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文檔簡介
四、另外幾種重要的化合物絕緣陶瓷材料第一節(jié)絕緣陶瓷一、概述二、絕緣陶瓷的絕緣性三、常用的絕緣陶瓷材料1、氮化硅自然界中不存在、人工方法合成結構單元:Si—N四面體,Si
原子位于中心、N原子位于四個頂點
型(低溫相)和型(高溫相)、均屬六方晶系強共價鍵化合物、兩種晶型:氮化硅陶瓷的五種燒結工藝:①反應燒結(固)(固)缺點:產(chǎn)物含10—20%的氣孔、力學性能較差②熱壓燒結制備高致密、高性能氮化硅陶瓷的有效方法助燒劑:
等燒結溫度:1700—1800℃,壓力:20—40MPa缺點:成本高、難于形成形狀復雜制品氮化硅陶瓷的性能:優(yōu)異的力學性能和電性能、耐高溫(強度可保持到400℃)、高導熱率高溫原料:Si,無助燒劑原料:Si3N4;④氣氛加壓燒結(GPS)優(yōu)點:可獲得致密、韌性、高強度的高純度的陶瓷(液)(固)(加壓氣)⑤CVD法-化學氣相沉積③常壓燒結含助燒劑的氮化硅粒末壓塊、在氮氣氛的粉末床中高溫燒結反應燒結助燒劑:
等原料:Si3N4;燒結溫度:1700—1800℃原料(氣體):SiH4或SiCl4,NH3氣相反應反應溫度:800-1400℃,無助燒劑生成高純度的氮化硅膜Si:熔點為1400℃2、氮化鋁氮化鋁粉末的合成方法:①鋁粉與氮反應②Al2O3粉在碳存在下還原氮化③電弧等離子體法制備
納米顆粒的方法之一、可制成粒度50nm的納米顆粒鋁粉在氮的電弧等離子體中蒸發(fā)、與氮反應生成④鋁的鹵氮化合物熱分解等Al:熔點為660℃熔點為2200℃氮化鋁陶瓷的制備工藝:主要有熱壓燒結和常壓燒結熱壓燒結:可制備高致密陶瓷氮化鋁陶瓷燒結時的添加劑:常壓燒結、或加壓燒結可制半透明的陶瓷基片改善導熱性、耐熱性和強度熱壓熱導率
的導熱性好、強度高:
單晶理論值:應用:可作高溫構件、集成電路基片、熱交換器、單晶實測值:陶瓷(多晶)最高值:坩堝材料、高頻壓電元件等3、氮化硼B(yǎng)N與碳晶體在結構類型和結構特征上極其相似六方層狀結構(六方BN)石墨型三方層狀結構(三方BN)三方石墨層內共價鍵、層間范氏鍵立方結構(閃鋅礦)金剛石六方結構(纖鋅礦)六方金剛石層內、層間共價鍵立方共價和六方共價結構、在高溫高壓下制備六方、三方層狀結構在高溫高壓下、可轉變?yōu)槊芘诺牧交蛄⒎焦矁r結構六方層狀結構BN粉末制備:硼酸、硼酐、硼砂或鹵化硼在氮氣或氨氣中反應合成硼酸:H3BO3;硼砂:Na2B4O7·10H2O;硼(酸)酐-氧化硼:B2O3
高導熱六方共價氮化硼陶瓷制備:六方層狀結構BN粉末結合劑+2000℃熱壓熱導率:BN陶瓷的特性:熱導率高、高溫強度高、電絕緣好良好的高溫、絕緣、散熱陶瓷應用:半導體元件絕緣散熱板、焊接工具的高溫絕緣部件、熱電偶保護管、坩堝等4、氧化鈹(BeO)高溫型—立方金紅石結構兩種晶型:低溫型
—六方密填纖鋅礦結構制備方法:氫氧化鈹粉在1200℃煅燒、分解成氧化鈹細粉陶瓷的制作:常壓燒結或熱壓燒結燒結溫度:1800℃添加劑:促進燒結1640℃下形成三元共熔體陶瓷:陶瓷:2050—2160℃:低溫型轉變?yōu)楦邷匦腿埸c一般高達2450攝氏度缺點:有毒、成本高、在含水氣體
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