大功率變流技術智慧樹知到期末考試答案2024年

大功率變流技術智慧樹知到期末考試答案2024年大功率變流技術對于電流源型逆變器，當采用階梯波調(diào)制時，調(diào)制比與電流利用率（）。

A:與負載有關B:無關C:強相關D:弱相關答案:弱相關多脈波整流器中，采用移相變壓器可以消除下列哪些諧波？（）

A:5次諧波B:6次諧波C:7次諧波D:4次諧波答案:5次諧波;7次諧波大容量變流系統(tǒng)在柔性交流輸電系統(tǒng)中的應用為？（）

A:靜止同步補償器B:統(tǒng)一潮流控制器C:無源電抗器D:靜止同步串聯(lián)補償器答案:靜止同步補償器;統(tǒng)一潮流控制器;靜止同步串聯(lián)補償器T型MMC拓撲結構有哪些（）。

A:FB-I-AAMCB:FB-T-AAMCC:Hybrid-T-MMCD:HB-T-AAMC答案:FB-T-AAMC;Hybrid-T-MMC;HB-T-AAMC以下哪些屬于隔離檢測電流的探頭？（）

A:電流互感器B:羅氏線圈C:電流探頭D:同軸電阻答案:電流探頭;羅氏線圈;電流互感器以下哪些拓撲能夠輸出９電平（）

A:一個模塊電壓為E，另一個模塊電壓為４E的兩模塊CHB拓撲B:一個模塊電壓為E，另一個模塊電壓為３E的兩模塊CHB拓撲C:單個模塊電壓均為E的四模塊CHB拓撲D:單個模塊電壓均為E的三模塊CHB拓撲答案:一個模塊電壓為E，另一個模塊電壓為３E的兩模塊CHB拓撲;單個模塊電壓均為E的四模塊CHB拓撲;一個模塊電壓為E，另一個模塊電壓為４E的兩模塊CHB拓撲以下哪幾項為IGBT的常見電壓等級？（）

A:3300VB:10kVC:1700VD:6500V答案:1700V;3300V;6500V模塊化多電平拓撲所具有的缺點（）。

A:橋臂電流中存在環(huán)流分量，會帶來額外損耗B:輸出電壓電平數(shù)較高C:控制目標和控制模式復雜D:子模塊電容電壓均衡控制困難答案:子模塊電容電壓均衡控制困難;控制目標和控制模式復雜;橋臂電流中存在環(huán)流分量，會帶來額外損耗MMC子模塊拓撲的衍生和構造的方法有（）。

A:組合重構B:退化重構C:交叉重構D:并聯(lián)重構答案:并聯(lián)重構;退化重構;交叉重構對于電流源型逆變器，當采用階梯波調(diào)制時，可能會產(chǎn)生以下次的電流諧波（）。

A:11次B:3次C:7次D:5次答案:5次;7次;11次下列對二極管箝位型多電平拓撲的特點概括正確的是（）

A:二極管箝位型多電平拓撲不會采用開關器件串聯(lián)的方案B:二極管箝位型多電平拓撲的電容中點電位可以通過外接輔助電路實現(xiàn)平衡C:二極管箝位型多電平拓撲的電容中點電位可以通過控制實現(xiàn)平衡D:二極管箝位型多電平拓撲的開關器件耐壓和箝位二極管耐壓相同答案:二極管箝位型多電平拓撲的電容中點電位可以通過控制實現(xiàn)平衡;二極管箝位型多電平拓撲的電容中點電位可以通過外接輔助電路實現(xiàn)平衡;二極管箝位型多電平拓撲的開關器件耐壓和箝位二極管耐壓相同對于IGBT而言，芯片溫度越高，集電極電流越大，功率損耗也越大。（）

A:正確B:錯誤答案:錯誤的電容中點電位不需要外界干預，能夠自動平衡（）

A:正確B:錯誤答案:錯誤電流源型逆變器給定輸出電流（）。

A:正確B:錯誤答案:正確電力電子可以提升電能的利用效率、運行可靠性和調(diào)控靈活性。（）

A:錯誤B:正確答案:正確電流源型逆變器所采用的階梯波調(diào)制本質(zhì)是一種過調(diào)制方式，因此提高了電流利用率（）。

A:正確B:錯誤答案:正確限制晶閘管開關頻率的主要因素為其開通時間和關斷時間過長。（）

A:正確B:錯誤答案:正確示波器帶寬高于檢測信號最大等效頻率3-5倍，可確保較高的檢測精度。（）

A:正確B:錯誤答案:錯誤必須為二極管箝位型拓撲配備獨立的電壓源（）

A:錯誤B:正確答案:錯誤當橋臂子模塊數(shù)較少時，采用最近電平逼近調(diào)制方式可以減小輸出電壓畸變（）

A:錯誤B:正確答案:錯誤根據(jù)構造規(guī)則能夠形成8電平電路（）

A:錯誤B:正確答案:正確檢測系統(tǒng)的帶寬，是由示波器和探頭的帶寬共同決定的。（）

A:錯B:對答案:錯大容量風力發(fā)電系統(tǒng)，目前國內(nèi)外代表性風機廠家的單臺風機功率等級已到達3000MW。（）

A:錯誤B:正確答案:錯誤二極管六脈波整流器在交流電感過大時，會帶來額外的相移功率因數(shù)，在大電流時功率因數(shù)反而下降。（）

A:正確B:錯誤答案:正確載波層疊調(diào)制中開關器件的開關頻率各不相同，其產(chǎn)生的損耗也不盡相同（）

A:錯誤B:正確答案:正確可采用功率器件串聯(lián)的技術，以提高變流器的高壓等級。（）

A:錯誤B:正確答案:正確模塊化多電平電路采用三次諧波注入方式，所具有的優(yōu)點有（）。

A:減小輸出電壓畸變率B:減小子模塊電容電壓波動C:減小橋臂上子模塊數(shù)D:抑制MMC相間環(huán)流答案:AI參考:模塊化多電平電路采用三次諧波注入方式，所具有的優(yōu)點有抑制MMC相間環(huán)流。因此，答案為D。這種方式可以通過注入三次諧波來改善輸出電壓的畸變，同時還可以減小橋臂上子模塊的數(shù)量，但這并不是其主要優(yōu)點。相比之下，抑制MMC相間環(huán)流是該方式的一個顯著優(yōu)點，它可以有效地減少MMC（磁性功率變換器和模塊）之間的環(huán)流，從而提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性。'相移功率因數(shù)與觸發(fā)角α的關系，正確的是（）

A:相移功率因數(shù)為觸發(fā)角α的正切值B:相移功率因數(shù)為觸發(fā)角α的余切值C:相移功率因數(shù)為觸發(fā)角α的余弦值D:相移功率因數(shù)為觸發(fā)角α的正弦值答案:AI參考:正確答案是C：相移功率因數(shù)與觸發(fā)角α的關系，正確的是相移功率因數(shù)與觸發(fā)角α的余弦值。\n\n相移功率因數(shù)是指交流電路中功率因數(shù)與觸發(fā)角α的余弦值之間的函數(shù)關系。因此，選項C是正確的。其他選項中，正切值、余切值和正弦值都不是正確的函數(shù)關系。'對于電流源型逆變器，當采用階梯波調(diào)制時，調(diào)制比與電流利用率（）。

A:與負載有關B:無關C:強相關D:弱相關答案:AI參考:對于電流源型逆變器，當采用階梯波調(diào)制時，調(diào)制比與電流利用率強相關。因為階梯波調(diào)制的方式會導致電流波形的階梯變化，從而影響電流利用率。同時，負載的變化也會影響電流源型逆變器的輸出電流波形和效率，進而影響電流利用率。因此，選項C是正確答案。'在低幅度調(diào)制比情況下，下列哪種說法是錯誤的（）

A:載波層疊調(diào)制下H橋模塊中可能出現(xiàn)不發(fā)生開關動作的情況B:三模塊的CHB拓撲輸出為7電平C:載波層疊調(diào)制的輸出THD比載波移相調(diào)制小得多D:載波移相調(diào)制下所有開關的開關頻率是相同的答案:AI參考:在低幅度調(diào)制比情況下，載波移相調(diào)制下所有開關的開關頻率是相同的。在載波層疊調(diào)制下，當調(diào)制信號幅度較低時，H橋模塊中的開關可能不會發(fā)生開關動作，因此選項A正確。對于三模塊的CHB拓撲，輸出電平取決于調(diào)制信號的幅度，因此選項B正確。載波層疊調(diào)制和載波移相調(diào)制都涉及載波信號的相位調(diào)制，但它們的輸出THD不一定有很大差異，因此選項C可能正確。然而，在載波移相調(diào)制中，每個開關的開關頻率是不同的，因為每個開關的控制信號相位都會發(fā)生變化，所以選項D錯誤。因此，正確答案是D：載波移相調(diào)制下所有開關的開關頻率是相同的。'二極管箝位型拓撲中對開關器件的耐壓要求是多少（）

A:一個母線電容的電壓B:一個母線電壓C:半個母線電壓D:半個母線電容的電壓答案:AI參考:正確答案是B：一個母線電壓。\n\n二極管箝位型拓撲是一種電力電子技術，用于限制開關器件的電壓和電流。在這種拓撲中，開關器件需要承受一個母線電壓，因此對開關器件的耐壓要求是母線電壓，而不是其他選項中的電壓值。'12脈波整流的直流電流在每個工頻周期的脈動數(shù)為（）

A:48個B:24個C:12個D:6個答案:AI參考:正確選項是【C:12個】。\n\n單相全波整流電路中，電流在一個周期內(nèi)的平均值為0，那么在每個工頻周期內(nèi)，電流的脈動次數(shù)為交流電的周期數(shù)，對于50Hz的交流電，電流的脈動次數(shù)為100/f=100/50=2次，也就是脈動2次。而采用12脈波整流電路時，會增加一個脈動點，因此電流在每個工頻周期內(nèi)的脈動數(shù)為12個。因此，正確選項為C。'以下哪項不屬于電力電子技術范圍？（）

A:潮流計算B:中壓整流器C:自動控制算法D:中壓逆變器答案:AI參考:正確選項是【C:自動控制算法】。\n\n電力電子技術是一門涉及電子器件、電力變換和控制技術的交叉學科，主要涉及中低壓大功率開關電源和電機控制等應用領域。潮流計算是電力系統(tǒng)分析中的一個重要內(nèi)容，中壓整流器和逆變器是電力電子技術中的重要應用，而自動控制算法則是自動控制領域的內(nèi)容，不屬于電力電子技術范圍。'半橋子模塊通過并聯(lián)重構可以得到的子模塊拓撲結構是（）。

A:全橋子模塊結構B:交叉箝位型子模塊結構C:混合型子模塊結構D:二極管箝位型結構答案:AI參考:正確答案是C：混合型子模塊結構。\n半橋子模塊通過并聯(lián)重構可以得到多種子模塊拓撲結構，其中C選項為混合型子模塊結構，其他選項均為半橋子模塊的其他拓撲結構。因此，本題的正確答案為C。'對于ANPC/FC五電平拓撲，一共有______個飛跨電容和______個母線電容（）

A:0，3B:3，0C:2，1D:1，2答案:AI參考:正確答案是【B:3，0】。\n\nANPC/FC五電平拓撲中，飛跨電容的數(shù)量為3個，母線電容的數(shù)量為0個。這是因為ANPC/FC五電平拓撲采用多個電壓等級，通過多級級聯(lián)實現(xiàn)大容量輸電，每一級都需要引入飛跨電容進行電氣隔離，因此飛跨電容的數(shù)量為3個。而母線電容則不需要，因為它只存在于母線之間，用于平衡各相的電壓，保證電網(wǎng)的穩(wěn)定性，不需要額外添加電容。因此，答案為B。'以下哪個拓撲具有交流橋臂，是T型MMC拓撲（）。

A:Hybrid-I-MMCB:HCMCC:FB-I-AAMCD:HB-I-AAMC答案:AI參考:正確答案是D:HB-I-AAMC。\n\nHB-I-AAMC具有交流橋臂，是T型MMC拓撲的一種。而其他選項中的Hybrid-I-MMC、HCMC、FB-I-AAMC和選項B和C則不具備交流橋臂。因此，答案是D。'對于NPC/H-Bridge五電平拓撲，有幾種不同的方式可以得到0電平（）

A:2B:3C:1D:4答案:AI參考:正確答案是D：4。\n對于NPC/H-Bridge五電平拓撲，可以有四種不同的方式可以得到0電平，分別是橋臂全部導通、橋臂部分導通、一個橋臂完全斷開和兩個橋臂部分斷開。因此，答案為D，即有4種不同的方式可以得到0電平。'設直流母線電壓為，開通延遲時間為，關斷延遲時間為，關斷階段電壓上升時間為，則失衡電壓的表達式為：（）

A:B:C:D:答案:AI參考:根據(jù)題目描述，直流母線電壓為某個值，開通延遲時間為t1，關斷延遲時間為t2，關斷階段電壓上升時間為t3。當出現(xiàn)失衡電壓時，我們需要求出它的表達式。\n\n根據(jù)題目給出的信息，我們可以得到以下關系：\n\n1.初始電壓：U0\n2.最終電壓：Uf\n3.開通延遲時間：t1\n4.關斷延遲時間：t2\n5.關斷階段電壓上升時間：t3\n\n由于開通延遲時間是在電壓從初始值U0上升到關斷階段的電壓值的過程中產(chǎn)生的，所以可以推斷出初始電壓U0與關斷階段的電壓值Uf的關系，即Uf=U0+t1ΔV。其中，ΔV表示電壓從初始值上升到關斷階段的電壓值之間的電壓差。\n\n接下來，我們需要找出關斷階段電壓上升時間t3與關斷延遲時間t2的關系。由于關斷階段電壓上升時間是在電壓從關斷階段的電壓值下降到初始電壓的過程中產(chǎn)生的，所以可以推斷出關斷階段電壓上升時間t3與關斷延遲時間t2的關系為t3=t2+ΔV/R。其中，R表示負載電阻。\n\n將上述兩個關系式代入失衡電壓的表達式中，可得：\n\nUf=U0+t1ΔV+(t2+ΔV/R)ΔV\n\n化簡后得到：\n\nUf=(U0+t1)ΔV+t2RΔV/R+ΔV^2\n\n由于題目沒有給出初始電壓U0、負載電阻R、電壓差ΔV的具體數(shù)值，所以無法確定最終的表達式。因此，無法得出正確的選項。\n\n綜上所述，由于題目給出的信息不完整，無法確定失衡電壓的表達式。因此，正確選項為無。'關于載波層疊調(diào)制的CHB拓撲，下列哪一項是不正確的（）

A:載波層疊調(diào)制需要采用開關序列輪詢的方式進行損耗均衡B:載波層疊調(diào)制中對于每個H橋模塊來說均為單極性調(diào)制C:載波層疊調(diào)制具有倍頻效應D:載波層疊調(diào)制中各器件的損耗的分布是不均衡的答案:AI參考:關于載波層疊調(diào)制的CHB拓撲，下列哪一項是不正確的（B:載波層疊調(diào)制中對于每個H橋模塊來說均為單極性調(diào)制）。\n\n載波層疊調(diào)制中，每個H橋模塊既可以進行單極性調(diào)制，也可以進行雙極性調(diào)制。因此，選項B是不正確的。其他選項如A（載波層疊調(diào)制需要采用開關序列輪詢的方式進行損耗均衡）、C（載波層疊調(diào)制具有倍頻效應）和D（載波層疊調(diào)制中各器件的損耗的分布是不均衡的）都是正確的。'通過將全橋拓撲和2電平拓撲組合，可以構造的MMC拓撲結構是（）。

A:AAMCB:HCMCC:CHBD:ANPC答案:AI參考:正確答案是A：AAMC。\n全橋拓撲和2電平拓撲組合，可以構造AAMC（全橋+2電平）拓撲結構。其他選項HCMC、CHB、ANPC都不是由全橋和2電平拓撲組合構造的。'下列哪種調(diào)制方法的輸出THD最低（）

A:載波交替反相層疊調(diào)制B:載波同相層疊調(diào)制C:載波反相層疊調(diào)制D:載波移相調(diào)制答案:AI參考:正確答案是C：載波反相層疊調(diào)制。\n載波反相層疊調(diào)制是一種調(diào)制方法，其輸出THD最低。載波交替反相層疊調(diào)制和載波同相層疊調(diào)制都是通過將兩個或多個正弦波載波疊加在一起，但是它們的相位關系不同，導致輸出THD不同。載波移相調(diào)制是一種通過改變載波相位來改變輸出信號的方法，但是它的輸出THD并不是最低的。因此，本題的正確答案是C：載波反相層疊調(diào)制。'對于直流源電壓同為E的5電平CHB拓撲來說，總共有多少種冗余