解課件_第3頁
晶體管原理-部分習題講解課件_第4頁
晶體管原理-部分習題講解課件_第5頁
已閱讀5頁，還剩39頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權，請進行舉報或認領

文檔簡介

部分習題解答部分物理常數(shù)：1第

2章1、在N區(qū)耗盡區(qū)中，高斯定理為：

取一個圓柱形體積，底面在PN結的冶金結面（即原點）處，面積為一個單位面積，頂面位于x處。則由高斯定理可得：當x=xn

時，E(x)=0，因此，于是得：

（2-5a）23、34、46、

ND2

ND1

568、(1)78(2)91020、1124、PN

結的正向擴散電流為式中的I0因含ni2而與溫度關系密切，因此正向擴散電流可表為于是PN

結正向擴散電流的溫度系數(shù)與相對溫度系數(shù)分別為1231、當N-

區(qū)足夠長時，開始發(fā)生雪崩擊穿的耗盡區(qū)寬度為：

當N-

區(qū)縮短到W=3

m時，雪崩擊穿電壓成為：1334、1439、15第3章1、NPN緩變基區(qū)晶體管在平衡時的能帶圖NPN緩變基區(qū)晶體管在放大區(qū)時的能帶圖162、NPN緩變基區(qū)晶體管在放大區(qū)時的少子分布圖173、186、197、8、以NPN管為例，當基區(qū)與發(fā)射區(qū)都是非均勻摻雜時，由式（3-33a）和式（3-33b），再根據(jù)注入效率的定義，可得：209、2110、(1)(2)(3)(4)2214、2315、2420、當忽略基區(qū)中的少子復合及ICEO

時，252627、實質(zhì)上是ICS

。22、27

使NB>>NC

，這樣集電結耗盡區(qū)主要向集電區(qū)延伸，可使基區(qū)不易穿通。39、為提高穿通電壓Vpt，應當增大WB

和NB，但這恰好與提高β相矛盾。解決方法：2848、

當

IE很大時，這時α0<α

；

當IE

很小時，這時α0>α

；

在

IE

很小或很大時，α都會有所下降。

在正常的IE

范圍內(nèi)，α幾乎不隨IE

變化，這時

β0

與β

也有類似的關系。2958、303159、3265、(1)(3)(2)(4)3368、34第5章1、35363、37385

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論