CNAS GL53-2022 電磁兼容實驗室場地確認技術指南

C/VAS

CNAS-GL53

電磁兼容實驗室場地確認技術指南

TheGuidanceonSiteValidationofEMClaboratory

中國合格評定國家認可委員會

發(fā)布日期：2022年11月15日實施日期：2022年11月15日

CNAS-GL53：2022第1頁共54頁

目錄

前言................................................................................5

1適用范圍.........................................................................6

2引用文件..........................................................................6

3術語、定義和符號.................................................................6

3.1術語、定義...................................................................6

3.2通用符號.....................................................................9

4針對不同產(chǎn)品領域的EMC場地確認項目..............................................9

4.1概述.........................................................................9

4.2民標產(chǎn)品場地確認項目.........................................................9

4.3汽車產(chǎn)品場地確認項目........................................................10

4.4專用電子、電氣和機電設備及系統(tǒng)場地確認項目...................................11

4.5通信產(chǎn)品場地確認項目........................................................11

5民標產(chǎn)品EMC場地確認項目和要求.................................................12

5.1屏蔽室......................................................................12

5.1.1屏蔽效能..................................................................12

5.1.2接地電阻..................................................................12

5.1.3絕緣電阻..................................................................12

5.1.4環(huán)境噪聲電平..............................................................13

5.2半電波暗室..................................................................13

5.2.1屏蔽效能..................................................................13

5.2.2接地電阻..................................................................14

5.2.3絕緣電阻..................................................................14

5.2.4歸一化場地衰減............................................................14

5.2.5場地電壓駐波比............................................................15

5.2.6場均勻性..................................................................15

5.2.7輻射發(fā)射測試桌的影響評估..................................................16

5.2.8環(huán)境噪聲電平..............................................................16

5.3全電波暗室..................................................................17

5.3.1屏蔽效能..................................................................17

5.3.2接地甩阻..................................................................17

5.3.3絕緣電阻..................................................................17

5.3.4歸一化場地衰減............................................................17

5.3.5場地電壓駐波比............................................................17

5.3.6場均勻性..................................................................17

5.3.7輻射發(fā)射測試桌的影響評估..................................................17

5.3.8環(huán)境噪聲電平..............................................................17

5.4開闊試驗場..................................................................17

5.4.1歸一化場地衰減............................................................17

5.4.2環(huán)境噪聲電平..............................................................18

發(fā)布日期：2022年11月15日實施日期：2022年11月15日

CNAS-GL53：2022第2頁共54頁

5.5混波室.......................................................................19

5.5.1場均勻性..................................................................19

5.5.2品質因數(shù)（Q值）..........................................................20

5.5.3時間常數(shù)..................................................................20

5.5.4混波室加載系數(shù)（CLF）....................................................................................................21

5.6橫電磁波室..................................................................21

5.6.1阻抗......................................................................21

5.6.2輸入端電壓駐波比..........................................................22

5.6.3場均勻性..................................................................22

5.6.4TEM模的驗證................................................................22

5.6.5屏蔽效能..................................................................23

5.7GTEM小室..................................................................23

5.7.1阻抗......................................................................23

5.7.2輸入端電壓駐波比..........................................................23

5.7.3場均勻性..................................................................24

5.7.4TEM模的驗證................................................................24

5.7.5屏蔽效能..................................................................24

6汽車產(chǎn)品EMC場地確認項目和要求.................................................24

6.1屏蔽室......................................................................24

6.1.1屏蔽效能..................................................................24

6.1.2接地電阻..................................................................24

6.1.3絕緣電阻..................................................................24

6.1.4環(huán)境噪聲電平..............................................................25

6.2半電波暗室（整車）...........................................................25

6.2.1屏蔽效能..................................................................25

6.2.2接地電阻..................................................................26

6.2.3絕緣電阻..................................................................26

6.2.4歸一化場地衰減............................................................26

6.2.5場地電壓駐波比............................................................27

6.2.6場均勻性..................................................................27

6.2.7環(huán)境噪聲電平..............................................................27

6.3半電波暗室（零部件）........................................................28

6.3.1屏蔽效能..................................................................28

6.3.2接地電阻..................................................................28

6.3.3絕緣電阻..................................................................28

6.3.4環(huán)境噪聲電平..............................................................28

6.3.5長線天線法或參考測量法ALSE性能確認......................................28

6.3.6測試桌接地電阻............................................................29

6.4開闊試驗場..................................................................29

6.4.1歸一化場地衰減............................................................29

6.4.2環(huán)境噪聲電平..............................................................30

6.5混波室......................................................................31

6.5.1場均勻性..................................................................31

6.5.2混波室校準系數(shù)（CCF）..................................................................................................31

6.5.3混波室加載系數(shù)（CLF）....................................................................................................31

發(fā)布日期：2022年11月15日實施日期：2022年11月15日

CNAS-GL53：2022第3頁共54頁

6.6橫電磁波室................................................................32

6.6.1阻抗.......................................................................32

6.6.2輸入端電壓駐波比..........................................................32

6.6.3場均勻性..................................................................33

6.6.4TEM模的驗證..............................................................33

6.6.5屏蔽效能..................................................................34

6.7帶狀線......................................................................34

6.7.1阻抗.......................................................................34

6.7.2場均勻性..................................................................35

7專用電子、電氣和機電設備及系統(tǒng)EMC場地確認項目和要求...........................35

7.1屏蔽室......................................................................35

7.1.1屏蔽效能..................................................................35

7.1.2接地電阻..................................................................35

7.1.3絕緣電阻..................................................................35

7.1.4電磁環(huán)境電平...............................................................36

7.2半電波暗室..................................................................36

7.2.1屏蔽效能.................................................................36

7.2.2接地電阻..................................................................37

7.2.3絕緣電阻..................................................................37

7.2.4電磁環(huán)境電平...............................................................37

7.3全電波暗室..................................................................37

7.3.1屏蔽效能..................................................................37

7.3.2接地電阻..................................................................37

7.3.3絕緣電阻..................................................................37

7.3.4電磁環(huán)境電平...............................................................37

7.4開闊試驗場..................................................................37

7.4.1平坦度....................................................................37

7.4.2電磁環(huán)境電平...............................................................38

7.5混響室（混波室）..........................................................38

7.5.1場均勻性..................................................................38

7.5.2品質因數(shù)（Q值）.........................................................39

7.5.3時間常數(shù)..................................................................39

7.5.4混波室加載系數(shù)（CLF）....................................................................................................40

7.6橫電磁波室..................................................................40

7.6.1阻抗.......................................................................40

7.6.2輸入端電壓駐波比..........................................................40

7.6.3場均勻性..................................................................41

7.6.4TEM模的驗證..............................................................41

7.6.5傳輸損耗..................................................................41

7.6.6屏蔽效能..................................................................42

7.7GTEM小室..................................................................42

7.7.1阻抗.......................................................................42

7.7.2輸入端電壓駐波比..........................................................42

7.7.3場均勻性..................................................................42

7.7.4TEM模的驗證..............................................................42

發(fā)布日期：2022年11月15日實施日期：2022年11月15日

CNAS-GL53：2022第4頁共54頁

7.7.5屏蔽效能..................................................................42

7.8平行板傳輸線................................................................42

7.8.1阻抗......................................................................42

7.8.2場均勻性..................................................................42

8通信產(chǎn)品EMC場地確認項目和要求................................................43

8.1屏蔽室......................................................................43

8.1.1屏蔽效能..................................................................43

8.1.2接地電阻..................................................................43

8.1.3絕緣電阻..................................................................43

8.1.4環(huán)境噪聲電平..............................................................44

8.2半電波暗室..................................................................44

8.2.1屏蔽效能..................................................................44

8.2.2接地甩阻..................................................................45

8.2.3絕緣電阻..................................................................45

8.2.4歸一化場地衰減............................................................45

8.2.5場地電壓駐波比............................................................45

8.2.6場均勻性..................................................................46

8.2.7輻射發(fā)射測試桌的影響評估..................................................46

8.2.8環(huán)境噪聲電平..............................................................47

8.3全電波暗室..................................................................48

8.3.1屏蔽效能..................................................................48

8.3.2接地電阻..................................................................48

8.3.3絕緣電阻..................................................................48

8.3.4歸一化場地衰減............................................................48

8.3.5場地電壓駐波比............................................................48

8.3.6場均勻性..................................................................48

8.3.7輻射發(fā)射測試桌的影響評估..................................................48

8.3.8環(huán)境噪聲電平..............................................................48

8.4開闊試驗場..................................................................48

8.4.1歸一化場地衰減............................................................48

8.4.2環(huán)境噪聲電平..............................................................49

8.5混波室......................................................................50

8.5.1場均勻性..................................................................50

8.5.2品質因數(shù)(Q值)..........................................................50

8.5.3時間常數(shù)..................................................................51

8.5.4混波室加載系數(shù)(CLF)....................................................................................................51

8.6橫電磁波室..................................................................52

8.6.1阻抗......................................................................52

8.6.2輸入端電壓駐波比..........................................................52

8.6.3場均勻性..................................................................53

8.6.4TEM模的驗證................................................................53

8.6.5屏蔽效能..................................................................54

發(fā)布日期：2022年11月15日實施日期：2022年11月15日

CNAS-GL53：2022第5頁共54頁

前S

本文件是對CNAS-CL01-A008《檢測和校準實驗室能力認可準則在電磁兼容檢測領

域的應用說明》在電磁兼容EMC實驗室場地確認要求方面的補充說明和技術指南，并不

增加其他的要求。

本文件為首次制定的第一版文件。

發(fā)布日期：2022年11月15日實施日期：2022年11月15日

CNAS-GL53：2022第6頁共54頁

電磁兼容實驗室場地確認技術指南

1適用范圍

本文件適用于申請認可和已獲認可的實驗室從事電磁兼容EMC測量活動的場地確

認要求，也適用于指導評審員對被評審機構EMC場地確認要求的評估和報告。

2引用文件

下列文件中的內容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款。其中，

注日期的引用文件，僅該日期對應的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新

版本（包括所有的修改單）適用于本文件。

CNAS-CL01：2018《檢測和校準實驗室能力認可準則》

CNAS-AL06:2022《實驗室認可領域分類》

CNAS-CL01-A008：2018《檢測和校準實驗室能力認可準則在電磁兼容檢測領域

的應用說明》

GB/T6113.104《無線電騷擾和抗擾度測量設備和測量方法規(guī)范第1-4部分：無線

電騷擾和抗擾度測量設備輻射騷擾測量用天線和試驗場地》

GB/T6113.203《無線電騷擾和抗擾度測量設備和測量方法規(guī)范第2-3部分：無線

電騷擾和抗擾度測量方法輻射騷擾測量》

GB/T12190《電磁屏蔽室屏蔽效能的測量方法》

GB/T17626.3《電磁兼容試驗和測量技術射頻電磁場輻射抗擾度試驗》

GB/T17626.20《電磁兼容試驗和測量技術橫電磁波（TEM）波導中的發(fā)射和抗

擾度試驗》

GB/T17626.21《電磁兼容試驗和測量技術混波室試驗方法》

3術語、定義和符號

3.1術語、定義

為便于理解，給出幾個重要的術語定義如下：

3.1.1場地衰減s讓eattenuation；SA

As

當一副天線在規(guī)定的高度范圍內垂直移動，另外一副天線架設在固定高度時;位于

試驗場地上的這兩幅極化匹配的天線之間測得的最小場地插入損耗。

發(fā)布日期：2022年II月15日實施日期：2022年11月15日

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[GB/T6113.104-2021,術語3.1.25]

3.1.2全電波暗室fullyanechoicroom：FAR

六個內表面裝有射頻吸波材料（即射頻吸收體）的屏蔽室，該吸波材料能夠吸收所

關注頻率范圍內的電磁能量。

[GB/T6113.104-2021,術語3.1.11]

3.1.3半電波暗室semi-anechoicchamber;SAC

6個內表面中的5面安裝有能夠吸收所關注頻率范圍內的電磁能量的吸波材料（即射

頻吸收體）的屏蔽室、底部的水平面鋪設有OATS試驗布置中所使用的導電接地平板的

屏蔽室。

[GB/T6113.104-2021,術語3.1.23]

3.1.4開闊試驗場open-areatests讓e；OATS

用來測量和校準的設施，其利用大的平坦的導電接地平面實現(xiàn)地面發(fā)射的可復現(xiàn)性。

注1：OATS可用于輻射騷擾測量，這種情況時也稱為符合性試驗場地（COMTS）oOATS

也可用于天線校準，這種情況時稱為標準試驗場地（CALTS）。

注2：OATS為無覆蓋物的室外場地，其遠離建筑物、電力線、籬笆、樹木、地下電纜、

管道和其他潛在的反射物體，以使得這些物體的影響可以忽略不計。OATS的結構參見GB/T

6113.104-2016,

[GB/T6113.203-2020,術語3.1.20]

3.1.5屏蔽室shieldingenclosure

使內部不受外界電場、磁場的影響或使外部不受其內部電場、磁場影響的一種結構。

注：它通常由金屬材料建成，在金屬板接縫和門等處采取一定的措施以保證連續(xù)的電連接。高

性能的屏蔽室在不同頻率可以將電場、磁場抑制一到七個數(shù)量級。

[GB/T12190-2021,術語3.6]

3.1.6帶狀線stripline

兩個或更多的平行板構成的帶終端負載的傳輸線，電磁波在平行板之間以TEM模傳

輸以產(chǎn)生滿足試驗要求的特定場。

注：帶狀線的側面通常是開放的，以便EUT進出和監(jiān)視。

[GB/T17626.20-2014,術語3.1.6]

3.1.7橫電磁波室transverseelectromagneticcell;TEMcell

封閉的TEM波導，通常是一個矩形同軸線。電磁波在其中以TEM模傳輸以產(chǎn)生滿足

試驗需要的特定場，外導體完全包含內導體。

[GB/T17626.20-2014,術語3.1.3]

發(fā)布日期：2022年11月15日實施日期：2022年11月15日

CNAS-GL53：2022第8頁共54頁

3.1.8吉赫茲橫電磁波室gigahertztransverseelectromagneticcell;GTEMcell

上限頻率范圍擴展至GHz的TEM波導室。

3.1.9混波室（混響室）reverberationchamber

專門設計的具有相當長混波時間的小室。

專門設計成具有較長混波時間，以便讓場盡量擴散的（混波室）小室。

注1：該小室一般由安裝機械調諧器/攪拌器的屏蔽室構成，調諧器/攪拌器改變屏蔽室內

電磁場的邊界條件，進而改變電磁場分布。

注2：混波室尤其適用于測量材料的吸收系數(shù)及有意和無意輻射源的輻射功率。

注3：機械調諧器/攪拌器“攪拌”混波室中的“模式”，在混波室中的試驗可描述為一

個隨機過程。因此，這樣的小室也可稱為攪拌模式小室或者模式調諧小室。

[GB/T17626.21-2014,術語3.1.6]

3.1.10（混波室的）品質因數(shù)qualityfactor；Q

（品質因數(shù)）對于諧振頻率下的諧振電路，最大儲存能量與一周期內消耗能量之比

的2冗倍。衡量混波室儲能的能力。

注：對于一個給定的混波室，Q值是頻率的函數(shù)，按式（1）計算：

Q=k-..........................⑴

式中：

——混波室的體積，單位為立方米（m3）；

4——波長，單位為米（m）;

PAveRe#input一一接收功率與輸入功率的比值，其為在整個調諧器/攪拌器序列上的平均值；

On——關于天線位置和方位數(shù)n平均；

HTx一一發(fā)射天線（TX）的天線效率（無量綱）。如果廠家未給出相關數(shù)據(jù)，則對數(shù)周期

天線的效率可取0.75,喇叭天線的效率可取0.9：

"X——接收天線（Rx）的天線效率（無量綱）。如果廠家未給出相關數(shù)據(jù)，則對數(shù)周期

天線的效率可取0.75,喇叭天線的效率可取0.9：

n一一求Q值的天線位置和方位數(shù)。所需的最少位置數(shù)僅為一個；然而，可在多

個位置和方位計算，然后求平均。

[GB/T17626.21-2014,術語3.1.7]

3.1.11屏蔽效能（SE）shieldingeffectiveness（SE）

沒有屏蔽體時接收到的信號值與在屏蔽體內接收到的信號值的比值，即發(fā)射天線與

接收天線之間存在屏蔽體以后所造成的插入損耗。

發(fā)布日期：2022年11月15日實施日期：2022年11月15日

CNAS-GL53：2022第9頁共54頁

[GB/T12190-2021,術語3.5]

3.1.12均勻場域uniformfieldarea;UFA

場校準的假想垂直平面，在該平面內場強的變化足夠小。

場校準的目的在于確保試驗結果的有效性。

[GB/T17626.3-2016,術語3.27]

3.2通用符號

SA：場地衰減

NSA：歸一化場地衰減

AF：天線系數(shù)

SvSWR：場地電壓駐波比

FU：均勻場域

AN：環(huán)境本底噪聲

SE：屏蔽效能SAC：

半電波暗室FAR：

全電波暗室SR：屏

蔽室OATS：開闊試

驗場

4針對不同產(chǎn)品領域的EMC場地確認項目

4.1概述

參照CNAS-AL06:2022《實驗室認可領域分類》及CNAS-CL01-A008:2018《檢測

和校準實驗室能力認可準則在電磁兼容檢測領域的應用說明》本文件將電磁兼容領域涉

及的產(chǎn)品大類，歸類到民標產(chǎn)品；汽車產(chǎn)品；專用電子、電氣和機電設備及系統(tǒng)；通信

產(chǎn)品四類，對其適用的場地分別進行場地確認要求說明。

注：特別需要說明的是，表4.M4.4列出了不同產(chǎn)品類別涉及場地的通用場地確認項目，

具體項目及項目指標可能因場地測試用途不同而有所調整。如民標產(chǎn)品的全電波暗室，不用于

輻射抗擾度測試，則無需進行均勻場域確認。

4.2民標產(chǎn)品場地確認項目

民標產(chǎn)品的場地確認項目見表4.1。

發(fā)布日期：2022年11月15日實施日期：2022年11月15日

CNAS-GL53：2022第10頁共54頁

表4.1-民標產(chǎn)品場地確認項目

產(chǎn)品類別產(chǎn)品代碼涉及場地場地確認項目

信息技術設備

屏蔽室屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、環(huán)境噪聲電

(1201&1202)平

音視頻設備屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、歸一化場地

(1203&1204)半電波暗室衰減、場地電壓駐波比、場均勻性、輻射發(fā)射

家用電器、電動測試桌的影響評估、環(huán)境噪聲電平

工具、照明電氣屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、歸一化場地

(1205&1206)全電波暗室衰減、場地電壓駐波比、場均勻性、輻射發(fā)射

醫(yī)療設備測試桌的影響評估、環(huán)境噪聲電平

民標產(chǎn)品(1207&1208)

工業(yè)、科學和醫(yī)開闊試驗場歸一化場地衰減、環(huán)境噪聲電平

療設備

(1209&1210)混波室場均勻性、品質因數(shù)(Q值)、時間常數(shù)、混

一般電子電氣波室加載系數(shù)(CLF)

產(chǎn)品(1223)軌

橫電磁波室阻抗、輸入端電壓駐波比、場均勻性、TEM模

道交通的車輛、的驗證、屏蔽效能

裝置和設備

阻抗、輸入端電壓駐波比、場均勻性、TEM模

(1215)GTEM小室

的驗證、屏蔽效能

4.3汽車產(chǎn)品場地確認項目

汽車產(chǎn)品的場地確認項目見表4.2。

表4.2-汽車產(chǎn)品場地確認項目

產(chǎn)品類別產(chǎn)品代碼涉及場地場地確認項目

屏蔽室屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、環(huán)境噪聲電

平

屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、歸一化場地

半電波暗室衰減、場地電壓駐波比、場均勻性、環(huán)境噪聲

(整車)電平

半電波暗室屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、環(huán)境噪聲電

(汽車零部平、長線天線法或參考測量法ALSE性能確認、

汽車、摩托車

汽車產(chǎn)品件)測試桌接地電阻

(1211&1212)

開闊試驗場歸一化場地衰減、環(huán)境噪聲電平

場均勻性、混波室校準系數(shù)(、混波室加

混波室CCF)

載系數(shù)(CLF)

橫電磁波室阻抗、輸入端電壓駐波比、場均勻性、TEM模

的驗證、屏蔽效能

帶狀線阻抗、場均勻性

發(fā)布日期：2022年11月15日實施日期：2022年11月15日

CNAS-GL53：2022第11頁共54頁

4.4專用電子、電氣和機電設備及系統(tǒng)場地確認項目

專用電子、電氣和機電設備及系統(tǒng)的場地確認項目見表4.3。

表4.3-專用電子、電氣和機電設備及系統(tǒng)場地確認項目

產(chǎn)品類別產(chǎn)品代碼涉及場地場地確認項目

屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、電磁環(huán)境電

屏蔽室

平

屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、電磁環(huán)境電

半電波暗室

平

屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、電磁環(huán)境電

全電波暗室

平

專用電

軍用設備和分開闊試驗場平坦度、電磁環(huán)境電平

子、電氣

系統(tǒng)場均勻性、品質因數(shù)(Q值)、時間常數(shù)、混

和機電設混波室

備及系統(tǒng)(1216&1217)波室加載系數(shù)(CLF)

阻抗、輸入端電壓駐波比、場均勻性、TEM模

橫電磁波室

的驗證、傳輸損耗、屏蔽效能

阻抗、輸入端電壓駐波比、場均勻性、TEM模

GTEM小室

的驗證、屏蔽效能

平行板傳輸

阻抗、場均勻性

線

備注：若測量距離按照3m、10m或30m設計的電波暗室，其歸一化場地衰減、場地電壓駐

波比、場均勻性應符合要求。

若測量距南,按照3m、10m或30m設計的開闊試驗場，其歸一化場地衰減應符合要求。

4.5通信產(chǎn)品場地確認項目

通信產(chǎn)品的場地確認項目見表4.4。

表4.4-通信產(chǎn)品場地確認項目

產(chǎn)品類別產(chǎn)品代碼涉及場地場地確認項目

屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、環(huán)境噪聲電

屏蔽室

平

屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、歸一化場地

通信設備半電波暗室衰減、場地電壓駐波比、場均勻性、輻射發(fā)射

(1213&1214)靠測試桌的影響評估、環(huán)境噪聲電平

通信產(chǎn)品近耳邊的移動通

屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、歸一化場地