2023-2024學(xué)年蘇教版新教材選擇性必修二 專題3第二單元 離子鍵 離子晶體 作業(yè)

3.2離子鍵離子晶體一、選擇題1．下列說法正確的是A．圖1為結(jié)構(gòu)示意圖，該物質(zhì)加熱時(shí)首先失去B．圖2晶體磷化硼晶胞沿z軸方向上的投影圖為C．圖2晶胞參數(shù)為，則晶體的密度為D．圖3為晶體的晶胞示意圖，填充在由構(gòu)成的正八面體空隙中2．晶體結(jié)構(gòu)的缺陷美與對稱美同樣受關(guān)注。某種超導(dǎo)材料的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，其中O原子有缺陷。晶胞參數(shù)分別如圖，，阿伏加德羅常數(shù)的值為。下列說法錯(cuò)誤的是A．該晶體的最簡化學(xué)式為B．晶體中與最近且距離相等的有6個(gè)C．晶體的密度為D．第一電離能：3．鈣鈦礦電池是第三代非硅薄膜太陽能電池的代表，具有較高的能量轉(zhuǎn)化效率。如圖是一種邊長為的鈣鈦礦的正方體晶胞結(jié)構(gòu)，其中原子占據(jù)正方體中心，O原子位于每條棱的中點(diǎn)。其中以原子1為原點(diǎn)，原子2的坐標(biāo)為。下列有關(guān)說法錯(cuò)誤的是A．原子3的坐標(biāo)為 B．原子與原子最近距離為C．距離原子最近的O原子有6個(gè) D．該晶胞密度約為4．螢石(CaF2)是自然界常見的含氟礦物，晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞參數(shù)為anm，NA為阿伏加德羅常數(shù)的值，下列說法不正確的是A．CaF2晶體屬于離子晶體B．晶體密度為C．可用質(zhì)譜法區(qū)分40Ca和42CaD．Ca2+與F-的最小核間距為5．ZnS的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，其晶胞參數(shù)為anm，以晶胞參數(shù)建立坐標(biāo)系，1號原子的坐標(biāo)為(0，0，0)，3號原子的坐標(biāo)為(1，1，1)。設(shè)為阿伏加德羅常數(shù)的值，下列說法正確的是A．可以用質(zhì)譜儀測定ZnS晶體結(jié)構(gòu)B．97gZnS晶體含有的晶胞數(shù)目為C．2號和3號原子之間的距離為nmD．2號原子的坐標(biāo)為()6．鈦酸鋇耐高溫材料可由碳酸鋇和二氧化鈦在高溫條件下制備。二氧化鈦、鈦酸鋇的晶胞結(jié)構(gòu)分別如圖1、圖2所示。下列說法錯(cuò)誤的是A．圖1白球代表氧原子，黑球代表鈦原子B．圖2鈦酸鋇的化學(xué)式為BaTiO3C．鈦酸鋇晶體中，每個(gè)鋇離子周圍與其距離最近且相等的氧離子的數(shù)目是6D．若將鈦離子置于晶胞的體心，鋇離子置于晶胞頂點(diǎn)，則氧離子處于晶胞的面心7．CaF2是制作紅外光學(xué)系統(tǒng)中的光學(xué)棱鏡、透鏡和窗口等光學(xué)元件的最好材料。CaF2的晶體結(jié)構(gòu)呈立方體形，如圖所示。設(shè)為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列敘述錯(cuò)誤的是A．在CaF2晶體中，陽離子配位數(shù)為8，陰離子配位數(shù)為4B．兩個(gè)最近的F﹣之間的距離是C．CaF2晶胞與8個(gè)F﹣形成的立方體的體積比為2：1D．CaF2晶胞的密度是8．溶于水，溶解過程如圖所示。下列說法不正確的是A．溶液中插入電極并接通電源時(shí)，向與電源負(fù)極相連的電極移動B．a(chǎn)離子為C．在水分子的作用下，和之間的作用力被破壞D．溶液導(dǎo)電的原因是通電后發(fā)生電離，溶液中有自由移動的離子9．磷化硼(BP)是一種超硬耐磨涂層材料，其立方晶胞如圖所示，已如其晶體密度為，表示阿伏加德羅常數(shù)。下列有關(guān)說法不正確的是A．磷化硼(BP)的晶體類型為分子晶體B．磷化硼(BP)晶體的熔點(diǎn)比金剛石低C．該晶胞中所含的硼原子和磷原子個(gè)數(shù)均為4D．經(jīng)計(jì)算，B—P鍵的鍵長為10．雙鈣鈦礦型氧化物因其巨介電效應(yīng)已經(jīng)成為當(dāng)代材料學(xué)家的重要研究對象。雙鈣鈦礦型晶體的一種典型結(jié)構(gòu)單元如圖所示，下列說法不正確的是A．真實(shí)的晶體中存在2.5%的O原子缺陷，已知B＇為＋3價(jià)，為＋2價(jià)，A有＋3價(jià)與＋4價(jià)兩種價(jià)態(tài)，則＋3價(jià)與＋4價(jià)的A原子個(gè)數(shù)比為13：7B．晶體中與B＇原子距離最近的原子構(gòu)成了正八面體C．該晶體的一個(gè)完整晶胞中含有4個(gè)A原子D．考慮晶體中存在2.5%的O原子缺陷，則該晶體的密度為11．有關(guān)某些晶體的結(jié)構(gòu)如圖所示，下列說法不正確的是在NaCl晶體中，距Na+最近的Cl－形成正八面體銅晶體為面心立方最密堆積，銅原子的配位數(shù)為4在6g二氧化硅晶體中，硅氧鍵個(gè)數(shù)為0.4NA該氣態(tài)團(tuán)簇分子的分子式為E4F4或F4EABCDA．A B．B C．C D．D12．半導(dǎo)體材料硒化鋅的晶胞如圖所示。通過晶體衍射測得晶胞中，面心上硒與頂點(diǎn)硒之間距離為anm，代表阿伏加德羅常數(shù)的值。以晶胞參數(shù)為單位長度建立坐標(biāo)系，可以表示晶胞中各原子的位置，稱為原子坐標(biāo)。在ZnSe晶胞坐標(biāo)系中，A點(diǎn)硒原子坐標(biāo)為，B點(diǎn)鋅原子坐標(biāo)為。下列說法不正確的是A．Se原子的配位數(shù)為4B．C的原子坐標(biāo)參數(shù)為(，，)C．硒化鋅晶體密度為D．已知SeO3的熔點(diǎn)為165℃，在126℃時(shí)升華，則SeO3晶體類型與13．一種新型超導(dǎo)材料由Li、Fe、Se組成，晶胞如圖所示(Fe原子均位于面上)。晶胞棱邊夾角均為90°，X的坐標(biāo)為(0，1，)，Y的坐標(biāo)為(，，)，設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值(已知：以晶胞參數(shù)為單位長度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置，稱作原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo))。下列說法正確的是A．可通過紅外光譜和質(zhì)譜測定原子坐標(biāo)B．坐標(biāo)為(，1，)的原子是Li原子C．Se原子X與Se原子Y之間的距離為D．該晶體的密度為14．中國科學(xué)家團(tuán)隊(duì)利用獨(dú)特高溫技術(shù)首次制備了具有A位有序鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的體系，并罕見地發(fā)現(xiàn)該單相材料同時(shí)具備大電極化強(qiáng)度以及強(qiáng)磁電耦合效應(yīng)。常溫下，其晶體結(jié)構(gòu)如圖所示(屬于立方晶胞，已知晶胞棱長為a)。下列說法錯(cuò)誤的是A．該晶體的化學(xué)式為B．Cr原子之間的最短距離為C．該晶體結(jié)構(gòu)中，與每個(gè)Bi距離最近且相等距離的Mn所圍成的空間構(gòu)型為正八面體D．Mn元素的第二電離能小于Cr元素的第二電離能15．是離子晶體，具有反螢石結(jié)構(gòu)，晶胞如圖所示，其晶格能可通過圖中的循環(huán)計(jì)算得到。下列說法錯(cuò)誤的是A．Li的第一電離能為B．Li的配位數(shù)為4C．晶格能為D．晶胞參數(shù)為anm，則的密度為二、填空題16．N、P、均為氮族元素，這些元素與人們的生活息息相關(guān)。N與金屬可形成氮化物，如的晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲所示，某種氮化鐵的結(jié)構(gòu)如圖乙所示。(1)晶胞中，含有的Al、N原子個(gè)數(shù)均是。(2)若設(shè)該氮化鐵的化學(xué)式為，可替代晶胞中不同位置的，形成替代型的化學(xué)式是，而轉(zhuǎn)化為兩種替代型產(chǎn)物的能量變化如圖丙所示，替代晶胞中的形成化學(xué)式為的氮化物不穩(wěn)定，則a位置表示晶胞中的。(3)通常認(rèn)為是離子晶體，其晶格能可通過Born-Haber循環(huán)計(jì)算得到，通過圖中數(shù)據(jù)(填“能”或“不能”)計(jì)算出原子的第一電離能，的晶格能為。17．氯化鈉是化工產(chǎn)品的原料，工業(yè)中可借助電解法實(shí)現(xiàn)多種化工產(chǎn)品的制備。資料：NaCl的熔點(diǎn)是801℃；Na的沸點(diǎn)是(1)工業(yè)中通過粗鹽提純獲得氯化鈉晶體，其硬度較大，難于壓縮，其原因是。(2)工業(yè)中在580℃下電解熔融NaCl和的混合物冶煉金屬鈉，金屬鈉從極析出，加入的目的是。采用如下裝置電解飽和NaCl溶液。(3)①要實(shí)現(xiàn)燒堿的制備，該裝置還需添加。②改進(jìn)后電解槽陽極和陰極氣體產(chǎn)品通入反應(yīng)塔中，可制備。③利用燒堿制備裝置，調(diào)節(jié)pH<3還可實(shí)現(xiàn)的制備，產(chǎn)生的電極反應(yīng)方程式為。(4)利用該電解槽可實(shí)現(xiàn)NaClO的制備，生成NaClO的反應(yīng)包括、、(請寫離子方程式)。(5)工業(yè)上，利用該電解槽通過如下轉(zhuǎn)化可制備晶體反應(yīng)Ⅰ中發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)方程式是。(6)結(jié)論：NaCl作為基礎(chǔ)原料借助電解法可通過控制獲得不同產(chǎn)品。三、解答題18．從釩礦石(主要含、、及少量)中分離提取的流程如下：已知：有機(jī)溶劑對萃取率高于；有機(jī)溶劑只萃取Fe(Ⅲ)不萃取Fe(Ⅱ)。(1)“焙燒”過程中轉(zhuǎn)化為，該反應(yīng)的還原劑為。(2)“酸浸”過程中將轉(zhuǎn)化為，該反應(yīng)的離子方程式為。(3)為提高釩的萃取率和純度，“操作X”中M和N可分別選擇(填標(biāo)號)。A．、FeB．Fe、C．、H2O2(4)以HA()和HB()“協(xié)同萃取”，其主要萃取物結(jié)構(gòu)如圖。①HA和HB可通過兩個(gè)氫鍵形成環(huán)狀二聚體，其結(jié)構(gòu)示意圖為。②比更穩(wěn)定的原因?yàn)椤?5)“氧化”過程中轉(zhuǎn)化為的離子方程式為。(6)“氧化”后的溶液中，為了使沉釩率達(dá)到98%，加入氯化銨(設(shè)溶液體積增加1倍)，“沉釩”時(shí)應(yīng)控制溶液中不低于。[25℃時(shí)，](7)的晶胞如圖(晶胞參數(shù)：；)。為阿伏加德羅常數(shù)的值。①的配位數(shù)為。②位于構(gòu)成的空隙中(填標(biāo)號)。A．八面體B．四面體C．平面三角形③該晶胞的密度為(用含的代數(shù)式表示)。19．通過下列實(shí)驗(yàn)可以從廢銅屑中制取。(1)溶液顯堿性的原因(用離子方程式表示)：，加入溶液的作用。(2)“氧化”時(shí)反應(yīng)的離子方程式。(3)操作1為過濾，使用玻璃棒的作用是，操作2為。(4)將加熱到以上會分解得到，1個(gè)晶胞(如圖)中含個(gè)氧原子。(5)常溫下，將除去表面氧化膜的片插入濃中組成原電池(圖1)，測得原電池的電流強(qiáng)度(I)隨時(shí)間的變化如(圖2)所示，反應(yīng)過程中有紅棕色氣體產(chǎn)生。時(shí)，原電池的負(fù)極是片，此時(shí)，正極的電極反應(yīng)式是，時(shí)，原電池中電子流動方向發(fā)生改變，其原因是：。參考答案：1．C【詳解】A．圖1為結(jié)構(gòu)示意圖，中心原子銅與氮原子、氧原子間形成配位鍵，由結(jié)構(gòu)可知兩個(gè)水分子距離Cu2+較遠(yuǎn)，因此先失去水，故A錯(cuò)誤；B．磷化硼晶胞沿z軸方向上的投影圖為，故B錯(cuò)誤；C．該晶胞中，B的個(gè)數(shù)為4，P的個(gè)數(shù)為，該晶體的密度為，故C正確；D．圖4為CaF2晶體的晶胞示意圖，F(xiàn)-填充在位于一個(gè)頂點(diǎn)、三個(gè)面心的Ca2+構(gòu)成的正四面體空隙中，故D錯(cuò)誤；故答案為：C。2．B【詳解】A．1個(gè)晶胞中有2個(gè)Ba原子位于體內(nèi)，一個(gè)Y原子位于體心，8個(gè)Cu原子位于頂角，另有8個(gè)Cu原子位于棱上，Cu原子數(shù)為，8個(gè)氧原子位于棱上，7個(gè)氧原子位于面心上，氧原子個(gè)數(shù)為，則該化合物的化學(xué)式為，故A正確；B．晶體中與Cu2+最近且距離相等的O2-有5個(gè)，故B錯(cuò)誤；C．1mol該晶胞的質(zhì)量為643g，體積為，則密度為，故C正確；D．同一周期從左至右伴隨核電荷數(shù)遞增，第一電離能整體呈遞增大的趨勢，同主族元素從上到下第一電離能變小，以Be作參照物，第一電離能O＞Be＞Ba，故D正確；故答案為：B。3．B【詳解】A．原子1為原點(diǎn)，原子2的坐標(biāo)為，則原子3的坐標(biāo)為，A正確；B．原子與原子最近距離為體對角線的一半，晶胞邊長為，體對角線的一半為，B錯(cuò)誤；C．如圖，以頂點(diǎn)原子為中心，與該晶胞及周圍晶胞距離最近的O原子有6個(gè)，圍成正八面體，C正確；D．該晶胞中含有1個(gè)，1個(gè)Ti，3個(gè)O，摩爾質(zhì)量為136g/mol，晶胞邊長為，可得該晶胞密度約為，D正確；故選B。4．B【分析】CaF2中鈣離子和氟離子是1：2，根據(jù)晶胞分析，X原子有4個(gè)，Y原子有8個(gè)，因此X代表Ca2+離子，Y代表F-離子，據(jù)此分析。【詳解】A．由分析可知，CaF2晶體由離子組成，屬于離子晶體，A正確；B．根據(jù)密度，B錯(cuò)誤；C．質(zhì)譜法用于測量元素的質(zhì)核比，即質(zhì)量數(shù)，40Ca和42Ca質(zhì)量數(shù)不同，可以用質(zhì)譜法區(qū)分，C正確；D．Ca2+與F-的最小核間距為體對角線的四分之一，即，D正確；故選B。5．C【分析】由圖可知，白球大為Zn2+，黑球小為S2-，據(jù)此回答問題?！驹斀狻緼．晶體結(jié)構(gòu)用X射線衍射法，故A錯(cuò)誤；B．在該晶胞中含有Zn2+數(shù)目是；含有的S2-數(shù)目是4×1=4，因此該晶胞中含有4個(gè)ZnS。97gZnS晶體中含有ZnS的物質(zhì)的量是1mol，因此含有的晶胞數(shù)目為，B錯(cuò)誤；C．根據(jù)圖示2號和3號的相對位置，可知兩個(gè)原子之間的最短距離為晶胞體對角線的。晶胞參數(shù)是anm，則該晶胞體對角線長度為√，故2號和3號原子之間的最短距離為，C正確；D．根據(jù)晶胞中1號、3號原子的坐標(biāo)及2號原子坐標(biāo)中處于體對角線的位置處，可知2號原子的坐標(biāo)為，D錯(cuò)誤;故選C。6．C【詳解】A．圖1晶胞結(jié)構(gòu)中白球6個(gè)其中4個(gè)位于上下底面，2個(gè)位于體內(nèi)，黑球9個(gè)，其中8個(gè)位于頂點(diǎn)，一個(gè)位于體心，利用均攤法可知一個(gè)晶胞中白球：，黑球：，圖1表示晶胞結(jié)構(gòu)，所以白球代表氧原子，黑球代表鈦原子，A說法正確；B．圖2晶胞結(jié)構(gòu)中，1個(gè)鋇離子位于晶胞的體心，12個(gè)氧離子位于棱上，8個(gè)鈦離子位于頂點(diǎn)，根據(jù)均攤法可知一個(gè)晶胞中鈦離子數(shù)是、鋇離子數(shù)是1、氧離子數(shù)是，個(gè)數(shù)比為1:1:3；該物質(zhì)的化學(xué)式為，B說法正確；C．鈦酸鋇晶體中，1個(gè)鋇離子位于晶胞的體心，12個(gè)氧離子位于棱上，每個(gè)鋇離子周圍與其距離最近且相等的氧離子的數(shù)目是12，C說法錯(cuò)誤；D．該晶胞結(jié)構(gòu)中，1個(gè)鋇離子位于晶胞的體心，12個(gè)氧離子位于棱上，8個(gè)鈦離子位于頂點(diǎn)。若將鈦離子置于晶胞的體心，鋇離子置于晶胞頂點(diǎn)，將共用一個(gè)的8個(gè)晶胞的體心鋇離子連接起來構(gòu)成新的立方體晶胞，則正好處在面心位置，D說法正確；故答案為：C。7．C【詳解】A．由圖可知，在CaF2晶體中，陽離子配位數(shù)為8，陰離子配位數(shù)為4，A項(xiàng)正確；B．根據(jù)側(cè)面圖可看出，2mpm為面對角線的長度，邊長為pm，兩個(gè)最近的F?之間的距離為立方體邊長的一半，所以兩個(gè)最近的F?之間的距離為pm，B項(xiàng)正確；C．觀察晶胞，可看出8個(gè)F﹣形成的小立方體的邊長為CaF2晶胞邊長的，所以CaF2晶胞與8個(gè)F形成的立方體的體積比為（2：1）3＝8：1，C項(xiàng)錯(cuò)誤；D．根據(jù)圖示可知CaF2晶胞中含4個(gè)和8個(gè)，它的邊長為，利用得出，D項(xiàng)正確；故選C。8．D【詳解】A．電解質(zhì)溶液中，陽離子向陰極移動，溶液中插入電極并接通電源時(shí)，向與電源負(fù)極相連的電極移動，故A正確；B．Na+帶正電荷，所以顯負(fù)電性的氧原子靠近Na+；Cl?帶負(fù)電荷，所以正電性的氫原子靠近Cl?；所以b離子為Na+，a離子為Cl?，故B正確；C．NaCl在水分子的作用下發(fā)生電離，形成自由移動的水合鈉離子和水合氯離子，離子鍵被破壞，故C正確；D．NaCl在水分子的作用下發(fā)生電離，形成自由移動的水合鈉離子和水合氯離子，不需要通電，故D錯(cuò)誤；選D。9．A【詳解】A．磷化硼(BP)是通過共價(jià)鍵形成的晶體，晶體類型為共價(jià)晶體，A錯(cuò)誤；B．磷、硼原子半徑大于碳，則B-P鍵鍵長大于C-C鍵鍵長，B-P鍵鍵能小于C-C鍵鍵能，故金剛石的熔點(diǎn)更高，B正確；C．根據(jù)“均攤法”，晶胞中含個(gè)P、4個(gè)B，該晶胞中所含的硼原子和磷原子個(gè)數(shù)均為4，C正確；D．設(shè)晶胞邊長為acm，結(jié)合C分析可知，晶體密度為=，，B—P鍵的鍵長為體對角線的四分之一，故為，D正確；故選A。10．C【詳解】A．結(jié)構(gòu)單元中，B′數(shù)目為，A原子數(shù)目為1，數(shù)目為，存在2.5%的氧原子缺陷，故含有=2.925個(gè)O，設(shè)+3價(jià)A為a個(gè)，+4價(jià)A為b個(gè)，3a+4b+×(3+2)=2.925×2，a+b=1，解得a=0.65，b=0.35，+3價(jià)A與+4價(jià)A的原子個(gè)數(shù)比為13：7，故A正確；B．由圖可知，晶體中與B′原子距離最近的原子構(gòu)成了正八面體，故B正確；C．晶胞是構(gòu)成晶體的最基本的幾何單元，可以前后左右上下平移得到相同結(jié)構(gòu)并能與其無隙并置；圖示并非完整晶胞，為部分，故完整晶胞中A原子數(shù)目為8，故C錯(cuò)誤；D．晶胞質(zhì)量為，晶胞體積為(a×10-10)3cm3，該晶體的密度，故D正確；故選C。11．B【詳解】A．在NaCl晶體中，距Na+最近的Cl－是在Na+的上下前后左右，六個(gè)Cl－形成正八面體，故A正確；B．銅晶體為面心立方最密堆積，以頂點(diǎn)上銅原子分析，每個(gè)面上有4個(gè)銅原子最近且等距離，共有3個(gè)橫截面，因此銅原子的配位數(shù)為12，故B錯(cuò)誤；C．1mol二氧化硅有4mol硅氧鍵，6g二氧化硅物質(zhì)的量為0.1mol，因此硅氧鍵個(gè)數(shù)為0.4NA，故C正確；D．根據(jù)氣態(tài)團(tuán)簇分子的結(jié)構(gòu)得到氣態(tài)團(tuán)簇分子的分子式為E4F4或F4E4，故D綜上所述，答案為B。12．B【詳解】A．由晶胞結(jié)構(gòu)可知，距離Se原子最近的Zn原子共有4個(gè)，Se原子的配位數(shù)為4，故A正確；B．根據(jù)A點(diǎn)、B點(diǎn)原子坐標(biāo)，結(jié)合晶胞結(jié)構(gòu)可知，C點(diǎn)原子坐標(biāo)：(，，)，故B錯(cuò)誤；C．硒化鋅晶胞中含4個(gè)鋅、8=4個(gè)硒。硒在晶胞中面心立方分布，面對角線上三個(gè)硒相切，晶胞參數(shù)為anm，由密度公式知，=，故C正確；D．SeO3的熔點(diǎn)較低，易升華，說明粒子之間作用力小，它是分子晶體，硒化鋅作為半導(dǎo)體材料能導(dǎo)電，熔沸點(diǎn)較高，則SeO3晶體類型與ZnSe晶體不同，故D正確；故選B。13．C【詳解】A．利用晶體X射線衍射可測定原子坐標(biāo)，紅外光譜和質(zhì)譜不能測定原子坐標(biāo)，A項(xiàng)錯(cuò)誤；B．由晶胞結(jié)構(gòu)可知坐標(biāo)為(，1，)的原子是Z原子，即Fe原子，B項(xiàng)錯(cuò)誤；C．Se原子X與Se原子Y，沿x軸方向的距離為，沿y軸方向的距離為，沿z軸方向的距離為，兩點(diǎn)間的距離為，C項(xiàng)正確；D．Li原子有8個(gè)位于頂點(diǎn)，1個(gè)位于體心，個(gè)數(shù)為：，F(xiàn)e有8個(gè)位于面上，個(gè)數(shù)為，Se原子有8個(gè)位于棱上，2個(gè)位于體內(nèi)，個(gè)數(shù)為：，晶胞的質(zhì)量為：，晶胞體積為：，密度為，D項(xiàng)錯(cuò)誤；故選C。14．B【詳解】A．Bi原子在體心和頂點(diǎn)，個(gè)數(shù)為1+8×=2，Mn原子在面心和棱上，個(gè)數(shù)為12×+6×=6，Cr原子都在晶胞內(nèi)部，個(gè)數(shù)為8，每個(gè)Mn原子周圍有4個(gè)O原子，故氧原子的個(gè)數(shù)為24，故該晶體的化學(xué)式為BiMn3Cr4O12，A正確；B．每個(gè)晶胞分成四個(gè)小正方體，Cr原子在每個(gè)小正方體的中心，故Cr原子之間的最短距離為a，B錯(cuò)誤；C．該晶體結(jié)構(gòu)中，與體心Bi原子最近距離的Mn原子在6個(gè)面心，距離為a，所圍成的空間構(gòu)型為正八面體，C正確；D．Cr+價(jià)電子排布式為3d5，Mn+價(jià)電子排布式為3d54s1，Cr元素3d能級處于半滿狀態(tài)，比較穩(wěn)定，故Cr+的第二電離能較大，D正確；故答案為：B。15．A【詳解】A．第一電離能是氣態(tài)基態(tài)原子失去最外層的一個(gè)電子所需要的最低能量，則Li的第一電離能為，A錯(cuò)誤；B．由Li2O的晶胞結(jié)構(gòu)圖可知，每個(gè)Li+周圍有4個(gè)O2-，則其配位數(shù)為4，B正確；C．晶格能是指在標(biāo)準(zhǔn)狀況下，使離子晶體變成氣態(tài)正離子和氣態(tài)負(fù)離子時(shí)所吸收的最低能量，由圖可知Li2O的晶格能為，C正確；D．每個(gè)晶胞內(nèi)含有8個(gè)Li+和4個(gè)O2-，則Li2O的密度，D正確；答案選A。16．(1)6(2)頂點(diǎn)(3)不能5643【詳解】（1）晶胞中，有4個(gè)Al原子位于內(nèi)部，6個(gè)位于棱上，棱上的原子對晶胞的貢獻(xiàn)率為，則每個(gè)晶胞中含Al原子個(gè)；晶胞中，有3個(gè)N原子位于內(nèi)部，2個(gè)位于面心，面心的原子對晶胞的貢獻(xiàn)率為，12個(gè)位于頂點(diǎn)，頂點(diǎn)的原子對晶胞的貢獻(xiàn)率為，則每個(gè)晶胞中含N原子個(gè)，含有的Al、N原子個(gè)數(shù)均是6；（2）由氮化鐵的晶胞結(jié)構(gòu)圖可知，N位于體心，每個(gè)晶胞中含1個(gè)N原子，F(xiàn)e位于面心和頂點(diǎn)，每個(gè)晶胞中含4個(gè)Fe原子，晶胞化學(xué)式為Fe4N，可替代晶胞中不同位置的，替代晶胞中頂點(diǎn)上的形成化學(xué)式為的氮化物，替代晶胞中面心上的形成化學(xué)式為的氮化物，化學(xué)式為的氮化物不穩(wěn)定，物質(zhì)能量越高越不穩(wěn)定，則能量比高，則a位置表示頂點(diǎn)，b位置表示面心；（3）第一電離能是指基態(tài)的氣態(tài)原子失去最外層的一個(gè)電子變?yōu)闅鈶B(tài)離子所需的能量，圖中無此過程的數(shù)據(jù)，故不能計(jì)算出原子的第一電離能；的晶格能為。17．(1)氯化鈉是離子晶體，離子晶體存在著較強(qiáng)的離子鍵(2)陰助溶劑，降低氯化鈉的熔點(diǎn)，節(jié)能減耗，防止鈉的揮發(fā)(3)陽離子交換膜鹽酸(4)(5)(6)離子交換器、pH、溫度、溶劑【詳解】（1）由于氯化鈉是離子晶體，離子晶體存在著較強(qiáng)的離子鍵，所以氯化鈉晶體的硬度較大，難于壓縮。（2）鈉離子在陰極得到電子轉(zhuǎn)化為金屬鈉，即金屬鈉從陰極析出。由于氯化鈉的熔點(diǎn)高，加入氯化鈣的目的是作助溶劑，降低氯化鈉的熔點(diǎn)，節(jié)能減耗，防止鈉的揮發(fā)。（3）①為防止生成的氯氣和氫氧根反應(yīng)，不能使氫氧根移向陽極，所以要實(shí)現(xiàn)燒堿的制備，該裝置還需添加陽離子交換膜。②改進(jìn)后電解槽陽極產(chǎn)生氯氣，陰極產(chǎn)生氫氣，兩種氣體產(chǎn)品通入反應(yīng)塔中，可制備鹽酸。③氯離子失去電子轉(zhuǎn)化為，因此產(chǎn)生的電極反應(yīng)方程式為。（4）利用該電解槽可實(shí)現(xiàn)NaClO的制備，生成NaClO的反應(yīng)包括、，產(chǎn)生的氫氧根和氯氣反應(yīng)即得到次氯酸鈉，離子方程式為。（5）電解氯化鈉溶液生成氯酸鈉，陰極產(chǎn)生氫氣，則反應(yīng)Ⅰ中發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)方程式是。（6）根據(jù)以上分析可知NaCl作為基礎(chǔ)原料借助電解法可通過控制離子交換器、pH、溫度、溶劑獲得不同產(chǎn)品。18．(1)、(2)(3)A(4)HA中-P-OH更容易發(fā)生陽離子交換反應(yīng)，HB中-P=O有更強(qiáng)的配位能力(5)(6)1.6(7)6C【分析】釩礦石(主要含VO2、Fe3O4、Al2O3及少量SiO2)加CaO焙燒，VO2和Fe3O4轉(zhuǎn)化為Fe(VO3)3，Al2O3及少量SiO2轉(zhuǎn)化為對應(yīng)的鈣鹽，加硫酸酸浸轉(zhuǎn)化為，Si元素轉(zhuǎn)化為沉淀，Al元素以Al3+的形式存在，有機(jī)溶劑對萃取率高于，有機(jī)溶劑只萃取Fe(Ⅲ)不萃取Fe(Ⅱ)，加調(diào)pH除去Al元素，同時(shí)加Fe將Fe3+還