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模擬電子技術(shù)(山東聯(lián)盟-山東科技大學(xué))智慧樹(shù)知到期末考試答案2024年模擬電子技術(shù)(山東聯(lián)盟-山東科技大學(xué))為增加電壓放大倍數(shù),集成運(yùn)放的中間級(jí)多采用(

)。

A:共集放大電路B:共射放大電路C:差分放大電路D:共基放大電路答案:共射放大電路放大電路在低頻信號(hào)作用時(shí)放大倍數(shù)數(shù)值下降的原因是(

)。

A:耦合電容和旁路電容的存在B:半導(dǎo)體管的非線性特性C:半導(dǎo)體管極間電容和分布電容的存在D:放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)不合適答案:耦合集成運(yùn)算放大器有幾部分組成?(

A:輸入級(jí)B:輸出級(jí)C:偏置電路D:中間級(jí)答案:輸入級(jí);中間級(jí);輸出級(jí);偏置電路有源濾波器電路一般由以下元器件組成:(

)。

A:運(yùn)算放大器B:直流電源C:電阻、電容D:電感答案:運(yùn)算放大器###電阻、電容###直流電源放大電路中輸出的電流和電壓都是有源元件提供的。

A:錯(cuò)誤B:正確答案:錯(cuò)誤負(fù)反饋放大電路的放大倍數(shù)與組成它的基本放大電路的放大倍數(shù)量綱相同。(

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:對(duì)

當(dāng)限流電阻R的值較大時(shí),穩(wěn)壓電路的輸出電阻約等于穩(wěn)壓管的動(dòng)態(tài)電阻

A:正確B:錯(cuò)誤答案:正確偏置電路對(duì)動(dòng)態(tài)性能的影響要小。

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:對(duì)放大電路的動(dòng)態(tài)參數(shù)和靜態(tài)工作點(diǎn)沒(méi)有關(guān)系。

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:錯(cuò)功率放大電路的最大輸出功率是指在輸入為正弦波時(shí),輸出基本不失真情況下,負(fù)載上可能獲得的最大(

)。

A:交流功率B:直流功率C:平均功率答案:交流功率電壓比較器輸出高低電平與輸出限幅電路有關(guān)。(

A:錯(cuò)B:對(duì)答案:對(duì)已知某電路由兩級(jí)相同的放大電路組成,其中單級(jí)放大電路的下邊界頻率為100Hz,則該電路的下邊界頻率大于100Hz。

A:錯(cuò)B:對(duì)答案:對(duì)對(duì)于二階有源低通濾波電路,f0=1/(2*pi*RC)不是其通帶邊界頻率。(

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:錯(cuò)為使晶體管工作在放大狀態(tài),應(yīng)使其發(fā)射結(jié)正偏且導(dǎo)通,集電結(jié)反偏。

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:對(duì)差分放大電路的差模信號(hào)是兩個(gè)輸入端信號(hào)的(

)。

A:和B:平均值C:其余選項(xiàng)均不是D:差答案:差###平均值放大電路在高頻信號(hào)作用時(shí)放大倍數(shù)數(shù)值下降的原因是:(

A:放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)不合適B:耦合電容和旁路電容的存在C:半導(dǎo)體管的非線性特性D:半導(dǎo)體管極間電容和分布電容的存在答案:極間單限比較器的閾值電壓只能大于0。

A:錯(cuò)B:對(duì)答案:錯(cuò)在OCL功率放大電路中,輸出功率越大,功放管的功耗越大。

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:錯(cuò)晶體管h參數(shù)等效模型的參數(shù)都是在Q點(diǎn)出求偏導(dǎo)數(shù)得到的,因此只適用于對(duì)(

)的分析。

A:低頻小信號(hào)B:高頻小信號(hào)C:低頻大信號(hào)答案:低頻小信號(hào)PNP管組成的單管共射放大電路,如果出現(xiàn)輸出電壓UO發(fā)生頂部失真,則為(

)。

A:飽和失真B:截止失真C:截止失真和飽和失真都有可能答案:飽和失真對(duì)于實(shí)用的放大電路,一般要盡量滿足如下要求(

)。

A:直流電源種類盡可能少B:盡量減少負(fù)載上的直流分量C:信號(hào)要共地

答案:信號(hào)要共地###直流電源種類盡可能少###盡量減少負(fù)載上的直流分量當(dāng)PN結(jié)加正向電壓(正向偏置)時(shí),

A:耗盡層變窄B:耗盡層變寬C:內(nèi)電場(chǎng)增強(qiáng)D:內(nèi)電場(chǎng)減小答案:內(nèi)電場(chǎng)減小;耗盡層變窄一般選取穩(wěn)壓電路的輸入電壓為:

A:B:C:D:

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