1+X集成電路理論知識模擬題含答案

1+X集成電路理論知識模擬題含答案

1、重力式分選機進行芯片檢測時，如果出現(xiàn)上料槽無料管，應(yīng)采取（）的

處理方式。

A、人工加待測料管

B、人工換料管

C、人工加空料管

D、人工將卡料取出

答案：A

重力式分選機進行芯片檢測時，如果出現(xiàn)上料槽無料，需要人工加待測料

管。

2、探針臺上的（）處于（）狀態(tài)時不能進行其他操作，容易引起探針臺死機,

導(dǎo)致晶圓撞擊探針測試卡。

A、紅色指示燈、亮燈

B、指示燈、亮燈

C、綠色指示燈、亮燈

D、紅色指示燈、滅燈

答案：B

探針臺上的指示燈處于亮燈狀態(tài)時不能進行其他操作，容易引起探針臺死

機，導(dǎo)致晶圓撞擊探針測試卡。其中紅色指示燈表示下降，綠色指示燈表示上

升，當至少有一盞指示燈處于亮燈狀態(tài)時不能進行其他操作。

3、以下選項中切筋與成型步驟模具運動順序正確的是（）。

A、模具下壓一成型沖頭下壓一切模一框架進料一管腳成型

B、框架進料一成型沖頭下壓一切模一模具下壓一管腳成型

C、模具下壓一框架進料一切模一成型沖頭下壓一管腳成型

D、框架進料一模具下壓一切模一成型沖頭下壓一管腳成型

答案：D

略

4、晶圓檢測工藝中，在進行烘烤之后，需要進行的操作是（）。

A、真空入庫

B、扎針測試

C、打點

D、外檢

答案：D

晶圓檢測工藝流程：導(dǎo)片一上片一加溫、扎針調(diào)試一扎針測試一打點一烘

烤f外檢一真空入庫。

5、“6s”的管理方式相較于“5s”，多的一項內(nèi)容是()。

A、整理

B、整頓

C、清潔

D、安全

答案：D

5s即整理、整頓、清掃、清潔、素養(yǎng)。6s管理是5s的升級，6s即整理、

整頓、清掃、清潔、素養(yǎng)、安全(SECURITY)。

6、重力式分選機進行芯片檢測時，芯片測試完成后，下一個環(huán)節(jié)需要進行

()操作。

A、上料

B、分選

C、外觀檢查

D、真空入庫

答案：B

重力式分選機設(shè)備芯片檢測工藝的操作步驟一般為：上料一測試一分選一

外觀檢查f真空包裝。

7、添加連線時，在先的起點處()鼠標，移動光標，在線的終點()鼠標

完成連線繪制。

A、單擊、單擊

B、單擊、雙擊

C、雙擊、單擊

D、雙擊、雙擊

答案：B

8、若進行打點的晶圓規(guī)格為5英寸，應(yīng)選擇的墨盒規(guī)格為？()

A、5mil

B、8mil

C、lOmil

D、30mil

答案：A

9、避光測試是通過顯微鏡觀察到待測點位置、完成扎針位置的調(diào)試后，用

()遮擋住晶圓四周，完全避光后再進行測試。

A、氣泡膜

B、不透明袋

C、黑布

D、白布

答案：C

避光測試是通過顯微鏡觀察到待測點位置、完成扎針位置的調(diào)試后，用一

塊黑布遮擋住晶圓四周，完全避光后再進行測試。

10、植球時，球和焊盤金屬形成冶金結(jié)合，此時形成的焊點為（）0

A、第一焊點

B、第二焊點

C、第三焊點

D、芯片焊點

答案：A

劈刀下降到芯片焊點表面，加大壓力和功率，使球和焊盤金屬形成冶金結(jié)

合，形成第一焊點。

11、電鍍工序中完成前期清洗后，下一步操作是（）

A、裝料

B、高溫退火

C、電鍍

D、后期清洗

答案：C

電鍍流程：裝料f前期清洗一電鍍槽電鍍f后期清洗一高溫退火。

12、LK32Tl02最大支持（）個I/O端口。

A、36

B、48

C、64

D、72

答案：B

13、在電子產(chǎn)品測試中需保證測試環(huán)境穩(wěn)定，其中測試環(huán)境是指（）0

A、硬件環(huán)境（硬件配置一致）

B、軟件環(huán)境（軟件版本一致）

C、使用環(huán)境（周圍環(huán)境對測試的影響）

D、以上都是

答案：D

14、編帶檢查完后，需要以最小內(nèi)盒數(shù)為單位拆批打印標簽，一式（）份。

A、1

B、2

C、3

D、4

答案：C

編帶檢查完后，需要以最小內(nèi)盒數(shù)為單位拆批打印標簽，一式三份。

15、()可以實現(xiàn)探針測試卡的探針和晶圓的每個晶粒上的測試模塊之間一

一對應(yīng)。

A、測試機

B、探針臺

C、塑封機

D、真空包裝機

答案：B

探針臺可以實現(xiàn)探針測試卡的探針和晶圓的每個晶粒上的測試模塊之間一

一對應(yīng)。

16、清洗是晶圓制程中不可缺少的環(huán)節(jié)，使用SCT清洗液進行清洗時，可

以去除的物質(zhì)是Oo

A、光刻膠

B、顆粒

C、金屬

D、自然氧化物

答案：B

17、自定義元件庫需與原理圖文件放在同一()中。

A、Message

B、Project

C、Navigator

D>Target

答案：B

18、化學(xué)機械拋光中，拋光液的作用是()。

A、與硅片表面材料反應(yīng),變成可溶物質(zhì)或?qū)⒁恍┯捕冗^高的物質(zhì)軟化

B、向拋光墊施加壓力

C、將反應(yīng)生成物從硅片表面卻除

D、清洗硅片

答案：A

硅片固定在拋光盤上后，拋光盤和裝有拋光墊的旋轉(zhuǎn)盤開始旋轉(zhuǎn)，同時噴

淋拋光液；然后拋光盤向拋光墊施加壓力，此時拋光液在硅片和拋光墊之間流

動，拋光液中的物質(zhì)與硅片表面材料反應(yīng)，變?yōu)榭扇芪镔|(zhì)或?qū)⒁恍┯捕冗^高的

物質(zhì)軟化；通過研磨作用將反應(yīng)生成物從硅片表面去除，進入流動的液體排出。

19、編帶完成外觀檢查后，需要進入()環(huán)節(jié)。

A、編帶

B、上料

C、測試

D、真空包裝

答案：D

轉(zhuǎn)塔式分選機設(shè)備芯片檢測工藝的操作步驟一般為：上料一測試一編帶一

外觀檢查一真空包裝。

20、單晶硅生長完成后，需要進行質(zhì)量檢驗，其中熱探針法可以測量單晶

硅的()參數(shù)。

A、電阻率

B、直徑

C、少數(shù)載流子壽命

D、導(dǎo)電類型

答案：D

21、常用的干法去膠方法有()o

A、溶劑去膠

B、氧化劑去膠

C、等離子去膠

D、介質(zhì)去膠

答案：C

常用的去膠方法有溶劑去膠、氧化劑去膠、等離子去膠，其中干法去膠的

方法為等離子去膠。

22、選擇集成電路的關(guān)鍵因素主要包括()o

A、性能指標

B、工作條件

C、性價比

D、以上都是

答案：D

23、平移式分選機設(shè)備分選環(huán)節(jié)的流程是：()。

A、分選一吸嘴吸取芯片~收料

B、吸嘴吸取芯片一分選一收料

C、吸嘴吸取芯片一收料一分選

D、分選f收料一吸嘴吸取芯片

答案：B

平移式分選機設(shè)備測試環(huán)節(jié)的流程是：吸嘴吸取芯片f分選~收料。

24、以全自動探針臺為例，關(guān)于上片的步驟，下列所述正確的是：（）。

A、打開蓋子一花籃放置一花籃下降一花籃到位一花籃固定一合上蓋子

B、打開蓋子一花籃放置一花籃到位一花籃下降一花籃固定一合上蓋子

C、打開蓋子一花籃放置一花籃下降一花籃固定一花籃到位一合上蓋子

D、打開蓋子一花籃放置一花籃固定一花籃下降一花籃到位一合上蓋子

答案：D

以全自動探針臺為例，上片的步驟為：打開蓋子一花籃放置一花籃固定一

花籃下降一花籃到位f合上蓋子。

25、芯片檢測工藝中，進行管裝包裝時，將真空包裝的編帶盤放入內(nèi)盒、

合上蓋子后，需要在內(nèi)盒的封口邊（）處貼上“合格”標簽。

A、左側(cè)

B、右側(cè)

C、中央

D、任意位置

答案：C

26、一般情況下，待編至（）顆時，需更換卷盤，并在完成編帶的卷盤上貼

上小標簽，便于后期識別。

A、2000

B、4000

C、6000

D、8000

答案：B

一般情況下，待編至4000顆左右時，需要更換卷盤，即一盤編帶一般裝有

4000顆的芯片。

27、下列描述錯誤的是（）。

A、重力式分選機可分為并行測試和串行測試

B、并行測試一般是進行單項測試（可根據(jù)測試卡的數(shù)量進行1site/2

sites/4sites測試），適用于普通DIP/SOP封裝的芯片

C、串行測試一般是進行多項測試，適用于DIP24/DIP27等模塊電路

D、并行測試時模塊電路依次進行不同電特性參數(shù)的測試

答案：D

28、在版圖設(shè)計過程中，N-MOS管的源極接（）,漏極接（）,P-MOS管的

源極接（），漏極接Oo

A、地、高電位、GND、低電位

B、電源、高電位、GND、低電位

C、地、高電位、GND、高電位

D、地、高電位、電源、低電位

答案：A

29、通常情況下，一個內(nèi)盒中裝入的DIP管裝芯片（）顆。

A、3000

B、1000

C、5000

D、2000

答案：D

一般情況下，一個內(nèi)盒中裝入的DIP管裝芯片2000顆。

30、模擬芯片常見參數(shù)測試輸入失調(diào)電壓，指在差分放大器或差分輸入的

運算放大器中，為了在輸出端獲得恒定的零電壓輸出，而需（）。

A、在兩個輸入端所加的直流電壓之差

B、在兩個輸入端所加的交流電壓之差

C、在兩個輸入端所加的直流電壓之和

D、在兩個輸入端所加的直流電壓之積

答案：A

31、芯片測試工藝中進行S0P8芯片的編帶包裝時，一個內(nèi)盒中通常裝有（）

盤真空包裝完的編帶。

A、1

B、2

C、3

D、4

答案：B

32、在進行料盤真空包裝時，需要在（）上進行。

A、平移式分選機

B、真空包裝機

C、測試機

D、高溫烘箱

答案：B

在進行料盤真空包裝時，需要在真空包裝機上進行。

33、以全自動探針臺為例，在上片時，將花籃放在承重臺上后，下一步操

作是（）。

A、前后移動花籃，確保花籃固定在承重臺上

B、按下降的按鈕，承重臺和花籃開始下降

C、花籃下降到指定位置，下降指示燈滅

D、合上承重臺上的蓋子

答案：A

以全自動探針臺為例，上片時，將花籃放在承重臺上后，前后移動花籃，

將花籃固定在承重臺上。

34、料盤打包時，要在料盤的。個地方進行打包。

A、1

B、2

C、3

D、4

答案：C

料盤打包時，要在料盤的3個地方進行打包。

35、（）包裝形式在入庫及之后的工藝中操作方便，比較省時。

A、晶圓盒包裝

B、花籃內(nèi)盒包裝

C、防靜電鋁箔袋包裝

D、花籃外盒包裝

答案：D

花籃外盒包裝形式在入庫及之后的工藝中操作方便，比較省時。

36、重力式分選機進行芯片檢測時，測試機對芯片測試完畢后，將檢測結(jié)

果通過（）把結(jié)果傳回分選機。

A、GPIB

B、數(shù)據(jù)線

C、串口

D、VGA

答案：A

重力式分選機進行芯片檢測時，測試機對芯片測試完畢后，將芯片檢測結(jié)

果通過GPIB傳回分選機

37、用轉(zhuǎn)塔式分選機設(shè)備進行芯片檢測的第二個環(huán)節(jié)是（）。

A、編帶

B、上料

C、測試

D、外觀檢查

答案：C

轉(zhuǎn)塔式分選機設(shè)備芯片檢測工藝的操作步驟一般為：上料f測試f編帶f

外觀檢查f真空包裝。

38、編帶機光檢區(qū)檢測不合格的芯片，會從光檢區(qū)滑落至不良品料管內(nèi)；

而檢測合格的芯片，則會由（）吸取，并將其精準地放到空載帶內(nèi)，載帶內(nèi)每

放置一顆芯片便會向前傳送一格。

A、鏡子

B、吸盤

C、真空吸嘴

D、機器手臂

答案：C

39、利用高溫驅(qū)動雜質(zhì)滲透進半導(dǎo)體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是。。

A、擴散爐

B、離子注入機

C、加熱平板

D、對流烘箱

答案：A

利用高溫驅(qū)動雜質(zhì)滲透進半導(dǎo)體內(nèi)的工序為熱擴散，熱擴散采用的設(shè)備為

擴散爐。

40、載入元件庫：AltiumDesigner系統(tǒng)默認打開的元件庫有兩個：常用

分立元器件庫（）；常用接插庫（）。

A、Devices.IntLib；MiscellaneousConnectors.IntLib

B、Devices.IntLib；Connectors.IntLib

C、MiscellaneousDevices.IntLib；Connectors.IntLib

D>MiscellaneousDevices.IntLib；MiscellaneousConnectors.IntLib

答案：D

41、下列對芯片檢測描述正確的是（）。

A、集成電路測試是確保產(chǎn)品良率和成本控制的重要環(huán)節(jié)

B、所有芯片的測試、分選和包裝的類型相同

C、測試完成后直接進入市場

D、測試機分為數(shù)字測試機和模擬測試機

答案：A

42、在實現(xiàn)LED流水燈程序中主要用到了（）語句。

A、順序

B、條件

C、掃描

D、循環(huán)

答案：D

43、關(guān)于全自動探針臺扎針調(diào)試的步驟，下列說法正確的是。。

A、輸入晶圓信息一調(diào)出檢測MAP圖一自動對焦一扎針調(diào)試

B、輸入晶圓信息一自動對焦一調(diào)出檢測MAP圖一扎針調(diào)試

C、輸入晶圓信息一自動對焦一扎針調(diào)試一調(diào)出檢測MAP圖

D、輸入晶圓信息一調(diào)出檢測MAP圖一扎針調(diào)試一自動對焦

答案：B

44、脫水烘烤是在()的氣氛中進行烘烤。

A、真空

干燥氮氣

C、真空或干燥氮氣

D、清潔的空氣

答案：C

脫水烘烤是在真空或干燥氮氣的氣氛中進行。

45、芯片檢測工藝中，在外觀檢查時發(fā)現(xiàn)料管破損，應(yīng)()。

A、繼續(xù)使用

B、及時更換

C、對破損部位進行修補

D、視情況而定

答案：B

46、引線鍵合前一道工序是()-

A、第二道光檢

B、晶圓切割

C、芯片粘接

D、晶圓清洗

答案：C

晶圓貼膜一晶圓切割一晶圓清洗一第二道光檢f芯片粘接一引線鍵合

47、封裝工藝中，在完成芯片粘接后需要進行銀漿固化，該環(huán)節(jié)在烘干箱

中進行，一般在()℃的環(huán)境下烘烤1小時。

A、150

B、175

C、200

D、225

答案：B

48、晶圓檢測工藝對環(huán)境的其中一項一一溫度的要求范圍是()℃。

A、22±3

B、20±5

C、25±3

D、20±3

答案：A

晶圓檢測工藝對環(huán)境的要求：測試車間符合10萬級潔凈區(qū)標準，溫度常年

保持在22±3℃,濕度保持在45±15吼

49、轉(zhuǎn)塔式分選機設(shè)備芯片檢測工藝流程中，上料之后的環(huán)節(jié)是()。

A、測試

B^分選

C、編帶

D、外觀檢查

答案：A

轉(zhuǎn)塔式分選機設(shè)備芯片檢測工藝的操作步驟一般為：上料一測試一編帶一

外觀檢查一真空包裝。

50、采用全自動探針臺對晶圓進行扎針調(diào)試時，若發(fā)現(xiàn)單根探針發(fā)生偏移,

則對應(yīng)的處理方式是()0

A、利用微調(diào)檔位進行調(diào)整

B、相關(guān)技術(shù)人員手動撥針，使探針移動至相應(yīng)位置

C、更換探針測試卡

D、調(diào)節(jié)扎針深度

答案：B

51、｛下國所示的內(nèi)盤是()的內(nèi)盤。｝

A、料盤

B、料管

C、編帶

D、以上都是

答案：A

該圖所示示的內(nèi)盒從上往是料盤的內(nèi)盒.

52、反應(yīng)離子刻蝕的過程簡單來說是()o

A、電離一解吸、排放一轟擊一擴散、反應(yīng)

B、轟擊一電離一擴散、反應(yīng)一解吸、排放

C、電離一擴散、反應(yīng)一轟擊一解吸、排放

D、電離一轟擊一擴散、反應(yīng)一解吸、排放

答案：D

反應(yīng)離子刻蝕時，氣體分子在反應(yīng)室內(nèi)電離出離子、電子和游離活性基

（電離），電粒子受電場加速，以較大能量垂直地射到硅片表面，進行物理轟

擊，破壞原子鍵以增強化學(xué)反應(yīng)和各向異性（轟擊），同時活性基擴散并吸附

到硅片表面，與其薄膜發(fā)生反應(yīng)，進行化學(xué)刻蝕（擴散、反應(yīng)），反應(yīng)生成氣

體離開硅片表面，通過真空泵排出（解吸、排放）。

53、芯片檢測工藝過程中一般有拼零操作，下面對拼零描述正確的是（）。

A、一個內(nèi)盒中最多有三個印章號

B、零頭電路不需要進行檢查

C、拼零時遵循“先入先出”的原則

D、每次拼零時可以對多個產(chǎn)品進行操作

答案：C

54、共模抑制比定義為放大器（）之比。

A、差模電壓的放大倍數(shù)與對共模電壓放大倍數(shù)

B、對共模電壓放大倍數(shù)與差模電壓的放大倍數(shù)

C、差模電壓的放大倍數(shù)與對共模電壓縮小倍數(shù)

D、差模電壓的縮小倍數(shù)與對共模電壓放大倍數(shù)

答案：A

55、在AltiumDesigner軟件設(shè)計完電路圖后，設(shè)計制作樣品電路需要用

到的文件是（）。

A、BOM

B、PCB

C、ICT

D、Gerber

答案：A

56、引線鍵合機內(nèi)完成鍵合的框架送至出料口的引線框架盒內(nèi)，引線框架

盒每接收完一個引線框架會（）。

A、保持不動

B、自動上移一定位置

C、自動下移一定位置

D、自動后移一定位置

答案：C

57、真空包裝時，需要在包裝盒外套上（）。

A、包裝袋

B、防靜電鋁箔袋

C、不透明塑料袋

D、海綿

答案：B

在將晶圓放入包裝盒后，一般會在包裝盒外套上防靜電鋁箔袋。

58、載帶的預(yù)留長度一般是()。

A、10-30cm

B、30-50cm

C、50-70cm

D^70-90cm

答案：c

略

59、()是使硅片上的局部區(qū)域達到平坦化。

A、平滑處理

B、部分平坦化

C、局部平坦化

D、全局平坦化

答案：C

局部平坦化是將硅片表面局部進行平坦化處理，使其達到較高的平整度。

60、利用平移式分選機進行芯片分選時，吸嘴從()上吸取芯片，然后對

芯片進行分選。

A、收料盤

B、待測料盤

C、入料梭

D、出料梭

答案：D

61、用比色法進行氧化層厚度的檢測時，看到的色彩是。色彩。

A、反射

B、干涉

C、衍射

D、二氧化硅本身的

答案：B

62、根據(jù)下列三張同一單元圖可判斷，該單元為：()o

A、圖片題

B、圖片題

C、圖片題

D、圖片題

答案：A

63、正常工作時風(fēng)淋室內(nèi)無人時，外部的。指示燈亮起。

A、紅色

B、黃色

C、綠色

D、藍色

答案：C

風(fēng)淋室內(nèi)無人時，外部的綠色指示燈亮起，進入風(fēng)淋室后關(guān)門，風(fēng)淋室自

動落鎖，外部指示燈變?yōu)榧t色，風(fēng)淋開始。

64、晶圓檢測工藝中，在進行上片之前需要進行（）操作。

A、導(dǎo)片

B、加溫、扎針調(diào)試

C、扎針測試

D、打點

答案：A

晶圓檢測工藝流程：導(dǎo)片一上片一加溫、扎針調(diào)試一扎針測試一打點一烘

烤f外檢f真空入庫。

65、平移式分選機設(shè)備分選完成后，進入（）環(huán)節(jié)。

A、上料

B、測試

C、外觀檢查

D、真空入庫

答案：C

平移式分選機設(shè)備芯片檢測工藝的操作步驟一般為：上料一測試一分選一

外觀檢查一真空包裝。

66、單晶硅生長完成后，需要進行質(zhì)量檢驗，其中不是物理性能檢驗的參

數(shù)的是（）。

A、外觀

B、晶向

C、直徑

D、電阻率

答案：D

67、下列描述錯誤的是（）。

A、轉(zhuǎn)塔式分選機分選工序依靠主轉(zhuǎn)盤執(zhí)行

B、轉(zhuǎn)塔式分選機旋轉(zhuǎn)臺每轉(zhuǎn)動一格，都會將產(chǎn)品送到各個工位

C、轉(zhuǎn)塔式分選機包括上料位、光檢位、旋轉(zhuǎn)糾姿位、功能測試位等

D、一般轉(zhuǎn)塔式分選機都需要配合編帶機使用

答案：D

68、激光打字在打標前需要調(diào)整。的位置。

A、場鏡和光具座

B、場鏡和收料架

C、顯示器和收料架

D、光具座和顯示器

答案：A

略

69、在進行編帶真空包裝時，需要在（）上進行。

A、轉(zhuǎn)塔式分選機

B、真空包裝機

C、測試機

D、高溫烘箱

答案：B

在進行編帶真空包裝時，需要在真空包裝機上進行。

70、晶圓檢測工藝對環(huán)境要求（）芯片檢測的環(huán)境要求，這是由工藝的加

工對象特性所決定的。

A、低于

B、等于

C、高于

D、時高時低時等于

答案：C

由于晶圓檢測工藝中芯片是裸露狀態(tài)，而芯片檢測工藝中芯片是非裸露狀

態(tài)，所以晶圓檢測對環(huán)境質(zhì)量要求會高于芯片檢測。

71、平移式分選機設(shè)備測試環(huán)節(jié)的流程是：（）。

A、吸取、搬運芯片一入料梭轉(zhuǎn)移芯片一壓測一記錄測試結(jié)果一搬運、吹

放芯片

B、入料梭轉(zhuǎn)移芯片一吸取、搬運芯片一壓測一記錄測試結(jié)果一搬運、吹

放芯片

C、入料梭轉(zhuǎn)移芯片一搬運、吹放芯片一壓測一記錄測試結(jié)果f吸取、搬

運芯片

D、搬運、吹放芯片一入料梭轉(zhuǎn)移芯片一吸取、搬運芯片一壓測一記錄測

試結(jié)果

答案：B

平移式分選機設(shè)備測試環(huán)節(jié)的流程是：入料梭轉(zhuǎn)移芯片一吸取、搬運芯片

一壓測一記錄測試結(jié)果一搬運、吹放芯片。

72、料盤完成外觀檢查后，需要進入()環(huán)節(jié)。

A、分選

B、上料

C、測試

D、真空包裝

答案：D

平移式分選機設(shè)備芯片檢測工藝的操作步驟一般為：上料一測試一分選一

外觀檢查-真空包裝。

73、打開安裝好的keil軟件，點擊工具欄“魔術(shù)棒”按鈕，點擊()選項,

選擇目標芯片。

A、Target

B、C/C++

C、Debug

D、Device

答案：D

74、晶圓檢測工藝中，導(dǎo)片結(jié)束后，需要進行()操作。

A、加溫、扎針調(diào)試

B、上片

C、外檢

D、扎針測試

答案：B

晶圓檢測工藝流程：導(dǎo)片一上片一加溫、扎針調(diào)試一扎針測試一打點一烘

烤一外檢一真空入庫。

75、使用重力式分選機設(shè)備進行芯片檢測時，第一環(huán)節(jié)需進行()操作。

A、上料

B、分選

C、編帶

D、外檢

答案：A

重力式分選機設(shè)備芯片檢測工藝流程：上料f測試f分選f編帶（SOP）f

外觀檢查f真空包裝。

76、晶圓進行扎針測試時，其操作步驟正確的是（）o

A、輸入晶圓信息一測試一清零一檢查扎針情況（有異常）一異常情況處

理一繼續(xù)測試一記錄測試結(jié)果

B、輸入晶圓信息一測試一檢查扎針情況（有異常）一異常情況處理一清

零->繼續(xù)測試一記錄測試結(jié)果

C、輸入晶圓信息一檢查扎針情況（無異常）一測試一清零一繼續(xù)測試一

記錄測試結(jié)果

D、輸入晶圓信息一清零一測試一檢查扎針情況（無異常）一繼續(xù)測試一

記錄測試結(jié)果

答案：D

77、LK32Tl02單片機工作頻率最高支持（）。

A、18MHz

B、36MHz

C、72MHz

D、144MHz

答案：C

78、下列關(guān)于重力式分選設(shè)備描述錯誤的是（）。

A、重力式分選機手動上料的步驟分為兩步，裝料和上料夾具夾持

B、手動裝料需要操作人員取下待測料管一端的塞釘，并將料管整齊地擺

放在操作臺

C、裝料時不需要注意芯片方向和管腳朝向

D、自動裝料減少了人工補料的次數(shù)，節(jié)省了取塞釘與擺放料管的時間，

降低了人工成本

答案：C

79、在控制LED燈的任務(wù)中，PB->0UTEN=OxOOff的意思是（）。

A、PB0~PB7設(shè)置為輸入方式

B、PB0~PB7設(shè)置為輸出方式

C、PB0~PB7設(shè)置為高電平

D、PB0~PB7設(shè)置為低電平

答案：B

80、重力式分選機進行芯片檢測時，上料的第一步是（）。

A、設(shè)置參數(shù)

B、吸取芯片

C、裝料

D、上料夾具夾持

答案：C

裝料是上料的第一步。裝料是將待測料管放入上料槽內(nèi)。裝料完成后由上

料夾具夾持上料。

81、在集成電路中，將掩膜版上的圖形位置及幾何尺寸轉(zhuǎn)移到光刻膠上的

工藝是()O

A、薄膜制備

B、光刻

C、刻蝕

D、金屬化

答案：B

在集成電路中，將掩膜版上的圖形位置及幾何尺寸轉(zhuǎn)移到光刻膠上的工藝

是光刻。

82、晶圓檢測工藝中，6英寸的晶圓進行晶圓墨點烘烤時，烘烤時長一般

為。分鐘。

A、1

B、5

C、10

D、20

答案：B

83、若采用全自動探針臺對晶圓進行扎針測試，需把承載的晶圓花籃放到

探針臺相應(yīng)位置等待檢測，假如位置放置不正確，會造成()后果。

A、探針臺死機

B、晶圓撞擊探針測試卡

C、晶圓探針錯位、破片

D、位置指示燈異常

答案：C

84、下列描述錯誤的是()。

A、平移式分選機是在水平面上完成芯片的轉(zhuǎn)移、測試與分選的設(shè)備

B、重力式分選機為斜背式雙工位或多工位自動測試分選機

C、轉(zhuǎn)塔式分選機分選工序依靠主轉(zhuǎn)盤執(zhí)行

D、以上描述都不對

答案：D

85、使用平移式分選設(shè)備進行芯片檢測時，完成上料后需要進行的環(huán)節(jié)是

（）。

A、測試

分選

C、真空包裝

D、外觀檢查

答案：A

86、下列選項中，。是封裝工藝中不涉及的工序。

A、第一道光檢

B、第二道光檢

C、第三道光檢

D、第四道光檢

答案：A

封裝工藝中，第二道光檢主要是針對晶圓切割之后的外觀檢查，是否有出

現(xiàn)廢品（崩邊等情況）。引線鍵合完成后要進行第三道光檢，主要是為了檢查

芯片粘接和引線鍵合過程中有沒有產(chǎn)生廢品。切筋成型之后需要進行第四道光

檢，針對后段工藝的產(chǎn)品進行檢查、剔除。

87、在制備完好的單晶襯底上，沿其原來晶向，生長一層厚度、導(dǎo)電類型、

電阻率及晶格結(jié)構(gòu)都符合要求的新單晶層，該薄膜制備方法是（）。

A、外延

B、熱氧化

C、PVD

D、CVD

答案：A

外延是在制備完好的單晶襯底上，沿其原來晶向，生長一層厚度、導(dǎo)電類

型、電阻率及晶格結(jié)構(gòu)都符合要求的新單晶層。

88、下面選項中不屬于鍍錫工序中酸洗的目的是（）。

A、中和堿性膜

B、消毒

C、增加表面活性

D、增強鍍層與框架結(jié)合度

答案：B

酸洗的目的一般是為了中和堿性膜，并將引線金屬表面的氧化膜清除，增

加基層表面活性，使鍍錫時鍍層能與引線金屬牢固結(jié)合。

89、扎針測試時，完成晶圓信息的輸入后，需要核對（）上的信息，確保三

者的信息一致。

A、MAP圖、測試機操作界面、晶圓測試隨件單

B、MAP圖、探針臺界面、晶圓測試隨件單

C、MAP圖、軟件檢測程序、晶圓測試隨件單

D、MAP圖、軟件版本、晶圓測試隨件單

答案：A

扎針測試時，完成測試機操作界面的晶圓信息輸入后，需要核對MAP圖、

測試機操作界面、晶圓測試隨件單上的信息，確保三者的信息一致。

90、料盤外觀全部檢查完后，對合格的料盤需要進行臨時捆扎，臨時捆扎

時將（）盒料盤（不含空料盤）捆扎在一起。

A、9

B、10

C、11

D、12

答案：B

料盤外觀全部檢查完后，對合格的料盤需要進行臨時捆扎，臨時捆扎時將

10盒料盤（不含空料盤）捆扎在一起。

91、在使用萬用表之前先應(yīng)（）-

A、選擇合適的擋位

B、機械調(diào)零

C、選擇合適的量程

D、表筆短接

答案：B

92、干-濕-干氧化過程中，第一次干氧氧化的目的是（）o

A、形成所需的二氧化硅膜厚度

B、獲得致密的二氧化硅表面

C、提高二氧化硅和光刻膠的黏附性

D、改善二氧化硅和硅交界面的性能

答案：B

干-濕-干氧化中，第一次干氧是為了獲得致密的Si02表面，從而提高對雜

質(zhì)的阻擋能力。干氧氧化和濕氧氧化各有自己的特點，在實際生產(chǎn)中往往將這

兩種方式結(jié)合起來，采用干-濕-干的氧化方式，既保證二氧化硅的厚度及一定

的生產(chǎn)效率，又改善了表面的完整性和解決了光刻時的浮膠問題。第一次干氧

是為了獲得致密的二氧化硅表面，從而提高對雜質(zhì)的阻擋能力。濕氧主要用來

形成所需的二氧化硅膜的厚度，提高生產(chǎn)效率；第二次干氧，是為了改善二氧

化硅和硅交界面的性能，同時使二氧化硅表面干燥，提高二氧化硅和光刻膠的

粘附性。

93、使用測編一體的轉(zhuǎn)塔式分選設(shè)備進行芯片測試時，如果遇到需要編帶

的芯片，在測試完成后的操作是()0

A、上料

B、測試

C、編帶

D、外觀檢查

答案：C

94、去飛邊的目的是()o

A、去除激光打字后標識打印有瑕疵的部分

B、去除注塑工序塑封周圍、引線之間的多余溢料

C、去除電鍍后引腳鍍層外圍多余的鍍料

D、去除引腳周圍長出的晶須

答案：B

95、清洗是晶圓制程中不可缺少的環(huán)節(jié)，使用SC-2清洗液進行清洗時，可

以去除的物質(zhì)是()o

A、光刻膠

B、顆粒

C、金屬

D、自然氧化物

答案：C

96、元器件的標志方向應(yīng)按照圖紙規(guī)定的要求，若裝配圖上沒有指明方向,

則應(yīng)使標記向外易于辨認，并按照()的順序讀出。

A、從左到右、從下到上

B、從左到右、從上到下

C、從右到左、從下到上

D、從右到左、從上到下

答案：A

97、“5s”中第4個s是()。

A、整頓

B、清掃

C、清潔

D、安全

答案：c

“5S”中第1個S是整理，第2個S是整頓，第3個S是清掃，第4個S

是清潔，第5個S是修養(yǎng)。

98、濕法刻蝕中，()的腐蝕液是以氫氟酸為基礎(chǔ)的水溶液。

A、硅

B、鋁

C、二氧化硅

D、碑化錢

答案：C

二氧化硅腐蝕液是以氫氟酸為基礎(chǔ)的水溶液。

99、以下函數(shù)的功能是。。

A、防抖

B