（高清版）GBT 43493.2-2023 半導(dǎo)體器件 功率器件用碳化硅同質(zhì)外延片缺陷的無(wú)損檢測(cè)識(shí)別判據(jù) 第2部分：缺陷的光學(xué)檢測(cè)方法

CCSL90半導(dǎo)體器件功率器件用碳化硅同質(zhì)外延片缺陷的無(wú)損檢測(cè)識(shí)別判據(jù)第2部分：缺陷的光學(xué)檢測(cè)方法carbidehomoepitaxialwaferforpowerdevices—Part2:Testmethodfor2023-12-28發(fā)布2024-07-01實(shí)施國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)GB/T43493.2—2023/IEC63068-2:2019 I Ⅱ 2規(guī)范性引用文件 3術(shù)語(yǔ)和定義 4光學(xué)檢測(cè)方法 54.1通則 4.2原理 4.3測(cè)試需求 4.4參數(shù)設(shè)置 4.5測(cè)試步驟 4.6評(píng)價(jià) 4.7精密度 4.8測(cè)試報(bào)告 附錄A(資料性)缺陷的光學(xué)檢測(cè)圖像 A.1概述 A.2微管 A.5BPD A.6劃痕痕跡 A.7堆垛層錯(cuò) A.8延伸堆垛層錯(cuò) A.9復(fù)合堆垛層錯(cuò) A.10多型包裹體 A.11顆粒包裹體 A.12臺(tái)階聚集簇 參考文獻(xiàn) I本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。本文件是GB/T43493《半導(dǎo)體器件功率器件用碳化硅同質(zhì)外延片缺陷的無(wú)損檢測(cè)識(shí)別判據(jù)》的——第1部分：缺陷分類；——第2部分：缺陷的光學(xué)檢測(cè)方法；——第3部分：缺陷的光致發(fā)光檢測(cè)方法。本文件等同采用IEC63068-2:2019《半導(dǎo)體器件功率器件用碳化硅同質(zhì)外延片缺陷的無(wú)損檢測(cè)識(shí)別判據(jù)第2部分：缺陷的光學(xué)檢測(cè)方法》。請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布結(jié)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任。本文件由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203/SC2)共同提出并歸口。本文件起草單位：河北半導(dǎo)體研究所(中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所)、之江實(shí)驗(yàn)室、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所、浙江大學(xué)、山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司、河北普興電子科技股份有限公司、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、中電化合物半導(dǎo)體有限公司、山西爍科晶體有限公司、廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司、深圳市星漢激光科技股份有限公司、常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司、深圳市恒運(yùn)昌真空技術(shù)有限公司、深圳市鷹眼在線電子科技有限公司、深圳超盈智能科技有限公司、常州臻晶半導(dǎo)體有限公司、廈門柯?tīng)栕詣?dòng)化設(shè)備有限公司、廈門普誠(chéng)科技有限公司。Ⅱ碳化硅(SiC)作為半導(dǎo)體材料，被廣泛應(yīng)用于新一代功率半導(dǎo)體器件中。與硅(Si)相比，具有擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、導(dǎo)熱率高、飽和電子漂移速率高和本征載流子濃度低等優(yōu)越的物理性能，SiC基功率半導(dǎo)體器件相對(duì)于硅基器件，具有更快的開(kāi)關(guān)速度、低損耗、高阻斷電壓和耐高溫等性能。SiC功率半導(dǎo)體器件尚未全面得以應(yīng)用，主要由于成本高、產(chǎn)量低和長(zhǎng)期可靠性等問(wèn)題。其中一個(gè)嚴(yán)重的問(wèn)題是SiC外延材料的缺陷。盡管都在努力降低SiC外延片中的缺陷，但商用SiC外延片中仍存在一定數(shù)量的缺陷。因此有必要建立SiC同質(zhì)外延片質(zhì)量評(píng)定國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。GB/T43493旨在給出高功率半導(dǎo)體器件用4H-SiC同質(zhì)外延片中各類缺陷的分類、光學(xué)檢測(cè)方法和光致發(fā)光檢測(cè)方法。由三個(gè)部分組成。 第1部分：缺陷分類。目的是列出并提供高功率半導(dǎo)體器件用4H-SiC同質(zhì)外延片中各類缺陷及其典型特征。——第2部分：缺陷的光學(xué)檢測(cè)方法。目的是給出并提供高功率半導(dǎo)體器件用4H-SiC同質(zhì)外延片中缺陷光學(xué)檢測(cè)的定義和指導(dǎo)方法。 目的是給出并提供高功率半導(dǎo)體器件用4H-SiC同質(zhì)外延片中缺陷光致發(fā)光檢測(cè)的定義和指導(dǎo)方法。1半導(dǎo)體器件功率器件用碳化硅同質(zhì)外延片缺陷的無(wú)損檢測(cè)識(shí)別判據(jù)第2部分：缺陷的光學(xué)檢測(cè)方法本文件提供了在商用碳化硅(SiC)同質(zhì)外延片產(chǎn)品上缺陷光學(xué)檢測(cè)的定義和方法。主要是通過(guò)給出這些缺陷的光學(xué)圖像示例，為SiC同質(zhì)外延片上缺陷的光學(xué)檢測(cè)提供檢測(cè)和分類的依據(jù)。本文件主要論述缺陷的無(wú)損表征方法，因此有損表征例如濕法腐蝕等不包含在本文件范圍內(nèi)。2規(guī)范性引用文件本文件沒(méi)有規(guī)范性引用文件。3術(shù)語(yǔ)和定義下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。ISO和IEC維護(hù)的用于標(biāo)準(zhǔn)化的術(shù)語(yǔ)數(shù)據(jù)庫(kù)地址如下：光學(xué)檢測(cè)opticalinspection在光學(xué)圖像傳感器中利用光學(xué)成像對(duì)晶片進(jìn)行形態(tài)檢測(cè)，在非接觸測(cè)試方法下掃描晶片表面以獲得缺陷的特征，例如缺陷的大小和形狀。光學(xué)成像opticalimaging利用光源照明、光學(xué)部件、光學(xué)圖像傳感器和計(jì)算機(jī)系統(tǒng)捕捉、處理和分析缺陷圖像的技術(shù)。為觀察缺陷及其周圍狀態(tài)而使用的光照。反射光照明reflectiveillumination通過(guò)觀察光照射到晶片表面的反射光獲得缺陷信息。從特定方向入射到晶片的照明。散射光diffusedlighting從隨機(jī)方向入射到晶片的照明。2光學(xué)圖像傳感器檢測(cè)缺陷反射和散射光線的圖像采集方法。光學(xué)圖像傳感器僅檢測(cè)缺陷散射光線的圖像采集方法。差分干涉對(duì)比檢測(cè)differentialinterferencecontrastobservation通過(guò)在晶片表面上相鄰點(diǎn)之間照射兩個(gè)正交偏振光，利用光路差異產(chǎn)生對(duì)比度的圖像捕獲方法。偏振光檢測(cè)polarizedlightobservation使用偏振板產(chǎn)生偏振光，通過(guò)光學(xué)圖像傳感器檢測(cè)缺陷偏振發(fā)光的方法。將光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換成數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的裝置。組成光學(xué)系統(tǒng)并用來(lái)捕獲光學(xué)圖像的透鏡、反射鏡、濾光器等部件。建立晶片缺陷的二維原始數(shù)字圖像的過(guò)程。原始數(shù)字圖像originaldigitalimage由光學(xué)圖像傳感器拍攝的未進(jìn)行任何圖像處理的數(shù)字化圖像。注：原始數(shù)字圖像通過(guò)網(wǎng)格劃分成像素，并為每個(gè)像素分配一個(gè)灰階。電荷耦合器件charge-coupleddevice;CCD將探測(cè)的光學(xué)信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)殡妼W(xué)信號(hào)的光敏集成電路芯片。注：CCD由多個(gè)單元組成，每個(gè)單元對(duì)應(yīng)原始數(shù)字圖像的一個(gè)像素。給定一個(gè)灰度數(shù)字值表示原始數(shù)字圖像中的最小單位。原始數(shù)字圖像每單位長(zhǎng)度(或面積)的像素?cái)?shù)。注：如果X和Y方向的分辨率不同，則記錄兩個(gè)值。灰度的亮度等級(jí)。注：亮度等級(jí)通常由灰度等級(jí)的正整數(shù)表示?；叶萭reyscale從黑色到白色的灰色調(diào)范圍。38位灰度有2?(=256)個(gè)灰階值?；译A值0(第1階)對(duì)應(yīng)黑色，灰階值255(第256階)對(duì)應(yīng)白色。圖像處理imageprocessing對(duì)原始數(shù)字圖像的軟件操作(處理),為后續(xù)圖像分析做準(zhǔn)備。注：例如，圖像處理能用來(lái)消除圖像捕獲(采集)過(guò)程中產(chǎn)生的錯(cuò)誤，或?qū)D像信息壓縮為基本信息。二進(jìn)制圖像binaryimage每個(gè)像素都被指定為0(黑)或1(白)的圖像。亮度brightness光學(xué)圖像指定部分的平均灰度值。光學(xué)圖像兩個(gè)指定部分的灰階差。陰影校正shadingcorrection用于校正晶片表面照明不均勻的軟件方法。從灰度圖像中創(chuàng)建二進(jìn)制圖像的過(guò)程，此過(guò)程將值大于給定閾值的像素精確地顯示為白色，并將其他像素設(shè)置為黑色。注：建立二進(jìn)制圖像，在原始灰度圖像中每個(gè)像素根據(jù)灰度大于或小于等于閾值來(lái)分別用0(黑色)和1(白色)邊緣檢測(cè)edgedetection在給定數(shù)字圖像中分離和定位缺陷和表面邊緣的方法。圖像分析imageanalysis通過(guò)軟件在處理后的圖像中提取圖像信息。通過(guò)缺陷分類方案將一個(gè)或多個(gè)特征圖像的分析結(jié)果關(guān)聯(lián)起來(lái)的過(guò)程。已通過(guò)評(píng)估的用于參數(shù)設(shè)置、檢查缺陷光學(xué)檢測(cè)過(guò)程的再現(xiàn)性和重復(fù)性的晶片。用于評(píng)估缺陷的SiC同質(zhì)外延片。通常用[uvw]表示的方向，代表一個(gè)矢量方向沿a、b、c軸的基矢的倍數(shù)。注1:在顯示六邊形對(duì)稱性的4H-SiC中，常用四位指數(shù)[uvtw]表示晶向。4注2:對(duì)于立方對(duì)稱和六邊形對(duì)稱的等效晶向族，分別用<uvw>和<uvtw>表示。[來(lái)源：ISO24173:2009,3.3,有修改，增加了注1和注2]晶體不完美部分。微管micropipe沿近似垂直基平面方向延伸的中空管。穿透型螺位錯(cuò)threadingscrewdislocation;TSD在近似垂直基平面方向穿透晶體的螺位錯(cuò)。穿透型刃位錯(cuò)threadingedgedislocation;TED在近似垂直基平面方向穿透晶體的刃位錯(cuò)。基平面位錯(cuò)basalplanedislocation;BPD存在于基平面上的位錯(cuò)。由襯底表面的機(jī)械損傷而產(chǎn)生的密集位錯(cuò)線。堆垛層錯(cuò)stackingfault晶面的疊加序列異常造成的單晶材料中的平面晶體缺陷。延伸堆垛層錯(cuò)propagatedstackingfault從襯底向同質(zhì)外延層表面延伸的堆垛層錯(cuò)。復(fù)合堆垛層錯(cuò)stackingfaultcomplex由一個(gè)基平面堆垛層錯(cuò)和一個(gè)棱柱面層錯(cuò)組合而成的層錯(cuò)。多型包裹體polytypeinclusion和同質(zhì)外延材料晶型不同的體缺陷。顆粒包裹體particleinclusion存在于同質(zhì)外延層中的微米級(jí)的顆粒。臺(tái)階聚集簇bunched-stepsegment由臺(tái)階聚集組成的表面粗糙形貌。表面顆粒surfaceparticle外延結(jié)束后沉積在外延層表面的顆粒。54光學(xué)檢測(cè)方法具有表面形態(tài)特征的缺陷應(yīng)采用光學(xué)檢測(cè)法檢測(cè)。以下列出了沿[1120]晶向切角為4°的n/n+型4H-SiC同質(zhì)外延片中的缺陷：——晶片表面上的六邊形或圓形大孔的單個(gè)缺陷，如微管(圖A.1);——單個(gè)微小缺陷在晶片表面呈現(xiàn)直徑小于50μm的凹坑，如TSD(圖A.2)、TED(圖A.3);——沿各個(gè)方向延伸的單個(gè)線性缺陷，如劃痕痕跡(圖A.4);——在晶片表面呈現(xiàn)針狀特征的單個(gè)平面缺陷，其沿斜切方向延伸，如復(fù)合堆垛層錯(cuò)(圖A.7);——在晶片表面上呈現(xiàn)隱約輪廓特征的單個(gè)平面缺陷，沿對(duì)角線方向延伸至斜切方向，如堆垛層錯(cuò)(圖A.5)和延伸堆垛層錯(cuò)(圖A.6);——導(dǎo)致晶片表面出現(xiàn)三角形特征的單個(gè)立體缺陷，沿斜切方向延伸，如多形包裹體(圖A.8);——單個(gè)立體缺陷，如顆粒包裹體(圖A.9)、表面顆粒；——在晶片表面上具有鈍角三角形或梯形特征的單個(gè)表面缺陷，如臺(tái)階聚集簇(圖A.10)。無(wú)表面形態(tài)特征的缺陷宜采用其他測(cè)試方法進(jìn)行評(píng)估，如光致發(fā)光圖像和X射線形貌術(shù)。這些缺陷包括沒(méi)有表面形態(tài)特征的BPD、TSD、TED、堆垛層錯(cuò)和延伸堆垛層錯(cuò)。4.2原理晶片表面缺陷的原始數(shù)字圖像生成一個(gè)灰度圖像(或彩色圖像)。將此圖像轉(zhuǎn)換為二進(jìn)制圖像(閾值),根據(jù)此圖可測(cè)量缺陷的形狀和尺寸，并計(jì)算指定區(qū)域內(nèi)缺陷的分布和數(shù)量。首先，捕獲缺陷的光學(xué)圖像并將其轉(zhuǎn)換為數(shù)字格式。通過(guò)光學(xué)圖像傳感器，例如電荷耦合器件，捕獲光學(xué)圖像。然后，通過(guò)計(jì)算圖像的灰度來(lái)處理所獲得的數(shù)字圖像。通過(guò)一種特定的圖像分析方案，將圖像信息簡(jiǎn)化為一組適于應(yīng)用的數(shù)值。注：沿斜切方向延伸的面缺陷和體缺陷的大小和同質(zhì)外延層厚度相關(guān)。該缺陷的細(xì)節(jié)和光學(xué)圖像尺寸的計(jì)算方法分別在4.6.2和附錄A中描述。4.3測(cè)試需求不同的晶片表面條件和缺陷類型需要一個(gè)最佳的光學(xué)和照明裝置，以獲得要分析的圖像中的準(zhǔn)確表面特征。因此，應(yīng)準(zhǔn)備一個(gè)適用的光學(xué)和照明組合裝置。常用的照明和檢測(cè)類型如下。a)照明類型為：1)定向照明；2)散射照明；3)定向照明和散射照明結(jié)合。b)檢測(cè)類型如下：2)暗場(chǎng)檢測(cè)；3)差分干涉對(duì)比檢測(cè)；4)偏振光檢測(cè)。所有類型的觀察都能在反射照明下進(jìn)行。任何觀察都應(yīng)消除晶片背面的影響。6應(yīng)優(yōu)化光源和聚焦光學(xué)器件的組合，以實(shí)現(xiàn)晶片表面上光照強(qiáng)度的一致性。在適當(dāng)?shù)姆秶鷥?nèi)調(diào)整晶片表面每個(gè)檢測(cè)點(diǎn)的光照強(qiáng)度，以便清晰地檢測(cè)到缺陷。光照強(qiáng)度一致性能使用硬件和/或軟件來(lái)保證光照強(qiáng)度和光譜功率分布在測(cè)試周期中穩(wěn)定不變。晶片應(yīng)位于笛卡爾坐標(biāo)系(X-Y)。第三軸(Z)是圖像采集系統(tǒng)的光軸。Z軸垂直于(X-Y)平面，其與晶片表面的交點(diǎn)應(yīng)為焦點(diǎn)。圖像捕獲光學(xué)器件的前端和晶片表面的距離應(yīng)為固定的，與晶片的厚度無(wú)關(guān)，因此聚焦和放大率相互不產(chǎn)生影響。光學(xué)系統(tǒng)通常由光源、聚焦光學(xué)器件、光學(xué)數(shù)字傳感器、照明幾何調(diào)整系統(tǒng)、晶片支架和不透光外殼組成。為了捕捉到明顯的缺陷圖像，光學(xué)系統(tǒng)的分辨率應(yīng)遠(yuǎn)小于缺陷的大小。原始數(shù)字圖像的推薦灰度范圍是每個(gè)像素的256個(gè)灰度級(jí)(8位)。光學(xué)數(shù)字傳感器將圖像信息數(shù)字化處理。為避免外部光源干擾，光學(xué)系統(tǒng)應(yīng)有不透光外殼保護(hù)。為了保證圖像采集過(guò)程的重復(fù)性和再現(xiàn)性，應(yīng)定期進(jìn)行參數(shù)校準(zhǔn)。能使用指定的參考晶片來(lái)執(zhí)行校準(zhǔn)，例如硅或碳化硅晶片。不同的軟件解決方案宜采用不同的數(shù)學(xué)算法進(jìn)行相似處理。不同的圖像處理算法產(chǎn)生的處理后的圖像也不會(huì)完全相同。例如進(jìn)行參數(shù)設(shè)置時(shí)使用參考晶片，以確保測(cè)試結(jié)果具有可比性。圖像分析有兩種方法，二進(jìn)制(黑/白)分析和灰度分析。采用閾值程序從灰度圖像獲得二進(jìn)制圖像。與圖像處理一樣，圖像分析也需要進(jìn)行一系列連續(xù)步驟來(lái)進(jìn)行晶片中的缺陷分析。每一種缺陷分析應(yīng)采用適當(dāng)?shù)乃惴ㄟM(jìn)行。圖像分析的結(jié)果是與特定應(yīng)用相關(guān)的一組值，根據(jù)缺陷分類方案將這組值轉(zhuǎn)換成一個(gè)或多個(gè)特征值。照明、圖像采集、圖像處理和圖像分析的相關(guān)參數(shù)宜予以記錄，包括：a)照明：使用的光源和照明的形狀特征；b)圖像采集：原始數(shù)字圖像和圖像采集系統(tǒng)的詳細(xì)信息(制造商、產(chǎn)品名稱、光學(xué)元件、分辨率)、c)圖像處理和圖像分析：使用的程序(包括濾波器的細(xì)節(jié))以及所用軟件的詳細(xì)信息(制造商和產(chǎn)品名稱)。7GB/T43493.2—2023/IEC63068-2:20194.4參數(shù)設(shè)置4.4.1通則測(cè)試晶片宜與參考晶片進(jìn)行對(duì)比分析。參數(shù)設(shè)置的目的是為了固定圖像采集參數(shù)，使圖像分析能夠通過(guò)參考晶片來(lái)識(shí)別測(cè)試晶片的缺陷的表面特征。進(jìn)行觀察比較以確認(rèn)參考晶片和測(cè)試晶片之間檢測(cè)到的缺陷具有相關(guān)性。在結(jié)構(gòu)和規(guī)格上參考晶片宜與測(cè)試晶片相似，最好在同一實(shí)驗(yàn)室或工廠使用相同的設(shè)備和工藝獲得參考晶片和測(cè)試晶片。4.4.2參數(shù)設(shè)置過(guò)程宜使用一組參考晶片進(jìn)行如下描述的參數(shù)設(shè)置。宜使用選定的光學(xué)成像系統(tǒng)對(duì)測(cè)試晶片上的每個(gè)缺陷進(jìn)行成像。測(cè)試晶片上的缺陷圖像應(yīng)與參考晶片上的缺陷圖像進(jìn)行視覺(jué)比較。4.5測(cè)試步驟按照如下方法準(zhǔn)備用于光學(xué)成像的測(cè)試晶片。使用一個(gè)參數(shù)優(yōu)化的光學(xué)成像系統(tǒng)創(chuàng)建測(cè)試晶片的圖像。一旦確定了合適的閾值，數(shù)字化的圖像就能在分析時(shí)提供與缺陷表面特征有關(guān)的對(duì)比度。4.6評(píng)價(jià)4.6.1總則與人工評(píng)估缺陷相比，光學(xué)檢測(cè)能直接確定任何缺陷的尺寸和形狀(見(jiàn)附錄A)。圖像分析的結(jié)果是缺陷檢測(cè)的記錄數(shù)據(jù)。測(cè)試晶片的邊緣去除宜小于5mm。4.6.2面缺陷和體缺陷的平均寬度已知同質(zhì)外延層厚度d,單位為微米，斜切角為4°,使用以下公式計(jì)算除顆粒包裹體和表面顆粒外的面缺陷和體缺陷的平均寬度l。例如，同質(zhì)外延層厚度為10μm和30μm的上述缺陷的平均寬度l分別約為145μm和430μm。當(dāng)面缺陷和體缺陷成核于外延生長(zhǎng)過(guò)程中時(shí)，缺陷寬度小于上述公式的計(jì)算值。4.6.3評(píng)價(jià)過(guò)程如果識(shí)別出的目標(biāo)缺陷是延伸缺陷或表面缺陷，則所有這些缺陷的數(shù)量應(yīng)逐項(xiàng)計(jì)算。應(yīng)形成顯示晶片整個(gè)表面檢測(cè)到的缺陷位置的缺陷圖，晶片的參考面或切口的位置也宜在圖中注明。缺陷圖的坐標(biāo)原點(diǎn)宜為晶片的中心。4.7精密度目前尚無(wú)關(guān)于該測(cè)試方法精密度的信息。4.8測(cè)試報(bào)告測(cè)試報(bào)告宜至少包含以下信息。8GB/T43493.2—2023/IEC63068-2:2019c)參考標(biāo)準(zhǔn)文件GB/T43493.2。i)測(cè)試步驟中的任何偏差。j)測(cè)試過(guò)程中的異常情況。9(資料性)缺陷的光學(xué)檢測(cè)圖像A.1概述缺陷的典型圖像和特征，該圖像通過(guò)明場(chǎng)差分干涉在反射照明下獲得(光源：Hg-Xe燈)。圖像的像素分辨率為2μm。圖A.1～圖A.10中，左邊分圖為明場(chǎng)光學(xué)圖像(OM),右邊分圖為平面示意圖。A.2微管4H-SiC同質(zhì)外延層表面中微管的典型形貌特征：例如空洞或者多種類型的凹坑(見(jiàn)圖A.1)。a)微管示例1:明場(chǎng)光學(xué)圖像b)微管示例1:平面示意圖c)微管示例2:明場(chǎng)光學(xué)圖像d)微管示例2:平面示意圖標(biāo)引序號(hào)說(shuō)明：1——微管。圖A.1微管4H-SiC同質(zhì)外延層表面中TSD的典型形貌特征：多種類型的凹坑(見(jiàn)圖A.2)。無(wú)明顯表面特征的TSDs宜使用光致發(fā)光方法檢測(cè)。a)TSD示例1:明場(chǎng)光學(xué)圖像b)TSD示例1:平面示意圖c)TSD示例2:明場(chǎng)光學(xué)圖像d)TSD示例2:平面示意圖標(biāo)引序號(hào)說(shuō)明：A.4TED4H-SiC外延材料中的TEDs有時(shí)候具有典型形貌特征：多種類型的凹坑。無(wú)明顯表面特征的TEDs宜使用光致發(fā)光方法檢測(cè)。注：一般TSDs和TEDs會(huì)同時(shí)出現(xiàn)，因此圖A.3a)和b)中包括TSDs和TEDs。a)明場(chǎng)光學(xué)圖像b)平面示意圖標(biāo)引序號(hào)說(shuō)明：4H-SiC外延材料中的BPDs沒(méi)有表面形貌特征。BPDs宜使用光致發(fā)光方法檢測(cè)。4H-SiC同質(zhì)外延材料中的劃痕具有典型的表面形貌特征，如隨機(jī)分布的劃痕形貌。a)明場(chǎng)光學(xué)圖像b)平面示意圖標(biāo)引序號(hào)說(shuō)明：1——?jiǎng)澓邸DA.4劃痕痕跡A.7堆垛層錯(cuò)4H-SiC外延材料中的堆垛層錯(cuò)具有典型的形貌特征，如隱約的三角形形貌。無(wú)明顯表面特征的堆垛層錯(cuò)宜使用光致發(fā)光方法檢測(cè)。注：外延材料中堆垛層錯(cuò)的平均寬度l(以微米為單位)取決于外延層厚度d(以微米為單位)。a)堆垛層錯(cuò)示例1:明場(chǎng)光學(xué)圖像b)堆垛層錯(cuò)示例1:平面示意圖c)堆垛層錯(cuò)示例2:明場(chǎng)光學(xué)圖像d)堆垛層錯(cuò)示例2:平面示意圖圖A.5堆垛層錯(cuò)4H-SiC外延材料中的延伸堆垛層錯(cuò)具有典型的形貌特征，如垂直于斜切方向的模糊梯型。無(wú)明顯表面特征的延伸堆垛層錯(cuò)宜用光致發(fā)光方法檢測(cè)。注1:該缺陷的平均寬度l(以微米為單位)取決于外延層厚度d(以微米為單位)。注2:該缺陷常稱為“條狀堆垛層錯(cuò)”。a)延伸堆垛層錯(cuò)示例1:明場(chǎng)光學(xué)圖像b)延伸堆垛層錯(cuò)示例1:平面示意圖c)延伸堆垛層錯(cuò)示例2:明場(chǎng)光學(xué)圖像d)延伸堆垛層錯(cuò)示例2:平面示意圖A.9復(fù)合堆垛層錯(cuò)4H-SiC外延材料中的復(fù)合堆垛層錯(cuò)具有典型的形貌特征，如與斜切方向平行的針狀形貌。無(wú)明顯