半導(dǎo)體物理學(xué)劉恩科第七版課后習(xí)題解第1章習(xí)題解_第1頁
半導(dǎo)體物理學(xué)劉恩科第七版課后習(xí)題解第1章習(xí)題解_第2頁
半導(dǎo)體物理學(xué)劉恩科第七版課后習(xí)題解第1章習(xí)題解_第3頁
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...wd......wd......wd...半導(dǎo)體物理學(xué)第一章習(xí)題(公式要正確顯示，請安裝字體MTextra)TOC\o"1-3"\h\z1．設(shè)晶格常數(shù)為a的一維晶格，導(dǎo)帶極小值附近能量Ec(k)和價(jià)帶極大值附近能量EV(k)分別為：12.晶格常數(shù)為0.25nm的一維晶格，當(dāng)外加102V/m，107V/m的電場時(shí)，試分別計(jì)算電子自能帶底運(yùn)動(dòng)到能帶頂所需的時(shí)間。31．設(shè)晶格常數(shù)為a的一維晶格，導(dǎo)帶極小值附近能量Ec(k)和價(jià)帶極大值附近能量EV(k)分別為：〔1〕禁帶寬度;〔2〕導(dǎo)帶底電子有效質(zhì)量;〔3〕價(jià)帶頂電子有效質(zhì)量;〔4〕價(jià)帶頂電子躍遷到導(dǎo)帶底時(shí)準(zhǔn)動(dòng)量的變化解：〔1〕2.晶格常數(shù)為0.25nm的一維晶格，當(dāng)外加102V/m，107V/m的電場時(shí)，試分別計(jì)算電子自能帶底運(yùn)動(dòng)到能帶頂所需的時(shí)間。解：根據(jù)：得補(bǔ)充題1分別計(jì)算Si〔100〕，〔110〕，〔111〕面每平方厘米內(nèi)的原子個(gè)數(shù)，即原子面密度〔提示：先畫出各晶面內(nèi)原子的位置和分布圖〕Si在〔100〕，〔110〕和〔111〕面上的原子分布如圖1所示：〔a〕(100)晶面〔b〕(110)晶面〔c〕(111)晶面補(bǔ)充題2一維晶體的電子能帶可寫為，式中a為晶格常數(shù)，試求〔1〕布里淵區(qū)邊界；〔2〕能帶寬度；〔3〕電子在波矢k狀態(tài)時(shí)的速度；〔4〕能帶底部電子的有效質(zhì)量；〔5〕能帶頂部空穴的有效質(zhì)量解：〔1〕由得〔n=0，1，2…〕進(jìn)一步分析，E〔k〕有極大值，時(shí)，E〔k〕有極小值所以布里淵區(qū)邊界為(2)能帶寬度為(3〕電子在波矢k狀態(tài)的速度

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