電子元件符號介紹

常用電子元器件參考資料圖形符號

第一節(jié)局部電氣圖形符號一．電阻器、電容器、電感器和變壓器名稱與說明 圖形符號

名稱與說明電阻器一般符號

電感器、線圈、繞組或扼流圖。注：符號中半圓數(shù)3個可變電阻器或可調(diào)電阻器

帶磁芯、鐵芯的電感器帶磁芯連續(xù)可調(diào)的電感器滑動觸點電位器極性電容

雙繞組變壓器注：可增加繞組數(shù)目可變電容器或可調(diào)電容器

繞組間有屏蔽的雙繞組變壓器注：可增加繞組數(shù)目雙聯(lián)同調(diào)可變電容器。

在一個繞組上有抽頭的變壓器微調(diào)電容器發(fā)光二極管PNP發(fā)光二極管PNP型晶體三極管光電二極管穩(wěn)壓二極管NPN型晶體三極管全波橋式整流器變?nèi)荻O管圖形符號名稱與說明圖形符號名稱與說明(1)JFET結(jié)型場效應(yīng)二極管的符號管(2)N溝道P溝道三．其它電氣圖形符號圖形符號 名稱與說明圖形符號名稱與說明具有兩個電極注：電極數(shù)目或接機殼或底板可增加熔斷器導線的連接指示燈及信號導線的不連接燈揚聲器動合(常開)觸點開關(guān)蜂鳴器動斷(常閉)觸點開關(guān)接大地手動開關(guān)其次節(jié)常用電子元器件型號命名法及主要技術(shù)參數(shù)一．電阻器和電位器電阻器和電位器的型號命名方法第一局部：主稱其次局部：材料符第三局部：特征分類符 意義第一局部：主稱其次局部：材料符第三局部：特征分類符 意義第四局部：序號對主稱、材料一樣，僅性能指標、尺寸大小有差異，但根本不影響互換使用的產(chǎn)品，賜予同一序號；假設(shè)性能指標、尺寸大小時，則在序號后面用大寫字母作為區(qū)分代號。符號意義號意義號電阻器電位器R電阻器T碳膜1一般一般W電位器H合成膜2一般一般S有機實芯3超高頻――N無機實芯4高阻――J金屬膜5高溫――Y氧化膜6――――C沉積膜7周密周密I玻璃釉膜8高壓特別函數(shù)P硼碳膜9特別特別U硅碳膜G高功率――X線繞T可調(diào)――M壓敏W――微調(diào)G光敏D――多圈R熱敏B溫度補償用――C溫度測量用――P旁熱式――W穩(wěn)壓式――Z正溫度系數(shù)――例如：周密金屬膜電阻器R J 7 3多圈線繞電位器W X D 3

第四局部：序號第三局部：類別〔周密〕其次局部：材料〔金屬膜〕第一局部：主稱〔電阻器〕第四局部：序號第三局部：類別〔多圈〕其次局部：材料〔線繞〕第一局部：主稱〔電位器〕電阻器的主要技術(shù)指標額定功率電阻器在電路中長時間連續(xù)工作不損壞為電阻器的額定功率。電阻器的額定功率并不是電阻器在電路中工作時肯定要消耗的功率，而是電阻器在電路工作中所允許消耗的最大功率。不同類型的電阻具有不同系列的額定功2所示。名稱額定功率〔W〕表名稱額定功率〔W〕實芯電阻器0.250.5125－0.51261015線繞電阻器253550751001500.0250.050.1250.250.51薄膜電阻器25102550100標稱阻值3所示。E24、E12和E6系列也適用于電位器和電容器。標稱值系列精度電阻器標稱值系列精度電阻器、電位器、電容器標稱值P〕1.01.11.21.31.51.61.82.0E245%2.22.42.73.03.33.63.94.34.75.15.66.26.87.58.29.11.01.21.51.82.22.7E1210%3.33.94.75.66.88.2－－E620%1.01.52.23.34.76.88.2－10nn為正整數(shù)或負整數(shù)。允許誤差(%)允許誤差(%)等級符號(%)等級符號電阻的精度等級0.0010.002 0.0050.010.020.050.1EX YHUWB0.20.5 1251020CD FGJ〔I〕K〔II〕M〔III〕電阻器的標志內(nèi)容及方法文字符號直標法：用阿拉伯數(shù)字和文字符號兩者有規(guī)律的組合來表示標稱阻值，額阻值和其次位小數(shù)阻值，其文字符號所表示的單位如表51R51.5，2K7表2.7k，表５文字符號RKMGT表示單位歐姆()千歐姆(103)兆歐姆(106)千兆歐姆(109)兆兆歐姆(1012)例如：RJ71－0.125－5k1－II允許誤差10%標稱阻值(5.1k)額定功率1/8W型號由標號可知，它是周密金屬膜電阻器，額定功率為1/8W，標稱阻值為5.1k，允許誤差為10%。色標法：色標法是將電阻器的類別及主要技術(shù)參數(shù)的數(shù)值用顏色〔色環(huán)或色點〕標注在它的外外表上。色標電阻〔色環(huán)電阻〕器可分為三環(huán)、四環(huán)、五環(huán)三種標法。其含義12所示。標稱值第一位有效數(shù)字標稱值其次位有效數(shù)字0的個數(shù)允許誤差顏色第一位有效值其次位有效值倍率允許偏差黑00棕11紅22橙33黃44綠55藍66紫77灰88白99―20%~+50%金5%銀10%無色20%圖1 兩位有效數(shù)字阻值的色環(huán)表示法三色環(huán)電阻器的色環(huán)表示標稱電阻值〔2010102＝1.0k20%的電阻器?！捕挥行?shù)字〕15103＝15k5%的電阻器?！踩挥行?shù)字〕275104＝2.75M1%的電阻器。一般四色環(huán)和五色環(huán)電阻器表示允許誤差的色環(huán)的特點是該環(huán)離其它環(huán)的距離較遠標準的表示應(yīng)是表示允許誤差的色環(huán)的寬度是其它色環(huán)的〔1.5~2〕倍。有些色環(huán)電阻器由于廠家生產(chǎn)不標準，無法用上面的特征推斷，這時只能借助萬用表推斷。標稱值第一位有效數(shù)字顏色第一位有效值其次位有效值第三位有效值倍率允許偏差黑000棕1111%紅2222%橙333黃444綠5550.5%藍6660.25紫7770.1%灰888白999金銀標稱值其次位有效數(shù)字標稱值第三位有效數(shù)字0標稱值其次位有效數(shù)字標稱值第三位有效數(shù)字0的個數(shù)允許誤差電位器的主要技術(shù)指標額定功率電位器的兩個固定端上允許耗散的最大功率為電位器的額定功率率不等于中心抽頭與固定端的功率。標稱阻值標在產(chǎn)品上的名義阻值，其系列與電阻的系列類似。允許誤差等級實測阻值與標稱阻值誤差范圍依據(jù)不同精度等級可允許20%10%5%2%1%的誤差。周密電位器的精度可達0.1%。阻值變化規(guī)律〔或滑動行程何函數(shù)形式，常用的有直線式、對數(shù)式和反轉(zhuǎn)對數(shù)式〔指數(shù)式。在使用中，直線式電位器適合于作分壓器；反轉(zhuǎn)對數(shù)式〔指數(shù)式電位器適合于作收音機、錄音機、電唱機、電視機中的音量掌握器。修理時假設(shè)找不到同類品，可用直線式代替，但不宜用對數(shù)式代替。對數(shù)式電位器只適合于作音調(diào)掌握等。電位器的一般標志方法WT－2 3.3k 10%WX－1 510 J

允許誤差10%額定功率2W碳膜電位器允許誤差5%標稱阻值510額定功率1W線繞電位器二．電容器電容器型號命名法其次局部：第三局部：稱材料其次局部：第三局部：稱材料特征、分類第四局部：符號意符符意義序號對主稱、材料一樣，僅尺寸、性能指標略有不同，但根本不影響互使用的產(chǎn)品，賜予同一序號；假設(shè)尺寸性能指標的差異明顯；影響互換使用時，則在序號后面用大寫字母作為區(qū)別代號。義號意義號瓷介云母玻璃電解其他電C瓷介1圓片非密封－箔式非密封容Y云母2管形非密封－箔式非密封器I玻璃釉3迭片密封－燒結(jié)粉固體密封O玻璃膜4獨石密封－燒結(jié)粉固體密封Z紙介5穿心－－－穿心J金屬化紙6支柱－－－－B聚苯乙烯7－－－無極性－L滌綸8高壓高壓－－高壓Q漆膜9－－－特別特別S聚碳酸脂J金屬膜H復合介質(zhì)W微調(diào)D鋁A鉭N鈮G合金T鈦E其他例如：鋁電解電容器C D 1 1圓片形瓷介電容器C C 1－1紙介金屬膜電容器C Z J X

第四局部：序號第三局部：特征分類〔箔式〕其次局部：材料〔鋁〕第一局部：主稱〔電容器〕第四局部：序號第三局部：特征分類〔圓片〕其次局部：材料〔瓷介質(zhì)〕第一局部：主稱〔電容器〕第四局部：序號第三局部：特征分類〔金屬膜〕其次局部：材料〔紙介〕第一局部：主稱〔電容器〕電容器的主要技術(shù)指標電容器的耐壓：常用固定式電容的直流工作電壓系列為：6.3V，10V，16V，25V，40V，63V，100V，160V，250V，400V。電容器容許誤差等級：常見的有七個等級如表7所示。7+20%+50%+100%容許誤差2%5%10%20%-30%-20%-10%級別0.2IIIIIIIVVVI電容常用字母代表誤差﹕B:±0.1﹪,C:±0.25﹪,D:±0.5﹪,F:±1﹪,G:±2﹪,J:±5﹪,K:±10﹪,M:±20﹪,N:±30﹪,Z:+80﹪-20﹪。標稱電容量：表8 固定式電容器標稱容量系列和容許誤差系列代號E24E12E6容許5%〔I〕或〔J〕10%〔II〕或〔K〕20%〔III〕或〔m〕誤差標10,11,12,13,15,16,18,20,22,24,27,30,33,36,39,43,10,12,15,18,22,27,33,39,10,15,22,23稱47,51,56,62,68,75,82,9047,56,68,82,47,68容量對應(yīng)值注標稱電容量為表中數(shù)值或表中數(shù)值再乘以 其中n為正整數(shù)或負整數(shù)單位為pF。電容器的標志方法直標法容量單位：F〔法拉、F〔微法、nF〔納法、pF〔皮法或微微法。1法拉=1×106微法=1×1012微微法，1微法=1×103納法=1×106微微法1納法=1×103微微法例如：4n7 表示4.7nF或4700pF，0.22 表示0.22F，51 表示51pF。1的兩位以上的數(shù)字表示單位為pF101100pF；用小于1的數(shù)字表示單位為F0.10.1F。數(shù)碼表示法一般用三位數(shù)字來表示容量的大小，單位為pF。前兩位為有效數(shù)字，10i，i910-1223J代表5%479K4710-1pF，允許誤差為5%的電容。這種表示方法最為常見。pF。有時色環(huán)較寬，如紅紅橙，兩個紅色環(huán)涂成一個寬的，表示22023pF。三．電感器電感器的分類偏轉(zhuǎn)線圈、天線線圈、中周、繼電器以及延遲線和磁頭等，都屬電感器種類。電感器的主要技術(shù)指標電感量:在沒有非線性導磁物質(zhì)存在的條件下，一個載流線圈的磁通量與線圈中的電流成正比其比例常數(shù)稱為自感系數(shù)，用L表示，簡稱為電感。固有電容：線圈各層、各匝之間、繞組與底板之間都存在著分布電容。統(tǒng)稱為電感器的固有電容。額定電流：線圈中允許通過的最大電流。線圈的損耗電阻：線圈的直流損耗電阻。2．電感器電感量的標志方法直標法。單位H〔亨利、mH〔毫亨、H〔微亨、數(shù)碼表示法。方法與電容器的表示方法一樣。色碼表示法。這種表示法也與電阻器的色標法相像，色碼一般有四種顏色，前兩種顏色為有效數(shù)字，第三種顏色為倍率，單位為H，第四種顏色是誤差位。四．半導體分立器件半導體分立器件的命名方法我國半導體分立器件的命名法第一局部其次局部第三局部G高頻小功率管第一局部其次局部第三局部G高頻小功率管〔 3MHzP<1W〕CFHPINJG復合管PIN型管激光器件第四局部第五局部用數(shù)字表示器用漢語拼音字母表示器用漢語拼音字母用數(shù)字件電極的數(shù)目件的材料和極性表示器件的類型表示器件符 意義符 意義符意義 符意義序號號號號號代號2 二極管A N型，鍺材料P一般管 D低頻大功率管B P型，鍺材料V微波管〔 ＜3MHz,C N型，硅材料W穩(wěn)壓管P1W)CD P型，硅材料C參量管 A高頻大功率管Z整流管〔 3MHz3 三極管A PNP型，鍺材料L整流堆P1W〕CB NPN型，鍺材料S隧道管 T半導體閘流管C PNP型，硅材料N阻尼管(可控硅整流器)D NPN型，硅材料U光電器件 Y體效應(yīng)器件E 化合物材料K開關(guān)管 B雪崩管X低頻小功率管 J階躍恢復管〔 ＜3MHz, CS場效應(yīng)器件P<1W〕 BTC半導體特別器件例：鍺材料PNP型低頻大功率三極管： 2)硅材料NPN型高頻小功率三極管：3 A D 50 C3DG201B規(guī)格號規(guī)格號序號序號低頻大功率PNP型、鍺材料三極管低頻大功率PNP型、鍺材料三極管3)N型硅材料穩(wěn)壓二極管： 4)單結(jié)晶體管：B T 33 EB T 33 E序號 規(guī)格號穩(wěn)壓管 耗散功率N型、硅材料 三個電極二極管 特種管半導體國際電子聯(lián)合會半導體器件命名法表10 國際電子聯(lián)合會半導體器件型號命名法第一局部用的材料

其次局部用字母表示類型及主要特性

第三局部

第四局部型號者分檔符號意義符號意義符號意義符號意義符號意義檢波、開關(guān)和M封閉磁路中的A鍺材料A混頻二極管霍爾元件通用半B變?nèi)荻O管P光敏元件三導體器件低頻小功率三位的登記序C極管Q發(fā)光器件數(shù)號〔同一B硅材料D低頻大功率三極管R小功率可控硅字類型器件使用同一AE隧道二極管E隧道二極管S小功率開關(guān)管登記號〕C砷化鎵高頻小功率三一F極管T大功率可控硅個專用半復合器件字導體器件D銻化銦G及其它器件U大功率開關(guān)管母的登記序H磁敏二極管X倍增二極管加號〔同一開放磁路中的兩類型器件復合材K霍爾元件Y整流二極管位使用同一R料高頻大功率三穩(wěn)壓二極管即 數(shù) 登記號〕L極管Z齊納二極管 字例如〔命名：A F239 S志AF239型某一參數(shù)的S檔一般用登記序號高頻小功率三極管鍺材料國際電子聯(lián)合會晶體管型號命名法的特點：這種命名法被歐洲很多國家承受。因此，凡型號以兩個字母開頭，并且第一個字母A，B，C，DR的晶體管，大都是歐洲制造的產(chǎn)品，或是按歐洲某一廠家專利生產(chǎn)的產(chǎn)品。第一個字母表示材料AB表示硅管，但不表示極性NPN型或PNP型。其次個字母表示器件的類別和主要特點。如C表示低頻小功率管，D表示低頻大功率管，F(xiàn)表示高頻小功率管，L表示高頻大功率管等等。假設(shè)記住了這些字母的意義，不查手冊也可以推斷出類別。例如，BL49型，一見便知是硅大功率專用三極管。AC184為PNPAC185則為NPN型。第四局部字母表示同一型號的某一參數(shù)〔如hFE或N

〕進展分檔。F型號中的符號均不反映器件的極性〔指NPN或PN。極性確實定需查閱手冊或測量。美國半導體器件型號命名法美國晶體管或其它半導體器件的型號命名法較混亂命名法，即美國電子工業(yè)協(xié)會〔EIA〕規(guī)定的晶體管分立器件型號的命名法。如表11所示。第一局部其次局部用數(shù)字表示第一局部其次局部用數(shù)字表示PN結(jié)的數(shù)目第三局部(EIA)注冊標志第四局部登記挨次號第五局部器件分檔符號意義符號意義符號意義符號意義符號意義JAN1二極管J軍用品2三極管多該器件在A3三個PNN位美國電子工B結(jié)器件數(shù)業(yè)協(xié)會登記C無非軍用品nn個PN登記字的挨次號D別結(jié)器件例：1)JAN2N29042)1N4001JAN 2 N 29041N4001EIA登記序號EIA登記序號EIA注冊標志EIA注冊標志三極管二極管軍用品美國晶體管型號命名法的特點：型號命名法規(guī)定較早，又未作過改進，型號內(nèi)容很不完備。例如，對于材料、極性、主要特性和類型，在型號中不能反映出來。例如，2N開頭的既可能是一般晶體管，也可能是場效應(yīng)管。因此，仍有一些廠家按自己規(guī)定的型號命名法命名。組成型號的第一局部是前綴，第五局部是后綴，中間的三局部為型號的根本局部。1N、2N或3N開頭的晶體管分立器件，大都是美國制造的，或按美國專利在其它國家制造的產(chǎn)品。第四局部數(shù)字只表示登記序號，而不含其它意義。因此，序號相鄰的兩器件可能特性相差很大。例如，2N3464為硅NPN2N3465為N溝道場效應(yīng)管。不同廠家生產(chǎn)的性能根本全都的器件，都使用同一個登記號。同一型號中某些參數(shù)的差特別用后綴字母表示。因此，型號一樣的器件可以通用。登記序號數(shù)大的通常是近期產(chǎn)品。日本半導體器件型號命名法〔包括晶體管本工業(yè)標準〔JIS〕規(guī)定的命名法〔JIS－C－702〕命名的。及意義如表12所示。第六、七局部的符號及意義通常是各公司自行規(guī)定的。第六局部的符號表示特別的用途及特性，其常用的符號有：M－松下公司用來表示該器件符合日本防衛(wèi)廳海上防衛(wèi)隊參謀部有關(guān)標準登記的產(chǎn)品。N－松下公司用來表示該器件符合日本播送協(xié)會〔NHK〕有關(guān)標準的登記產(chǎn)品。Z－松下公司用來表示專用通信用的牢靠性高的器件。H－日立公司用來表示專為通信用的牢靠性高的器件。K－日立公司用來表示專為通信用的塑料外殼的牢靠性高的器件。T－日立公司用來表示收發(fā)報機用的推舉產(chǎn)品。G－東芝公司用來表示專為通信用的設(shè)備制造的器件。S－三洋公司用來表示專為通信設(shè)備制造的器件。R，G，n-1或具有結(jié)的晶體管Y等字母；日立公司常用A，B，C，D等字母，作為直流放大系數(shù)n-1或具有結(jié)的晶體管第一局部其次局部第三局部第四局部第五局部用數(shù)字表示類型S表示日本電子用字母表示器件用數(shù)字表示在用字母表示或有效電極數(shù)工業(yè)協(xié)會的極性及類型日本電子工業(yè)對原來型號〔EIAJ〕的注冊協(xié)會登記的順的改進產(chǎn)品產(chǎn)品序號符號符符符符號意義號 意義號 意義號 意義意義光電(即光APNP型高頻管從11ABCDEF用)BPNP型低頻管開頭，表字母0管、晶體SCNPN型高頻管四示在日本表示管及其組會(EIAJ)注DNPN型低頻管位電子工業(yè)對原合管以協(xié)會注冊來型1二極管FP掌握極可控上登記的順號的立器件硅的序號，不改進三極管、GN掌握極可控數(shù)同公司性產(chǎn)品具有兩個硅字能一樣的2以上PNHN基極單結(jié)晶器件可以結(jié)的其他體管使用同一晶體管JP溝道場效應(yīng)挨次號，管其數(shù)字越KN溝道場效應(yīng)管期產(chǎn)品具有四個M雙向可控硅3有效電極或具有三個PN結(jié)的晶體管n個有效電極例如：1〕2SC502A〔日本收音機中常用的中頻放大管〕2 S C 502 A2SC502型的改進產(chǎn)品日本電子工業(yè)協(xié)會登記挨次號NPN型高頻三極管日本電子工業(yè)協(xié)會注冊產(chǎn)品三極管〔兩個PN結(jié)〕2〕2SA495〔日本夏普公司GF－9494收錄機用小功率管〕2 S A 495日本電子工業(yè)協(xié)會登記挨次號PNP高頻管日本電子工業(yè)協(xié)會注冊產(chǎn)品三極管〔兩個PN結(jié)〕日本半導體器件型號命名法有如下特點：型號中的第一局部是數(shù)字，表示器件的類型和有效電極數(shù)。例如，用“1”表示二極管，用“2”表示三極管。而屏蔽用的接地電極不是有效電極。其次局部均為字母S，表示日本電子工業(yè)協(xié)會注冊產(chǎn)品，而不表示材料和極性。A表示PNPJ表示P溝道場效應(yīng)三極管。但是，第三局部既不表示材料，也不表示功率的大小。第四局部只表示在日本工業(yè)協(xié)會〔EIAJ〕注冊登記的挨次號，并不反映器件的性能，2SC2680型的最大額定耗散功率為200mW，而2SC2681的最大額定耗散功率為100W。但是，登記挨次號能反映產(chǎn)品時間的先后。登記挨次號的數(shù)字越大，越是近期產(chǎn)品。第六、七兩局部的符號和意義各公司不完全一樣。2S省略。例如，2SD764，簡化為D764，2SC502A簡化為C502A。在低頻管〔2SB和2SD型〕中，也有工作頻率很高的管子。例如，2SD355的特征fT100MHz，所以，它們也可當高頻管用。日本通常把Pcm1W的管子，稱做大功率管。常用半導體二極管的主要參數(shù)普通檢波二極管鍺開關(guān)二極管普通檢波二極管鍺開關(guān)二極管參最大正向壓反向最高反反向零偏反向恢復時類數(shù)整流(在擊穿向工作電流壓電間/ns型型號電流/mA/mA左欄電流值電/V壓電壓/V/A容/pF下)/V2AP92.54020fH(MHz)1502AP7165115010025012AP112AP17251510101101002501fH(MHz)402AK130102AK21501402032002AK52000.9604021502AK1010170502AK142500.77050硅2CK70A~E103開關(guān)2CK71A~E2CK72A~E20300.8A30B45A20B301.5450C60C401001501D75E90D50E6015200最大正向壓反向最高反反向零偏反向恢復時整流(在擊穿向工作電流壓電間/ns電流/mA左欄電電壓電壓/V/A容/mA流值/V/pF下)/V2520.116005060.31100050100.5110005020111000256530.8100050301151.41010005020031.2101000二極管二極管類型2CK73A~E2CK74A~D2CK75A~D2CK76A~D參數(shù)型號整流二極管2CZ52BH2CZ53BM2CZ54B M2CZ55B M2CZ56B B1N4001 40071N5391 53991N5400 5408表14 幾種單相橋式整流器的參數(shù)參數(shù)不重復正向整流正向電反向漏反向工作電壓/V最高工作型號浪涌電流/A電流/A壓降/V電/AQL110.05QL220.125，QL460.31050，100，200，400，QL5100.51.2500，600，700，800，130QL6201900，1000QL7QL7QL840602315常用穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù)表15 局部穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù)測試條件參型 數(shù)號工作電流為/V穩(wěn)定電壓下流/mA環(huán)境溫度<50oC電流/mA流穩(wěn)定電流下阻/穩(wěn)定電流下數(shù)/10-4/oC環(huán)境溫度＜10oC功率/W2CW512.5~3.571560-92CW523.2~4.555270-82CW534~5.841150-6~42CW545.5~6.5103830 -3~52CW567~8.8271570.252CW578.5~9.8260.52082CW5910~11.8203092CW6011.5~12.55194092CW1034~5.850165120-6~42CW11011.5~12.520760.520912CW11316~1910520.540112CW1A5302402012CW6C153070812CW7C6.0~6.51030100.050.2常用半導體三極管的主要參數(shù)(1)3AX51(3AX31)型PNP型鍺低頻小功率三極管原型號型號3AX313AX51A3AX51B原型號型號3AX313AX51A3AX51B3AX51C3AX51D測試條件數(shù)交流參數(shù)hfehFE色標分檔－－－－(紅)25~60；(綠)50~100；(藍)90~150PCM(mW)100100100100Ta＝25oC極ICM(mA)100100100100限參TjM(oC)BVCBO(V)7530753075307530IC＝1mA數(shù)BVCEO(V)12121824IC＝1mA直ICBO(A)12121212VCB＝-10V流ICEO(A)500500300300VCE＝-6V參IEBO(A)12121212VEB＝-6VhFE40~15040~15030~10025~70VCE＝-1V IC＝50mAf(kHz)500500500500VCB＝-6V IE＝1mANF(dB)－8－－VCB＝-2V IE＝0.5mA f＝1kHzhie(k)hre(10)hoe(s)0.6~4.52.2800.6~4.52.2800.6~4.52.2800.6~4.52.280VCB＝-6VIE＝1mAf＝1kHzBB管腳EC〔2〕3AX81型PNP型鍺低頻小功率三極管表17 3AX81型PNP型鍺低頻小功率三極管的參數(shù)型號3AX81A3AX81B測試條件PCM(mW)200200極限ICM(mA)200200參數(shù)TjM(oC)7575BVCBO(V)-20-30IC＝4mABVCEO(V)-10-15IC＝4mABVEBO(V)-7-10IE＝4mA直流ICBO(A)ICEO(A)30100015700VCB＝-6VVCE＝-6V參數(shù)IEBO(A)VBES(V)300.6150.6VEB＝-6VVCE＝-1V IC＝175mAVCES(V)hFE溝通 f(kHz)參數(shù)

0.6540~2706

0.6540~2708

VCE＝VBE VCB＝0 VCE＝-1V IC＝175mAVCB＝-6V IE＝10mA色標分檔管腳

(黃)40~55綠)55~80藍)80~120紫)120~180灰)180~270白)270~400BE C〔3〕3BX31型NPN型鍺低頻小功率三極管表18 3BX31型NPN型鍺低頻小功率三極管的參數(shù)型號3BX31M3BX31A3BX31B3BX31C測試條件PCM(mW)125125125125Ta=25oC極限ICM(mA)125125125125參數(shù)TjM(oC)75757575BVCBO(V)-15-20-30-40IC＝1mABVCEO(V)-6-12-18-24IC＝2mABVEBO(V)-6-10-10-10IE＝1mAICBO(A)2520126VCB＝6V直流ICEO(A)1000800600400VCE＝6V參數(shù)IEBO(A)2520126VEB＝6VVBES(V)0.60.60.60.6VCE＝6V IC＝100mAVCES(V)0.650.650.650.65VCE＝VBE VCB＝0 IC＝125mAhFE80~40040~18040~18040~180VCE＝1V IC＝100mA溝通f(kHz)－－8f465VCB＝-6V IE＝10mA參數(shù)色標分檔管腳

(黃)40~55(綠)55~80(藍)80~120(紫)120~180(灰)180~270(白)270~400BE C3DG100(3DG6)型NPN型硅高頻小功率三極管原型型號號3DG63DG100A3DG100B3DG100C3DG100D測試條件原型型號號3DG63DG100A3DG100B3DG100C3DG100D測試條件極限參數(shù)直流參數(shù)CBE管腳ECPCM(mW)100100100100ICM(mA)20202020BVCBO(V)30403040IC＝100μABVCEO(V)20302030IC＝100μABVEBO(V)4444IE＝100AICBO(A)0.010.010.010.01VCB＝10VICEO(A)0.10.10.10.1VCE＝10VIEBO(A)0.010.010.010.01VEB＝1.5VVBES(V)1111IC＝10mAIB＝1mAVCES(V)1111IC＝10mAIB＝1mAhFE30303030VCE＝10VIC＝3mAfT(MHz)150150300300V＝10VIL交KP(dB)7777＝-6VVCBIE＝3mA f＝100MHz流參Cob(pF)4444VCB＝10VIE＝0數(shù)hFE色標分檔(紅)30~60(綠)50~110(藍)90~160(白)>150B3DG130(3DG12)NPN型硅高頻小功率三極管原 型 型號號3DG123DG130A3DG130B3DG130C3DG130D測試條件原 型 型號號3DG123DG130A3DG130B3DG130C3DG130D測試條件PCM(mW)700700700700極ICM(mA)300300300300限參數(shù)BVCBO(V)BVCEO(V)BVEBO(V)40304604544030460454IC＝100μAIC＝100μAIE＝100AICBO(A)0.50.50.50.5VCB＝10V直ICEO(A)1111VCE＝10V流IEBO(A)0.50.50.50.5VEB＝1.5V參VBES(V)1111IC＝100mAIB＝10mA數(shù)VCES(V)0.60.60.60.6IC＝100mAIB＝10mA流5參KP(dB)666610V I50mA ＝100MHzVCB E數(shù)Cob(pF)10101010VCB＝10V IE＝0hFE色標分檔(紅)30~60(綠)50~110(藍)90~160(白)>150hFEhFE30150301503030030300VCE＝10V IC＝50mA交V＝10VI＝50mAf＝100MHzR＝CBELB管腳EC數(shù)溝通參數(shù)VBES(V)hFE數(shù)溝通參數(shù)VBES(V)hFECob(pF)K(dB)PhFE色標分檔(紅)30~60 (綠)50~110 (藍)90~160 (白)>150管腳EBC(3DG)(3CX)(3DX)(3DG)(3CG)(3DG)(3DG)型號9011901290139014901590169018極PCM(mW)200300300300300200200限ICM(mA)20300