2024年通信電子計(jì)算機(jī)技能考試-平板顯示技術(shù)歷年考試高頻考點(diǎn)試題附帶答案

2024年通信電子計(jì)算機(jī)技能考試-平板顯示技術(shù)歷年考試高頻考點(diǎn)試題附帶答案（圖片大小可自由調(diào)整）第1卷一.參考題庫(kù)(共25題)1.簡(jiǎn)述干法刻蝕的物理作用和化學(xué)作用。2.簡(jiǎn)述氧化物薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)OLED的優(yōu)勢(shì)，以及當(dāng)前的研究熱點(diǎn)？3.簡(jiǎn)述真空掩膜蒸鍍技術(shù)實(shí)現(xiàn)紅綠藍(lán)像素并置全彩色方案的工藝流程。4.試畫(huà)出9次光刻的多晶硅薄膜晶體管的等效電路圖。5.簡(jiǎn)述低溫多晶硅薄膜晶體管組成的CMOS驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)點(diǎn)。6.簡(jiǎn)述扭曲效應(yīng)顯示器件和超扭曲向列液晶顯示器工作原理的差異。為什么采用超扭曲向列效應(yīng)的液晶顯示板能增大液晶顯示屏的行數(shù)？7.請(qǐng)畫(huà)出常白型TN液晶顯示器的顯示原理圖，并簡(jiǎn)述顯示原理。8.簡(jiǎn)述TFT制作中的各種薄膜采用的成膜方法。9.描述MVA技術(shù)如何實(shí)現(xiàn)的廣視角？10.簡(jiǎn)述2T1C驅(qū)動(dòng)原理及面臨的問(wèn)題。11.簡(jiǎn)述單像素雙疇FFS模式的實(shí)現(xiàn)的原理。12.LED主要制作工藝是怎樣的？13.簡(jiǎn)述提高IGZOTFT性能的方法。14.簡(jiǎn)述柔性顯示面臨的技術(shù)瓶頸。15.簡(jiǎn)述LED背光源的優(yōu)勢(shì)。16.簡(jiǎn)述F?rster能量轉(zhuǎn)移和Dexter能量轉(zhuǎn)移的差別。17.簡(jiǎn)述無(wú)源矩陣驅(qū)動(dòng)的原理。18.舉例說(shuō)明多疇模式的作用？19.簡(jiǎn)述MVA技術(shù)的顯示原理。20.源漏電極很多工廠采用的復(fù)層材料Mo/Al/Mo，試分析上下層Mo的作用。21.簡(jiǎn)述有機(jī)發(fā)光二極管限制發(fā)光效率的因素以及提高效率的辦法。22.激光顯示技術(shù)的發(fā)展前景將會(huì)如何？23.LED背光源采用的是白光LED，還是RGB三基色LED，哪種更有優(yōu)勢(shì)？24.試根據(jù)5次光刻的工藝流程繪制等效電路。25.哪種模塊工藝更適合制作精細(xì)線路？為什么？第2卷一.參考題庫(kù)(共25題)1.簡(jiǎn)述漏光產(chǎn)生的原因。2.簡(jiǎn)述銀點(diǎn)膠和邊框膠的作用。3.不同種類的液晶材料是不是都能應(yīng)用到顯示中？在各種類型的顯示中，液晶材料是不是可以互換？請(qǐng)舉一個(gè)例子分析為什么？4.簡(jiǎn)述PI膜的形成過(guò)程。5.簡(jiǎn)述采用9次光刻的多晶硅薄膜晶體管的工藝流程技術(shù)關(guān)鍵。6.簡(jiǎn)述彩膜的基本結(jié)構(gòu)及各部分的作用。7.簡(jiǎn)述液晶材料的物理性質(zhì)對(duì)顯示性能的影響。8.什么是多點(diǎn)觸控技術(shù)？簡(jiǎn)述多點(diǎn)觸控技術(shù)的特點(diǎn)。9.非晶硅半導(dǎo)體有什么特點(diǎn)？非晶硅是哪種半導(dǎo)體？10.為什么說(shuō)PVA技術(shù)有降低亮點(diǎn)的可能性？還有那些技術(shù)可以降低亮點(diǎn)呢？11.主導(dǎo)TFT器件工作的半導(dǎo)體現(xiàn)象是什么？它的物理意義和主要影響參數(shù)？為提高TFT器件在液晶顯示器中的開(kāi)關(guān)作用，從半導(dǎo)體的角度應(yīng)該提高什么，降低什么？12.簡(jiǎn)述晶體與非晶材料在導(dǎo)電上的差別？13.簡(jiǎn)述疊層存儲(chǔ)電容的組成及等效電路。14.簡(jiǎn)述MOSFET與薄膜晶體管工作原理上的不同。15.簡(jiǎn)述非晶硅薄膜晶體管的工作原理。16.簡(jiǎn)述小分子OLED與高分子PLED的優(yōu)缺點(diǎn)。17.簡(jiǎn)述彩膜的工藝流程。18.簡(jiǎn)述PVA技術(shù)和MVA技術(shù)的主要不同。19.描述彩色光的3個(gè)基本參量是什么？各是什么含義？20.彩色電視傳送色差信號(hào)比直接傳送基色信號(hào)有什么優(yōu)越性？21.簡(jiǎn)述陣列工藝的基本工藝流程。22.簡(jiǎn)述能量轉(zhuǎn)移再?gòu)?fù)合發(fā)光的優(yōu)點(diǎn)。23.簡(jiǎn)述電流復(fù)制型和電流鏡電路的驅(qū)動(dòng)原理。24.簡(jiǎn)述存儲(chǔ)電容的作用。25.簡(jiǎn)述PE和RIE設(shè)備的不同點(diǎn)。第3卷一.參考題庫(kù)(共25題)1.試分析如何減少絕緣膜的針孔及工業(yè)上采用的方法。2.描述采用ODF工藝的制屏工藝流程。3.為什么ODF工藝更適合5代線以上的生產(chǎn)線？4.OLED如何實(shí)現(xiàn)彩色顯示？5.簡(jiǎn)述TN型液晶顯示器的顯示原理。6.簡(jiǎn)述OLED產(chǎn)業(yè)化的面臨的問(wèn)題？你認(rèn)為有什么解決辦法？7.熒光粉厚度對(duì)顯示性能的影響是什么？8.簡(jiǎn)述背溝道刻蝕型結(jié)構(gòu)的優(yōu)缺點(diǎn)。9.簡(jiǎn)述FFS技術(shù)中電極和電場(chǎng)的特點(diǎn)。10.簡(jiǎn)述液晶顯示器殘像產(chǎn)生的原因。11.簡(jiǎn)述液晶顯示器的分類及英文縮寫(xiě)。12.簡(jiǎn)述有機(jī)發(fā)光顯示的特點(diǎn)。13.畫(huà)出陣列基板單元像素的平面圖形及等效電路，簡(jiǎn)述其結(jié)構(gòu)。14.簡(jiǎn)述激光光閥顯示的結(jié)構(gòu)及顯示原理。15.簡(jiǎn)述微晶硅薄膜晶體管中非晶硅薄膜上面有一層金屬薄膜Mo的作用，以及工藝中需要采用的特殊技術(shù)？16.簡(jiǎn)述AMOLED驅(qū)動(dòng)的最關(guān)鍵的TFT性能要求。17.試分析在背溝道阻擋結(jié)構(gòu)的第二次光刻中，采用了背曝光為什么還要采用一次曝光？直接使用一次曝光不行嗎？18.簡(jiǎn)述PDP多灰度級(jí)顯示的實(shí)現(xiàn)方法。19.簡(jiǎn)述電容式觸摸屏的優(yōu)點(diǎn)。20.簡(jiǎn)述背溝道阻擋結(jié)構(gòu)的優(yōu)缺點(diǎn)。21.用對(duì)比的方法描述ODF與傳統(tǒng)液晶注入方式主要的差別。22.簡(jiǎn)述ACF的作用。23.簡(jiǎn)述有機(jī)材料和無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料的相同點(diǎn)和不同點(diǎn)。24.以ITO陽(yáng)極-空穴傳輸層-發(fā)光層-電子傳輸層-金屬陰極結(jié)構(gòu)OLED為例說(shuō)明每一功能層的作用，并簡(jiǎn)述其工作原理。25.簡(jiǎn)述液晶顯示器亮度決定因素有哪些？并計(jì)算分析實(shí)際亮度能達(dá)到多少？第1卷參考答案一.參考題庫(kù)1.參考答案:物理作用的刻蝕類似于濺射成膜的原理，利用惰性氣體的輝光放電產(chǎn)生帶正電的離子，在電場(chǎng)作用下加速吸引到下電極上面的基板上，轟擊刻蝕薄膜的表面，將薄膜原子轟擊出來(lái)的過(guò)程。常用的惰性氣體有氦氣（He）、氬氣（Ar）等。作用過(guò)程完全利用物理上能量的轉(zhuǎn)移進(jìn)行的，具有很強(qiáng)的刻蝕方向性，可以獲得高的各向異性刻蝕斷面，線寬控制非常好。 化學(xué)作用的刻蝕是一種純粹的化學(xué)反應(yīng)，利用各種源如射頻、微波等，將氣體電離產(chǎn)生化學(xué)活性極強(qiáng)的原子團(tuán)、分子團(tuán)等，擴(kuò)散到刻蝕薄膜的表面與薄膜發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生產(chǎn)易揮發(fā)的反應(yīng)生成物，由真空泵抽離真空反應(yīng)室。由于只有化學(xué)反應(yīng)發(fā)生稱之為化學(xué)反應(yīng)刻蝕，類似于濕法刻蝕。只是反應(yīng)物和生成物都是氣態(tài)的，且由反應(yīng)物的等離子體決定刻蝕速率。2.參考答案:優(yōu)點(diǎn)是載流子遷移率為10cm2/Vs左右，閾值電壓的變化與LTPS相當(dāng)，可以采用濺射方法制作，不受基板尺寸限制，對(duì)現(xiàn)在的TFTLCD生產(chǎn)線不需要較大改動(dòng)。 研究熱點(diǎn)在于：1）由于載流子有氧空位，制造過(guò)程和工作狀態(tài)下易受到影響，TFT特性穩(wěn)定性和工藝重復(fù)性差，成為量產(chǎn)前急需解決的一個(gè)關(guān)鍵技術(shù)難題。通過(guò)在成膜后施加熱處理，有望改善； 2）在相同體系中其他半導(dǎo)體材料的研發(fā)，減少貴金屬材料的使用，降低材料成本； 3）更為便宜的制造工藝的研發(fā)，如涂布和噴印技術(shù)。3.參考答案:1）在真空下，利用掩模板遮擋的方法，將相鄰的三個(gè)像素中遮擋兩個(gè)像素，在另一個(gè)像素上蒸鍍紅、藍(lán)、綠其中一種發(fā)光層； 2）利用高精度的對(duì)位系統(tǒng)移動(dòng)遮擋的掩模板，再繼續(xù)蒸鍍下一像素。掩膜板常采用金屬材料制成。4.參考答案:5.參考答案:組成的CMOS驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)點(diǎn)： 1）利用自對(duì)準(zhǔn)工藝，寄生電容降到最低，響應(yīng)速度很快； 2）較高的遷移率以及溝道長(zhǎng)度的微細(xì)化，有利于進(jìn)一步提高響應(yīng)速度； 3）在周邊驅(qū)動(dòng)的CMOS電路中，利用p-SiTFT高開(kāi)態(tài)電流和高遷移率特性，不受關(guān)態(tài)泄漏電流的影響，使得p-Si?TFT非常適合制作周邊驅(qū)動(dòng)電路； 4）溝道長(zhǎng)度微細(xì)化后，TFT尺寸縮小，周邊驅(qū)動(dòng)電路的面積縮小，非常適合高精度、高清晰的顯示； 5）在考慮漏極的耐壓極限后，常規(guī)的p-SiTFT的溝道長(zhǎng)度設(shè)計(jì)為4μm。采用LDD結(jié)構(gòu)后，耐壓能力提高，溝道長(zhǎng)度可以設(shè)計(jì)到1.5～2μm。6.參考答案:7.參考答案:常白模式液晶顯示器的上下兩個(gè)偏振片透光的光軸垂直，內(nèi)部液晶分子從上到下剛好扭曲90°。不外加電壓時(shí)，液晶顯示器為透光狀態(tài)，為亮態(tài)；加上外界電場(chǎng)后，隨電場(chǎng)的增加透過(guò)的光強(qiáng)逐漸減小，最后透光率趨近于零，為暗態(tài)，可以實(shí)現(xiàn)在白色背景上顯示黑色圖案。 8.參考答案:柵電極、源漏電極的金屬材料：Al、MoW、AlNd/Mo、AlNd/MoNx、Mo/Al/Mo等采用濺射；像素電極ITO透明氧化物材料采用濺射；柵極絕緣膜SiNx、SiOx采用PECVD；半導(dǎo)體層a-Si：H、歐姆接觸層n+a-Si材料采用PECVD；保護(hù)膜（鈍化膜）SiNx材料采用PECVD。9.參考答案:V字形直條三角棱狀的凸起物把每個(gè)子像素分成了四個(gè)疇，上下基板交錯(cuò)排列。在方位Ⅱ處觀察，開(kāi)態(tài)和關(guān)態(tài)，看到的都是接近液晶分子長(zhǎng)軸的投影，顯示中灰階；在方位Ⅰ和Ⅲ處觀察，關(guān)態(tài)在屏幕的投影是短軸方向，顯示黑色；開(kāi)態(tài)在屏幕投影是液晶分子長(zhǎng)軸方向，顯示白色。因此，方位Ⅱ和Ⅲ處能同時(shí)看到高灰階和低灰階，混色后正好是中灰階。10.參考答案:驅(qū)動(dòng)原理： 1）當(dāng)掃描線掃描到某一行，掃描線給開(kāi)關(guān)TFT的柵極加電壓，T1管導(dǎo)通； 2）信號(hào)線送入數(shù)據(jù)信號(hào)電壓，經(jīng)由T1管給驅(qū)動(dòng)TFT柵極加電壓，T2管導(dǎo)通； 3）信號(hào)電壓同時(shí)給存儲(chǔ)電容充電，把信號(hào)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容中； 4）信號(hào)電壓控制T2管導(dǎo)通后，電源線施加一個(gè)恒定的電壓，T2管工作在飽和區(qū)，像素處于點(diǎn)亮狀態(tài)。 面臨的問(wèn)題：1）驅(qū)動(dòng)管閾值電壓和遷移率的不均勻； 2）電源線阻抗的影響。11.參考答案:雙疇的FFS結(jié)構(gòu)中，共用電極線在中間，把像素電極分成上下兩部分。條形電極的方向不同，分別與信號(hào)線成一定的角度。表面取向?qū)拥哪Σ练较?，平行信?hào)線方向。不加電壓下，液晶分子沿摩擦方向排列。加電壓后，正性液晶分子平行電場(chǎng)方向排列。像素電極上部分的液晶分子順時(shí)針旋轉(zhuǎn)，像素電極下部分的液晶分子逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)。兩個(gè)方向旋轉(zhuǎn)的液晶分子形成了兩個(gè)不同的疇。12.參考答案:13.參考答案:1）改善非晶金屬氧化物IGZO沉積條件、控制退火溫度和存放環(huán)境等； 2）改善柵極絕緣層和非晶金屬氧化物IGZO形成的界面。柵極絕緣層表面粗糙度越低，表面的缺陷態(tài)越少，成膜的質(zhì)量越高，TFT的性能越好； 3）提高非晶金屬氧化物IGZO鈍化層性質(zhì)。14.參考答案:面臨的技術(shù)瓶頸主要有： 1）性能差； 2）壽命低； 3）生產(chǎn)設(shè)備不成熟； 4）相關(guān)高科技技術(shù)還未匹配。15.參考答案:1）更輕薄； 2）光衰期長(zhǎng)； 3）效率高，耗電少； 4）色域廣； 5）環(huán)保。16.參考答案:不同點(diǎn)：1）F?rster能量轉(zhuǎn)移由于依靠電荷的庫(kù)侖作用，能在較遠(yuǎn)的距離內(nèi)實(shí)現(xiàn)，一般可以達(dá)到幾納米。Dexter能量轉(zhuǎn)移由于需要電子云的交疊，只能在緊鄰的分子之間才能完成，分子間最大間距最多只能到幾埃； 2）F?rster能量轉(zhuǎn)移是一個(gè)分子上的電子與空穴的激子復(fù)合，受到自旋方向的限制，只有單重激發(fā)態(tài)激子能發(fā)生F?rster能量轉(zhuǎn)移；Dexter能量轉(zhuǎn)移由于電子云的交疊，電子或空穴可以在分子間遷移，三重激發(fā)態(tài)激子由于自旋禁戒不容易與基態(tài)復(fù)合，可以發(fā)生Dexter能量轉(zhuǎn)移。17.參考答案:當(dāng)某一行要發(fā)光的像素加電壓，其他行接地；當(dāng)某一列像素加負(fù)電壓，其他列接地，交叉處OLED就可以發(fā)光。18.參考答案:多疇垂直排列技術(shù)通常采用取向?qū)友谀つΣ?、光控取向或利用凸起物襯底等方法，在每個(gè)像素上形成多個(gè)液晶分子取向方向不同的疇，進(jìn)而改善液晶由于單疇造成的各向異性過(guò)強(qiáng)，顯示視角特性差的缺點(diǎn)。19.參考答案:不加電壓下，液晶分子在液晶屏內(nèi)并不是全部垂直基板排列。在垂直取向的作用下，一部分垂直基板排列，一部分垂直于凸起物排列，在交界處液晶分子會(huì)偏向某一個(gè)角度；上下偏振片光軸垂直，從一個(gè)偏振片通過(guò)的偏振光，穿過(guò)液晶層，到另一個(gè)偏振片后與光軸垂直，不透光呈黑態(tài)。 當(dāng)加電壓后，n型液晶分子在電場(chǎng)下要垂直電場(chǎng)排列，但由于垂直取向的作用，使得液晶分子在液晶屏內(nèi)傾斜排列，并趨向于水平。光可以通過(guò)各層，由于雙折射產(chǎn)生干涉，透光呈白態(tài)。在視覺(jué)觀察下，MVA技術(shù)上下基板交錯(cuò)的三角棱狀的凸起物，共同作用下兩個(gè)疇的液晶分子排列更加整齊有序，利用這種不同指向的液晶分子長(zhǎng)軸方向來(lái)實(shí)現(xiàn)光學(xué)補(bǔ)償。20.參考答案:1）下層Mo的作用：Al直接與a-Si接觸很容易向a-Si擴(kuò)散使漏電流增大，影響TFT的關(guān)態(tài)特性，所以在Al層下面要增加一層Mo。 2）上層Mo的作用：Al容易產(chǎn)生小丘，表面粗超度不好，且Al與上面層ITO直接接觸，容易還原ITO材料，降低ITO的電阻率，引起接觸不良，因此要在Al的上面增加一層Mo。21.參考答案:限制發(fā)光效率的因素：1）單重激發(fā)態(tài)的自旋方向與基態(tài)相同，從單重激發(fā)態(tài)回到基態(tài)復(fù)合容易，壽命短。三重激發(fā)態(tài)的自旋方向與基態(tài)相反，向基態(tài)的躍遷屬于自旋禁戒的，只能衰減，壽命較長(zhǎng)。單重激發(fā)態(tài)的激子躍遷發(fā)射熒光更容易； 2）處于激發(fā)態(tài)的激子也可以通過(guò)其他非輻射復(fù)合的方式釋放能量，如內(nèi)轉(zhuǎn)換、外轉(zhuǎn)換、系間跨越等，顯然降低了有機(jī)發(fā)光的效率； 3）在電致激發(fā)中，單重激發(fā)態(tài)的激子只有25%，理論上發(fā)射熒光的最大量子效率為25％。實(shí)際上，由于存在各種非輻射衰減，OLED熒光外量子效率一般都遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于25％。 提高OLED發(fā)光效率的方法：1）改善器件的結(jié)構(gòu)和制備技術(shù)； 2）優(yōu)化電極材料、發(fā)光材料、載流子傳輸材料； 3）選擇能級(jí)匹配的材料； 4）研究三重激發(fā)態(tài)磷光的利用率。22.參考答案:激光顯示技術(shù)將成為未來(lái)高端顯示的主流。在公共信息大屏幕、激光電視、數(shù)碼影院、手機(jī)投影顯示、便攜式投影顯示、大屏幕指揮及個(gè)性化頭盔顯示系統(tǒng)等領(lǐng)域具有很大的發(fā)展空間和廣闊的市場(chǎng)應(yīng)用前景。在超大屏幕顯示上展現(xiàn)更逼真、更絢麗的動(dòng)態(tài)圖像，實(shí)現(xiàn)其他顯示技術(shù)所不能達(dá)到的視覺(jué)震撼效果。23.參考答案:白色光LED背光源采用能發(fā)出白色光的LED光源代替原來(lái)的CCFL熒光管。結(jié)構(gòu)與CCFL背光源基本一致，主要差別是CCFL是線光源，而LED是點(diǎn)光源。優(yōu)點(diǎn)是：結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、亮度可動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)、容易實(shí)現(xiàn)區(qū)域控制、對(duì)比度很高。由于白光LED不涉及背光源的調(diào)光，在電路結(jié)構(gòu)方面要求不高。在成本上比RGB-LED背光源低。缺點(diǎn)是：在色彩顯示特性方面上不如RGB-LED電視，一般只能達(dá)到NTSC色域的70%左右。 RGB-LED背光源的優(yōu)點(diǎn)是： 1）高色彩表現(xiàn)力。采用RGB三原色獨(dú)立發(fā)光器件，能實(shí)現(xiàn)廣色域； 2）高動(dòng)態(tài)對(duì)比度。RGB-LED電視可以支持背光區(qū)域調(diào)光技術(shù)，亮度調(diào)節(jié)更容易實(shí)現(xiàn)，對(duì)比度能夠達(dá)到千萬(wàn)：1級(jí)，提高了電視的圖像質(zhì)量。RGB-LED背光源的缺點(diǎn)是：成本高；需要單獨(dú)的調(diào)光電路和更好的散熱結(jié)構(gòu)；結(jié)構(gòu)復(fù)雜，難以做到輕薄化。 從性能上比RGB三基色LED更有優(yōu)勢(shì)，從成本上比白光LED更有優(yōu)勢(shì)。24.參考答案:1）第一次光刻?hào)啪€，工藝流程是：濺射前清洗→AlNd/Mo濺射→涂膠→曝光→顯影→顯影后檢查→濕法刻蝕→刻蝕后檢查→去膠→O/S檢查。 2）第二次光刻有源島，工藝流程是：成膜前清洗→3層CVD（SiNx，a-Si：H，n+a-Si）→3層后清洗→涂膠→曝光→顯影→顯影后檢查→干法刻蝕→刻蝕后檢查→去膠。 3）第三次光刻源漏電極，工藝流程是：濺射前清洗→MoAlMo濺射→MoAlMo后清洗→涂膠→曝光→顯影→顯影后檢查→MoAlMo濕刻→刻蝕后檢查→n+切斷PE刻蝕→刻蝕后檢查→去膠。 4）第四次鈍化層及過(guò)孔，工藝流程是：P-SiN前清洗→P-SiNCVD→涂膠→曝光→顯影→顯影后檢查→P-SiN?PE干法刻蝕→刻蝕后檢查→去膠。 5）第五次像素電極，工藝流程是：濺射前清洗→ITO濺射→ITO后清洗→涂膠→曝光→顯影→顯影后檢查→ITO濕刻→刻蝕后檢查→去膠→退火→陣列終檢→激光修復(fù)。 25.參考答案:COF工藝更適合制作精細(xì)線路。COF工藝與傳統(tǒng)的窄帶驅(qū)動(dòng)IC自動(dòng)邦定的TAB工藝非常相似。由于TAB工藝要制作懸空引線，在目前線間距非常細(xì)、高引線密度的情況下，這種極細(xì)的懸空引線由于強(qiáng)度不夠很容易變形甚至折斷。COF工藝沒(méi)有這方面的問(wèn)題，可以將線寬及間距做到非常精細(xì)，可以做到35μm的線距。第2卷參考答案一.參考題庫(kù)1.參考答案:漏光是黑色顯示時(shí)有不同程度的光透過(guò)的現(xiàn)象。常黑模式TN型液晶顯示器不加電壓下為黑態(tài)。入射的線偏振光，在扭曲的液晶分子作用下產(chǎn)生雙折射，導(dǎo)致通過(guò)液晶層的偏振光的光程差△n?d不同，引起不同程度的漏光，無(wú)法得到全黑色。2.參考答案:邊框膠是為了使TFT基板和CF基板緊密粘合。銀點(diǎn)膠用于連接TFT基板和CF基板的共用電極（COM電極），使CF基板上的ITO電極導(dǎo)通。3.參考答案:各種類型的液晶材料基本都用于開(kāi)發(fā)液晶顯示器。如向列相液晶顯示器、聚合物分散液晶顯示器、雙（多）穩(wěn)態(tài)液晶顯示器、鐵電液晶顯示器和反鐵電液晶顯示器等。在多種液晶顯示器中，開(kāi)發(fā)最成功、市場(chǎng)占有量最大、發(fā)展最快的是向列相液晶顯示器。 不可以互換。因?yàn)轱@示原理不一樣，結(jié)構(gòu)和參數(shù)設(shè)計(jì)都不一樣，所以不可以互換。4.參考答案:PI印刷后溶劑尚未揮發(fā)完全，PI的分子仍是聚酰亞胺酸。經(jīng)預(yù)固化均勻地?fù)]發(fā)薄膜內(nèi)的部分溶劑，聚酰亞胺酸轉(zhuǎn)變?yōu)榫埘啺繁∧?。?jīng)主固化完全轉(zhuǎn)變?yōu)榫埘啺繁∧ぁ?.參考答案:1）第一次光刻有源島； 2）第二次光刻?hào)艠O； 3）第三次光刻n-區(qū)和n+區(qū)摻雜； 4）第四次光刻p+區(qū)摻雜； 5）第五次光刻過(guò)孔及第六次光刻源漏電極； 6）第七次光刻金屬M(fèi)3層和第八次光刻過(guò)孔 7）第九次光刻像素電極。 技術(shù)關(guān)鍵是第三次光刻采用SiNx等材料作為溝道保護(hù)層，而在頂柵結(jié)構(gòu)中用柵極圖形自對(duì)準(zhǔn)掩膜部分阻擋摻雜。首先利用涂膠曝光顯影后形成光刻膠的圖形。光刻膠的圖形覆蓋n溝道TFT的溝道區(qū)域和Los區(qū)、驅(qū)動(dòng)部分p溝道TFT的有源島區(qū)域。用磷烷（PH3）通過(guò)離子摻雜（或離子注入）摻入磷P，除光刻膠覆蓋區(qū)域外形成了磷摻雜區(qū)域，摻雜濃度為1017~1018cm-3，為輕摻雜的電子導(dǎo)電的n-區(qū)。去膠后用柵極做掩膜，再進(jìn)行磷摻雜。有源島的Los區(qū)域輕摻雜了磷，而有源島的源區(qū)和漏區(qū)第二次摻雜磷后，形成重?fù)诫s區(qū)，摻雜濃度變?yōu)?020~1021cm-3。有源島形成了三種狀態(tài)，重?fù)诫s的電子導(dǎo)電區(qū)n+區(qū)、部分輕摻雜的n-區(qū)和未摻雜的多晶硅溝道區(qū)。輕摻雜的n-區(qū)主要用于形成LDD結(jié)構(gòu)的Los區(qū)。重?fù)诫s的n+區(qū)主要用于作n溝道TFT的源區(qū)和漏區(qū)。6.參考答案:由玻璃基板、彩色層、黑矩陣、保護(hù)層、及ITO共用電極組成。玻璃基板為彩膜的載體。利用彩膜三基色混色原理來(lái)實(shí)現(xiàn)彩色顯示。黑矩陣有兩個(gè)作用：一是分割各種顏色層提高對(duì)比度，防止混色和像素間串色；二是起遮光的作用，遮擋TFT防止光照產(chǎn)生光生電流，引起薄膜晶體管關(guān)態(tài)電流增大的問(wèn)題。保護(hù)層用來(lái)保護(hù)彩色層、增加表面的平滑性、作為黑矩陣與透明電極ITO層的絕緣層，以及隔離液晶和防止污染。ITO共用電極是液晶顯示器的一個(gè)電極，與陣列基板的像素電極構(gòu)成正負(fù)極驅(qū)動(dòng)液晶分子旋轉(zhuǎn)。7.參考答案:彈性常數(shù)和旋轉(zhuǎn)的粘度決定著液晶的響應(yīng)時(shí)間和閾值電壓的主要因數(shù)；介電各向異性決定著液晶在電場(chǎng)下是p型還是n型的特性，大的介電常數(shù)可以降低閾值電壓；光學(xué)各向異性決定著液晶的光學(xué)性質(zhì)；閾值電壓決定著在低功耗下的工作范圍。8.參考答案:多點(diǎn)觸屏是一種用戶可以通過(guò)多個(gè)手指同時(shí)對(duì)屏幕的應(yīng)用控制輸入技術(shù)。特點(diǎn)是： 1）在同一屏幕上能夠?qū)崿F(xiàn)多點(diǎn)或多用戶的操作，更加方便快捷； 2）用戶也可以進(jìn)行單點(diǎn)觸摸，通過(guò)單雙擊、按壓、滾動(dòng)等不同觸摸方式，實(shí)現(xiàn)隨心所欲的操控，方便對(duì)錄像、圖片、三維立體等信息進(jìn)行全面的了解； 3）可以根據(jù)相應(yīng)的要求來(lái)制定合適的觸控面板、觸控軟件、觸控系統(tǒng)等，也可以和專業(yè)圖形軟件配合使用。9.參考答案:非晶硅材料的特點(diǎn)： 1）非晶硅材料長(zhǎng)程無(wú)序，短程有序； 2）配位數(shù)相同，非晶硅的鍵長(zhǎng)和鍵角略有改變； 3）非晶硅中存在一些缺陷。 非晶硅是弱n型半導(dǎo)體。10.參考答案:PVA技術(shù)屬于常黑模式的液晶顯示器，不加電場(chǎng)下，屏幕為黑色。在生產(chǎn)制作中，如果有一個(gè)TFT壞點(diǎn)，也同樣不會(huì)產(chǎn)生“亮點(diǎn)”，大大降低了液晶顯示器面板出現(xiàn)“亮點(diǎn)”的可能性。 MVA技術(shù)、VA技術(shù)等。11.參考答案:TFT器件中主要的半導(dǎo)體現(xiàn)象是電導(dǎo)現(xiàn)象。 在電場(chǎng)的作用下載流子會(huì)定向地運(yùn)動(dòng)，導(dǎo)電能力由電導(dǎo)率決定。電導(dǎo)率反映半導(dǎo)體材料導(dǎo)電能力的物理量，又由載流子密度和遷移率來(lái)決定。非晶硅半導(dǎo)體材料沒(méi)有進(jìn)行摻雜，載流子密度很低。因此，決定薄膜晶體管性質(zhì)的主要參數(shù)是遷移率。 從半導(dǎo)體的角度應(yīng)該提高遷移率，降低載流子濃度，或者降低暗電導(dǎo)率。12.參考答案:非晶硅材料的特點(diǎn)決定了非晶硅在載流子導(dǎo)電上與單晶硅不同。 1）非晶硅中費(fèi)米能級(jí)通常是“釘扎”在帶隙中，不隨摻雜而變化，也基本上不隨溫度變化； 2）非晶硅的遷移率比單晶硅低2~3個(gè)數(shù)量級(jí)； 3）非晶硅在氫化后，禁帶寬度將隨著氫化程度的不同可在1.2~1.8eV之間變化，而單晶硅具有確定的禁帶寬度； 4）非晶硅存在擴(kuò)展態(tài)、帶尾局域態(tài)、帶隙中的缺陷態(tài)，這些狀態(tài)中的電子都可能對(duì)導(dǎo)電有貢獻(xiàn)； 5）非晶硅的光吸收邊有很長(zhǎng)的拖尾，而單晶硅的光吸收邊很陡。13.參考答案:存儲(chǔ)電容由兩個(gè)并聯(lián)的存儲(chǔ)電容相疊構(gòu)成，一個(gè)存儲(chǔ)電容Cs1為源漏金屬M(fèi)2和金屬層M3，中間夾著的SiNx介質(zhì)層構(gòu)成；另一個(gè)存儲(chǔ)電容Cs2由金屬層M3和像素電極ITO，中間夾著的第三介質(zhì)層構(gòu)成。液晶像素電容Clc由陣列基板的像素電極ITO和彩膜基板上的共用電極構(gòu)成，中間夾著液晶材料構(gòu)成。 14.參考答案:1）關(guān)態(tài)不同。TFT源和漏極處沒(méi)有形成pn結(jié)，關(guān)態(tài)電流是源漏之間的泄漏電流，主要是由非晶硅半導(dǎo)體的暗電導(dǎo)率引起的，關(guān)態(tài)電流大。而MOSFET的關(guān)態(tài)是pn結(jié)的零偏狀態(tài)或反偏狀態(tài)，關(guān)態(tài)電流小。 2）源極和漏極沒(méi)有正負(fù)之分。TFT源極和漏極，正常工作情況下沒(méi)有正負(fù)之分；而MOSFET為保證pn的反向偏置，有嚴(yán)格的源漏電極正負(fù)之分。 3）表面導(dǎo)電層狀態(tài)不同。當(dāng)柵極加正壓達(dá)到一定程度時(shí)，TFT溝道積累電子形成n型導(dǎo)電溝道。源漏電極之間加上電壓，就會(huì)有電流在源漏電極之間流動(dòng)。因此，TFT是n型半導(dǎo)體能形成n型導(dǎo)電溝道，是積累層導(dǎo)電而不是反型層導(dǎo)電。MOSFET是反型層導(dǎo)電，n型襯底形成了p型導(dǎo)電溝道。15.參考答案:當(dāng)柵極上不加電壓或加負(fù)電壓時(shí)，在源到漏之間溝道沒(méi)有形成，TFT處于關(guān)態(tài)。當(dāng)柵極施加正電壓到足夠大，在絕緣層與a-Si：H層的界面附近，非晶硅半導(dǎo)體一側(cè)感應(yīng)出等量異號(hào)的負(fù)電荷形成電子的積累，形成導(dǎo)電溝道。當(dāng)施加漏源加電壓時(shí)就會(huì)有電流從溝道流動(dòng)。16.參考答案:高分子PLED具有制備簡(jiǎn)單、成本低廉以及聚合物薄膜能夠彎曲等特點(diǎn)，壽命已可達(dá)幾萬(wàn)小時(shí)。但高分子聚合物的純度不易提高，在亮度和彩色方面不及小分子OLED。小分子OLED工藝較成熟，良率高，率先走在新一代顯示的前列。17.參考答案:黑矩陣光刻→彩色層（R、G、B）分別光刻→形成保護(hù)層→形成ITO共用電極→檢查。18.參考答案:1）凸起物不同，MVA技術(shù)的上、下基板上間隔分布著三角棱狀的凸起物，經(jīng)垂直取向后，液晶分子在凸起物表面附近及上下基板表面上垂直取向。PVA技術(shù)直接改變了液晶顯示器單元像素結(jié)構(gòu)，采用透明的ITO層代替MVA中的凸起物，具有更好的開(kāi)口率、高的顯示亮度，最大限度減少背光源的浪費(fèi)。 2）電極結(jié)構(gòu)不同，MVA技術(shù)的下基板上形成像素電極，光刻出像素電極的形狀，而上基板的ITO電極是一個(gè)整面的結(jié)構(gòu)，不需要光刻出圖形。PVA型液晶顯示器上基板的ITO電極，不再是一個(gè)完整的ITO薄膜，而是光刻出一道道平行的縫隙。19.參考答案:色調(diào)是指在物體反射的光線中以哪種波長(zhǎng)占優(yōu)勢(shì)來(lái)決定的，不同波長(zhǎng)產(chǎn)生不同顏色的感覺(jué)。色調(diào)是彩色最重要的特征，它決定了顏色本質(zhì)的基本特征。 顏色的飽和度是指一個(gè)顏色的鮮明程度。飽和度是顏色色調(diào)的表現(xiàn)程度，它取決于表面反射光的波長(zhǎng)范圍的狹窄性（即純度）。在物體反射光的組成中，白色光越少，則它的色彩飽和度越大。 明度是指刺激物的強(qiáng)度作用于眼睛所發(fā)生的效應(yīng)，它的大小是由物體反射系數(shù)來(lái)決定的，反射系數(shù)越大，則物體的明度越大，反之越小。明度是人眼直接感受到的物體明亮程度，可描寫(xiě)人眼主觀亮度感覺(jué)。20.參考答案:21.參考答案:22.參考答案:1）可以得到紅、藍(lán)、綠三色的OLED器件，也可以實(shí)現(xiàn)OLED的全彩色化顯示； 2）將能量轉(zhuǎn)移給熒光效率更強(qiáng)的客體發(fā)光材料，可以增加整個(gè)OLED器件的發(fā)光效率； 3）通過(guò)選擇合適的客體材料，可以增加OLED器件的壽命。23.參考答案:電流復(fù)制型驅(qū)動(dòng)原理可以分為兩步信號(hào)電流寫(xiě)入和復(fù)制發(fā)光兩步，以p溝道TFT為例。信號(hào)電流寫(xiě)入階段，信號(hào)線輸入信號(hào)電流，同時(shí)要將驅(qū)動(dòng)管T4流過(guò)的信號(hào)電流相應(yīng)的柵源電壓VGS，存儲(chǔ)在儲(chǔ)存電容里；重新復(fù)制一樣或成比例的電流流過(guò)OLED發(fā)光。電流鏡驅(qū)動(dòng)原理也是分為兩個(gè)過(guò)程，信號(hào)電流寫(xiě)入、復(fù)制發(fā)光。24.參考答案:存儲(chǔ)電容在有源矩陣液晶顯示中有兩個(gè)作用： 1）維持液晶像素保持一幀的時(shí)間； 2）減少和消除圖像閃爍。25.參考答案:PE刻蝕和RIE刻蝕在設(shè)備結(jié)構(gòu)上的不同，使得兩者的刻蝕特性不同。PE設(shè)備的上電極與電容耦合器及RF電源相連，而基板在下電極上，輝光放電區(qū)產(chǎn)生在距離基板很近的區(qū)域，等離子體離基板很近，轟擊能量小，物理作用弱。RIE刻蝕設(shè)備的RF電源與下電極相連，基板也放在下電極上，輝光放電區(qū)產(chǎn)生在距離基板很遠(yuǎn)的上電極附近，等離子體離基板很遠(yuǎn)。陰極電壓下降進(jìn)一步增強(qiáng)了電場(chǎng)，轟擊能量加大。因此，在RF電場(chǎng)的作用下物理作用強(qiáng)。第3卷參考答案一.參考題庫(kù)1.參考答案:一般采用多層薄膜疊加的柵絕緣膜，還有許多采用連續(xù)生長(zhǎng)的辦法。還有在兩層絕緣膜之間加清洗的方法。2.參考答案:ODF工藝是用液晶滴下機(jī)滴入液晶，可以形成均一的液晶屏。滴下液晶后，在真空中把涂布有邊框膠、滴有高精度量液晶的基板和均勻散布隔墊物的基板，通過(guò)高精度的對(duì)位后貼合在一起，再經(jīng)過(guò)UV照射和加熱固化邊框膠、液晶再取向等工藝技術(shù)形成液晶屏。3.參考答案:ODF工藝是用液晶滴下機(jī)滴入液晶，可以形成均一的液晶屏。滴下液晶后，在真空中把涂布有邊框膠、滴有高精度量液晶的基板和均勻散布隔墊物的基板，通過(guò)高精度的對(duì)位后貼合在一起，再經(jīng)過(guò)UV照射和加熱固化邊框膠、液晶再取向等工藝技術(shù)形成液晶屏。對(duì)于5代線以上的生產(chǎn)線的大型玻璃尺寸更實(shí)用。液晶滴填充的方法，時(shí)間短、效率高。4.參考答案:5.參考答案:在不加驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)（off態(tài)），來(lái)自光源的自然光經(jīng)過(guò)上偏振片后只剩下平行于透光軸的線偏振光。線偏振光射入液晶層。液晶層內(nèi)的液晶分子，由于上下基板表面取向?qū)拥淖饔?，從上到下剛好扭?0°。光在傳播中，偏振方向隨液晶分子扭曲結(jié)構(gòu)同步旋轉(zhuǎn)。光到達(dá)下偏振片時(shí)，偏振面剛好旋轉(zhuǎn)了90°，正好與另一片偏振片的光軸平行，光可以透過(guò)，呈現(xiàn)亮態(tài)。 在施加足夠電壓時(shí)（on態(tài)），由于正性液晶的介電各向異性和電場(chǎng)的相互作用，液晶分子扭曲結(jié)構(gòu)解體，液晶分子長(zhǎng)軸平行于電場(chǎng)方向，線偏振光的偏振方向在盒中傳播時(shí)不再旋轉(zhuǎn)，保持原來(lái)偏振方向到達(dá)下偏振片。正好與下偏振片的光軸正交，無(wú)光輸出，呈現(xiàn)暗態(tài)。 當(dāng)一些像素透光，而另一些像素不透光，就會(huì)顯示出明暗不同的圖像。6.參考答案:面臨的問(wèn)題主要有：1）材料穩(wěn)定性和壽命問(wèn)題；2）驅(qū)動(dòng)技術(shù)問(wèn)題；3）成本問(wèn)題；4）設(shè)備制造問(wèn)題。另外，噴墨打印技術(shù)、彩色化技術(shù)還需進(jìn)一步研究，設(shè)備也需要進(jìn)一步改進(jìn)。7.參考答案:一般為2-3層，4-9um，熒光粉呈弱電性。8.參考答案:優(yōu)點(diǎn)是光刻次數(shù)少，材料成本低，工藝節(jié)拍短；缺點(diǎn)是刻蝕選擇比小，a-Si：H層相應(yīng)要做得厚些，一般為1500~2000?，工藝難度大，厚度控制要求嚴(yán)格。9.參考答案:在FFS技術(shù)中兩個(gè)電極都是透明的ITO電極，電極間距小。電極間的距離L小于液晶屏的盒厚d和電極寬度w。加電壓時(shí)整個(gè)液晶屏內(nèi)的電場(chǎng)線呈拋物線形狀。電極上方有電場(chǎng)的水平分量，又有電場(chǎng)的垂直分量，液晶分子也可以旋轉(zhuǎn)，從而增大了開(kāi)口率，提高了液晶屏的透光率。10.參考答案:液晶中快態(tài)離子在電場(chǎng)作用下引起離子的傳輸，導(dǎo)致在相對(duì)低的頻率下光傳輸中圖像的閃爍，獲得錯(cuò)誤的灰度級(jí)。11.參考答案:液晶顯示器主要分為無(wú)源矩陣和有源矩陣液晶顯示器。無(wú)源矩陣液晶顯示器又包括TN、STN、HTN、FSTN、ECB、鐵電液晶、Ch-N相轉(zhuǎn)變模式等液晶顯示器。有源矩陣液晶顯示器又包括二端子和三端子器件兩類。二端子器件有MIM、MSI（SiNx硅氧化膜）、DR、BTB二極管、Pin二極管/（a-Si）等。三端子器件主要有MOSFET和TFT，TFT有非晶硅a-SiTFT、多晶硅p-SiTFT、氧化物ZnOTFT、化合物CdSeTFT，CdSTFT、有機(jī)TFT（OTFT）等。 12.參考答案:1）材料廣泛； 2）能耗低； 3）成本低； 4）厚度薄，重量輕； 5）響應(yīng)速度快； 6）可實(shí)現(xiàn)柔性顯示。13.參考答案:柵極與柵線相連，源極與信號(hào)線相連，漏極與像素電極相連。陣列基板上的像素電極和彩膜基板上的共用電極，形成了液晶材料兩端的電極。液晶屏的像素電極部分等效于一個(gè)電容Clc。同時(shí)，像素電極與柵極同時(shí)制作出來(lái)的存儲(chǔ)電容電極之間隔著絕緣膜構(gòu)成了存儲(chǔ)電容Cs，與液晶電容Clc并聯(lián)。因此，有源矩陣液晶顯示器的一個(gè)單元像素等效為一個(gè)晶體管開(kāi)關(guān)，連接兩個(gè)并聯(lián)液晶電容Clc與存儲(chǔ)電容Cs的等效電路。 14.參考答案:激光光閥顯示由液晶盒、激光尋址組件、光源部分、屏幕四部分組成。?顯示原理可以分為四個(gè)過(guò)程： 1）激光束尋址，激光器發(fā)出的激光經(jīng)調(diào)制后照射到分束鏡上，聚焦后投射到液晶盒上。 2）液晶分子的光學(xué)參數(shù)發(fā)生改變。光學(xué)參數(shù)與附近沒(méi)有受到激光照射部分的近晶相不同，被激光投射的部分呈現(xiàn)出液體的光散射狀態(tài)，沒(méi)有被激光束投射到的液晶分子仍保持垂直表面取向的透明結(jié)構(gòu)。光源的光透射狀態(tài)不一樣，因此控制激光束的掃描，在整個(gè)畫(huà)面上形成為穩(wěn)定的光散射部分和光透過(guò)部分，顯示出相應(yīng)的圖像。 3）圖像保持，激光束尋址掃描到下一點(diǎn)時(shí)，剛剛掃描的點(diǎn)液晶溫度開(kāi)始下降，又出現(xiàn)相變過(guò)程。在降溫相變過(guò)程中，形成了一種光散射的焦錐結(jié)構(gòu)，會(huì)一直保持圖像到下一次激光照射掃描，也就是可以保持一幀的畫(huà)面，類似有源矩陣液晶顯示器中存儲(chǔ)電容的功能。 4）擦除過(guò)程，在液晶盒內(nèi)的透明電極上施加高于液晶分子閾值電壓的電場(chǎng)，迫使液晶分子恢復(fù)到初始的透明狀態(tài)，為圖像的擦除過(guò)程。15.參考答案:金屬M(fèi)o薄膜起到光熱轉(zhuǎn)換的作用，使薄膜晶化為微晶硅薄膜。晶化后進(jìn)行金屬M(fèi)O層的光刻形成源漏電極。 制作工藝流程是先進(jìn)行有源島位置處的Mo島和Mo柵線的光刻，再濺射AlNd金屬及光刻AlNd柵線。保證了金屬線的低電阻率，又可以獲得穩(wěn)定、高結(jié)晶度的微晶硅薄膜，還能降低缺陷提高成品率。16.參考答案:關(guān)鍵的TFT性能要求是： 1）更高的遷移率。對(duì)AMOLED顯示，要求陣列基板的驅(qū)動(dòng)TFT有較大的電流流過(guò)的能力，也就是要求TFT具有更高的開(kāi)態(tài)電流。在適合的開(kāi)關(guān)比下，要有更高的載流子遷移率，一般需要≥1cm2/Vs，最好達(dá)到5cm2/Vs以上； 2）更高的均勻性和穩(wěn)定性。為保證顯示效果，需要控制流過(guò)每一個(gè)OLED器件電流的均勻性和穩(wěn)定性。因此，要求陣列基板上不同區(qū)域內(nèi)的TFT特性具有更高的均勻性和穩(wěn)定性。穩(wěn)定性一般要求閾值電壓的偏移△VTH<1V。17.參考答案:背曝光是一種自對(duì)準(zhǔn)的光刻工藝，不需要掩膜版，利用柵線和柵極的金屬圖形做掩膜進(jìn)行曝光的工藝。柵線、柵極、存儲(chǔ)電容等有金屬薄膜的地方上面的光刻膠都沒(méi)有曝光，其他沒(méi)有遮擋的地方都被背曝光的紫外光照到，光刻膠的性質(zhì)發(fā)生改變。需要再用一次曝光，利用掩膜版掩膜把柵線和存儲(chǔ)電容上面的光刻膠被一次曝光的紫外光照射到，留下阻擋層圖像。 為了形成精確對(duì)準(zhǔn)且能夠恰好在柵極上面的i/sSiNx阻擋層小圖形，采用連續(xù)兩次曝光，先背面曝光再一次曝光相結(jié)合的光刻工藝。僅采用一次曝光，對(duì)版精度和圖形的大小都要受到限制，工藝難度大。18.參考答案:彩色PDP利用調(diào)節(jié)維持脈沖個(gè)數(shù)的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)多灰度級(jí)顯示。對(duì)于表面放電型彩色PDP，通常采用尋址與顯示分離（ADS）的子場(chǎng)驅(qū)動(dòng)方法。在顯示一幅圖像時(shí)，是在一場(chǎng)時(shí)間內(nèi)順序掃描尋址各顯示行，然后整屏所有顯示單元同時(shí)維持顯示。 ADS實(shí)現(xiàn)多灰度顯示的原理是將某一種顏色的電平信號(hào)量化為n位數(shù)據(jù)，對(duì)顯示數(shù)據(jù)按位進(jìn)行顯示，每位的顯示期的維持放電時(shí)間長(zhǎng)度，即發(fā)光脈沖個(gè)數(shù)和該位的權(quán)重相關(guān)聯(lián)，權(quán)重越大，該顯示期的發(fā)光脈沖個(gè)數(shù)越多，反之，則發(fā)光脈沖個(gè)數(shù)越少。這樣，各位顯示的亮度也就不同，一位的顯示時(shí)間稱為一個(gè)子場(chǎng)。每個(gè)子場(chǎng)包括準(zhǔn)備期、尋址期和維持顯示期。通過(guò)不同子場(chǎng)的點(diǎn)亮的組合可以實(shí)現(xiàn)多灰度級(jí)的顯示。19.參考答案:1）操作新奇，電容式觸摸屏支持多點(diǎn)觸控，操作更加直觀、更具趣味性； 2）不易誤觸，電容式觸摸屏只感應(yīng)人體的電流，只有人才能進(jìn)行操作，