微納米金屬燒結(jié)件剪切強(qiáng)度試驗(yàn)方法_第1頁
微納米金屬燒結(jié)件剪切強(qiáng)度試驗(yàn)方法_第2頁
微納米金屬燒結(jié)件剪切強(qiáng)度試驗(yàn)方法_第3頁
微納米金屬燒結(jié)件剪切強(qiáng)度試驗(yàn)方法_第4頁
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1微納米金屬燒結(jié)連接件剪切強(qiáng)度試驗(yàn)方法本文件規(guī)定了微納米金屬燒結(jié)連接件剪切強(qiáng)度的測燒結(jié)(連接)件as-sintered半導(dǎo)體封裝中用來進(jìn)行芯片粘接的基體??蔀樾酒峁╇姎饣ミB、機(jī)械保護(hù)和支撐用于微納米金屬燒結(jié)連接件剪切強(qiáng)度測試的特定儀器,如2τ——剪切強(qiáng)度,單位為N/mm2,或F——試樣被剪斷時的最大載荷,單位為N;L——試試樣的長度,單位為mm,L≥W。5儀器及設(shè)備5.1推力測試機(jī)推力測試機(jī)能夠滿足靜態(tài)加載條件,并記錄推刀行程和對應(yīng)的推力值,精度不低于±1%。推力測試機(jī)的推刀與夾具應(yīng)具備相對旋轉(zhuǎn)能力。同時,需配備顯微成像系統(tǒng)輔助調(diào)節(jié)位置距離。5.2剪切試驗(yàn)裝置關(guān)系圖35.3樣品尺寸測量儀器(l)、寬(w);如涉及在同一連接基體上布局多以3mm(W)×3mm(L)被連接件為例,mm(l厚度(h)大于1mm,被連接件之間的間距(d)應(yīng)不小于5以一次進(jìn)行。的平整。測試銅板表面需采用與實(shí)際應(yīng)用芯片被連接4);d)加力方向應(yīng)與連接基體平面平行,并與被連接件待推面垂直;連接件表面呈90°。g)手動微調(diào)樣品臺,使得被連接件待推面與推刀面平行;i)記錄剪切力值(F觀察并記錄斷面斷口形態(tài)。9剪切強(qiáng)度的計(jì)算與參考值一般情況下,若被連接件面積小于3mm×3mm,剪切強(qiáng)度應(yīng)不小于10b)被連接件非破壞脫離,連接基體上殘留有燒結(jié)層材料,連接基體表面未裸露,如d)被連接件非破壞脫離,且與燒結(jié)層一起脫離連接基體,連接基體表面完全裸露,

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