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文檔簡介
12.1電力電子器件的驅(qū)動電路2.2電力電子器件的緩沖電路2.3電力電子器件的保護電路2.4電力電子器件的串聯(lián)與并聯(lián)本章小結(jié)第2章電力電子器件的輔助電路22.1.1
概述2.1.2
晶閘管門極觸發(fā)電路2.1.3
可關(guān)斷晶閘管(GTO)門極觸發(fā)電路2.1.4
電力晶體管(GTR)基極驅(qū)動電路2.1.5
電力場效應晶體管(PowerMOSFET)柵極驅(qū)動電路2.1.6
絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)柵極驅(qū)動電路2.1
電力電子器件的驅(qū)動電路32.1.1
概述■驅(qū)動電路
◆是電力電子主電路與控制電路之間的接口?!袅己玫尿?qū)動電路使電力電子器件工作在較理想的開關(guān)狀態(tài),縮短開關(guān)時間,減小開關(guān)損耗。
◆對裝置的運行效率、可靠性和安全性都有重要的意義?!粢恍┍Wo措施也往往設在驅(qū)動電路中,或通過驅(qū)動電路實現(xiàn)。■驅(qū)動電路的基本任務
◆按控制目標的要求給器件施加開通或關(guān)斷的信號。
◆對半控型器件只需提供開通控制信號;對全控型器件則既要提供開通控制信號,又要提供關(guān)斷控制信號?!鲵?qū)動電路還要提供控制電路與主電路之間的電氣隔離環(huán)節(jié),一般采用光隔離或磁隔離。42.1.1
概述52.1.2
晶閘管門極觸發(fā)電路62.1.3可關(guān)斷晶閘管(GTO)門極觸發(fā)電路圖2-6GTO門極驅(qū)動電路72.1.4電力晶體管(GTR)基極驅(qū)動電路圖2-8GTR基極驅(qū)動電路常用集成驅(qū)動模塊:UAA4002、HL201A/HL202A等82.1.5電力場效應晶體管(PowerMOSFET)柵極驅(qū)動電路常用集成驅(qū)動模塊:IR2110/IR2115/IR2130、FA5310/FA5311等92.1.6絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)柵極驅(qū)動電路圖2-12EXB841電路原理圖常用集成驅(qū)動模塊:EXB850/EXB851、EXB840/EXB841等102.2
電力電子器件的緩沖電路■緩沖電路又稱為吸收電路,其作用是抑制電力電子器件的內(nèi)因過電壓、du/dt或者過電流和di/dt,減小器件的開關(guān)損耗?!龇诸?/p>
◆分為關(guān)斷緩沖電路和開通緩沖電路
?關(guān)斷緩沖電路:又稱為du/dt抑制電路,用于吸收器件的關(guān)斷過
電壓和換相過電壓,抑制du/dt,減小關(guān)斷損耗。
?開通緩沖電路:又稱為di/dt抑制電路,用于抑制器件開通時的
電流過沖和di/dt,減小器件的開通損耗。
?復合緩沖電路:關(guān)斷緩沖電路和開通緩沖電路結(jié)合在一起?!暨€可分為耗能式緩沖電路和饋能式緩沖電路
?耗能式緩沖電路:緩沖電路中儲能元件的能量消耗在其吸收電
阻上。?饋能式緩沖電路:緩沖電路能將其儲能元件的能量回饋給負載
或電源,也稱無損吸收電路。
112.2
電力電子器件的緩沖電路圖2-15關(guān)斷緩沖電路122.3
電力電子器件的保護電路■過電壓及其保護◆電路產(chǎn)生過電壓的原因有:
(1)外部原因主要是電網(wǎng)劇烈波動、雷擊及干擾;(2)內(nèi)部原因主要是電路狀態(tài)變化時積聚的電磁能量不能及時消散。◆其主要表現(xiàn)為兩種類型:(1)器件開、關(guān)引起的沖擊過電壓;(2)雷擊或其它外來干擾引起的浪涌過電壓?!粢种七^電壓的方法:(1)用非線性元件(硒堆、壓敏電阻)限制過電壓的幅度;(2)用電阻消耗產(chǎn)生過電壓的能量;(3)用儲能元件吸收產(chǎn)生過電壓的能量。132.3
電力電子器件的保護電路補充圖壓敏電阻的伏安特性圖2-22晶閘管阻容吸收電路142.3
電力電子器件的保護電路圖2-21交流側(cè)阻容吸收電路152.3
電力電子器件的保護電路■過電流及其保護◆產(chǎn)生過電流的原因常見有以下幾個方面。
(1)電網(wǎng)電壓波動過大,使流過晶閘管的電流隨電源增加而超過額定值;
(2)內(nèi)部管子損壞或觸發(fā)電路故障,造成相鄰橋臂上的晶閘管導通,引起兩相電源短路;
(3)整流電路直流輸出側(cè)短路、逆變電路因換流失敗而引起逆變失敗,均可引起很大短路電流。(4)可逆?zhèn)鲃迎h(huán)流過大、控制系統(tǒng)故障,可使晶閘管過電流。
162.3
電力電子器件的保護電路圖2-22過電流保護措施及配置位置◆過電流分過載和短路兩種情況。
◆快速熔斷器、直流快速斷路器和過電流繼電器是較為常用的措
施,一般電力電子裝置均同時采用幾種過電流保護措施,以提
高保護的可靠性和合理性。17
2.4電力電子器件的串聯(lián)與并聯(lián)■晶閘管的串聯(lián)◆當晶閘管的額定電壓小
于實際要求時,可以
用兩個以上同型號器
件相串聯(lián)。◆晶閘管串聯(lián)使用時,必
須采取均壓措施。圖2-26晶閘管串聯(lián)后的反向電壓圖2-27晶閘管串聯(lián)均壓電路18
2.4電力電子器件的串聯(lián)與并聯(lián)■晶閘管的并聯(lián)◆當晶閘管的額定電流小
于實際要求時,可以用
兩個以上同型號器件相
并聯(lián)。圖2-28晶閘管并聯(lián)時的電流分配圖2-33晶閘管并聯(lián)均流電路◆晶閘管并聯(lián)使用時,必須采取
均流措施。
◆當需要同時串聯(lián)和并聯(lián)晶閘管時,
通常采用先串后并的方法聯(lián)接。
19
本章小結(jié)■主講了晶閘管觸發(fā)電路、典型全控型器件驅(qū)動電路、全控型器件的緩沖電路、晶閘管的過電壓及過電流保護和晶閘管的串聯(lián)與并聯(lián)?!霰菊乱c◆在驅(qū)動電路中實現(xiàn)電力電子主電路和控制電路電氣隔離的基本方法?!舾鞣N全控型器件因?qū)ê完P(guān)斷機理不同,其驅(qū)動電路也有很大差別。GTR、GTO為電流型控制器件,功率MOSFET、IGBT為電壓
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