射線檢測(cè)基礎(chǔ)知識(shí)

射線檢測(cè)專業(yè)知識(shí)

一、是非題（在題后括號(hào)內(nèi)，正確的畫。，錯(cuò)誤的畫X）

1.1X射線和丫射線都是高能光子流，不帶有任何電荷。（0）

1.2X射線與丫射線只要波長相同，就具有相同的性質(zhì)。（0）

1.3X、丫射線均不受電場和磁場的影響。（0）

1.4X、丫射線是電磁輻射；中子射線是粒子輻射。（0）

1.5X射線和y射線的主要區(qū)別是：X射線是韌致輻射的產(chǎn)物，而丫射線是放射性同

位素原子核衰變的產(chǎn)物；X射線是連續(xù)譜，丫射線是線狀譜。（0）

1.6X、丫射線與無線電波、紅外線、可見光、紫外線等屬于同一范疇，都是電磁波，

其區(qū)別只是在于波長不同以及產(chǎn)生方法不同。（0）

1.7a射線和p射線一般不用于工業(yè)無損檢測(cè)，主要是因?yàn)檫@兩種射線對(duì)人體的輻射傷

害太大。（X）

1.8Y射線能量用“平均能量”來度量；X射線能量用“管電壓峰值”來度量。（0）

1.9高速運(yùn)動(dòng)的電子同陽極靶的原子核庫侖場作用，電子失去其能量以光子形式輻射出

來，這種輻射稱為韌致輻射。（0）

1.10具有連續(xù)光譜（波長）的X射線，稱為連續(xù)X射線，又叫白色X射線。（0）

1.11連續(xù)X射線的能量與管電壓有關(guān)，與管電流無關(guān)。（0）

1.12連續(xù)X射線的強(qiáng)度與管電流有關(guān)，與管電壓無關(guān)。（X）

1.13如果X射線管的管電壓超過激發(fā)電壓，則高速運(yùn)動(dòng)的電子同陽極靶碰撞時(shí)，可以

把陽極靶原子的內(nèi)層電子逐出殼層之外，使該原子處于激發(fā)態(tài)，外層電子將向內(nèi)層躍遷，發(fā)

射標(biāo)識(shí)X射線。（D）

1.14標(biāo)識(shí)X射線的能量與管電壓、管電流均無關(guān)，僅取決于陽極靶的材料。（D）

1.15在X射線探傷中，標(biāo)識(shí)譜起主要作用。（C）

1.16X射線的強(qiáng)度可通過改變管電流、管電壓來調(diào)節(jié)。（D）

1.17X射線的強(qiáng)度不僅取決于X射線機(jī)的管電流，而且還取決于X射線機(jī)的管電壓。

（D）

1.18X射線管的轉(zhuǎn)換效率與管電壓和靶的原子序數(shù)成正比。（D）

1.19由于X射線管的轉(zhuǎn)換效率很低，輸入的能量絕大部分轉(zhuǎn)換成了熱能，因此X射線

管必須有良好的冷卻裝置。（D）

1.20最主要的放射性衰變有：a衰變、B衰變和丫衰變。（D）

1.21原子核發(fā)生丫衰變前后，質(zhì)量數(shù)和核電荷數(shù)均不發(fā)生改變。（D）

1.22描述放射性物質(zhì)不穩(wěn)定程度的量稱為“活度”。（D）

1.23活度是描述放射性同位素不穩(wěn)定程度的量，它用來表征單位時(shí)間內(nèi)原子核發(fā)生的

衰變數(shù)。（D）

1.24放射性同位素的強(qiáng)度衰減至其原值一半所需的時(shí)間，稱為半衰期。（D）

1.25放射性同位素的能量衰變至其原有能量一半時(shí)，所需的時(shí)間稱為半衰期。（C）

1.26半衰期是指X射線強(qiáng)度減弱到初始值一半所需要的時(shí)間。（C）

1.27放射性同位素的半衰期與放射性同位素的種類有關(guān)。（D）

1.28衰變常數(shù)人反映了放射性物質(zhì)的固有屬性，入值越大說明該物質(zhì)越穩(wěn)定。（C）

1.29與Irl92相比，Se75放射性同位素的半衰期更短，因此其衰變常數(shù)人也更小一些。

（C）

1.30當(dāng)丫射線經(jīng)過3個(gè)半衰期后，其能量僅剩下初始值的1/8。（C）

1.31丫射線能量取決于放射性同位素的活度，而它的強(qiáng)度取決于源的種類。（C）

1.32y射線能量取決于源的種類，而強(qiáng)度取決于放射性同位素的活度或居里數(shù)。（D）

1.33工業(yè)檢測(cè)用的放射性同位素，有的是在核反應(yīng)堆中通過中子照射激活的，也有的

是核裂變的產(chǎn)物。（C）

1.34目前射線檢測(cè)所用的同位素均為人工放射性同位素。（D）

1.35所謂“吸收”，就是物質(zhì)阻止射線通過的能力。（D）

1.36穿透力較強(qiáng)的射線其線質(zhì)較軟，穿透力較弱的射線其線質(zhì)較硬。（C）

1.37射線的線質(zhì)越軟，其衰減系數(shù)越大。（D）

1.38射線的線質(zhì)越硬，其光子能量越大，波長越短，穿透力越強(qiáng)。（D）

1.39射線的線質(zhì)越軟，其光子能量越小，波長越長，半價(jià)層越小。（D）

1.40射線的線質(zhì)越軟，穿透力越強(qiáng)。（C）

1.41射線通過物質(zhì)時(shí)，會(huì)與物質(zhì)發(fā)生相互作用而強(qiáng)度減弱，導(dǎo)致強(qiáng)度減弱的原因可分

為吸收與散射兩類。（D）

1.42射線在與物質(zhì)相互作用時(shí)主要會(huì)發(fā)生光電效應(yīng)、康普頓效應(yīng)、電子對(duì)效應(yīng)和瑞利

散射。（D）

1.43一定能量的連續(xù)X射線穿透物質(zhì)時(shí)，隨穿透厚度的增加，射線總強(qiáng)度減小，平均

波長變短，但最短波長不變。（D）

1.44連續(xù)X射線穿透物質(zhì)后，強(qiáng)度減弱，線質(zhì)不變。（C）

1.45連續(xù)X射線穿透物質(zhì)后，強(qiáng)度減弱，平均波長變短。（D）

1.46光電效應(yīng)中光子被部分吸收，而康普頓效應(yīng)中光子被完全吸收。（C）

1.47發(fā)生康普頓效應(yīng)時(shí)，電子獲得光子的部分能量后以反沖電子的形式射出。同時(shí)，

光子的能量減小，方向改變，成為低能散射線。（D）

1.48對(duì)射線照相產(chǎn)生不利影響的散射線主要來自康普頓效應(yīng)。（D）

1.49當(dāng)入射光子能量大于L02MeV時(shí)，與物質(zhì)相互作用才能產(chǎn)生電子對(duì)效應(yīng)。（D）

1.50不包含散射線成分的射線稱為“窄束射線”；而包含散射線成分的射線稱為“寬束

射線二（D）

1.51管電壓提高，衰減系數(shù)會(huì)增大。（C）

1.52線衰減系數(shù)的物理意義是單色射線穿過1cm厚的工件時(shí)，穿過前后射線強(qiáng)度比值

的自然對(duì)數(shù)。（D）

1.53射線的能量減弱到初始值一半時(shí)所穿過物質(zhì)的厚度，稱為半價(jià)層，也叫半值層。

（C）

1.54半價(jià)層是指入射線的強(qiáng)度減少一半時(shí)，穿過的吸收物質(zhì)的厚度.o(D)

1.55當(dāng)X射線通過3個(gè)半價(jià)層后，其強(qiáng)度變?yōu)槌跏贾档膌/3o(C)

1.56當(dāng)射線穿過3個(gè)半價(jià)層后，其強(qiáng)度僅剩下最初的l/8o(D)

1.57線衰減系數(shù)口與射線能量、物質(zhì)的原子序數(shù)和密度有關(guān)。(D)

1.58射線強(qiáng)度差異是底片產(chǎn)生對(duì)比度的根本原因。(D)

1.59底片上相鄰區(qū)域的黑度差定義為''對(duì)比度”。(D)

1.60X、y射線通過工件相鄰兩個(gè)不同厚度區(qū)域后的射線強(qiáng)度差與通過較大厚度區(qū)射

線強(qiáng)度的比，稱為主因?qū)Ρ榷取?D)

1.61影響主因?qū)Ρ榷鹊囊蛩赜型刚蘸穸炔?、線衰減系數(shù)和散射比。(D)

1.62在相同的管電壓下，透照厚度增加，散射比減小。(C)

1.63在X射線工業(yè)探傷中，使膠片感光的主要是連續(xù)譜X射線，標(biāo)識(shí)譜X射線不起什

么作用。(D)

1.64光電效應(yīng)和電子對(duì)效應(yīng)引起的吸收有利于提高照相對(duì)比度。(D)

1.65康普頓效應(yīng)產(chǎn)生的散射線會(huì)降低照相對(duì)比度。(D)

1.66康普頓效應(yīng)的發(fā)生幾率大致與光子能量成正比，與物質(zhì)的原子序數(shù)成反比。（C）

1.67Irl92丫射線與物質(zhì)相互作用時(shí)，一定不會(huì)發(fā)生電子對(duì)效應(yīng)。(D)

1.68射線照相法用底片作為記錄介質(zhì)，可以直接得到缺陷的圖像，且可以長期保存。

通過觀察底片能夠比較準(zhǔn)確地判斷出缺陷的性質(zhì)、數(shù)量、尺寸和位置。(D)

1.69當(dāng)射線源移去后，被照射工件本身仍殘留一定的輻射。(C)

1.70射線檢測(cè)適宜各種類型焊接接頭的檢測(cè)。(C)

1.71射線照相法容易檢出氣孔、夾渣類缺陷，而對(duì)裂紋類缺陷的檢出率則受透照角度

的影響。（D）

1.72射線底片能夠獲得缺陷的平面投影，據(jù)此可判定缺陷的性質(zhì)和位置，其適用于鍛

件、管材、棒材的檢測(cè)，對(duì)T型焊縫、角焊縫以及堆焊層的檢測(cè)一般也可用射線檢測(cè)。（C）

1.73射線具有輻射生物效應(yīng)，能夠殺傷生物細(xì)胞，破壞生物組織。（D）

2.1X射線機(jī)通常分為:便攜式X射線機(jī)、移動(dòng)式X射線機(jī)和固定式X射線機(jī)三類。（D）

2.2目前廣泛使用的X射線管有玻璃管和金屬陶瓷管。（D）

2.3金屬陶瓷X射線管有抗震性強(qiáng)、管電流和焦點(diǎn)穩(wěn)定性好，體積小的優(yōu)點(diǎn)，但真空度

不如玻璃X射線管。（C）

2.4型號(hào)為2505的X射線探傷機(jī)，前兩位數(shù)字“25”表示管電壓的峰值為250kV,后

兩位數(shù)字“05”表示管電流為5mA。（D）

2.5X射線管的實(shí)際焦點(diǎn)是指陽極靶被電子撞擊的部分；有效焦點(diǎn)是指實(shí)際焦點(diǎn)在垂直

于管軸線上的正投影。（D）

2.6長方形焦點(diǎn)和橢圓形焦點(diǎn)，其有效焦點(diǎn)尺寸按d=（a+b）/2公式計(jì)算（式中：a-長或

長軸，b-寬或短軸）。（D）

2.7方焦點(diǎn)X光管，其有效焦點(diǎn)尺寸按邊長計(jì)。（D）

2.8焦點(diǎn)尺寸是X射線管的重要技術(shù)指標(biāo)之一，其大小直接影響照相靈敏度。（D）

2.9X射線機(jī)的焦點(diǎn)尺寸應(yīng)盡可能大，這樣可提高射線強(qiáng)度，同時(shí)可防止陽極靶過分受

熱。（C）

2.10X射線機(jī)的焦點(diǎn)尺寸應(yīng)盡可能小，這樣可提高照相的清晰度。（D）

2.11所謂“管電流”是指流過X射線管的燈絲電流。（C）

2.12工業(yè)檢測(cè)用的X射線管工作在電流飽和區(qū)，要改變管電流，只有改變燈絲的加熱

電流。（D）

2.13周向X射線機(jī)的陽極靶有兩種，即平面陽極靶和錐體陽極靶。（D）

2.14X射線機(jī)“訓(xùn)機(jī)”的目的是提高X射線管的真空度。（D）

2.15X射線機(jī)一般要求按1:1工作和休息，以確保X射線管充分冷卻。（D）

2.16X射線機(jī)的輸出效率不會(huì)因電纜線的加長而發(fā)生變化。（C）

2.17y射線探傷機(jī)按機(jī)體結(jié)構(gòu)可分為直通道形式和“S”通道形式。（D）

2.18直通道型丫射線探傷機(jī)比“S”通道型機(jī)體輕，體積也小，結(jié)構(gòu)更簡單。（C）

2.19丫射線機(jī)機(jī)體上設(shè)有各種安全聯(lián)鎖裝置防止操作錯(cuò)誤，保證使用安全。（D）

2.20y射線曝光操作前，應(yīng)先檢查設(shè)備、輸源管等有無明顯損傷，驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)是否靈活,

個(gè)人劑量計(jì)、報(bào)警儀是否能正常工作后，方可進(jìn)行送源操作。（D）

2.21連接件卡板用來定期檢驗(yàn)丫射線探傷機(jī)陰陽接頭部件的磨損情況，在不強(qiáng)行用力

情況下，接頭應(yīng)順利通過卡板各相應(yīng)位置。（C）

2.22*Ir貯罐用貧化鈾作屏蔽，主要原因是貧化鈾口值大，可制造出體積小，重量輕

的貯存罐。（D）

2.23不同放射性同位素在一個(gè)核的衰變中放出的丫射線光量子數(shù)可能不同。（D）

2.24比活度越大，意味著該放射性同位素源的尺寸可以做的更小。（D）

2.25對(duì)不同種類的放射性同位素，高活度的同位素總是比低活度的同位素具有更高的

輻射水平。（C）

2.26丫射線操作時(shí)，在滿足拍片要求的前提下，應(yīng)采用盡量少的輸源管。輸源管的彎

曲半徑不得小于500mm，否則易造成卡源事故。（D）

2.27鋪設(shè)丫射線機(jī)的輸源管時(shí)，應(yīng)注意彎曲半徑不得過小，否則會(huì)導(dǎo)致其變形或折斷。

（C）

2.28丫射線操作時(shí)，控制線纜的彎曲半徑不得小于1000mm。（D）

2.29丫射線檢測(cè)時(shí)，在手搖送源的過程中，發(fā)現(xiàn)搖動(dòng)手柄有困難時(shí)，應(yīng)立即反向搖動(dòng)

手柄把源收回到屏蔽容器中。（D）

2.30丫射線操作時(shí)，每個(gè)操作人員必須攜帶個(gè)人音響報(bào)警儀，以確保輻射安全。（D）

2.31在更換丫射線源的操作過程中，必須使用丫射線劑量儀表及音響報(bào)警儀進(jìn)行監(jiān)測(cè)。

（D）

2.32管道爬行器是一種裝在爬行裝置上的X射線機(jī)。（D）

2.33從事射線源操作的人員，應(yīng)取得《放射工作人員證》。（D）

2.34射線膠片兩面涂感光乳劑層的目的是提高膠片的感光度。（D）

2.35對(duì)于同一類型的膠片，其銀鹽粒度越粗，感光度越高。（D）

2.36天津HI,AgfaD7,富士80屬于T3類膠片。（D）

2.37采用中靈敏度的射線照相檢測(cè)技術(shù)時(shí)，應(yīng)選用T3類或性能更好的膠片。（D）

2.38采用高靈敏度的射線照相檢測(cè)技術(shù)時(shí)，應(yīng)選用T2類或性能更好的膠片。（D）

2.39承壓設(shè)備射線檢測(cè)時(shí)，一般不允許選用增感型膠片。（D）

2.40感光材料的粒度限制了膠片所能記錄的細(xì)節(jié)的最小尺寸。（D）

2.41底片能夠記錄的影像細(xì)節(jié)的最小尺寸取決于顆粒度。（D）

2.42“潛影”的產(chǎn)生是銀離子接受電子還原成金屬銀的過程。（D）

2.43潛影形成后，如相隔很長時(shí)間才顯影，得到的影像比及時(shí)沖洗得到的影像淡，此

現(xiàn)象稱為“潛影衰退”。（D）

2.44管電壓、管電流和穿透厚度之間關(guān)系的曲線稱為膠片特性曲線。（C）

2.45膠片特性曲線是表示相對(duì)曝光量與底片黑度之間關(guān)系的曲線。（D）

2.46膠片灰霧度是指曝光量為零時(shí)的底片黑度。（D）

2.47改變膠片的曝光量引起相應(yīng)底片上黑度差的固有能力稱為膠片對(duì)比度。（D）

2.48膠片的梯度低，其寬容度必然大。（D）

2.49膠片梯度值與顯影條件有關(guān)，即顯影配方、時(shí)間、溫度等的變化都會(huì)使膠片梯度

值發(fā)生改變。（D）

2.50同一膠片對(duì)于不同能量的X射線具有不同的感光度。（D）

2.51在膠片特性曲線上的曝光正常區(qū)，非增感型膠片的反差系數(shù)隨黑度的增大而增大,

而增感型膠片的反差系數(shù)隨黑度的增大而減小。（C）

2.52膠片應(yīng)豎放，避免堆放。（D）

2.53入射光強(qiáng)與穿過底片的透射光強(qiáng)之比的自然對(duì)數(shù)稱為黑度。（C）

2.54已知入射光強(qiáng)為3000cd/n）2,穿過底片的透射光強(qiáng)為BOcd/m?,則該底片黑度不滿

足AB級(jí)射線檢測(cè)要求。（C）

2.55增感系數(shù)是指其它條件固定不變時(shí)，獲得相同的底片黑度，使用增感屏與不使用

增感屏所需曝光時(shí)間之比。（C）

2.56在常用的100~400kVX射線能量范圍內(nèi)，鉛箔增感屏的增感系數(shù)隨其厚度的增大而

減小。（D）

2.57鉛箔增感屏除有增感作用外，還有減少散射線的作用，因此在射線能夠穿透的前

提下，應(yīng)盡量選用較厚的鉛屏。（C）

2.58膠片和增感屏在射線檢測(cè)過程中應(yīng)始終相互緊貼。（D）

2.59承壓設(shè)備的焊縫射線檢測(cè)時(shí)，一般不允許使用熒光增感屏。（D）

2.60金屬增感屏除能增加對(duì)膠片的感光作用外，還能減少散射線引起的灰霧度，提高

影像對(duì)比度。（D）

2.61像質(zhì)計(jì)是用來檢查透照技術(shù)和膠片處理質(zhì)量的，衡量該質(zhì)量的數(shù)值是識(shí)別絲號(hào)，

它等于底片上能夠識(shí)別出的最細(xì)金屬絲的線編號(hào)。（D）

2.62像質(zhì)計(jì)通常用與被檢工件材質(zhì)相同或?qū)ι渚€吸收性能相似的材料制作。（D）

2.63按標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，碳鋼、低合金鋼和不銹鋼均屬黑色金屬，可采用碳鋼像質(zhì)計(jì)。（D）

2.64透照銀基合金焊縫時(shí)使用碳素鋼絲像質(zhì)計(jì)，如果底片上顯示的線徑編號(hào)剛剛達(dá)到

標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定值，則該底片的實(shí)際靈敏度肯定達(dá)不到標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的要求。（C）

2.65像質(zhì)計(jì)一般擺放在射線透照區(qū)內(nèi)顯示靈敏度較低的部位。（D）

2.66小徑鋼管專用像質(zhì)計(jì)，由5根直徑相同的鋼絲和鉛字符號(hào)組成，其像質(zhì)計(jì)的代號(hào)

用Fe和線編號(hào)構(gòu)成。（D）

2.67雙壁雙影法透照小直徑管子對(duì)接焊接接頭時(shí)，若使用通用型像質(zhì)計(jì)，其應(yīng)識(shí)別的

線徑絲號(hào)必須用鉛字標(biāo)記或?qū)?zhǔn)中心標(biāo)記，以正確辨認(rèn)應(yīng)識(shí)別的絲號(hào)。（D）

3.1定量而言，射線照相靈敏度是指射線底片上可以觀察到的最小缺陷尺寸或最小細(xì)節(jié)

尺寸。（D）

3.2對(duì)比度、清晰度、顆粒度是決定射線照相靈敏度的三個(gè)主要因素。（D）

3.3像質(zhì)計(jì)靈敏度與缺陷檢出率是一個(gè)概念。（C）

3.4底片對(duì)比度是指底片上某一小區(qū)域和相鄰區(qū)域的黑度差。（D）

3.5射線照相對(duì)比度就是缺陷影像與其周圍背景的黑度差。（D）

3.6在任何情況下，底片的對(duì)比度越大越好。（C）

3.7射線照相不清晰度就是影像輪廓邊緣黑度過渡區(qū)的寬度。（D）

3.8射線照相不清晰度主要包括幾何不清晰度和固有不清晰度。（D）

3.9用增大射線源到膠片距離的方法可減小射線照相的固有不清晰度。（C）

3.10減小幾何不清晰度的途徑之一，就是使膠片盡可能地靠近工件。（D）

3.11利用陽極側(cè)射線照相所得到的底片的幾何不清晰度比陰極側(cè)好。（D）

3.12固有不清晰度主要取決于射線的能量。（D

3.13固有不清晰度是由于使漠化銀感光的電子在乳劑層中有一定穿越行程而造成的。

（D）

3.14Irl92的固有不清晰度口值比400kV的X射線機(jī)還要大。（D）

3.15射線照相顆粒度表示影像黑度的不均勻程度。（D）

3.16底片的顆粒度隨射線能量的提高而增大。（D）

3.17影像顆粒度完全取決于膠片乳劑層中鹵化銀微粒尺寸的大小。（C）

3.18膠片成像的顆粒性會(huì)隨著射線能量的提高而變差。（D）

3.19顯影不足或過度，會(huì)影響底片對(duì)比度，但不會(huì)影響顆粒度。（C）

3.20選擇射線源時(shí)，首先應(yīng)保證其對(duì)被檢工件有足夠的穿透力。（D）

3.21對(duì)于X射線而言，穿透力取決于管電流。（C）

3.22在保證能夠穿透的情況下，X射線檢測(cè)應(yīng)選用較低的管電壓。（D）

3.23X射線透照時(shí)應(yīng)盡量選用較高管電壓，以縮短曝光時(shí)間，提高工作效率。（C）

3.24使用較低能量的射線，可得到較高的主因?qū)Ρ榷?，但同時(shí)會(huì)降低膠片對(duì)比度。（C）

3.25一般來說，對(duì)厚度差較大的工件，應(yīng)使用較高能量的射線進(jìn)行透照，其目的是降

低對(duì)比度，增加寬容度。（D）

3.26丫射線源透照時(shí)的曝光時(shí)間應(yīng)從源送出時(shí)開始計(jì)算。（C）

3.27透照厚度比K定義為一次透照長度范圍內(nèi)射線束穿過母材的最大厚度與最小厚度

之比。（D）

3.28一次透照長度應(yīng)以透照厚度比K進(jìn)行控制。（D）

3.29一次透照長度Ls是焊縫射線照相一次透照的有效檢測(cè)長度。即在滿足幾何不清晰

度和K值要求的前提下，按照標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，將搭接標(biāo)記貼放在源側(cè)或膠片側(cè)附近焊縫的母材上,

搭接標(biāo)記之間母材上的長度。（D）

3.30采用雙壁單影透照D°>100mm管子時(shí)，焦距F選擇的越大，一次透照長度越小。

（D）

3.31現(xiàn)有一板厚10mm的筒節(jié)，縱向?qū)雍附咏宇^長640mm,需按標(biāo)準(zhǔn)的AB級(jí)100%透

照，選用焦距600mm,使用膠片長360mm,只需兩次曝光即可滿足要求。（）

3.32現(xiàn)有一壁厚10mm,內(nèi)徑450mm的壓力容器環(huán)向?qū)雍附咏宇^要求20%透照，選用

600mm焦距做單壁外透照，使用360X80mm膠片，透照一片即可滿足標(biāo)準(zhǔn)AB級(jí)要求。（）

3.33現(xiàn)有一壁厚12mm,內(nèi)徑450mm的壓力容器人孔組件，縱向?qū)雍附咏宇^長250mm,

縱向和環(huán)向?qū)雍附咏宇^均要求100%透照?，F(xiàn)僅能采用XXQ2505定向X光機(jī)作單壁外透照，

焦距取600mm,膠片長300mm,縱向?qū)雍附咏宇^透一張片，環(huán)向?qū)雍附咏宇^曝光6次即可

滿足標(biāo)準(zhǔn)AB級(jí)要求。（）

3.34現(xiàn)有一壁厚48mm,內(nèi)徑500nlm的高壓容器環(huán)向?qū)雍附咏宇^（氤弧焊打底），焊縫

余高2mm,因無人孔，僅在透照側(cè)的封頭上有一小50mm中心孔，只能采用丫射線作中心內(nèi)透

照，由標(biāo)準(zhǔn)AB級(jí)要求查得像質(zhì)計(jì)放于源側(cè)應(yīng)識(shí)別絲號(hào)為8,底片上可識(shí)別的最大絲號(hào)剛好為

8,則此底片靈敏度合格。（）

3.35現(xiàn)有一壁厚50mm,內(nèi)徑400mm的高壓容器，焊縫余高2m口，其環(huán)向?qū)雍附咏宇^

采用Irl92源作中心周向曝光，已知源的焦點(diǎn)尺寸為63X3mm,采用Agfa的D5帶狀膠片（自

帶鉛增感屏），按JB/T4730.2-2005標(biāo)準(zhǔn)AB級(jí)要求，在不降低任何工藝參數(shù)的情況下，可一

次曝光檢測(cè)整條環(huán)向?qū)咏宇^。（）

3.36筒體縱向?qū)雍附咏宇^透照時(shí)，一般用600mm焦距，每張片的一次透照長度取

250mm。若選用800mm焦距，使用周向X光機(jī)一次曝光兩張片，可大大提高工作效率。（）

3.37現(xiàn)有一（H59X7mm接管對(duì)接焊接接頭（不計(jì)余高），要求檢測(cè)比例100%若焦距采

用310mm，按川/T4730.2-2005的要求，雙壁單影最少應(yīng)透照7次。（）

3.38搭接長度4L是指底片上搭接標(biāo)記至底片端頭的距離。（C）

3.39環(huán)向?qū)雍缚p雙壁單影透照時(shí)，搭接標(biāo)記應(yīng)貼在膠片側(cè)的工件表面上。（D）

3.40環(huán)向?qū)雍缚p中心透照周向曝光時(shí)，搭接標(biāo)記放在膠片側(cè)或源側(cè)均可。（D）

3.41環(huán)縫偏心內(nèi)透，當(dāng)焦距小于工件曲率半徑時(shí)，為保證不漏檢測(cè)，搭接標(biāo)記應(yīng)放在

膠片側(cè)。（C）

3.42射線檢測(cè)使用像質(zhì)計(jì)的主要目的是為了測(cè)量缺陷的實(shí)際大小。（C）

3.43射線照相的質(zhì)量是否符合要求，最終僅取決于是否能顯示出規(guī)定的像質(zhì)計(jì)金屬絲

影像。（C）

3.44由曝光因子公式可知，焦距增加一倍，則曝光時(shí)間增至原值的4倍。（D）

3.45環(huán)向?qū)雍附咏宇^作中心周向曝光時(shí)，若透照區(qū)為抽查或返修復(fù)照的，則每張底

片上均應(yīng)有像質(zhì)計(jì)影像。（D）

3.46在可以實(shí)施的情況下應(yīng)選用單壁透照方式，在單壁透照不能實(shí)施時(shí)才允許采用雙

壁透照方式。（D）

3.47在透照靈敏度存在明顯差異的情況下，應(yīng)選擇有利于提高靈敏度的透照方式。（D）

3.48透照時(shí)射線束中心一般應(yīng)垂直指向透照區(qū)中心，需要時(shí)也可選用有利于發(fā)現(xiàn)缺陷

的方向透照。（D）

3.49曝光量與相應(yīng)的底片黑度之間關(guān)系的曲線稱為曝光曲線。（C）

3.50在射線照相中，當(dāng)采用鉛箔增感或無增感的條件時(shí)，遵守互易定律；而當(dāng)采用熒

光增感條件時(shí)，互易律失效。（D）

3.51同廠家、同型號(hào)的X射線機(jī)的曝光曲線可以通用。(C)

3.52任何曝光曲線只適用于一組特定的條件。(D)

3.53對(duì)某一曝光曲線，應(yīng)使用同一類型的膠片，但可更換不同的X射線機(jī)。(C)

3.54即使管電壓相同，不同X射線機(jī)所產(chǎn)生的X射線的線質(zhì)也是不同的。(D)

3.55對(duì)每臺(tái)在用射線檢測(cè)設(shè)備均應(yīng)做出常用檢測(cè)材料的曝光曲線。(D)

3.56每次都能拍出高質(zhì)量射線底片的最佳方法是利用好曝光曲線圖。(D)

3.57平方反比定律表示輻射強(qiáng)度與距離的平方成反比。(D)

3.58增大底片寬容度通常的方法是降低管電壓。(C)

3.59小徑管雙壁雙影透照時(shí)選用較高的管電壓、較低的曝光量，其目的是減小底片對(duì)

比度，擴(kuò)大檢出范圍。(D)

3.60提高管電壓是提高檢測(cè)效率和靈敏度的有效方法之一。（C）

3.61在X射線管窗口加濾波板的作用是增大寬容度，消除邊蝕散射。（D）

3.62低能射線更容易被膠片吸收，引起感光，因此射線透照時(shí)防止和屏蔽散射線十分

重要。（D）

3.63背散射線的存在，會(huì)降低底片的對(duì)比度。通?？稍诠ぜ湍z片之間放置一個(gè)鉛字

“B”來驗(yàn)證背散射線是否過強(qiáng)。（C）

3.64底片黑度可以通過改變曝光量來控制。（D）

3.65橢圓封頭上的焊縫應(yīng)安排在拼焊后，熱壓成型前進(jìn)行射線檢測(cè)。（C）

3.66筒節(jié)縱向?qū)雍附咏宇^應(yīng)在校圓之前進(jìn)行射線檢測(cè)。（C）

3.67一般情況下，焊接試板應(yīng)隨筒節(jié)縱縫一起焊接，一起委托射線檢測(cè)。

（D）

4.1顯影液是堿性的，定影液是酸性的。（D）

4.2銅、鐵等金屬離子對(duì)顯影劑的氧化有催化作用，不能用其容器盛放顯影液。（D）

4.3手工洗片時(shí)，為保證顯影液的溫度，可將加熱棒直接放入顯影槽中加熱。（C）

4.4在干燥的環(huán)境中，較快的抽、插膠片，極易使膠片產(chǎn)生靜電感光。（D）

4.5顯影液溫度過高，會(huì)導(dǎo)致影像顆粒度粗大。（D）

4.6顯影時(shí)間過長，會(huì)導(dǎo)致影像灰霧度過大。（D）

4.7對(duì)曝光過度的膠片，為獲得符合要求的黑度，可采用縮短顯影時(shí)間來補(bǔ)救。（C）

4.8射線檢測(cè)中，膠片曝光不足可通過提高顯影液溫度、延長顯影時(shí)間來彌補(bǔ)。（C）

4.9顯影時(shí)膠片上的AgBr被還原成金屬銀，從而使膠片變黑。（D）

4.10“超加和性”是指米吐爾和菲尼酮配合使用，顯影速度可大大提高的現(xiàn)象。（C）

4.11顯影后的膠片直接放入定影液，易產(chǎn)生不均勻條紋，且加速使定影液老化。（D）

4.12潛影形成后如不及時(shí)沖洗，有可能出現(xiàn)“潛影衰退”的現(xiàn)象。（D）

4.13暗室手工沖洗膠片的關(guān)鍵是顯影槽必須有恒溫裝置。（D）

4.14定影液有兩個(gè)作用：溶解未曝光的AgBr和堅(jiān)膜。（D）

4.15當(dāng)膠片未曝光部分達(dá)到透明時(shí)，定影過程完成。（C）

4.16所謂“通透時(shí)間”是指膠片從放入定影液到膠片乳劑層變?yōu)橥该鞯臅r(shí)間，總的定

影時(shí)間至少為通透時(shí)間的2倍。（D）

4.17射線底片上產(chǎn)生亮的月牙形痕跡的原因可能是曝光前使膠片彎曲。（D）

4.18射線底片上產(chǎn)生黑的月牙形痕跡的原因可能是曝光后使膠片彎曲。（D）

4.19膠片表面藥膜脫落可能是膠片處理溫度過高而引起的。（D）

4.20膠片的水洗應(yīng)在流動(dòng)的清水中進(jìn)行，水洗時(shí)間一般為20~30分鐘。（D）

4.21底片定影不充分或水洗不充分均會(huì)影響底片的保存期限，最終導(dǎo)致圖像呈現(xiàn)淡黃

色或棕色。（D）

4.22底片熱風(fēng)干燥時(shí)，熱風(fēng)溫度一般不超過40℃。（D）

4.23膠片處理分為手工沖洗和自動(dòng)沖洗，標(biāo)準(zhǔn)推薦采用自動(dòng)沖洗的方法。（D）

4.24射線檢測(cè)工作量較小時(shí)，暗室處理可采用盤中沖洗。（C）

4.25若采用自動(dòng)洗片機(jī)洗片，透照時(shí)必須嚴(yán)格控制曝光規(guī)范。（D）

5.1評(píng)片一般應(yīng)在專用評(píng)片室內(nèi)進(jìn)行。評(píng)片室應(yīng)整潔、安靜，溫度適宜，光線應(yīng)暗且柔

和。（D）

5.2為檢查底片的靈敏度，每張底片上都必須有像質(zhì)計(jì)影像。（C）

5.3減小最小可見對(duì)比度△Dmin,不利于識(shí)別小缺陷。（C）

5.4觀片燈亮度提高，最小可見對(duì)比度ADmin減小，能分辨的黑度范圍向高黑度一邊

擴(kuò)展。（D）

5.5在較暗的室內(nèi)評(píng)片，消除了散射光影響，底片的最小可見對(duì)比度ADmin減小，有

利于分辨缺陷。（D）

5.6為評(píng)價(jià)缺陷數(shù)量和密集程度而設(shè)置的一定尺寸的方形或矩形區(qū)域定義為缺陷評(píng)定

區(qū)。（D）

5.7對(duì)于單壁外透照100%檢測(cè)的環(huán)向?qū)雍附咏宇^而言，當(dāng)?shù)灼瞬坑袟l形缺陷時(shí)，

應(yīng)將該端搭接標(biāo)記與相鄰底片上的搭接標(biāo)記重疊接長觀察評(píng)定。（C）

5.8對(duì)于源置于曲面的中心做周向100陳檢測(cè)的環(huán)向?qū)雍附咏宇^而言，當(dāng)?shù)灼瞬坑?/p>

條形缺陷時(shí)，應(yīng)將該端搭接標(biāo)記與相鄰底片上的搭接標(biāo)記重疊接長觀察評(píng)定。（D）

5.9進(jìn)行局部射線檢測(cè)的壓力容器對(duì)接焊接接頭，發(fā)現(xiàn)有不允許的缺陷時(shí)，應(yīng)先返修缺

陷，復(fù)照時(shí)再按標(biāo)準(zhǔn)要求擴(kuò)探。（C）

5.10局部射線檢測(cè)的底片在界線標(biāo)記以外的缺陷也應(yīng)評(píng)定。（D）

6.1X、丫射線損傷生物細(xì)胞的過程就是電離輻射過程。（D）

6.2電離輻射是指由直接電離粒子和間接電離粒子組成的射線。（D）

6.3照射量是用來表征X或丫射線對(duì)空氣電離能力大小的一個(gè)物理量，而吸收劑量表

征受照物體吸收電離輻射能量程度的一個(gè)物理量。（D）

6.4照射量這個(gè)概念僅適用于X射線或丫射線對(duì)空氣的效應(yīng)。（D）

6.5照射量的國際單位是庫侖/千克，專用單位是倫琴。（D）

6.6吸收劑量的國際單位是戈瑞，專用單位是拉德，1戈瑞等于100拉德。（D）

6.7吸收劑量的大小取決于電離輻射的能量，與被照射物質(zhì)本身的性質(zhì)無關(guān)。（C）

6.8吸收劑量相同，而射線的種類和能量不同時(shí)，產(chǎn)生的生物效應(yīng)可能不同。（D）

6.9對(duì)于X射線和丫射線而言，吸收劑量和劑量當(dāng)量在數(shù)值上是相等的，即lG，=lSe

（D）

6.10不同類型的電離輻射，只要吸收劑量相同，產(chǎn)生的生物損傷程度也相同。（C）

6.11所謂比釋動(dòng)能是指不帶電粒子與物質(zhì)相互作用，在單位質(zhì)量的物質(zhì)中釋放出來的

所有帶電粒子的初始動(dòng)能的總和。（D）

6.12不帶電的X射線或y射線與物質(zhì)相互作用時(shí)的能量轉(zhuǎn)移過程分兩個(gè)階段：它首先

把能量轉(zhuǎn)移給次級(jí)電子，用比釋動(dòng)能來描述。然后次級(jí)電子通過電離和激發(fā)的形式，將能量

轉(zhuǎn)移給物質(zhì)，用吸收劑量來描述。（D）

6.13在實(shí)際工作中，儀器直接測(cè)量的只能是照射量，而不是吸收劑量。因此，要計(jì)算

輻射場中某點(diǎn)被照射物質(zhì)的吸收劑量，就只能用該點(diǎn)的照射量進(jìn)行換算。（D）

6.14在有射線輻射的場所，人體接受的累積劑量與受照射的時(shí)間成正比。（D）

6.15輻射源一定，當(dāng)距離增加一倍時(shí)，其劑量或劑量率減少到原來的1/2。（C）

6.16輻射對(duì)于人體的損傷是由于輻射的電離作用產(chǎn)生的。（D）

6.17人體不同部位如果受到相同劑量的照射，則將產(chǎn)生相同的輻射生物效應(yīng)。

（C）

6.18射線檢測(cè)時(shí)，應(yīng)具備必要的防護(hù)措施和監(jiān)測(cè)手段，以避免對(duì)從業(yè)人員和公眾受到

輻射傷害。（D）

6.19職業(yè)放射性工作人員，任何一年中接受的最大劑量不應(yīng)超過50mSv。（D）

6.20職業(yè)放射性工作人員連續(xù)5年的年平均有效劑量（但不可做任何追溯性平均）不

得超過20mSvo（D）

6.21射線檢測(cè)人員上崗前應(yīng)進(jìn)行輻射安全知識(shí)培訓(xùn)，并取得放射工作人員證。（D）

6.22由于現(xiàn)場環(huán)境復(fù)雜，進(jìn)行X、y射線檢測(cè)時(shí)，劃定控制區(qū)和管理區(qū)（或監(jiān)督區(qū)）最

好的方法是用劑量儀測(cè)定。（D）

6.23常用的工業(yè)X射線探傷機(jī)屬于H類射線裝置。（D）

6.24鉛和混凝土是最常用的輻射防護(hù)材料。（D）

二、選擇題（將正確答案序號(hào)填在括號(hào)內(nèi)）

1.1X射線屬于（D