
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文檔簡(jiǎn)介
結(jié)構(gòu)部分小結(jié)原子結(jié)構(gòu)▲氫原子光譜
兩個(gè)特征:①不連續(xù)光譜:Hα、Hβ、Hγ、Hδ;②從長(zhǎng)波到短波,Hα至Hδ譜線間距越來(lái)越小,表明其能量越來(lái)越低。解釋:巴爾麥經(jīng)驗(yàn)公式:=1/λ=RH(1/22—1/n2)里德堡經(jīng)驗(yàn)公式:ν=R(1/n12—1/n22)氫原子的其它光譜:
n1=1,Lyman系,紫外區(qū);n1=3,Paschen系,紅外區(qū);
n1=4,Bracket系,紅外區(qū);n1=5,Pfund系,紅外區(qū)。
(1)電子在特許的軌道(L=n·h/2π)上運(yùn)動(dòng)時(shí),并不釋放出能量,電子在每個(gè)特許軌道中運(yùn)動(dòng)的總能量等于其動(dòng)能與位能之和.
即
E=E動(dòng)+E位r=ε0
n2·h2/πme2n=1,2,3…都是H原子得特許軌道.E=(-me4/8ε02h2)/n2=-B/n2=-13.6/n2(2)
電子獲得能量從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài),處于激發(fā)態(tài)的電子從一個(gè)能級(jí)跳到另一個(gè)能級(jí)時(shí),要吸收或放出的能量為:
△E=E2—E1=E光=hv=hc/λ(8)(λ不連續(xù),E量子化)根據(jù)波爾理論,對(duì)H原子光譜的解釋如下:電子:基態(tài)電子→激發(fā)態(tài)(吸收能量);激發(fā)態(tài)
→基態(tài)(釋放能量)對(duì)Balmer系譜線,對(duì)應(yīng)于電子從n2=3、4、5、6等軌道回到n1=2的軌道所釋放的輻射,分別對(duì)應(yīng)Hα、Hβ、Hγ、Hδ四條不連續(xù)的譜線。1/λ=1.097373×107m-1(1/n12-n22)波爾理論波粒二象性德布羅意關(guān)系式
λ=h/P=h/mυ電子衍射圖表明電子具有波粒二象性測(cè)不準(zhǔn)原理△x·△P≥h/4π四個(gè)量子數(shù):主量子數(shù)n:n=1,2,3,4…,電子層符號(hào)分別為K、L、M、N….角量子數(shù)l:l=0,1,2,3,…,…
n-1,符號(hào):s,p,d,f,g…
En,l
=n+0.7l
單電子體系(如H原子),電子的能量只與主量子數(shù)有關(guān),Ens=Enp=End=Enf即單電子體系的能量與l無(wú)關(guān).多電子體系,l
值越大的亞層(能級(jí)),能量越高.如Ens<Enp<End<Enf.磁量子數(shù)m:m=0,±1,±2,…±l微觀粒子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)每一組量子數(shù)n,l,m可以確定一個(gè)波函數(shù)ψnlm(x,y,z),每一個(gè)波函數(shù)ψnlm(x,y,z)就表示了原子核外軌道的一種運(yùn)動(dòng)狀態(tài)—原子軌道的波函數(shù)。能量相同的軌道稱為簡(jiǎn)并軌道。3個(gè)p軌道的能量是相同的,稱為三重簡(jiǎn)并軌道,5個(gè)d軌道稱為五重簡(jiǎn)并軌道,自旋量子數(shù)ms:+1/2和-1/2
ψn,l,m(x,y,z)是由n,l,m確定的表示原子軌道的數(shù)學(xué)函數(shù)表達(dá)式,是薛定諤方程的解。又稱“原子軌道”(Orbital).ψn,l,m(x,y,z)
圖形化就是所謂的原子軌道,用于表征微觀粒子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)。原子軌道的圖形
波函數(shù)角度分布圖(Y(θ,φ)~θ,φ)波函數(shù)角度分布圖又稱原子軌道角度分布圖。波函數(shù)的徑向分布圖(R(r)~r)幾率密度和電子云電子云角度分布圖(Y2(θ,φ)~(θ,φ))
電子云徑向密度分布圖(R2(r)~r)電子云徑向分布函數(shù)圖(D~r)電子云空間分布圖像屏蔽效應(yīng):其它電子對(duì)選定電子i產(chǎn)生排斥作用稱為屏蔽效應(yīng)。單電子:E=-Z2/n2×13.6ev多電子:E=-13.6(Z–σ)2/n2=13.6Z*2/n2(ev)
σ的計(jì)算規(guī)則(Slater規(guī)則)鉆穿效應(yīng):指定電子回避其它電子屏蔽的能力能級(jí)交錯(cuò)Enl=n+0.7l
多電子原子核外電子排布及元素周期表●實(shí)用能級(jí)圖核外電子排布
Pauli不相容原理;能量最低原理;Hund規(guī)則:元素周期表能級(jí)組與元素周期的劃分電子構(gòu)型及周期表中族的劃分7個(gè)主族(IA~VIIA)、7個(gè)副族(IB~VIIB)、1個(gè)VIII族,1個(gè)0族。主族元素的族數(shù)=ns和np的電子數(shù)之和=主族元素的最高氧化態(tài)副族元素的族數(shù)=(n-1)d和ns電子數(shù)之和(VIII、IB、IIB、鑭系、錒系除外)電子構(gòu)型與周期表的分區(qū)
s區(qū):ns1~2(IA、IIA、He)p
區(qū):ns2np1~6(IIIA~VIIA、0族)
d區(qū):ns1~2(n-1)d1~9(IIIB~VIIB、VIII族)
ds區(qū):ns1~2(n-1)d10(IB、IIB)
f區(qū):(n-2)f1~14(n-1)d0~1ns2(鑭系和錒系)元素的基本性質(zhì)及其周期性的變化規(guī)律
元素的基本性質(zhì)包括:原子半徑:主族、副族、短周期、長(zhǎng)周期變化規(guī)律La系收縮的影響使第六周期的r與第五周期的r非常接近。電離能:同主族、同周期元素的變化規(guī)律(反?,F(xiàn)象的解釋)電子親和能:同主族、同周期元素的變化規(guī)律電負(fù)性:同主族、同周期元素的變化規(guī)律、電負(fù)性的應(yīng)用分子結(jié)構(gòu)離子鍵理論離子鍵的特點(diǎn):無(wú)方向性和飽和性離子鍵的離子性與元素的電負(fù)性的關(guān)系離子鍵的強(qiáng)度與Born-Haber循環(huán)、晶格能離子的特征:離子的電荷、離子的電子構(gòu)型、離子半徑化學(xué)鍵的鍵參數(shù)及分子的性質(zhì)鍵參數(shù):
鍵能、鍵長(zhǎng)、鍵角、鍵的極性、鍵級(jí)分子的性質(zhì):
分子的極性:雙原子分子(同種原子、異種原子)多原子分子:全對(duì)稱(μ=0)、不對(duì)稱分子的磁性:m(μB)=[n(n+2)]1/2共價(jià)鍵理論共價(jià)鍵形成的原理:
電子配對(duì)原理、能量最低原理、原子軌道最大重疊原理共價(jià)鍵的特點(diǎn):
共價(jià)鍵的本質(zhì)是電性的、原子軌道重疊形成共價(jià)鍵、共價(jià)鍵具有飽和性和方向性共價(jià)鍵的鍵型:
σ鍵:s-s重疊、px-px
重疊、s-p重疊(頭碰頭)π鍵:P-P重疊、P-d重疊、d-d重疊(肩并肩)配位鍵:σ配鍵、π配鍵δ鍵:d-d重疊(面對(duì)面)
雜化軌道理論原子軌道的雜化只會(huì)發(fā)生在形成分子的過(guò)程中,孤立原子是不會(huì)發(fā)生雜化作用的。n個(gè)原子軌道參與雜化可以形成n個(gè)雜化軌道。小結(jié):雜化軌道的類型與分子的空間構(gòu)型中心原子Be(ⅡA)B(ⅢA)C,Si(ⅣA)
N,P(ⅤA)
O,S(ⅥA)Hg(ⅡB)直線形三角形四面體三角錐V型雜化軌道類型s+ps+3ps+2ps+3p參加雜化的軌道24
43雜化軌道數(shù)成鍵軌道夾角分子空間構(gòu)型實(shí)例spsp2不等性sp3sp3價(jià)層電子對(duì)互斥理論
N=中心原子A價(jià)電子數(shù)+配位體提供電子數(shù)+/-AXm的電荷數(shù)確定電子對(duì)的空間構(gòu)型:VP=2直線形
VP=3
平面三角形VP=4正四面體或平面正方形VP=5三角雙錐VP=6
正八面體斥力大?。篖.p—L.p>>L.p.—B.p>B.p.—B.p叁鍵>雙鍵>單鍵電子對(duì)構(gòu)型和分子的實(shí)際構(gòu)型分子軌道理論
原子軌道線性組合原則:
能量相近原則,軌道最大重疊原則和對(duì)稱性相同原則。原子軌道類型:σ分子軌道和π分子軌道σ分子軌道:s-s重疊、px-px
重疊、s-p重疊(頭碰頭)π分子軌道:P-P重疊、P-d重疊、d-d重疊(肩并肩)N2以前的分子軌道,包括Li2,Be2,B2,C2,N2,其分子軌道表達(dá)式為:O2、F2組成的雙原子分子,其分子軌道表達(dá)式為:
金屬鍵理論自由電子理論能帶理論:已充滿電子的原子軌道所形成的低能量能帶稱為滿帶;未填充電子的軌道組成的能帶稱為空帶;未充滿電子的分子軌道組成的能帶稱為導(dǎo)帶;導(dǎo)帶與滿帶間能級(jí)差稱為禁帶。
分子間力及氫鍵極性分子之間:取向力+誘導(dǎo)力+色散力;極性分子-非極性分子之間:誘導(dǎo)力+色散力;非極性分子之間:色散力;H鍵的特征:
◆飽和性:一個(gè)H只能與一個(gè)電負(fù)性大的X(或Y)形成
1個(gè)氫鍵;
◆方向性:形成H鍵的三個(gè)原子X(jué)—H···X—H在一條直線上,形成的氫鍵最強(qiáng)。
分子間氫鍵、分子內(nèi)氫鍵
晶體結(jié)構(gòu)1.晶體的基本概念(1)晶體的特征:規(guī)則的幾何外形;固定的熔點(diǎn);各向異性。(2)七大晶系,14中點(diǎn)陣(晶格)(3)晶胞2.晶體的分類2-1金屬晶體:晶格結(jié)點(diǎn)占據(jù)的是金屬原子和離子,質(zhì)點(diǎn)間的作用力是分金屬鍵。熔沸點(diǎn)較高、硬度較大、熱電的良導(dǎo)體。簡(jiǎn)單立方(52%)、體心立方(68)、面心立方(74%)、六方密堆積(74%)
2-2離子晶體:晶格結(jié)點(diǎn)占據(jù)的是陰陽(yáng)離子,離子之間的相互作用是離子鍵)。熔沸點(diǎn)較高、硬而脆
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