考向18 晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)-2023年高考化學(xué)一輪復(fù)習(xí)考點微（新高考地區(qū)專用）

考向18晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

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【2022?山東】Cu2.xSe是一種鈉離子電池正極材料，充放電過程中正極材料立方晶胞(示意圖)的組成變化

QSe2-ONa+、Cu+、Ci?+可能占據(jù)的位置?Na*

A.每個Cu2“Se晶胞中Q?+個數(shù)為x

B.每個Na?Se晶胞完全轉(zhuǎn)化為Cu“Se晶胞，轉(zhuǎn)移電子數(shù)為8

C.每個NaCuSe晶胞中0價Cu原子個數(shù)為1-x

D.當(dāng)NayCu^Se轉(zhuǎn)化為NaCuSe時，每轉(zhuǎn)移(l-y)mol電子，產(chǎn)生(l-x)molCu原子

【答案】D

【解析】

【詳解】A.由晶胞結(jié)構(gòu)可知，位于頂點和面心的硒離子個數(shù)為8x2+6x；=4,位于體內(nèi)的銅離子和亞銅離

子的個數(shù)之和為8,設(shè)晶胞中的銅離子和亞銅離子的個數(shù)分別為a和b,則a+b=8-4x,由化合價代數(shù)和為0

可得2a+b=4x2,解得a=4x,故A錯誤；

+

B.由題意可知，Na?Se轉(zhuǎn)化為Cu2-xSe的電極反應(yīng)式為Na2Se-e+(2-x)Cu=Cu2-xSe+Na,由晶胞結(jié)構(gòu)可知，

位于頂點和面心的硒離子個數(shù)為8x：+6xg=4,則每個晶胞中含有4個NazSe,轉(zhuǎn)移電子數(shù)為4,故B錯誤;

8

C.由題意可知，Cu2rse轉(zhuǎn)化為NaCuSe電極反應(yīng)式為Cs一xSe+e-+Na+=NaCuSe+(l-x)Cu,由晶胞結(jié)構(gòu)可

知，位于頂點和面心的硒離子個數(shù)為8x1+6x^=4,則每個晶胞中含有4個NaCuSe,晶胞中。價銅而個數(shù)

8

為(4-4x),故C錯誤；

+

D.由題意可知，NayCs-xSe轉(zhuǎn)化為NaCuSe的電極反應(yīng)式為NayCu2-xSe+(1-y)e+Na=NaCuSe+(I-x)Cu,所

以每轉(zhuǎn)移(l?y)電子，產(chǎn)生(l?x)mol銅，故D正確；

故選Do

考點一晶體與晶胞

1.晶體與非晶體

(1)晶體與非晶體的比較

晶體非晶體

結(jié)構(gòu)特征原子在三維空間里呈周期性有序排列原子排列相對無序

自范性直無

性質(zhì)特征熔點固定不固定

異同表現(xiàn)各向異性各向同性

二者區(qū)別間接方法看是否有固定的燼點或根據(jù)某些物理E性質(zhì)的各向異性

方法科學(xué)方法對固體進(jìn)行X射線衍射實驗

(2)獲得晶體的途徑

①燧融態(tài)物質(zhì)凝固。

②色態(tài)物質(zhì)冷卻不經(jīng)液態(tài)直接凝固（凝華）。

③溶質(zhì)從溶液中析出。

2.晶胞

⑴概念：晶胞是描述晶體結(jié)構(gòu)的基本單元，是從晶體中“截取”出來具有代表性的最小重復(fù)單元。

（2）晶體中晶胞的排列——無隙并置

①無隙：相鄰晶胞之間沒有任何間隙。

②并置：所有晶胞平行排列、取向相同。

（3）晶胞中微粒數(shù)的計算方法——均攤法

①長方體（包括立方體）晶胞中不同位置的粒子數(shù)的計算：如某個粒子為N個晶胞所共有，則該粒子有言屬于

這個晶胞。中學(xué)中常見的晶胞為立方晶胞，立方晶胞中微粒數(shù)的計算方法如圖1。

②非長方體晶胞

在六棱柱（如圖2）中，頂角上的原子有卷屬于此晶胞，面上的原子有￡屬于此晶胞，因此六棱柱中鎂原子個數(shù)

為12$+2x/=3,硼原子個數(shù)為6。

位于有1/8屬于

頂角該立方體

位于有1/4屬于

楂上~該立方體

位于有1/2屬于

面上該立方體

位于完全屬于OMg*B

內(nèi)部該立方體

圖1圖2

考點二晶體類型、結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

.1.四種晶體類型的比較

類型

分子晶體共價晶體金屬晶體離子晶體

比

構(gòu)成粒子分子原子金屬陽離子、自由電子陰、陽離子

粒子間的相互范德華力（某些

共價鍵金屬鍵離子鍵

作用力含氫鍵）

硬度較小很大有的很大，有的很小較大

熔、沸點較低很高有的很高，有的很低較高

溶解性相似相溶難溶于一般一般不溶于水，少數(shù)與大多易溶于水

溶劑水反應(yīng)等極性溶劑

一般不具有晶體不導(dǎo)電，

一般不導(dǎo)電，溶

導(dǎo)電、傳熱性導(dǎo)電性，個別電和熱的良導(dǎo)體水溶液或熔融

于水后有的導(dǎo)電

為半導(dǎo)體態(tài)導(dǎo)電

2.過渡晶體

大多數(shù)晶體是這四種晶體類型之間的過渡晶體，以離子晶體和共價晶體之間的過渡為例，如Na?。、AI2O3

中既有離子鍵成分，也有共價鍵成分，NazO中離子鍵成分占62%,因而通常當(dāng)作離子晶體來處理，AbO.,

中離子鍵成分占41%,因而通常當(dāng)作共價晶體來處理。

3.常見晶體結(jié)構(gòu)模型

(1)共價晶體

金剛石二氧化硅

①金剛石晶體中，每個C與相鄰生個C形成共價鍵，C—C-C夾角是109。281最小的環(huán)是六元環(huán)。含有1

molC的金剛石中，形成的共價鍵是2mo1。

②SiCh晶體中，每個Si原子與生個。原子成鍵，每個。原子與叁個Si原子形成共價鍵，最小的環(huán)是十二

元環(huán)，在“硅氧”四面體中，處于中心的是豆原子，1molSiCh中含有4moiSi—0。

(2)分子晶體

①干冰晶體中，每個C02分子周圍等距且緊鄰的CO2分子有12_個。

干冰的結(jié)構(gòu)模型(晶胞)冰的結(jié)構(gòu)模型

②冰晶體中，每個水分子與相鄰的生個水分子以氫鍵相連接，含1molH20的冰中，最多可形成2moi氫鍵。

(3)離子晶體

oCfwNa+

①NaCl型：在晶體中，每個Na+同時吸引色個C「，每個Cl一同時吸引6個Na卡,配位數(shù)為&每個晶胞含

生個Na.和生個C1,

②CsCl型：在晶體中，每個C「吸引區(qū)個Cs+,每個Cs+吸引&個C「，配位數(shù)為8。

(4)混合型晶體

石墨層狀晶體中，層與層之間的作用是分子間作用力,平均每個正六邊形擁有的碳原子個數(shù)是2,C原子采

取的雜化方式是應(yīng)。

［基礎(chǔ)練)

i.下列有關(guān)物質(zhì)的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)說法錯誤的是

A.石墨晶體中，層內(nèi)導(dǎo)電性強(qiáng)于層間導(dǎo)電性

B.工業(yè)鹽酸中，因含有［FeClJ而呈亮黃色

C.氟的電負(fù)性大于氯，所以三氟乙酸的pK,比三氯乙酸大

D.干冰中C0?的配位數(shù)大于冰中水分子的配位數(shù)，這與水分子間形成氫鍵有關(guān)

2.有一種氮化鈦晶體的晶胞如圖所示，該晶胞中N、Ti之間的最近距離為apm,下列說法錯誤的是

B.Ti與Ti的最近距離是等apm

A.該物質(zhì)的化學(xué)式為TiN

C.Ti的配位數(shù)為6D,與N距離相等且最近的N有12個

3.金剛石、石墨烯和石墨煥的局部結(jié)構(gòu)如圖所示。

金剛石石墨烯石墨煥

下列有關(guān)敘述正確的是

A.三者互為同分異構(gòu)體B.石墨快的化學(xué)性質(zhì)比金剛石更穩(wěn)定

C.金剛石中原子數(shù)和共價健數(shù)之比為1：4D.石墨烯中碳原子數(shù)與六元環(huán)數(shù)之比為2：1

4.(1)鈉、鉀、銘、車目、鋁等金屬晶體的晶胞屬于體心立方，則該晶胞中屬于1個體心立方晶胞的金屬原子

數(shù)目是。氯化鈉晶體的晶胞如圖1,則Cs+位于該晶胞的,而C「位于該晶胞的,

Cs+的配位數(shù)是。

(2)銅的氫化物的晶體結(jié)構(gòu)如圖2所示，寫出此氫化物在氯氣中燃燒的化學(xué)方程式：

(3)圖3為F-與Mg2+、K"形成的某種離子晶體的晶胞，其中“?！北硎镜碾x子是(填離子符號)。

(4)實驗證明：KC1、MgO、CaO、TiN這4種晶體的結(jié)構(gòu)與NaCl晶體結(jié)構(gòu)相似(如圖4所示)，己知3

種離子晶體的晶格能數(shù)據(jù)如下表：

離子晶體NaClKC1CaO

晶格能/(kJ?mo「)7867153401

則這4種離子晶體(不包括Na。)熔點從高到低的順序是。其中MgO晶體中

一個Mg2+周圍和它最鄰近且等距離的Mg?+有個。

5.現(xiàn)有幾組物質(zhì)的熔點(℃)數(shù)據(jù):

A組B組c組D組

金剛石：3550℃Li：181℃HF：—83℃NaCl：801℃

硅晶體：1410℃Na：98℃HC1：—115℃KCl：776℃

硼晶體：2300℃K：64℃HBr：—89℃RbCl：718℃

二氧化硅：1723℃Rb：39℃HI：—51℃CsCl：645c

據(jù)此回答下列問題：

(DA組屬于晶體，其熔化時克服的微粒間的作用力是

(2)B組晶體共同的物理性質(zhì)是(填序號)。

①有金屬光澤②導(dǎo)電性③導(dǎo)熱性④延展性

(3)C組中HF熔點反常是由于__________________________________________________

___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________O

(4)D組晶體可能具有的性質(zhì)是(填序號)。

①硬度?、谒芤耗軐?dǎo)電③固體能導(dǎo)電④熔融狀態(tài)能導(dǎo)電

(5)D組晶體的熔點由高到低的順序為NaCl>KCl>RbCl>CsCl,其原因為

1.(2022?重慶巴蜀中學(xué)高三階段練習(xí))化學(xué)與生產(chǎn)、生活、科技、環(huán)境等關(guān)系密切。下列說法正確的是

A.汽車尾氣催化轉(zhuǎn)化器可有效減少CO”的排放，實現(xiàn)“碳中和”

B.制造焊錫時，把鉛加入錫，形成原電池，從而增加錫的抗腐蝕能力

C.2022年冬奧會衣物采用石墨烯紡織物柔性發(fā)熱材料，石墨烯屬于混合型晶體

D.聚氯乙烯塑料通過加聚反應(yīng)制得，可用于制作不粘鍋的耐熱涂層

2.(2022?湖北?高三階段練習(xí))神化像是繼硅之后研究最深入、應(yīng)用最廣泛的半導(dǎo)體材料，其結(jié)構(gòu)與硫化

鋅相似，其晶胞結(jié)構(gòu)如下圖1所示，圖2為晶胞沿z軸的1：1平面投影圖，己知圖中④球的原子坐標(biāo)參數(shù)

為(0,0,0),命球為(1,1,1),下列說法錯誤的是

圖1圖2

A.Ga的配位數(shù)是4

B.晶胞參數(shù)為2&apm

C.晶胞中離As原子距離最近且相等的As原子有8個

D.晶胞中離?球距離最遠(yuǎn)的黑球的坐標(biāo)參數(shù)為(:，

3.(2022?重慶巴蜀中學(xué)高三階段練習(xí))螢石是制作光學(xué)玻璃的原料之一，其主要成分氟化鈣的晶胞結(jié)構(gòu)如

圖1所示。下列說法錯誤的是

A.F位于元素周期表p區(qū)B.該晶體屬于離子晶體

C.F位于Ca”構(gòu)成的四面體空隙D.每個Ca?+周圍距離最近且等距的P有4個

4.下面是一些晶體的結(jié)構(gòu)示意圖.

*A

(1)下列關(guān)于晶體的說法正確的是.(填字母)。

A.晶體的形成與晶體的自范性有關(guān)

B.可以用X-射線衍射儀區(qū)分晶體和非晶體

C.石蠟是非晶體，但有固定的熔點

D.晶胞就是晶體

(2)圖甲表示的是晶體的二維平面示意圖，a、b中可表示化學(xué)式為AX3的化合物的是(填“a”或

“b”)。

(3)圖乙表示的是金屬銅的晶胞。

①該晶胞“實際”擁有的銅原子數(shù)是,銅原子的配位數(shù)為。

②該晶胞稱為(填字母)。

A.六方晶胞B.體心立方晶胞C.面心立方晶胞

(4)NiO、FeO的晶體結(jié)構(gòu)相同，且*Fe2+)＞r(Ni2+),NiO的熔點為1960℃,則FeO的熔點(填

”＞，，或“＜，，)]960℃,判斷的依據(jù)是___________________________________

5.(DAI2O3、SiC、Si、金剛石中屬于原子(共價)晶體的有,其熔點由高到

低的順序為,理由是。

(2)干冰、冰二者的熔點較高的是,其理由是。

(3)CS2熔、沸點高于CO2的理由是_________________________________________

(4)BN、MgBn、SiCL的熔點由高到低的順序為1

lr+

、II

\/

N

(5)NaF的熔點(填"才"=”或"v")[J[BF]的熔點，其原因是

真題練

1.（2022江蘇）下列說法正確的是

A.金剛石與石墨烯中的C-CC夾角都為120

B.SiH4、SiCL都是由極性鍵構(gòu)成的非極性分子

C.錯原子的Ge）基態(tài)核外電子排布式為4s24P2

D.1VA族元素單質(zhì)的晶體類型相同

2.（2021廣東節(jié)選）理論計算預(yù)測，由汞（Hg）、錯（Ge）、睇（Sb）形成的一種新物質(zhì)X為潛在的拓?fù)?/p>

絕緣體材料。X的晶體可視為Ge晶體（晶胞如圖9a所示）中部分Ge原子被Hg和Sb取代后形成。

①圖9b為Ge晶胞中部分Ge原子被Hg和Sb取代后形成的一種單元結(jié)構(gòu)，它不是晶胞單元，理由是

②圖9c為X的晶胞，X的晶體中與Hg距離最近的Sb的數(shù)目為；該晶胞中粒子個數(shù)比Hg：

Ge：Sb=o

③設(shè)X的最簡式的式量為M,則X晶體的密度為g/cm3（列出算式）。

3.（2020?全國H卷節(jié)選）Ti的四鹵化物熔點如下表所示，TiF4熔點高于其他三種鹵化物，自TiCL至TiL熔

點依次升高，原因是O

化合物

TiF4TiCl4TiBr4Til4

熔點/℃377-24.1238.3155

4.（2020?全國I卷節(jié)選）LiFePOq的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如（a）所示。其中O圍繞Fe和P分別形成正八面體和

正四面體，它們通過共頂點、共棱形成空間鏈結(jié)構(gòu)。每個晶胞中含有LiFePCU的單元數(shù)有個。

(a)LiFePOj(b)Li|.vFePO4(c)FePO4

電池充電時，LiFePCU脫出部分Li卡,形成LinFePCU,結(jié)構(gòu)示意圖如（b）所示，則x=,n（Fe2

一）：n（Fe＞）=?

5.（2020?全國HI卷節(jié)選）氨硼烷（NH3BH3）含氫量高、熱穩(wěn)定性好，是一種具有潛力的固體儲氫材料。研

究發(fā)現(xiàn)，氨硼烷在低溫高壓條件下為正交晶系結(jié)構(gòu)，晶胞參數(shù)分別為apm、6pm、cpm,a=6=y=90。。

氨硼烷的2x2x2超晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。

氨硼烷晶體的密度p=g-cm-3（列出計算式，設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值）。

基礎(chǔ)練

I.【答案】C

【詳解】A.石墨晶體中每一層會形成大兀鍵產(chǎn)生可以自由移動的電子使得石墨可以導(dǎo)電，因此層內(nèi)導(dǎo)電性

強(qiáng)于層間導(dǎo)電性，A正確；

B.工業(yè)鹽酸中含有部分鐵離子，鐵離子和氯離子生成［FeCl］一，因含有［FeCL］而呈亮黃色，B正確;

C.氟的電負(fù)性大于氯，使得三氟乙酸酸性強(qiáng)于三氯乙酸，三氟乙酸的Ka值較大，故［氟乙酸的pK,比三.

氯乙酸更小，C錯誤;

D.干冰是面心立方堆積，水配位數(shù)與生成氫鍵有關(guān)，干冰中C0?的配位數(shù)大于冰中水分子的配位數(shù)，這與

水分子間形成氫鍵有關(guān)，D正確；

故選C。

2.【答案】B

【詳解】A.該晶胞中，Ti(黑球)的個數(shù)為l+12xg=4,N(白球)的個數(shù)為8x：+6x；=4,則Ti和N的

個數(shù)比為1:1,該物質(zhì)的化學(xué)式為TiN,A正確；

B.該晶胞中N、Ti之間的最近距離為apm,則Ti與Ti的最近距離是0apm,B錯誤；

C.如圖所示，與Ti距離相等且最近的N有6個，則Ti的配位數(shù)為6,C正確；

D,與N距離相等且最近的N有12個，D正確；

故選B。

3.【答案】D

【詳解】A.同分異構(gòu)體是分子式相同、結(jié)構(gòu)不同的化合物；三者不是互為同分異構(gòu)體，A錯誤；

B.石墨煥中含碳碳叁鍵，化學(xué)性質(zhì)較活潑，金剛石中碳原子均是飽和鍵，化學(xué)性質(zhì)在常溫下非常穩(wěn)定，B

錯誤；

C.金剛石中1個碳原子與4個碳原子相連形成4個共價鍵，每個共價鍵為相鄰2個碳原子共用，故原子數(shù)

和共價鍵數(shù)之比為1：(4x3)=1:2,C錯誤；

D.石墨烯中1個碳原子被相鄰3個環(huán)共用，每個環(huán)上有6個碳原子，則碳原子數(shù)與六元環(huán)數(shù)之比為為

(6xg)：1=2：1,D正確；

故選D。

4.【答案】(1)2體心頂點8

⑵2CuH+3cb叁蹙2CUCL+2HC1

(3)F(4)TiN>MgO>CaO>KCl12

【解析】(1)體心立方晶胞中，I個原子位于體心，8個原子位于立方體的頂點，故1個晶胞中金屬原子

數(shù)為8X：+1=2；氯化鈉晶胞中，Cs+位于體心，C廠位于頂點，Cs'的配位數(shù)為8。(2)由晶胞可知，微粒個

數(shù)比為1：1,化學(xué)式為CuH,CuH與Cb反應(yīng)，產(chǎn)物為CuCk和HCL化學(xué)方程式為2CuH+3c卜型整2CuCb

+2HCL(3)由晶胞結(jié)構(gòu)可知，黑球有1個，灰球有1個，白球有3個，由電荷守恒可知“(Mg2+):n(K)):

〃(『)=1：1：3,故白球為F,(4)從3種離子晶體的晶格能數(shù)據(jù)知道，離子所帶電荷越多、離子半徑越小，

離子晶體的晶格能越大，離子所帶電荷數(shù)：Ti??Mg2+,離子半徑：Mg2+<Ca2+,所以熔點：

TiN>MgO>CaO>KCl；MgO晶體中一個Mg2+周圍和它最鄰近且等距離的Mg?+有12個。

5.【答案】（1）原子共價鍵（2）①②③④

（3）HF分子間能形成氫鍵，其熔化時需要消耗的能量更多（只要答出HF分子間能形成氫鍵即可）（4）②

④（5）D組晶體都為離子晶體，r（Na'）＜r（K^）＜r（Rb'）＜r（Cs+）,在離子所帶電荷數(shù)相同的情況下，半徑越小,

晶格能越大，熔點就越高

【解析】（1）A組熔點很高，為原子晶體，是由原子通過共價鍵形成的。（2）B組為金屬晶體，具有①②

③④四條共同的物理性質(zhì)。（3）HF中含有分子間氫鍵，故其熔點反常。（4）D組屬于離子晶體，具有②④兩條

性質(zhì)。（5）D組屬于離子晶體，其熔點與晶格能有關(guān)。

提升綠

1.【答案】C

【詳解】A.汽車尾氣催化轉(zhuǎn)化器可將CO轉(zhuǎn)化為CO2不能減少CC）2的排放，A錯誤；

B.錫比鉛活潑，兩者形成原電池，錫做負(fù)極，加速錫的腐蝕，B錯誤；

C.石墨烯可導(dǎo)電，具有金屬晶體的性質(zhì)，原子間形成共價鍵，具有共價晶體的性質(zhì)，石墨烯屬于混合型晶

體，C正確；

D.聚氯乙烯塑料中加入增塑劑會釋放有毒物質(zhì)，不可用于制作不粘鍋的耐熱涂層，D錯誤；

故答案選C。

2.【答案】C

【詳解】A.由神化像的晶胞可知，晶胞中與Ga原子距離最近且相等的As原子的個數(shù)為4,則Ga原子的

配位數(shù)為4,選項A正確；

B.圖中白球與黑球的投影距離為apm,則晶胞體邊長為2x0apm,晶胞參數(shù)為20pm,選項B正確；

C.品胞中離As原子距離最近且相等的As原子共有12個（同層4個，上層4個，下層4個），選項C錯

誤；

D.根據(jù)各個原子的相對位置可知，晶胞中離?球距離最遠(yuǎn)的黑球即和④球直接相連的黑球，其原子坐標(biāo)

參數(shù)為（!，I，!），選項D正確；

444

答案選C。

3.【答案】D

【詳解】A.F位于第二周期VHA族，為元素周期表p區(qū)，故A正確；

B.由圖可知，該晶胞由Ca2+和F組成，為離子晶體，故B正確；

C.由晶胞結(jié)構(gòu)圖可知，F(xiàn)距離最近且等距的Ca2+為4個，所以F位于Ca2+構(gòu)成的四面體空隙，故C正確；

D.由面心的Ca2+可知，每個Ca?+周圍距離最近且等距的廣有8個，故D錯誤；

故答案選D。

4.【答案】⑴AB（2）b（3）①412②C（4）<兩者均為離子晶體，且陰、陽離子電荷數(shù)均為2,但Fe?

+的離子半徑較大，F(xiàn)eO的晶格能小，因此FeO的熔點較低

【解析】（1）在一定條件下，物質(zhì)能形成具有幾何形狀的晶體，這個過程與晶體的自范性有關(guān)，A項正

確；區(qū)別晶體與非晶體最可靠的方法是對固體進(jìn)行X-射線衍射實驗，B項正確：非晶體沒有固定的組成，

沒有固定的熔點，C項錯誤；晶體是由數(shù)量龐大的晶胞無隙并置而成的，D項錯誤。（2）a中每個黑球周圍有

6個白球，而每個白球周圍有3個黑球，故黑球與白球數(shù)目之比為1：2,b中每個黑球周圍有6個白球，而

每個白球周圍有2個黑球，故黑球與白球數(shù)目之比為1：3,a所示物質(zhì)的化學(xué)式為AX2、b所示物質(zhì)的化學(xué)

式為AX3。（3）①根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)和均攤法知，該晶胞中Cu原子個數(shù)=8xg+6xJ=4；在銅的晶胞中，頂點上

的銅原子被8個晶胞共有，每個晶胞中與1個頂點上銅原子距離最近的銅原子數(shù)是3,每個面上的銅原子被

2個晶胞共有，所以銅原子的配位數(shù)是3x8x；=12。②晶胞中銅原子位于頂點和面心，即該晶胞稱為面心立

方晶胞，C項正確。（4）NiO和FeO均為離子晶體，且晶體中陰、陽離子所帶電荷數(shù)均相同，由于半徑：Fe2

+>Ni2+,則晶格能：FeO<NiO,由此判斷熔點：NiO>FeO?

5.【答案】（l）SiC、Si、金剛石金剛石>SiC>SiC—C鍵、C—Si鍵、Si—Si鍵的鍵長依次增大，鍵能依

次減小，熔點依次降低

（2）冰冰晶體中分子間存在氫鍵

（3）CS2和C02均為分子晶體，CS2的相對分子質(zhì)量大，分子間作用力大，因此CS2熔、沸點高于C02

（4）BN>MgBr2>SiCl4

（5）>兩者均為離子化合物，且離子所帶電荷數(shù)均為1,但后者離子半徑大，離子鍵較弱，因此熔點較低

【解析】（l）SiC、Si、金剛石為原子晶體，原子晶體中共價鍵鍵長越短，鍵能越大，熔、沸點越高。（2）冰晶

體中含有氫鍵，熔點比干冰高。（3）CS2、CO2均為分子晶體，組成、結(jié)構(gòu)相似，相對分子質(zhì)量越大，范德華

力越大，熔、沸點越高。⑷BN為原子晶體，MgB”為離子晶體，SiCLi為分子晶體，故熔點：BN>MgBr2>SiCl4o

真題練

1.【答案】B

【詳解】

A.金剛石中的碳原子為正四面體結(jié)構(gòu)，C-C-C夾角為109。281故A錯誤；

B.SiH&的化學(xué)鍵為Si-H,為極性鍵，為正四面體，正負(fù)電荷中心重合，為非極性分子；SiCl」的化學(xué)鍵為

Si-CU為極性鍵，為正四面體，正負(fù)電荷中心重合，為非極性分子，故B正確；

C.楮原子&Ge）基態(tài)核外電子排布式為[Ar]35。4s24P。故C錯誤；

D.IVA族元素中的碳元素形成的石墨為混合晶體，而硅形成的晶體硅為原子晶體，故D錯誤;

故選Bo

2xM

2.【答案】由圖9c可知，圖9b中Sb、Hg原子取代位置除圖9b外還有其它形式41：1：2r

301xx2y

【詳解】

（6）①對比圖9b和圖9c可得X晶體的晶胞中上下兩個單元內(nèi)的原子位置不完全相同，不符合晶胞晶胞是晶

體的最小重復(fù)單位要求，故答案為：由圖9c可知，圖9b中Sb、Hg原子取代位置除圖9b外還有其它形式。

②以晶胞上方立方體中右側(cè)面心中Hg原子為例，同一晶胞中與Hg距離最近的Sb的數(shù)目為2,右側(cè)晶胞中

有2個Sb原子與Hg原子距離最近，因此X的晶體中與Hg距離最近的Sb的數(shù)目為4；該晶胞中Sb原子均

位于晶胞內(nèi)，因此1個晶胞中含有Sb原子數(shù)為8,Ge原子位于晶胞頂點、面心、體心，因此1個晶胞中含

有Ge原子數(shù)為l+8x；+4xg=4,Hg原子位于棱邊、面心，因此1個晶胞中含有Hg原子數(shù)為6xg+4x：=4,

則該晶胞中粒子個數(shù)比Hg：Ge：Sb=4：4：8=1：1：2,故答案為：4；1：1：2。

4xM

③1個晶胞的質(zhì)量m