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離子松弛缺陷離子松弛缺陷區(qū)的弱聯(lián)系離子在電場(chǎng)作用下發(fā)生短程遷移離子松1設(shè)單位體積內(nèi)占有1、2位的離子數(shù)為n1設(shè)單位體積內(nèi)占有1、2位的離子數(shù)為n1、相互遷移后1位凈減n,尚存(n1-2位凈增n,還存沿x軸運(yùn)動(dòng)的離子數(shù)2nn0 n0 n2n1nn n0 23弱聯(lián)系離子總數(shù)1221(1)式代入(2)當(dāng)UkTn1221(1)式代入(2)當(dāng)UkTn kT kTd(n) ekT[-2 kTU ekT 1 ekT[( 0n)ekT(0n)ekT] 令(極化松弛時(shí)間)c—常數(shù)cn0t0nnΔn (1令(極化松弛時(shí)間)c—常數(shù)cn0t0nnΔn (1eτ)(1eτ0tt34 (FqE,ΔUF1 nnce d(n)nn0U ekT(極化(極化強(qiáng)度5UekT n0Eqδqδ=nα q22 其它極轉(zhuǎn)向極化空間電荷極化高介晶體的其它極轉(zhuǎn)向極化空間電荷極化高介晶體的極化(金紅石、鈣鈦礦型晶體自發(fā)極化6各種極化的頻率范各種極化的頻率范及其對(duì)、的貢7混合介質(zhì)材料介電陶瓷材料大多是高的分散相(晶粒)1.混合分散于低的機(jī)體體積n=n=-混合介質(zhì)材料介電陶瓷材料大多是高的分散相(晶粒)1.混合分散于低的機(jī)體體積n=n=-x1x xnxn nx n1n1n1xd 1 2dxn1212該式適用于兩相的介電系數(shù)相差不大,而且均勻分布的場(chǎng)合。Maxwell公式當(dāng)d為球形顆粒,均Maxwell公式當(dāng)d為球形顆粒,均勻分散在m基相9介電系數(shù)的溫度系數(shù)TK介電系數(shù)的溫度系數(shù)TK0C0(TT0C0(TT0T0—室溫 3.TK的調(diào)TK的系列化,正對(duì)溫度微3.TK的調(diào)TK的系列化,正對(duì)溫度微dlnx1212介質(zhì)損介質(zhì)損耗的Dielectric介質(zhì)損介質(zhì)損耗的Dielectric電容電流—幾何電容充電電流,不損耗能量。引起損耗為極化損耗。IPIICIP復(fù)介電常數(shù)加上交流電壓U=U0ei復(fù)介電常數(shù)加上交流電壓U=U0eit,則極板上電荷Q=C0電流與電壓的相位差(G:電導(dǎo)IiCUGU(iCIIUUIIUUI(iCJ(i*iI(iCJ(i*iJ=i*E定義*:**iGCd,dLossIULossIU介質(zhì)弛豫與德拜方Debye介質(zhì)弛豫:介質(zhì)的極化介質(zhì)弛豫與德拜方Debye介質(zhì)弛豫:介質(zhì)的極化PP1(t)—弛豫極化P(t)—極化強(qiáng)度函數(shù)t==E=E0eitP1=01EP(t)=P+P(t)=E 1 P(t)=P+P(t)=E 1 101=0(r-*而S:靜態(tài)相對(duì):高頻相對(duì)S=1+0+與頻率的0,S,,,與頻率的0,S,,,(恒定電場(chǎng)S(光頻122122tg 2S和不同溫度下的和不同溫度下的、頻率特性曲線從Debye方程中消去從Debye方程中消去介質(zhì)損耗G—電導(dǎo)(S西門(mén)子介質(zhì)損耗G—電導(dǎo)(S西門(mén)子CIICUR,PWU2CIICUR,PWU2(極化的建立介質(zhì)損耗和頻率、溫(1)低介質(zhì)損耗和頻率、溫(1)低時(shí)(與頻率無(wú)關(guān)(3(最((1)純電導(dǎo)損(1)純電導(dǎo)損低溫時(shí),較大,22>>1,由Debye方可11,低溫時(shí),較大,22>>1,由Debye方可11,tgtg、較tg、、pT、T、tg22T電導(dǎo)22T電導(dǎo)無(wú)機(jī)介質(zhì)的無(wú)機(jī)介質(zhì)的結(jié)構(gòu)損結(jié)構(gòu)
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