標準解讀
《GB/Z 43684-2024 納米技術 光柵的描述、測量和尺寸質量參數(shù)》是一份指導性技術文件,旨在為納米技術領域內光柵的設計、生產(chǎn)和質量控制提供標準化的方法。該標準詳細定義了光柵的基本術語與定義,包括但不限于光柵間距、周期數(shù)等關鍵參數(shù),并且規(guī)定了用于描述這些特性的方法。
對于光柵的測量方面,標準中提出了多種適用的技術手段及其具體操作流程,比如使用掃描電子顯微鏡(SEM)、原子力顯微鏡(AFM)或光學干涉法來獲取光柵表面形貌信息及精確尺寸數(shù)據(jù)。此外,還特別強調了在不同應用場景下選擇合適測量工具的重要性以及如何處理實驗過程中可能出現(xiàn)的各種誤差源以提高結果準確性。
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....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2024-03-15 頒布
- 2024-10-01 實施
文檔簡介
ICS07120
CCSL.04
中華人民共和國國家標準化指導性技術文件
GB/Z43684—2024/IECTS626222012
:
納米技術光柵的描述測量和
、
尺寸質量參數(shù)
Nanotechnoloies—Descritionmeasurementanddimensional
gp,
qualityparametersofgratings
IECTS626222012Nanotechnoloies—Descritionmeasurementand
(:,gp,
dimensionalualitarametersofartificialratinsIDT
qypgg,)
2024-03-15發(fā)布2024-10-01實施
國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布
國家標準化管理委員會
GB/Z43684—2024/IECTS626222012
:
目次
前言
…………………………Ⅲ
引言
…………………………Ⅳ
范圍
1………………………1
規(guī)范性引用文件
2…………………………1
術語和定義
3………………1
基本術語
3.1……………1
光柵相關術語
3.2………………………3
光柵的種類
3.3…………………………5
光柵質量參數(shù)術語
3.4…………………7
表征光柵的測量方法類別
3.5…………9
縮略語
4……………………10
光柵校準和質量表征方法
5………………10
概述
5.1………………10
全局方法
5.2……………10
局部方法
5.3……………11
混合方法
5.4……………11
各種方法的對比
5.5……………………12
光柵特征的其他偏差
5.6………………12
光柵質量表征的濾波算法
5.7…………14
光柵表征結果的報告
6……………………14
通則
6.1…………………14
光柵規(guī)格
6.2……………14
校準程序
6.3……………15
光柵質量參數(shù)
6.4………………………15
附錄資料性背景信息和示例
A()………………………16
附錄資料性布拉維格子
B()……………24
參考文獻
……………………27
Ⅰ
GB/Z43684—2024/IECTS626222012
:
前言
本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規(guī)則的規(guī)定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
本文件等同采用納米技術人造光柵的描述測量和尺寸質量參數(shù)文件類
IECTS62622:2012《、》,
型由的技術規(guī)范調整為我國的國家標準化指導性技術文件
IEC。
本文件做了下列最小限度的編輯性改動
:
將標準名稱改為納米技術光柵的描述測量和尺寸質量參數(shù)
———《、》;
將中未被引用的術語特征位置的相對偏差和特征位置的相對線性度
———IECTS62622:2012“”“
偏差分別調整至術語特征位置偏差和特征位置的線性度偏差的注中
”“”“”。
請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別專利的責任
。。
本文件由中國科學院提出
。
本文件由全國納米技術標準化技術委員會歸口
(SAC/TC279)。
本文件起草單位中國計量科學研究院北京大學清華大學蘇州蘇大維格科技集團股份有限公
:、、、
司廣納四維廣東光電科技有限公司
、()。
本文件主要起草人李偉李適朱振東李群慶陳林森李曉軍高思田李琪施玉書黃鷺史瑞
:、、、、、、、、、、、
喬文華鑒瑜
、。
Ⅲ
GB/Z43684—2024/IECTS626222012
:
引言
光柵在納米尺度結構的制造過程以及納米物體的表征中起著重要的作用
。
在采用光刻技術的半導體集成電路批量制造中通過光來探測掩模版和硅晶圓上的光柵圖案分析
,,
產(chǎn)生的光信號并將其用于在晶圓掃描生產(chǎn)工具的不同光刻步驟中實現(xiàn)光刻掩模和晶圓的對準在半
,。
導體制造以及其他需要納米級高定位精度的制造過程中通常使用基于光柵的長度或角度編碼器系統(tǒng)
,
提供運動軸的位置反饋納米技術中光柵的另一個應用領域是作為標準器用于校準表征納米結構所
。,
用的必要儀器如掃描探針顯微鏡掃描電子顯微鏡或透射電子顯微鏡等高分辨顯微鏡
,、。
在制造工具中用于位置反饋的光柵的質量通常影響對準系統(tǒng)或定位系統(tǒng)所能實現(xiàn)的精度光柵
,。
作為校準高分辨顯微鏡圖像放大倍率的標準器其質量決定了校準的不確定度從而對顯微鏡的最終測
,,
量不確定度起著重要作用
。
本文件主要規(guī)定了光柵特征的質量參數(shù)采用與光柵特征標稱位置的偏差來表示并提供了用于校
,,
準和表征光柵的各類測量與評價方法的應用指南
。
Ⅳ
GB/Z43684—2024/IECTS626222012
:
納米技術光柵的描述測量和
、
尺寸質量參數(shù)
1范圍
本文件界定了以光柵特征與標稱位置偏差來解釋光柵的全局和局部質量參數(shù)的通用術語并提供
,
了測定參數(shù)所用的測量與評價方法分類的指南以及在納米技術的不同應用領域保證生產(chǎn)和使用光柵
,
質量的指南
。
本文件所定義和描述的方法適用于不同種類的光柵但本文件重點關注一維和二維光
,(1D)(2D)
柵以便于納米技術領域中涉及光柵尺寸質量參數(shù)表征的制造商用戶和校準實驗室之間的使用
,、。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的內容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文
。,
件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于
,;
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