低壓擴(kuò)散應(yīng)用于晶硅太陽(yáng)電池的可行性工作總結(jié)報(bào)告

低壓集中應(yīng)用于晶硅太陽(yáng)電池的可行性工作總結(jié)報(bào)告一、立項(xiàng)背景世界各國(guó)的高度重視，而據(jù)國(guó)際能源署(IEA)和歐盟聯(lián)合爭(zhēng)論中心(JRC)的推測(cè)，到204020%以上。依據(jù)推測(cè)如圖160%。圖圖1.世界能源使用現(xiàn)狀及將來(lái)能源需求構(gòu)造推測(cè)圖PN結(jié)是晶體硅太陽(yáng)電池PN結(jié)結(jié)深的差異性上，均勻性陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率，我們提出將低壓集中技術(shù)引入晶硅太陽(yáng)能電池中。二、工程執(zhí)行狀況11、成立工程工作小組為確保本工程的順當(dāng)實(shí)施，公司已經(jīng)形成了有來(lái)自浙江大學(xué)、湖南科技大學(xué)、10多名碩士組成的技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊(duì)，共同致力于公司技術(shù)研發(fā)工作，公司以內(nèi)部研發(fā)中心為依托，成立工程工作小組，該小組下設(shè)設(shè)備優(yōu)化爭(zhēng)論小組、工藝研發(fā)小組和試驗(yàn)生產(chǎn)小組，對(duì)研發(fā)工作進(jìn)展了細(xì)化分解。各小組分工明確，責(zé)任到人，從組織上保證了工程的正常運(yùn)行。各小組細(xì)化工作如下：工程工作小組工程工作小組設(shè)備優(yōu)化小組工藝研發(fā)小組試驗(yàn)生產(chǎn)小組設(shè)備改造工藝研發(fā)和試試生產(chǎn)和品質(zhì)2、工程進(jìn)展報(bào)告〔1〕2023.3–2023.52所示。2.低壓集中核心構(gòu)造示意圖23排出，7、8、9負(fù)責(zé)制造真空條件，泵出口連接排酸管道。33個(gè)月左右時(shí)間根本完成。

3.改造后集中爐爐門(mén)設(shè)計(jì)并優(yōu)化初步得出一種高方阻的低壓集中工藝。〔3〕2023.10–2023.12對(duì)中途消滅的問(wèn)題不斷排查緣由并改善，經(jīng)過(guò)生產(chǎn)線近3個(gè)月的努力，已根本形成工藝的批量生產(chǎn)力量。3、工程總結(jié)202312低壓集中應(yīng)主要爭(zhēng)論內(nèi)容本工程提出承受低壓集中工藝改善集中均勻性，它一種通過(guò)改善爐管氣密性、平均自由程，提高集中均勻性、穩(wěn)定性和成膜致密性；通過(guò)低壓集中工藝，可以獲說(shuō)明該工藝可以改善集中的均勻性。4所示。進(jìn)抽進(jìn)抽升檢通擴(kuò)推充舟真溫漏氧散進(jìn)氣舟4.低壓集中工藝步驟低壓集中工藝分如下三步進(jìn)展：關(guān)閉放有硅片的集中爐爐門(mén)后,抽氣使?fàn)t內(nèi)壓強(qiáng)至設(shè)定壓強(qiáng)并用高溫氧化硅SiO2；PN結(jié)：第一步低溫預(yù)集中,其次步高溫集中；,轉(zhuǎn)變集中爐內(nèi)部壓強(qiáng)除去雜質(zhì)；步驟(1)至(3)中設(shè)定的工藝參數(shù)如下：所述步驟(1)設(shè)定的工藝參數(shù)為：爐內(nèi)壓50～100mbar；氧化溫度為780～800℃；氧化時(shí)間為200～800sec；大氮流工藝參數(shù)為：第一步低溫預(yù)集中工藝參數(shù)為：爐內(nèi)壓強(qiáng)為50～100mbar；爐內(nèi)溫工藝參數(shù)為：爐內(nèi)壓強(qiáng)為50～100mbar；爐內(nèi)溫度為800～830℃；集中時(shí)間為～c0～n0～；氧氣流量為500～2023ml/min；所述步驟(3)設(shè)定的工藝參數(shù)為：設(shè)定退火溫度550～650℃、時(shí)間為1000～3000sec；爐內(nèi)壓強(qiáng)從設(shè)定的50～100mbar升至50～100mbar,2～4次,每個(gè)壓強(qiáng)以內(nèi)。105～115Ω，承受1所示。1.低壓集中工藝所得硅片各位置方阻位置測(cè)1測(cè)2測(cè)3測(cè)4測(cè)5110103101104110爐103105112110108口10499109108103爐107106108112112中113117117112113爐119122127125125尾1113.60%低壓集中由于分子的穿透力量變強(qiáng)，摻雜均勻性提高。承受密舟裝載方式在爐500片/800片/PECVD和絲印，0.2%～0.3%。三、技術(shù)創(chuàng)點(diǎn)和技術(shù)解決方案集中設(shè)備改造。爐門(mén)系統(tǒng)為保證低壓集中的密封效果，爐門(mén)承受雙層密的工作。3個(gè)方面：反響管真空度的提升，分子平均自由行程加大，增加分子的穿透力〔見(jiàn)表2，使〔即硅片中間方阻值高，而四周方阻值低，提高了集中的均勻性。由于分子的穿透力量變強(qiáng)，石英舟槽間距設(shè)計(jì)可4.76mm2.38mm2mm不變的前提下產(chǎn)能得以大幅度提升。②削減紊流，提高氣氛均勻性。集中爐的爐內(nèi)壓力越低越有利于氣流的穩(wěn)定。爭(zhēng)論說(shuō)明：爐內(nèi)壓力為10kPa100kPa100kPa時(shí)，集中爐管內(nèi)湍流格外明顯。由此可見(jiàn)，降低管內(nèi)的壓力可削減湍流產(chǎn)生，提高氣氛均勻性，從而提高集中的均勻性。利于形成淺結(jié)，削減外表復(fù)合，適應(yīng)高效晶體硅太陽(yáng)能電池淺結(jié)高方阻集中的進(jìn)展趨勢(shì)，此外，在低壓集中環(huán)境中，摻雜原子分壓比大，降低摻雜源耗，降低本錢(qián)。表2不同真空度環(huán)境下的分子平均自由行程壓壓力/Kpa力常100壓負(fù)30～1×10-1壓

平均自由行程68nm0.1～100μm中 1×10-1～1×真空 10-3高 真空 10-8

0.1～100mm10cm～1km一套適合設(shè)備現(xiàn)狀、生產(chǎn)實(shí)際和技術(shù)要求的工藝是本技術(shù)的創(chuàng)點(diǎn)。四、低壓集中特點(diǎn)及應(yīng)用狀況1561000片的狀況下其集中均勻性仍優(yōu)于性。目前，國(guó)外先進(jìn)的低壓集中技術(shù)可使晶體硅電池在高至120Ω/sq的方塊電阻2.38mm，這樣帶來(lái)的效果全標(biāo)準(zhǔn)，是將來(lái)集中工藝進(jìn)展的趨勢(shì)。投入狀況。經(jīng)紹興興業(yè)會(huì)計(jì)師事務(wù)全部限公司審計(jì)，工程投入技術(shù)開(kāi)發(fā)經(jīng)費(fèi)合計(jì)萬(wàn)元，12月底完成以來(lái)，已應(yīng)用于公司生產(chǎn)線，投入規(guī)?；瘷?quán)。經(jīng)紹興興業(yè)會(huì)計(jì)師事務(wù)全部限公司審計(jì)，工程投入技術(shù)開(kāi)發(fā)經(jīng)費(fèi)合計(jì)萬(wàn)元，包括：科研用材料費(fèi)萬(wàn)元，人員經(jīng)費(fèi)萬(wàn)元，測(cè)試費(fèi)萬(wàn)元，水電費(fèi)萬(wàn)元。六、成果轉(zhuǎn)化、產(chǎn)業(yè)化完成的技術(shù)和經(jīng)濟(jì)效益指標(biāo)。包括：科研用材料費(fèi)萬(wàn)元，人員經(jīng)費(fèi)萬(wàn)元，測(cè)試費(fèi)萬(wàn)元，水電費(fèi)萬(wàn)元。5～10%0.2~0.3%。關(guān)鍵材料和技術(shù)擁有自主學(xué)問(wèn)產(chǎn)權(quán)