MOOC 材料科學(xué)與工程基礎(chǔ)-蘇州大學(xué) 中國大學(xué)慕課答案

MOOC材料科學(xué)與工程基礎(chǔ)-蘇州大學(xué)中國大學(xué)慕課答案第一章單元作業(yè)第一章單元測驗(yàn)1、問題：下列不屬于晶胞形態(tài)的有？選項(xiàng)：A、三方柱B、四方柱C、菱形柱D、矩形柱正確答案:【三方柱】2、問題：Na2O晶體結(jié)構(gòu)的堆積系數(shù)？選項(xiàng)：A、0.47B、0.52C、0.60D、0.74正確答案:【0.47】3、問題：已知晶面ABC在X、Y、Z軸上的截距分別為4a、3b、∞c。則其晶面指數(shù)為。選項(xiàng)：A、(340)B、(430)C、(034)D、-正確答案:【(340)】4、問題：CaO晶體結(jié)構(gòu)的堆積系數(shù)？選項(xiàng)：A、55%B、60%C、74%D、47%正確答案:【55%】5、問題：下列晶體中，結(jié)構(gòu)最為疏松的是？選項(xiàng)：A、B、CaOC、D、正確答案:【】6、問題：晶體結(jié)構(gòu)可以視為簡單球體堆積，這種堆積結(jié)構(gòu)的晶胞是什么？選項(xiàng)：A、平行六面體B、原胞C、晶胞D、四面體E、八面體正確答案:【平行六面體】7、問題：在ThO2晶體中，四面體空隙數(shù)、八面體空隙數(shù)與作最緊密堆積的離子的個(gè)數(shù)之比為？選項(xiàng)：A、2:1:1B、4:2:2C、2:1:2D、1:2:2正確答案:【2:1:1】8、問題：以密堆積模型計(jì)算由同種原子構(gòu)成的同體積的體心和面心立方晶體中的原子數(shù)之比為。選項(xiàng)：A、0.919B、0.812C、1D、0.740正確答案:【0.919】9、問題：晶面選項(xiàng)：、、屬于同一晶帶，其帶軸的晶向指數(shù)為。A、B、[111]C、D、正確答案:【】10、問題：下列屬于螢石型晶體結(jié)構(gòu)的是？選項(xiàng)：A、B、C、D、正確答案:【##】11、問題：在陰離子為離子，且一半四面體空隙位置的晶體是？作面心立方緊密堆積的晶體中，以下填滿選項(xiàng)：A、ZnOB、BeOC、ZnSD、BaO正確答案:【ZnO#BeO】12、問題：在晶體學(xué)中，晶胞是按照晶體特性選取的。選項(xiàng)：A、周期性B、對(duì)稱性C、異向性D、等同性正確答案:【周期性#對(duì)稱性】13、問題：鮑林在研究了離子晶體的基礎(chǔ)上，歸納出五條離子晶體結(jié)構(gòu)形成的規(guī)則。其中最重要的三條如下：、、。選項(xiàng)：A、配位數(shù)規(guī)則B、靜電價(jià)規(guī)則C、配位多面體連接規(guī)則D、節(jié)約規(guī)則正確答案:【配位數(shù)規(guī)則#靜電價(jià)規(guī)則#配位多面體連接規(guī)則】14、問題：晶胞是晶體結(jié)構(gòu)的本質(zhì)，任何晶體結(jié)構(gòu)都應(yīng)該有這種本質(zhì)，即使有些晶體不遵循球體最緊密堆積原理。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】15、問題：空間點(diǎn)陣中，結(jié)點(diǎn)的總體稱為布拉菲格子。如果晶體是由同一種原子組成，則這種原子組成的空間網(wǎng)絡(luò)就是布拉菲格子。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】16、問題：晶體可以破裂成一個(gè)一個(gè)的小方塊，當(dāng)把晶體破裂到最小最小的粒度時(shí)，發(fā)現(xiàn)此時(shí)晶體的形狀也是小方塊，則這個(gè)小方塊是該晶體結(jié)構(gòu)的晶胞。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】17、問題：最緊密堆積結(jié)構(gòu)中的配位多面體只能是四面體和八面體。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】18、問題：赤鐵礦（Fe2O3）的結(jié)構(gòu)可以描述如下：O2-作ABAB…六方最緊密堆積，F(xiàn)e3+只充填了2/3的八面體空隙，還有1/3的八面體空隙和所有的四面體空隙都空著。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】19、問題：Na2O、ZnS等結(jié)構(gòu)中都沒有結(jié)構(gòu)基團(tuán)，它們結(jié)構(gòu)中各離子分布是均勻的，但它們都有配位多面體。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】20、問題：一個(gè)晶體結(jié)構(gòu)中可以同時(shí)存在各種不同形態(tài)的配位多面體，但一個(gè)晶體結(jié)構(gòu)的晶胞形狀是固定不變的。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】21、問題：晶面（100）、（110）、選項(xiàng)：是屬于同一晶帶。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】22、問題：解理面通常是面指數(shù)高的晶面。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】23、問題：空間點(diǎn)陣學(xué)說概況了晶體結(jié)構(gòu)的周期性，晶體中所有的結(jié)構(gòu)基元都是等同的。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】24、問題：實(shí)際上，任何兩個(gè)結(jié)構(gòu)基元中相應(yīng)原子周圍的情況是不同的，且每個(gè)結(jié)構(gòu)基元中各個(gè)原子的周圍情況也是不同的。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】25、問題：方解石（Ca[CO3]）的結(jié)構(gòu)可以描述如下：絡(luò)陰離子[CO3]2-作ABCABC…立方最緊密堆積，Ca2+充填在所有的八面體空隙。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】第二章單元作業(yè)第二章單元測驗(yàn)1、問題：若在NaCl晶體中，含有0.02%mol的CaCl2雜質(zhì)，則在800℃時(shí)，NaCl晶體中占優(yōu)勢的缺陷是？已知在NaCl晶體中，肖特基缺陷的形成能為2.4eV。選項(xiàng)：A、雜質(zhì)缺陷B、肖特基缺陷C、弗倫克爾缺陷D、非化學(xué)計(jì)量缺陷正確答案:【雜質(zhì)缺陷】2、問題：在FexO晶體中，當(dāng)溫度不變時(shí)，隨著氧分壓增加，缺陷濃度，晶體密度？選項(xiàng)：A、增加，降低B、增加、增加C、降低、增加D、降低、降低正確答案:【增加，降低】3、問題：存在氧空位的是一種型半導(dǎo)體？選項(xiàng)：A、nB、pC、-D、--正確答案:【n】4、問題：CaO和Na2O均以氧的面心立方密堆積為基礎(chǔ)，CaO中主要的熱缺陷是缺陷？而Na2O中主要的熱缺陷是缺陷？選項(xiàng)：A、肖特基，弗倫克爾B、弗倫克爾，肖特基C、肖特基，肖特基D、弗倫克爾，弗倫克爾正確答案:【肖特基，弗倫克爾】5、問題：低價(jià)正離子取代高價(jià)正離子時(shí)，為了保持結(jié)構(gòu)的電中性，會(huì)產(chǎn)生空位或間隙。選項(xiàng)：A、負(fù)離子，正離子B、負(fù)離子，負(fù)離子C、正離子，正離子D、正離子，負(fù)離子正確答案:【負(fù)離子，正離子】6、問題：ZrO2、MnO2和CaO晶體中，最易形成間隙型固溶體的是。選項(xiàng)：A、ZrO2B、MnO2C、CaOD、都不是正確答案:【ZrO2】7、問題：KCl晶體生長時(shí)，加入適量的CaCl2溶液，則生長的KCl晶體的質(zhì)量密度值相比理論密度值？選項(xiàng)：A、小B、大C、不變D、-正確答案:【小】8、問題：原子遷移到間隙中形成空位-間隙對(duì)的點(diǎn)缺陷稱為？選項(xiàng)：A、肖特基缺陷B、弗蘭克爾缺陷C、非化學(xué)計(jì)量化合物缺陷D、堆垛層錯(cuò)正確答案:【弗蘭克爾缺陷】9、問題：對(duì)于形成非本征缺陷而言，高價(jià)正離子占據(jù)低價(jià)正離子位置時(shí)，為了保持電中性，會(huì)產(chǎn)生？選項(xiàng)：A、負(fù)離子空位B、間隙負(fù)離子C、間隙正離子D、-正確答案:【間隙負(fù)離子】10、問題：晶體中的熱缺陷的濃度隨溫度變化而變化，其變化規(guī)律是？選項(xiàng)：A、線性增加B、呈指數(shù)規(guī)律增加C、無規(guī)律D、線性減少正確答案:【呈指數(shù)規(guī)律增加】11、問題：書寫缺陷反應(yīng)方程式應(yīng)遵循的原則是、、。選項(xiàng)：A、位置關(guān)系B、質(zhì)量平衡C、電中性D、原子數(shù)目相等正確答案:【位置關(guān)系#質(zhì)量平衡#電中性】12、問題：缺陷按幾何形態(tài)可分為？選項(xiàng)：A、點(diǎn)缺陷B、線缺陷C、面缺陷D、體缺陷正確答案:【點(diǎn)缺陷#線缺陷#面缺陷#體缺陷】13、問題：形成連續(xù)置換型固溶體的充要條件是？選項(xiàng)：A、相互取代的離子尺寸差小于15%B、晶體結(jié)構(gòu)完全相同C、電負(fù)性相近D、鍵性相近正確答案:【相互取代的離子尺寸差小于15%#晶體結(jié)構(gòu)完全相同】14、問題：點(diǎn)缺陷與材料的電學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)、材料的高溫動(dòng)力學(xué)過程等有關(guān)，以下點(diǎn)缺陷中屬于本征缺陷的是？選項(xiàng)：A、肖特基缺陷B、弗倫克爾缺陷C、雜質(zhì)缺陷D、非化學(xué)計(jì)量化合物缺陷正確答案:【肖特基缺陷#弗倫克爾缺陷】15、問題：質(zhì)點(diǎn)在三維空間的排列遵循嚴(yán)格的周期性，這是一種僅在絕對(duì)零度才可能出現(xiàn)的理想狀況。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】16、問題：晶體的結(jié)構(gòu)缺陷不等于晶體的缺點(diǎn)，實(shí)際上，正是由于晶體結(jié)構(gòu)缺陷的存在，才賦予晶體各種各樣的性質(zhì)或性能。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】17、問題：材料中的點(diǎn)缺陷始終處于產(chǎn)生與復(fù)合動(dòng)態(tài)的平衡狀態(tài)，所以它們之間可以像化學(xué)反應(yīng)似地相互反應(yīng)。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】18、問題：形成點(diǎn)缺陷時(shí)，基質(zhì)晶體中正負(fù)離子的格點(diǎn)數(shù)和原子數(shù)都將保持不變。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】19、問題：若高價(jià)正離子占據(jù)低價(jià)正離子位置時(shí)，該位置帶有負(fù)電荷，為了保持電中性，會(huì)產(chǎn)生正電荷空位或間隙負(fù)離子。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】20、問題