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


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數(shù)字電子技術(shù)(山東聯(lián)盟-中國石油大學(xué)(華東))智慧樹知到期末考試答案2024年數(shù)字電子技術(shù)(山東聯(lián)盟-中國石油大學(xué)(華東))用下列器件進行組合邏輯電路的設(shè)計過程中,需要進行函數(shù)化簡的是(
)。
A:門電路B:二進制譯碼器C:其它選項都不對D:數(shù)據(jù)選擇器答案:門電路關(guān)于倒T型電阻網(wǎng)絡(luò)DAC電路的電阻值描述正確的為(
)
。
A:電阻阻值種類和數(shù)字量位數(shù)有關(guān)B:R和2R兩種阻值C:R和4R兩種阻值D:只有R一種阻值答案:R和2R兩種阻值(01001000.1100)5421BCD=(
)8421BCD
A:45.9B:48.9C:01000101.1001D:01001000.1001答案:01000101.10013-8線譯碼器74LS138的輸出端有效方式是(
)。
A:其它選項都不對B:高阻態(tài)有效C:高電平有效D:低電平有效答案:低電平有效半導(dǎo)體存儲器按存取功能分為(
)。
A:ROM和PROMB:RAM和隨機存儲器C:閃存和只讀存儲器
D:RAM和ROM答案:RAM和ROM相當(dāng)于單刀多擲開關(guān)的器件是(
)。
A:數(shù)值比較器B:編碼器C:數(shù)據(jù)選擇器D:譯碼器答案:數(shù)據(jù)選擇器實現(xiàn)兩個四位二進制數(shù)相乘的組合電路,應(yīng)有(
)個輸出端。
A:10B:8C:11D:9答案:8某優(yōu)先編碼器74LS147正常工作,其輸入端只有I6'、I4'、I0'為低電平,則其輸出為(
)。
A:0000B:1001C:0100D:0110答案:10018位移位寄存器,串行輸入時經(jīng)(
)個脈沖后8位數(shù)碼全部移入寄存器。
A:8B:1C:2D:4答案:8一個十進制數(shù)(10)對應(yīng)的二進制補碼為(
)。
A:11010B:01010C:10110D:00110答案:01010組合邏輯電路的競爭和冒險之間的關(guān)系是(
)。
A:競爭必然會引起冒險B:競爭和冒險是一回事C:冒險不一定會有競爭D:競爭不一定會產(chǎn)生冒險答案:競爭不一定會產(chǎn)生冒險為構(gòu)成4096×4
位的RAM,需要(
)片1024×1
的RAM。
A:8B:2C:16D:4答案:16在VerilogHDL中,用“always”過程塊描述模塊中不可以出現(xiàn)哪種命令(
)。
A:caseB:ifC:其余選項都可以D:always答案:always下列不可以用來衡量ADC和DAC性能指標(biāo)的為(
)。
A:數(shù)字量位數(shù)B:參考電壓大小C:分辨率D:轉(zhuǎn)換精度答案:參考電壓大小組合邏輯電路中的冒險可以通過什么方式消除?(
)
A:改變電路的真值表和輸出表達式B:保持電路的真值表不變,改變輸出表達式C:其他選項都不對D:在輸入端接入電容答案:保持電路的真值表不變,改變輸出表達式同步計數(shù)器與異步計數(shù)器相比較,同步計數(shù)器的顯著優(yōu)點是(
)。
A:工作速度高B:觸發(fā)器利用率高C:電路簡單D:不受時鐘CP控制答案:工作速度高一個10
位地址碼、4
位輸出的ROM,若需將該ROM
容量擴展為4K×8,則需對其進行
(
)擴展。
A:其他選項都不對B:位擴展C:字?jǐn)U展D:字和位均擴展答案:字和位均擴展接通電源后就自動產(chǎn)生矩形脈沖的電路為(
)。
A:施密特觸發(fā)器B:單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器C:雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器D:多諧振蕩器答案:多諧振蕩器TTL門電路的高電平典型值為(
)V,低電平典型值為(
)V。
A:3.6,0.3B:2.4,1.8C:2.4,0.3D:5,0答案:3.6,0.3在用4選1MUX擴展為8選1MUX時,多出來的變量用來控制(
)。
A:使能端B:地址輸入端C:輸出端D:數(shù)據(jù)輸入端答案:使能端在電壓控制端(⑤腳)不加控制電壓的情況下,555定時器的閾值為
(
)。
A:1/3VCCB:1/2VCC和VCCC:2/3VCCD:1/3VCC和2/3VCC答案:1/3VCC和2/3VCCR-S觸發(fā)器不具有(
)功能。
A:翻轉(zhuǎn)B:置1C:置0D:保持答案:翻轉(zhuǎn)16選1MUX的地址控制端有(
)個。
A:2B:8C:4D:16答案:4一個用555定時器構(gòu)成的單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器輸出的脈沖寬度為(
)。
A:1.4RCB:2.7RCC:0.7RCD:1.1RC答案:1.1RC(2AB5)16轉(zhuǎn)換為8進制的數(shù)為(
)。
A:25265B:10101010110101C:62775D:210115答案:25265衡量A/D轉(zhuǎn)換器性能的主要性能指標(biāo)是(
)。
A:轉(zhuǎn)換精度;轉(zhuǎn)換速度B:轉(zhuǎn)換速度;非線性失真C:轉(zhuǎn)換精度;滿量程誤差
D:分辨率;轉(zhuǎn)換誤差答案:轉(zhuǎn)換精度;轉(zhuǎn)換速度對于TTL與門來說,輸入端通過一個0.5kΩ電阻接地,認(rèn)為該輸入端輸入為邏輯
(
),若該輸入端懸空,則該輸入端輸入為邏輯(
)。
A:0,1B:0,0C:1,0D:1,1答案:0,1CMOS集成邏輯門與TTL集成邏輯門的區(qū)別有(
)。
A:輸出電平范圍不同B:電源電壓不同C:噪聲容限是否受電源電壓控制的方式不同D:輸入阻抗不同答案:電源電壓不同;輸入阻抗不同;輸出電平范圍不同;噪聲容限是否受電源電壓控制的方式不同以下門電路中常用于總線應(yīng)用的有(
)。
A:漏極開路門B:CMOS與非門C:三態(tài)門D:集電極開路門答案:三態(tài)門在組合邏輯電路設(shè)計過程中,輸入變量的0和1所代表的的狀態(tài)可以根據(jù)自己的意愿規(guī)定。
A:錯B:對答案:對ROM屬于組合邏輯電路。
A:正確B:錯誤答案:正確異步時序電路的各級觸發(fā)器類型一定不同。
A:對B:錯答案:錯一個邏輯函數(shù)對應(yīng)的卡諾圖中,相鄰兩個方格對應(yīng)的最小項必然是相鄰最小項。
A:錯B:對答案:對利用反演規(guī)則,在邏輯函數(shù)求反函數(shù)的過程中,需要保持原來的運算優(yōu)先順序。
A:錯B:對答案:對用數(shù)據(jù)選擇器可實現(xiàn)時序邏輯電路。
A:正確B:錯誤答案:錯誤在利用卡諾圖進行邏輯函數(shù)化簡過程中,在圈卡諾圈時,不能存在多余圈。
A:錯B:對答案:對時序邏輯電路中不含有記憶功能的器件。
A:正確B:錯誤答案:正確邏輯運算與普通代數(shù)運算是不一致的。
A:對B:錯答案:對在利用卡諾圖進行邏輯函數(shù)化簡過程中,多余圈指的是圈中所有的方格都被其他卡諾圈圈過。
A:對B:錯答案:對在邏輯運算中,由于A+B+AB=A+B,所以AB=0成立。
A:錯B:對答案:錯一片4選1MUX最多能夠?qū)崿F(xiàn)2個變量的邏輯函數(shù)。
A:錯B:對答案:錯十進制的位權(quán)值是10。
A:對B:錯答案:錯在時間和幅度上都離散的信號是數(shù)字信號,語音信號不是數(shù)字信號。
A:對B:錯答案:對無關(guān)項指的是不允許出現(xiàn)的取值組合對應(yīng)的最小項。
A:錯B:對答案:對一個邏輯函數(shù)的最大項標(biāo)準(zhǔn)式是唯一的。
A:錯B:對答案:對集成與非門的扇出系數(shù)反應(yīng)了該門電路帶同類型門電路的能力。
A:錯B:對答案:對CMOS與非門和TTL與非門的邏輯功能完全相同。
A:錯B:對答案:對最大項標(biāo)準(zhǔn)式是一個或與式。
A:對
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