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文檔簡介
22/25存內(nèi)計算芯片實現(xiàn)技術(shù)第一部分存內(nèi)計算芯片本質(zhì) 2第二部分存內(nèi)計算芯片基本原理 5第三部分存內(nèi)計算芯片關(guān)鍵技術(shù) 7第四部分存內(nèi)計算芯片優(yōu)缺點對比 9第五部分存內(nèi)計算芯片發(fā)展現(xiàn)狀 11第六部分存內(nèi)計算芯片未來趨勢 15第七部分存內(nèi)計算芯片應(yīng)用領(lǐng)域 19第八部分存內(nèi)計算芯片面臨挑戰(zhàn) 22
第一部分存內(nèi)計算芯片本質(zhì)關(guān)鍵詞關(guān)鍵要點存內(nèi)計算芯片的起源與發(fā)展
1.存內(nèi)計算芯片的概念由來已久,但直到近年來才取得了重大進(jìn)展。
2.存內(nèi)計算芯片的起源可以追溯到20世紀(jì)70年代,當(dāng)時人們首次提出了在存儲器中進(jìn)行計算的想法。
3.早期的存內(nèi)計算芯片主要基于SRAM和DRAM技術(shù),但這些技術(shù)存在功耗高、面積大、速度慢等問題。
存內(nèi)計算芯片的優(yōu)勢
1.存內(nèi)計算芯片具有顯著的優(yōu)勢,包括速度快、功耗低、面積小、成本低等。
2.存內(nèi)計算芯片可以將數(shù)據(jù)存儲和計算緊密結(jié)合,從而減少數(shù)據(jù)移動的開銷,提高計算效率。
3.存內(nèi)計算芯片可以實現(xiàn)并行計算,從而進(jìn)一步提高計算速度。
存內(nèi)計算芯片的挑戰(zhàn)
1.存內(nèi)計算芯片也面臨著一些挑戰(zhàn),包括存儲器可靠性、功耗、面積和成本等問題。
2.存儲器可靠性是存內(nèi)計算芯片面臨的主要挑戰(zhàn)之一,因為存儲器中的數(shù)據(jù)容易受到干擾和損壞。
3.功耗也是存內(nèi)計算芯片面臨的挑戰(zhàn)之一,因為計算操作會消耗大量電能。
存內(nèi)計算芯片的應(yīng)用前景
1.存內(nèi)計算芯片具有廣闊的應(yīng)用前景,包括人工智能、機器學(xué)習(xí)、邊緣計算、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。
2.在人工智能領(lǐng)域,存內(nèi)計算芯片可以用于加速神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的訓(xùn)練和推理。
3.在機器學(xué)習(xí)領(lǐng)域,存內(nèi)計算芯片可以用于加速決策樹、隨機森林和支持向量機的訓(xùn)練和預(yù)測。
存內(nèi)計算芯片的未來趨勢
1.存內(nèi)計算芯片的發(fā)展趨勢包括:存儲器技術(shù)的發(fā)展、計算架構(gòu)的創(chuàng)新、算法的優(yōu)化等方面。
2.存儲器技術(shù)的發(fā)展將為存內(nèi)計算芯片提供更快的速度、更大的容量和更低的功耗。
3.計算架構(gòu)的創(chuàng)新將使存內(nèi)計算芯片能夠支持更復(fù)雜、更高效的計算任務(wù)。
小結(jié)
1.存內(nèi)計算芯片是一種新型的芯片,具有速度快、功耗低、面積小、成本低等優(yōu)勢。
2.存內(nèi)計算芯片面臨著一些挑戰(zhàn),包括存儲器可靠性、功耗、面積和成本等問題。
3.存內(nèi)計算芯片具有廣闊的應(yīng)用前景,包括人工智能、機器學(xué)習(xí)、邊緣計算、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。#存內(nèi)計算芯片本質(zhì)
存內(nèi)計算芯片是一種新型的芯片技術(shù),它將計算和存儲功能集成在一起,從而大大提高了計算效率和降低了功耗。存內(nèi)計算芯片的本質(zhì)在于,它利用了存儲器件本身的計算能力,從而無需再將數(shù)據(jù)從存儲器傳輸?shù)教幚砥鬟M(jìn)行計算,而是直接在存儲器中進(jìn)行計算。
存內(nèi)計算芯片的優(yōu)點有很多,包括:
*計算速度快:由于無需將數(shù)據(jù)從存儲器傳輸?shù)教幚砥?,因此存?nèi)計算芯片的計算速度非???。
*功耗低:由于無需進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸,因此存內(nèi)計算芯片的功耗非常低。
*面積?。河捎趯⒂嬎愫痛鎯δ芗稍谝黄穑虼舜鎯?nèi)計算芯片的面積非常小。
*成本低:由于存內(nèi)計算芯片的結(jié)構(gòu)相對簡單,因此其成本也非常低。
存內(nèi)計算芯片的應(yīng)用前景非常廣闊,它可以用于各種領(lǐng)域,包括:
*人工智能:存內(nèi)計算芯片可以大大提高人工智能算法的計算速度,從而使人工智能技術(shù)更加實用。
*機器學(xué)習(xí):存內(nèi)計算芯片可以大大提高機器學(xué)習(xí)算法的訓(xùn)練速度,從而使機器學(xué)習(xí)技術(shù)更加高效。
*大數(shù)據(jù)分析:存內(nèi)計算芯片可以大大提高大數(shù)據(jù)分析算法的計算速度,從而使大數(shù)據(jù)分析技術(shù)更加實用。
*云計算:存內(nèi)計算芯片可以大大提高云計算平臺的計算速度,從而使云計算技術(shù)更加高效。
*移動設(shè)備:存內(nèi)計算芯片可以大大提高移動設(shè)備的計算速度和降低功耗,從而使移動設(shè)備更加實用。
總之,存內(nèi)計算芯片是一種非常有前景的新型芯片技術(shù),它有望在未來徹底改變計算機和移動設(shè)備的性能。
存內(nèi)計算芯片的實現(xiàn)技術(shù)
存內(nèi)計算芯片的實現(xiàn)技術(shù)有很多種,其中最主要的技術(shù)包括:
*SRAM存儲器:SRAM存儲器是一種靜態(tài)隨機存取存儲器,它具有高速度、低功耗的特點,非常適合用于存內(nèi)計算芯片。
*ReRAM存儲器:ReRAM存儲器是一種電阻式隨機存取存儲器,它具有高密度、低功耗的特點,也非常適合用于存內(nèi)計算芯片。
*MRAM存儲器:MRAM存儲器是一種磁阻式隨機存取存儲器,它具有高速度、低功耗、非易失性等特點,非常適合用于存內(nèi)計算芯片。
*STT-MRAM存儲器:STT-MRAM存儲器是一種自旋扭矩磁阻式隨機存取存儲器,它具有高速度、低功耗、非易失性等特點,非常適合用于存內(nèi)計算芯片。
存內(nèi)計算芯片的發(fā)展前景
存內(nèi)計算芯片的發(fā)展前景非常廣闊,它有望在未來徹底改變計算機和移動設(shè)備的性能。隨著存內(nèi)計算芯片技術(shù)的不斷發(fā)展,其成本將進(jìn)一步降低,性能將進(jìn)一步提高,應(yīng)用范圍將進(jìn)一步擴大。在未來,存內(nèi)計算芯片將成為計算機和移動設(shè)備中的主流芯片技術(shù)。第二部分存內(nèi)計算芯片基本原理關(guān)鍵詞關(guān)鍵要點【存內(nèi)計算芯片核心結(jié)構(gòu)與基礎(chǔ)原理】:
1.存內(nèi)計算芯片的存儲器和計算單元緊密集成,通過在存儲器內(nèi)部直接進(jìn)行計算,從而大幅減少數(shù)據(jù)傳輸和功耗。
2.存內(nèi)計算芯片的存儲器采用非易失性存儲器技術(shù),如STT-MRAM、RRAM、PCRAM等,具有高密度、低功耗、高性能的特點。
3.存內(nèi)計算芯片的計算單元采用納米電子器件技術(shù),如CMOS、FinFET、GAAFET等,具有高集成度、低功耗、高性能的特點。
【存內(nèi)計算芯片的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域】:
存內(nèi)計算芯片基本原理
存內(nèi)計算(In-MemoryComputing,IMC)芯片的基本原理是將計算單元直接集成在內(nèi)存單元中,從而實現(xiàn)存儲和計算一體化,減少數(shù)據(jù)在存儲器和處理器之間傳輸?shù)难舆t和功耗。IMC芯片通常采用交叉陣列結(jié)構(gòu),由存儲單元陣列和計算單元陣列交替排列組成,如圖1所示。
![圖1存內(nèi)計算芯片基本結(jié)構(gòu)](https://upload-images.jianshu.io/upload_images/2395679-11514be7a8cecc5e.png?imageMogr2/auto-orient/strip%7CimageView2/2/w/1240)
在IMC芯片中,存儲單元陣列通常采用SRAM或DRAM單元,而計算單元陣列則采用邏輯單元或算術(shù)邏輯單元(ALU)等。存儲單元陣列負(fù)責(zé)存儲數(shù)據(jù),計算單元陣列則負(fù)責(zé)進(jìn)行計算。當(dāng)需要進(jìn)行計算時,數(shù)據(jù)從存儲單元陣列中讀取到計算單元陣列中,并由計算單元陣列執(zhí)行計算操作。計算結(jié)果存儲回存儲單元陣列,或者直接輸出到外部。
IMC芯片的基本操作流程如下:
1.數(shù)據(jù)從外部輸入到存儲單元陣列中。
2.計算單元陣列從存儲單元陣列中讀取數(shù)據(jù)。
3.計算單元陣列對數(shù)據(jù)進(jìn)行計算。
4.計算結(jié)果存儲回存儲單元陣列,或者直接輸出到外部。
IMC芯片具有以下優(yōu)點:
1.減少數(shù)據(jù)傳輸延遲:由于存儲和計算單元集成在一起,數(shù)據(jù)無需在存儲器和處理器之間傳輸,從而減少了數(shù)據(jù)傳輸延遲。
2.降低功耗:由于數(shù)據(jù)傳輸延遲減少,功耗也會降低。
3.提高計算速度:由于數(shù)據(jù)傳輸延遲減少,計算速度也會提高。
4.提高內(nèi)存容量:由于存儲單元陣列和計算單元陣列交替排列,內(nèi)存容量可以提高。
IMC芯片的缺點是:
1.設(shè)計復(fù)雜:由于存儲和計算單元集成在一起,芯片設(shè)計復(fù)雜度較高。
2.制造成本高:由于芯片設(shè)計復(fù)雜度較高,制造成本也會較高。
3.可靠性較差:由于存儲和計算單元集成在一起,可靠性可能會相對較差。
總體而言,IMC芯片是一種具有較高性能和低功耗的計算芯片,但其設(shè)計復(fù)雜度和制造成本較高,可靠性也可能會相對較差。IMC芯片目前主要應(yīng)用于高性能計算、人工智能和機器學(xué)習(xí)等領(lǐng)域。第三部分存內(nèi)計算芯片關(guān)鍵技術(shù)關(guān)鍵詞關(guān)鍵要點【存內(nèi)計算芯片存儲技術(shù)】:
1.存內(nèi)計算芯片存儲技術(shù)是將存儲器和計算單元集成在一起,以實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲和計算功能的融合。
2.存內(nèi)計算芯片存儲技術(shù)主要包括SRAM、DRAM和ReRAM三種類型。SRAM具有高速度、低功耗的特點,但成本較高。DRAM具有高密度、低成本的特點,但速度較慢。ReRAM具有高密度、低功耗、高速度的特點,但可靠性較差。
3.存內(nèi)計算芯片存儲技術(shù)面臨著以下挑戰(zhàn):
(1)工藝集成挑戰(zhàn):將存儲器和計算單元集成在一起需要特殊的工藝技術(shù),以確保兩者能夠兼容并具有良好的性能。
(2)可靠性挑戰(zhàn):存內(nèi)計算芯片需要能夠在惡劣的環(huán)境下穩(wěn)定運行,因此對可靠性提出了很高的要求。
(3)功耗挑戰(zhàn):存內(nèi)計算芯片需要能夠在低功耗的情況下工作,以延長電池壽命。
【存內(nèi)計算芯片計算技術(shù)】:
存內(nèi)計算芯片關(guān)鍵技術(shù)
#1.存算一體化技術(shù)
存算一體化技術(shù)是存內(nèi)計算芯片的核心技術(shù)之一,它將存儲器和計算單元集成在同一芯片上,從而實現(xiàn)數(shù)據(jù)在存儲器中直接進(jìn)行計算,無需在存儲器和計算單元之間傳輸數(shù)據(jù),從而大大提高了計算速度和降低了功耗。
#2.非易失性存儲器技術(shù)
非易失性存儲器技術(shù)是存內(nèi)計算芯片的另一個關(guān)鍵技術(shù),它能夠在斷電后仍保持?jǐn)?shù)據(jù),從而使存內(nèi)計算芯片能夠在不使用外部存儲器的情況下進(jìn)行計算。目前,用于存內(nèi)計算芯片的非易失性存儲器技術(shù)主要有以下幾種:
*電阻式隨機存儲器(RRAM):RRAM是一種基于電阻變化的非易失性存儲器技術(shù),它具有高密度、低功耗、高速度等優(yōu)點。
*相變存儲器(PCM):PCM是一種基于相變變化的非易失性存儲器技術(shù),它具有高密度、低功耗、高速度等優(yōu)點。
*鐵電存儲器(FRAM):FRAM是一種基于鐵電材料的非易失性存儲器技術(shù),它具有高密度、低功耗、高速度等優(yōu)點。
#3.模擬計算技術(shù)
模擬計算技術(shù)是一種與數(shù)字計算技術(shù)不同的計算技術(shù),它利用模擬信號來進(jìn)行計算,具有高精度、高速度等優(yōu)點。目前,用于存內(nèi)計算芯片的模擬計算技術(shù)主要有以下幾種:
*電荷存儲器計算(MCC):MCC是一種基于電荷存儲器件的模擬計算技術(shù),它具有高精度、高速度等優(yōu)點。
*電阻存儲器計算(MRC):MRC是一種基于電阻存儲器件的模擬計算技術(shù),它具有高精度、高速度等優(yōu)點。
*相變存儲器計算(PCC):PCC是一種基于相變存儲器件的模擬計算技術(shù),它具有高精度、高速度等優(yōu)點。
#4.存算協(xié)同設(shè)計技術(shù)
存算協(xié)同設(shè)計技術(shù)是存內(nèi)計算芯片設(shè)計中的一個重要技術(shù),它將存儲器設(shè)計和計算單元設(shè)計協(xié)同起來,以實現(xiàn)芯片的最佳性能。存算協(xié)同設(shè)計技術(shù)主要包括以下幾個方面:
*存儲器設(shè)計:存儲器設(shè)計是存內(nèi)計算芯片設(shè)計中的關(guān)鍵步驟,它需要考慮存儲器的密度、功耗、速度等因素。
*計算單元設(shè)計:計算單元設(shè)計是存內(nèi)計算芯片設(shè)計中的另一個關(guān)鍵步驟,它需要考慮計算單元的性能、功耗、面積等因素。
*存算協(xié)同優(yōu)化:存算協(xié)同優(yōu)化是存內(nèi)計算芯片設(shè)計中的重要步驟,它需要將存儲器設(shè)計和計算單元設(shè)計協(xié)同起來,以實現(xiàn)芯片的最佳性能。
#5.存內(nèi)計算芯片測試技術(shù)
存內(nèi)計算芯片測試技術(shù)是存內(nèi)計算芯片設(shè)計中的一個重要環(huán)節(jié),它需要對芯片的性能、功耗、可靠性等參數(shù)進(jìn)行測試,以確保芯片的質(zhì)量。存內(nèi)計算芯片測試技術(shù)主要包括以下幾個方面:
*功能測試:功能測試是對芯片的功能進(jìn)行測試,以驗證芯片是否能夠按照設(shè)計要求正常工作。
*性能測試:性能測試是對芯片的性能進(jìn)行測試,以測量芯片的速度、功耗等參數(shù)。
*可靠性測試:可靠性測試是對芯片的可靠性進(jìn)行測試,以評估芯片在各種環(huán)境條件下的工作能力。第四部分存內(nèi)計算芯片優(yōu)缺點對比關(guān)鍵詞關(guān)鍵要點【存內(nèi)計算芯片存儲密度高】
1.存內(nèi)計算芯片通過將存儲和計算功能集成在一起,減少了數(shù)據(jù)在不同組件之間轉(zhuǎn)移的需要,從而提高了存儲密度。
2.存內(nèi)計算芯片采用三維堆疊技術(shù),將多個存儲層堆疊在一起,進(jìn)一步提高了存儲密度。
3.存內(nèi)計算芯片可以利用新材料和新工藝,例如相變存儲器、鐵電存儲器等,實現(xiàn)更高的存儲密度。
【存內(nèi)計算芯片功耗低】
一、存內(nèi)計算芯片的優(yōu)點
1.高性能
存內(nèi)計算芯片將存儲器和計算單元集成在同一個芯片上,消除了數(shù)據(jù)在存儲器和計算單元之間移動的開銷,從而大幅提高了計算速度。例如,英特爾的研究表明,存內(nèi)計算芯片可以將深度學(xué)習(xí)模型的訓(xùn)練速度提高10倍以上。
2.低功耗
存內(nèi)計算芯片不需要在存儲器和計算單元之間移動數(shù)據(jù),從而減少了功耗。此外,存內(nèi)計算芯片的計算單元通常采用低功耗設(shè)計,進(jìn)一步降低了功耗。例如,IBM的研究表明,存內(nèi)計算芯片可以將深度學(xué)習(xí)模型的推理功耗降低80%以上。
3.小尺寸
存內(nèi)計算芯片將存儲器和計算單元集成在同一個芯片上,因此可以減小芯片的尺寸。這對于移動設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備來說非常重要,因為這些設(shè)備對尺寸和功耗非常敏感。
4.成本低
存內(nèi)計算芯片將存儲器和計算單元集成在同一個芯片上,可以減少芯片的制造成本。此外,存內(nèi)計算芯片的計算單元通常采用低成本設(shè)計,進(jìn)一步降低了成本。
二、存內(nèi)計算芯片的缺點
1.存儲容量有限
存內(nèi)計算芯片的存儲容量通常比獨立的存儲器芯片要小。這是因為存內(nèi)計算芯片需要在有限的芯片面積上集成存儲器和計算單元。
2.計算能力有限
存內(nèi)計算芯片的計算能力通常比獨立的計算單元要弱。這是因為存內(nèi)計算芯片的計算單元通常采用低功耗設(shè)計,以降低功耗。
3.可靠性低
存內(nèi)計算芯片的可靠性通常比獨立的存儲器芯片和計算單元要低。這是因為存內(nèi)計算芯片的存儲器和計算單元集成在同一個芯片上,如果其中一個單元出現(xiàn)故障,則整個芯片都可能無法正常工作。
4.設(shè)計復(fù)雜
存內(nèi)計算芯片的設(shè)計非常復(fù)雜,需要考慮存儲器和計算單元的集成、功耗、性能和可靠性等多個因素。
5.制造困難
存內(nèi)計算芯片的制造也非常困難,需要先進(jìn)的制造工藝和設(shè)備。
6.兼容性差
存內(nèi)計算芯片與現(xiàn)有的軟件和硬件兼容性較差,需要對現(xiàn)有的軟件和硬件進(jìn)行修改才能使用存內(nèi)計算芯片。第五部分存內(nèi)計算芯片發(fā)展現(xiàn)狀關(guān)鍵詞關(guān)鍵要點工藝技術(shù)
1.存內(nèi)計算芯片的工藝技術(shù)主要分為SRAM工藝技術(shù)和ReRAM工藝技術(shù)。SRAM工藝技術(shù)具有高速度、低功耗的特點,但器件面積較大,難以實現(xiàn)大容量存儲。ReRAM工藝技術(shù)具有高密度、低功耗的特點,但速度較低,需要克服電阻變化引起的可靠性問題。
2.存內(nèi)計算芯片的工藝技術(shù)仍在不斷發(fā)展,目前正在研究的新型工藝技術(shù)包括相變存儲器(PCM)、鐵電存儲器(FRAM)和自旋存儲器(STT-MRAM)等。這些新型工藝技術(shù)具有更高的存儲密度和更快的速度,有望成為未來存內(nèi)計算芯片的主流工藝技術(shù)。
3.存內(nèi)計算芯片的工藝技術(shù)的選擇取決于具體應(yīng)用場景的需求。對于需要高速度、低功耗的應(yīng)用場景,SRAM工藝技術(shù)是更好的選擇。對于需要高密度、低功耗的應(yīng)用場景,ReRAM工藝技術(shù)是更好的選擇。
架構(gòu)設(shè)計
1.存內(nèi)計算芯片的架構(gòu)設(shè)計主要分為馮·諾依曼架構(gòu)和非馮·諾依曼架構(gòu)。馮·諾依曼架構(gòu)是傳統(tǒng)的計算機架構(gòu),數(shù)據(jù)和指令存儲在獨立的存儲器中,需要通過總線進(jìn)行數(shù)據(jù)和指令的傳輸。非馮·諾依曼架構(gòu)打破了數(shù)據(jù)和指令存儲的界限,數(shù)據(jù)和指令存儲在同一存儲器中,不需要通過總線進(jìn)行數(shù)據(jù)和指令的傳輸。
2.存內(nèi)計算芯片的架構(gòu)設(shè)計正在向非馮·諾依曼架構(gòu)發(fā)展。非馮·諾依曼架構(gòu)可以減少數(shù)據(jù)和指令傳輸?shù)拈_銷,提高計算效率。目前,已經(jīng)出現(xiàn)了多種非馮·諾依曼架構(gòu)的存內(nèi)計算芯片,例如,基于SRAM的存內(nèi)計算芯片、基于ReRAM的存內(nèi)計算芯片等。
3.存內(nèi)計算芯片的架構(gòu)設(shè)計的選擇取決于具體應(yīng)用場景的需求。對于需要高計算效率的應(yīng)用場景,非馮·諾依曼架構(gòu)是更好的選擇。對于需要低成本的應(yīng)用場景,馮·諾依曼架構(gòu)是更好的選擇。
算法與數(shù)據(jù)格式
1.存內(nèi)計算芯片的算法與數(shù)據(jù)格式與傳統(tǒng)計算機的算法與數(shù)據(jù)格式不同。存內(nèi)計算芯片的算法需要針對存內(nèi)計算芯片的架構(gòu)設(shè)計進(jìn)行優(yōu)化,以提高計算效率。存內(nèi)計算芯片的數(shù)據(jù)格式也需要針對存內(nèi)計算芯片的架構(gòu)設(shè)計進(jìn)行優(yōu)化,以減少數(shù)據(jù)傳輸?shù)拈_銷。
2.目前,已經(jīng)出現(xiàn)了多種針對存內(nèi)計算芯片的算法和數(shù)據(jù)格式。例如,針對SRAM的存內(nèi)計算芯片,出現(xiàn)了基于比特操作的算法和數(shù)據(jù)格式;針對ReRAM的存內(nèi)計算芯片,出現(xiàn)了基于模擬計算的算法和數(shù)據(jù)格式。
3.存內(nèi)計算芯片的算法與數(shù)據(jù)格式的選擇取決于具體應(yīng)用場景的需求。對于需要高計算效率的應(yīng)用場景,需要選擇針對存內(nèi)計算芯片的架構(gòu)設(shè)計進(jìn)行優(yōu)化的算法和數(shù)據(jù)格式。對于需要低成本的應(yīng)用場景,可以選擇傳統(tǒng)的算法和數(shù)據(jù)格式。一、存內(nèi)計算芯片發(fā)展現(xiàn)狀:技術(shù)進(jìn)步與市場前景不斷擴大
存內(nèi)計算芯片近年來取得了快速發(fā)展,并在技術(shù)和市場方面都取得了顯著進(jìn)展。
1.技術(shù)進(jìn)步:
(1)存儲器件與計算電路集成化:存內(nèi)計算芯片將存儲器件和計算電路集成在同一芯片上,實現(xiàn)了計算和存儲的融合,打破了傳統(tǒng)馮·諾依曼架構(gòu)的存儲和計算分離的瓶頸,有效減少了數(shù)據(jù)搬移功耗,提高了計算效率和性能。
(2)非易失性存儲器件應(yīng)用:存內(nèi)計算芯片主要采用非易失性存儲器件,如電阻式存儲器(RRAM)、相變存儲器(PCM)和鐵電存儲器(FeRAM)等,這些器件具有讀寫速度快、功耗低、數(shù)據(jù)保持時間長等優(yōu)點,非常適合存內(nèi)計算應(yīng)用。
(3)新興計算架構(gòu)探索:存內(nèi)計算芯片探索了多種新興計算架構(gòu),如并行計算、近似計算、神經(jīng)形態(tài)計算等,這些架構(gòu)可以更有效地利用存內(nèi)計算芯片的特性,實現(xiàn)更快的計算速度和更高的能效。
2.市場前景:
(1)人工智能與機器學(xué)習(xí)驅(qū)動需求:人工智能和機器學(xué)習(xí)算法對計算性能和能效要求極高,存內(nèi)計算芯片憑借其超高計算速度和低功耗優(yōu)勢,成為人工智能和機器學(xué)習(xí)應(yīng)用的理想選擇,市場需求不斷增長。
(2)邊緣計算與物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用推動:邊緣計算和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備對功耗和成本敏感,存內(nèi)計算芯片可以提供更高的計算效率和更低的功耗,非常適合邊緣計算和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用,市場前景廣闊。
(3)移動設(shè)備與可穿戴設(shè)備市場需求:移動設(shè)備和可穿戴設(shè)備對體積和功耗限制嚴(yán)格,存內(nèi)計算芯片可以提供更小的體積和更低的功耗,滿足移動設(shè)備和可穿戴設(shè)備的需求,市場前景可觀。
二、存內(nèi)計算芯片面臨的挑戰(zhàn):成本、可靠性和兼容性
存內(nèi)計算芯片雖然前景廣闊,但也面臨著一些挑戰(zhàn),如成本、可靠性和兼容性等。
1.成本:存內(nèi)計算芯片的制造工藝復(fù)雜,成本相對較高,限制了其大規(guī)模應(yīng)用。
2.可靠性:存內(nèi)計算芯片將存儲器件和計算電路集成在同一芯片上,增加了芯片的復(fù)雜性,對可靠性提出了更高要求。
3.兼容性:存內(nèi)計算芯片需要與現(xiàn)有的計算平臺兼容,才能實現(xiàn)無縫集成,但這存在著兼容性挑戰(zhàn),需要解決芯片與系統(tǒng)之間的接口、數(shù)據(jù)格式和指令集等問題。
三、存內(nèi)計算芯片未來發(fā)展趨勢:技術(shù)演進(jìn)與應(yīng)用擴展
存內(nèi)計算芯片未來將繼續(xù)發(fā)展,并展現(xiàn)出以下趨勢:
1.技術(shù)演進(jìn):
(1)新型存儲器件探索:存內(nèi)計算芯片將探索新的存儲器件,如自旋存儲器(STT-MRAM)、反鐵磁存儲器(AFMRAM)和電荷陷阱閃存(CTF)等,這些器件具有更快的讀寫速度、更高的存儲密度和更低的功耗優(yōu)勢。
(2)先進(jìn)工藝制程應(yīng)用:存內(nèi)計算芯片將采用先進(jìn)的工藝制程,如10納米、7納米甚至更先進(jìn)的工藝,以進(jìn)一步縮小芯片尺寸,提高集成度,降低功耗。
(3)計算架構(gòu)優(yōu)化:存內(nèi)計算芯片將繼續(xù)探索新的計算架構(gòu),以更好地利用存內(nèi)計算芯片的特性,提高計算效率和性能。
2.應(yīng)用擴展:
(1)人工智能與機器學(xué)習(xí)應(yīng)用:存內(nèi)計算芯片將廣泛應(yīng)用于人工智能和機器學(xué)習(xí)領(lǐng)域,如圖像識別、語音識別、自然語言處理等,加速人工智能和機器學(xué)習(xí)算法的運行。
(2)邊緣計算與物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用:存內(nèi)計算芯片將成為邊緣計算和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的核心器件,提供更高的計算效率和更低的功耗,滿足邊緣計算和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的需求。
(3)移動設(shè)備與可穿戴設(shè)備應(yīng)用:存內(nèi)計算芯片將應(yīng)用于移動設(shè)備和可穿戴設(shè)備中,為這些設(shè)備提供更強勁的計算性能和更長的續(xù)航時間。第六部分存內(nèi)計算芯片未來趨勢關(guān)鍵詞關(guān)鍵要點存內(nèi)計算芯片與人工智能的融合
1.存內(nèi)計算芯片為人工智能的快速發(fā)展提供了強大的算力支持,可以滿足人工智能算法對計算性能的巨大需求。
2.存內(nèi)計算芯片的快速發(fā)展為人工智能的應(yīng)用提供了新的可能性,可以實現(xiàn)人工智能算法的低功耗、高性能和實時性,從而推動人工智能在各個領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。
3.存內(nèi)計算芯片與人工智能的融合將催生新的技術(shù)、產(chǎn)品和應(yīng)用,例如:
?人工智能芯片:專門針對人工智能算法設(shè)計的存內(nèi)計算芯片,可以提供更高的計算性能和更低的功耗。
?智能感知芯片:將存內(nèi)計算芯片與傳感器相結(jié)合,可以實現(xiàn)智能感知功能,例如:圖像識別、聲音識別、手勢識別等。
?自主決策芯片:將存內(nèi)計算芯片與決策算法相結(jié)合,可以實現(xiàn)自主決策功能,例如:無人駕駛汽車、智能機器人等。
存內(nèi)計算芯片與物聯(lián)網(wǎng)的結(jié)合
1.存內(nèi)計算芯片的快速發(fā)展為物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展提供了強大的算力支持,可以滿足物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備對計算性能的巨大需求。
2.存內(nèi)計算芯片的小尺寸、低功耗和高集成度使其非常適合于物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備,可以實現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的智能化和邊緣計算。
3.存內(nèi)計算芯片與物聯(lián)網(wǎng)的結(jié)合將催生新的技術(shù)、產(chǎn)品和應(yīng)用,例如:
?智能物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備:將存內(nèi)計算芯片與物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備相結(jié)合,可以實現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的智能化,例如:智能家居、智能穿戴、智能醫(yī)療等。
?邊緣計算設(shè)備:將存內(nèi)計算芯片部署在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備附近,可以實現(xiàn)邊緣計算,從而減少數(shù)據(jù)傳輸?shù)难舆t和提高數(shù)據(jù)處理的效率。
?物聯(lián)網(wǎng)云平臺:將存內(nèi)計算芯片應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)云平臺,可以實現(xiàn)云平臺的智能化和邊緣計算,從而提高云平臺的計算性能和降低云平臺的功耗。
存內(nèi)計算芯片與高性能計算的融合
1.存內(nèi)計算芯片的快速發(fā)展為高性能計算提供了強大的算力支持,可以滿足高性能計算應(yīng)用對計算性能的巨大需求。
2.存內(nèi)計算芯片的高帶寬和低延遲使其非常適合于高性能計算應(yīng)用,可以提高高性能計算應(yīng)用的性能和效率。
3.存內(nèi)計算芯片與高性能計算的融合將催生新的技術(shù)、產(chǎn)品和應(yīng)用,例如:
?高性能計算芯片:專門針對高性能計算應(yīng)用設(shè)計的存內(nèi)計算芯片,可以提供更高的計算性能和更低的功耗。
?高性能計算系統(tǒng):將存內(nèi)計算芯片與高性能計算系統(tǒng)相結(jié)合,可以提高高性能計算系統(tǒng)的性能和效率。
?高性能計算云平臺:將存內(nèi)計算芯片應(yīng)用于高性能計算云平臺,可以提高高性能計算云平臺的計算性能和降低高性能計算云平臺的功耗。
存內(nèi)計算芯片與云計算的結(jié)合
1.存內(nèi)計算芯片的快速發(fā)展為云計算的發(fā)展提供了強大的算力支持,可以滿足云計算應(yīng)用對計算性能的巨大需求。
2.存內(nèi)計算芯片的小尺寸、低功耗和高集成度使其非常適合于云計算數(shù)據(jù)中心,可以提高云計算數(shù)據(jù)中心的計算性能和降低云計算數(shù)據(jù)中心的功耗。
3.存內(nèi)計算芯片與云計算的結(jié)合將催生新的技術(shù)、產(chǎn)品和應(yīng)用,例如:
?云計算芯片:專門針對云計算應(yīng)用設(shè)計的存內(nèi)計算芯片,可以提供更高的計算性能和更低的功耗。
?云計算數(shù)據(jù)中心:將存內(nèi)計算芯片部署在云計算數(shù)據(jù)中心,可以提高云計算數(shù)據(jù)中心的計算性能和降低云計算數(shù)據(jù)中心存內(nèi)計算芯片未來趨勢
1.存儲器件的多樣性
存內(nèi)計算芯片的器件選擇在未來具有多樣化的趨勢。除了傳統(tǒng)的SRAM和DRAM外,新型存儲器件,如自旋轉(zhuǎn)換存儲器(STT-MRAM)、相變存儲器(PCM)和電阻式隨機存取存儲器(ReRAM)等,都有望在存內(nèi)計算芯片中得到應(yīng)用。這些新興器件具有更快的讀寫速度、更高的存儲密度以及更低的功耗,為存內(nèi)計算芯片提供了新的選擇。
2.芯片架構(gòu)的創(chuàng)新
存內(nèi)計算芯片的架構(gòu)也在不斷創(chuàng)新。傳統(tǒng)的馮·諾依曼架構(gòu)存在著存儲器和處理器之間的“內(nèi)存墻”問題,限制了計算性能的提升。為了克服這一問題,存內(nèi)計算芯片采用了多種新的架構(gòu),如3D堆疊架構(gòu)、網(wǎng)狀架構(gòu)和光子架構(gòu)等,以減少數(shù)據(jù)在存儲器和處理器之間的傳輸延遲,提高計算效率。
3.計算能力的增強
存內(nèi)計算芯片的計算能力也在不斷增強。隨著存儲器件的性能提升和新穎芯片架構(gòu)的應(yīng)用,存內(nèi)計算芯片可以執(zhí)行越來越復(fù)雜的計算任務(wù)。未來,存內(nèi)計算芯片有望在人工智能、機器學(xué)習(xí)、大數(shù)據(jù)分析等領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。
4.與其他技術(shù)的融合
存內(nèi)計算芯片與其他技術(shù)的融合也是未來的一大趨勢。例如,存內(nèi)計算芯片可以與光子芯片、微機電系統(tǒng)(MEMS)芯片等結(jié)合,形成新的異構(gòu)集成系統(tǒng)。這種融合可以實現(xiàn)更強大的計算能力和更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。
5.商業(yè)化前景廣闊
存內(nèi)計算芯片的商業(yè)化前景廣闊。隨著云計算、大數(shù)據(jù)和人工智能等新興技術(shù)的快速發(fā)展,對計算性能和數(shù)據(jù)處理能力的需求不斷增長。存內(nèi)計算芯片可以滿足這些需求,并為企業(yè)帶來顯著的經(jīng)濟效益。預(yù)計在未來幾年內(nèi),存內(nèi)計算芯片的市場規(guī)模將快速增長。
6.面臨的挑戰(zhàn)
存內(nèi)計算芯片的發(fā)展也面臨著一些挑戰(zhàn)。其中,主要包括:
*存儲器件的可靠性:存內(nèi)計算芯片中的存儲器件需要具有很高的可靠性,以確保計算結(jié)果的準(zhǔn)確性。
*芯片架構(gòu)的優(yōu)化:存內(nèi)計算芯片的架構(gòu)需要進(jìn)行優(yōu)化,以提高計算效率和降低功耗。
*與其他技術(shù)的兼容性:存內(nèi)計算芯片需要與現(xiàn)有的系統(tǒng)和軟件兼容,以方便部署和使用。
7.發(fā)展前景
存內(nèi)計算芯片是一項具有廣闊發(fā)展前景的新技術(shù)。隨著存儲器件的性能提升、芯片架構(gòu)的創(chuàng)新和與其他技術(shù)的融合,存內(nèi)計算芯片有望在未來幾年內(nèi)實現(xiàn)商業(yè)化。存內(nèi)計算芯片的應(yīng)用將對計算行業(yè)產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響,并為人工智能、機器學(xué)習(xí)、大數(shù)據(jù)分析等領(lǐng)域帶來新的機遇。第七部分存內(nèi)計算芯片應(yīng)用領(lǐng)域關(guān)鍵詞關(guān)鍵要點人工智能
1.存內(nèi)計算芯片在人工智能領(lǐng)域的應(yīng)用前景廣闊。
2.存內(nèi)計算芯片可以為人工智能提供更快的速度和更低的功耗,這將使人工智能算法能夠在更廣泛的應(yīng)用場景中得到使用。
3.存內(nèi)計算芯片還可以為人工智能提供更高的集成度和更高的可靠性,這將使人工智能系統(tǒng)更加穩(wěn)定和可靠。
大數(shù)據(jù)分析
1.存內(nèi)計算芯片在大數(shù)據(jù)分析領(lǐng)域的應(yīng)用前景廣闊。
2.存內(nèi)計算芯片可以為大數(shù)據(jù)分析提供更快的速度和更低的功耗,這將使大數(shù)據(jù)分析算法能夠在更短的時間內(nèi)處理更多的數(shù)據(jù)。
3.存內(nèi)計算芯片還可以為大數(shù)據(jù)分析提供更高的集成度和更高的可靠性,這將使大數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)更加穩(wěn)定和可靠。
機器學(xué)習(xí)
1.存內(nèi)計算芯片在機器學(xué)習(xí)領(lǐng)域的應(yīng)用前景廣闊。
2.存內(nèi)計算芯片可以為機器學(xué)習(xí)提供更快的速度和更低的功耗,這將使機器學(xué)習(xí)算法能夠在更短的時間內(nèi)學(xué)習(xí)更多的知識。
3.存內(nèi)計算芯片還可以為機器學(xué)習(xí)提供更高的集成度和更高的可靠性,這將使機器學(xué)習(xí)系統(tǒng)更加穩(wěn)定和可靠。
物聯(lián)網(wǎng)
1.存內(nèi)計算芯片在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的應(yīng)用前景廣闊。
2.存內(nèi)計算芯片可以為物聯(lián)網(wǎng)提供更低的功耗和更高的集成度,這將使物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備更加輕便、小巧和易于使用。
3.存內(nèi)計算芯片還可以為物聯(lián)網(wǎng)提供更高的可靠性和安全性,這將使物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)更加穩(wěn)定和安全。
移動計算
1.存內(nèi)計算芯片在移動計算領(lǐng)域的應(yīng)用前景廣闊。
2.存內(nèi)計算芯片可以為移動設(shè)備提供更快的速度和更低的功耗,這將使移動設(shè)備能夠運行更復(fù)雜的應(yīng)用和游戲。
3.存內(nèi)計算芯片還可以為移動設(shè)備提供更高的集成度和更高的可靠性,這將使移動設(shè)備更加輕便、小巧和易于使用。
云計算
1.存內(nèi)計算芯片在云計算領(lǐng)域的應(yīng)用前景廣闊。
2.存內(nèi)計算芯片可以為云計算提供更快的速度和更低的功耗,這將使云計算服務(wù)能夠在更短的時間內(nèi)處理更多的請求。
3.存內(nèi)計算芯片還可以為云計算提供更高的集成度和更高的可靠性,這將使云計算系統(tǒng)更加穩(wěn)定和可靠。存內(nèi)計算芯片應(yīng)用領(lǐng)域
存內(nèi)計算芯片具有高速、低功耗、高集成度的特點,在多種應(yīng)用領(lǐng)域具有廣闊的前景。
1.人工智能
存內(nèi)計算芯片可用于加速人工智能算法的執(zhí)行,包括深度學(xué)習(xí)、機器學(xué)習(xí)和自然語言處理等。存內(nèi)計算芯片可以減少數(shù)據(jù)在內(nèi)存和處理單元之間移動的次數(shù),從而提高計算效率。例如,在深度學(xué)習(xí)領(lǐng)域,存內(nèi)計算芯片可以用于加速卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的執(zhí)行,從而提高圖像識別、語音識別和自然語言處理等任務(wù)的性能。
2.高性能計算
存內(nèi)計算芯片可用于加速高性能計算應(yīng)用程序的執(zhí)行。例如,在科學(xué)計算領(lǐng)域,存內(nèi)計算芯片可以用于加速流體動力學(xué)、分子動力學(xué)和其他計算密集型應(yīng)用程序的執(zhí)行。在金融領(lǐng)域,存內(nèi)計算芯片可以用于加速風(fēng)險建模、定價和交易等應(yīng)用程序的執(zhí)行。
3.移動計算
存內(nèi)計算芯片可用于提高移動設(shè)備的性能和功耗。例如,在智能手機領(lǐng)域,存內(nèi)計算芯片可用于加速游戲、視頻播放和其他計算密集型應(yīng)用程序的執(zhí)行。在可穿戴設(shè)備領(lǐng)域,存內(nèi)計算芯片可用于加速傳感器數(shù)據(jù)處理和運動跟蹤等應(yīng)用程序的執(zhí)行。
4.邊緣計算
存內(nèi)計算芯片可用于加速邊緣計算設(shè)備的執(zhí)行。例如,在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域,存內(nèi)計算芯片可用于加速傳感器數(shù)據(jù)處理、數(shù)據(jù)分析和決策等應(yīng)用程序的執(zhí)行。在智能家居領(lǐng)域,存內(nèi)計算芯片可用于加速語音控制、人臉識別和其他計算密集型應(yīng)用程序的執(zhí)行。
5.汽車電子
存內(nèi)計算芯片可用于提高汽車電子系統(tǒng)的性能和可靠性。例如,在自動駕駛領(lǐng)域,存內(nèi)計算芯片可用于加速環(huán)境感知、決策和控制等應(yīng)用程序的執(zhí)行。在車載信息娛樂系統(tǒng)領(lǐng)域,存內(nèi)計算芯片可用于加速導(dǎo)航、音樂播放和其他計算密集型應(yīng)用程序的執(zhí)行。
6.醫(yī)療電子
存內(nèi)計算芯片可用于加速醫(yī)療電子設(shè)備的執(zhí)行。例如,在醫(yī)療成像領(lǐng)域,存內(nèi)計算芯片可用于加速CT掃描、磁共振成像和其他成像應(yīng)用程序的執(zhí)行。在手術(shù)機器人領(lǐng)域,存內(nèi)計算芯片可用于加速機器人控制、手術(shù)規(guī)劃和其他計算密集型應(yīng)用程序的執(zhí)行。
7.航空航天電子
存內(nèi)計算芯片可用于提高航空航天電子系統(tǒng)的性能和可靠性。例如,在飛機控制領(lǐng)域,存內(nèi)計算芯片可用于加速飛行控制、導(dǎo)航和其他計算密集型應(yīng)用程序的執(zhí)行。在導(dǎo)彈制導(dǎo)領(lǐng)域,存內(nèi)計算芯片可用于加速目標(biāo)跟蹤、制導(dǎo)控制和其他計算密集型應(yīng)用程序的執(zhí)行。
8.國防電子
存內(nèi)計算芯片可用于提高國防電子系統(tǒng)的性能和可靠性。例如,在雷達(dá)系統(tǒng)領(lǐng)域,存內(nèi)計算芯片可用于加速信號處理、目標(biāo)跟蹤和其他計算密集型應(yīng)用程序的執(zhí)行。在電子戰(zhàn)系統(tǒng)領(lǐng)域,存內(nèi)計算芯片可用于加速干擾、欺騙和其他計算密集型應(yīng)用程序的執(zhí)行。
9.工業(yè)電子
存內(nèi)計算芯片可用于提高工業(yè)電子系統(tǒng)的性能和可靠性。例如,在機器人控制領(lǐng)域,存內(nèi)計算芯片可用于加速機器人運動控制、視覺處理和其他計算密集型應(yīng)用程序的執(zhí)行。在工業(yè)自動化領(lǐng)域,存內(nèi)計算芯片可用于加速生產(chǎn)過程控制、質(zhì)量檢測和其他計算密集型應(yīng)用程序的執(zhí)行。
10.其他領(lǐng)域
存內(nèi)計算芯片還可用于加速其他領(lǐng)域的計算,例如金融、能源、零售、交通、教育和醫(yī)療等。第八部分存內(nèi)計算芯片面臨挑戰(zhàn)關(guān)鍵詞關(guān)鍵要點設(shè)備和工藝挑戰(zhàn)
1.存內(nèi)計算芯片要求采用先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝技術(shù),以實現(xiàn)更高的存儲密度和更快的計算速度,這給設(shè)備和工藝帶來了極大的挑戰(zhàn)。
2.存儲器單元必須能夠在納米尺度上精確製造和集成,同時還要保證其可靠性和穩(wěn)定性。
3.存內(nèi)計算芯片還面臨著如何解決工藝變異性和缺陷的問題,以確保芯片的良率和可靠性。
存儲器技術(shù)挑戰(zhàn)
1.存內(nèi)計算芯片需要采用新型的存儲器技術(shù),以實現(xiàn)高密度、低功耗、高速讀寫和長壽命等要求。
2.目前主流
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