晶體硅太陽(yáng)電池（沈輝）（第二版）課件 第1-5章 太陽(yáng)電池基礎(chǔ)知識(shí)與應(yīng)用-晶體硅生產(chǎn)工藝與流程

晶體硅太陽(yáng)電池太陽(yáng)電池基礎(chǔ)知識(shí)與應(yīng)用Basicknowledgeandapplicationofsolar

cellsPART

0101-太陽(yáng)能概述Solar

Energy太陽(yáng)是一個(gè)充滿(mǎn)氣體的熱球內(nèi)核：核聚變反應(yīng)輻射輻射輻射輻射太陽(yáng)能融化鋼太陽(yáng)能烘干太陽(yáng)能照明現(xiàn)在廣泛開(kāi)采并使用的石油、天然氣和煤炭等礦物燃料，也都是古老的太陽(yáng)能資源的產(chǎn)物，那是由千百萬(wàn)年前動(dòng)植物所吸收的太陽(yáng)輻射能，經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)期的沉積轉(zhuǎn)換而成的。水能是由水位的高度差所形成的，因?yàn)槭艿教?yáng)輻射的結(jié)果，地球表面（包括海洋）上的水分被加熱而蒸發(fā)，形成雨云在高山地區(qū)降水后，由于“水往低處流”，就成為水能的主要來(lái)源。通常所謂的太陽(yáng)能資源，不僅包括直接投射到地球表面上的太陽(yáng)輻射能，而且還包括像水能、風(fēng)能和海洋能等間接的太陽(yáng)能資源，以及包括通過(guò)綠色植物的光合作用所固定下來(lái)的能量（生物質(zhì)能）。1、什么是太陽(yáng)能古代太陽(yáng)能利用周代，我國(guó)人民即能利用凹面鏡的聚光焦點(diǎn)向日取火，這是我國(guó)和世界上對(duì)太陽(yáng)能的最早利用?！吨芏Y·秋官司寇》說(shuō)：“司烜氏掌以夫燧取明火于日”。2、我國(guó)陽(yáng)光資源??我國(guó)陽(yáng)光資源較為豐富，全國(guó)總面積2/3以上地區(qū)年日照時(shí)數(shù)大于2000h，年輻射量在5000MJ/m2以上。我國(guó)太陽(yáng)能資源分布的主要特點(diǎn)太陽(yáng)能的高值中心和低值中心都處在北緯22°～35°這一帶，青藏高原是高值中心，四川盆地是低值中心；太陽(yáng)年輻射總量，西部地區(qū)高于東部地區(qū)，而且除西藏和新疆兩個(gè)自治區(qū)外，基本上是南部低于北部；由于南方多數(shù)地區(qū)云霧雨多，在北緯30°～40°地區(qū)，太陽(yáng)能的分布情況與一般的太陽(yáng)能隨緯度而變化的規(guī)律相反，太陽(yáng)能不是隨著緯度的增加而減少，而是隨著緯度的增加而減少，而是隨著緯度的增加而增長(zhǎng)。太陽(yáng)能輻射單位如何換算？MJ/m2、KWh/m23、全球太陽(yáng)能資源簡(jiǎn)介全球強(qiáng)太陽(yáng)輻射地區(qū)通常位于大陸西部的熱帶地區(qū)，而不是赤道附近。干旱或半干旱地區(qū)的太陽(yáng)輻射要強(qiáng)于熱帶或赤道濕熱地區(qū)。4、溫室效應(yīng)溫室效應(yīng)，又稱(chēng)“花房效應(yīng)”，是大氣保溫效應(yīng)的俗稱(chēng)。大氣能使太陽(yáng)短波輻射到達(dá)地面，但地表受熱后向外放出的大量長(zhǎng)波熱輻射線(xiàn)卻被大氣吸收，這樣就使地表與低層大氣溫作用類(lèi)似于栽培農(nóng)作物的溫室，故名溫室效應(yīng)。Atmosphereof

EarthFromWikipedia,thefreeencyclopedia(RedirectedfromEarth's

atmosphere)TheatmosphereofEarthisthelayerofgases,commonlyknownasair,thatsurroundstheplanetEarthandisretainedbyEarth's

gravity.《難以忽視的真相》（英文：An

Inconvenient

Truth）是哥倫比亞廣播公司、派拉蒙家庭視頻公司等七家公司于2006年聯(lián)合發(fā)行的一部環(huán)保紀(jì)錄片。由戴維斯·古根海姆根據(jù)同名圖書(shū)編導(dǎo)，美國(guó)前副總統(tǒng)阿爾·戈?duì)栠M(jìn)行講解。太陽(yáng)常數(shù)：太陽(yáng)常數(shù)指在日地平均距離(D=1.496x108km)上，大氣頂界垂直于太陽(yáng)光線(xiàn)的單位面積每分鐘接受的太陽(yáng)輻射。5、太陽(yáng)輻射光譜與大氣質(zhì)量太陽(yáng)輻射光譜太陽(yáng)常數(shù)：太陽(yáng)常數(shù)指在日地平均距離(D=1.496x108km)上，大氣頂界垂直于太陽(yáng)光線(xiàn)的單位面積每分鐘接受的太陽(yáng)輻射。LOREMIPSUM

DOLOR為了定量描述太陽(yáng)能，將在太陽(yáng)-地球間、地球大氣層上方太陽(yáng)的輻射強(qiáng)度定義為太陽(yáng)能常數(shù)(數(shù)值為1353Ｗ/ｍ2)，將大氣對(duì)地球表面接收太陽(yáng)光的影響程度定義為大氣質(zhì)量(ＡＭ)。當(dāng)大氣壓力Po=1.013Pa，天空無(wú)云時(shí)，海平面處的大氣質(zhì)量為1。在任何地點(diǎn)，大氣質(zhì)量的值可以從以下公式算出：大氣質(zhì)量=(P/Po)*(1/sinθ)，其中，P為當(dāng)?shù)氐拇髿鈮毫?，以pa表示,Po

=1.013pa,θ為太陽(yáng)高度角。“大氣質(zhì)量”量化了太陽(yáng)輻射穿過(guò)大氣層時(shí)被空氣和塵埃吸收后的衰減程度。大氣質(zhì)量（Air

Mass

，AM)“大氣質(zhì)量”描繪了太陽(yáng)光到達(dá)地面前所需走過(guò)的路程與太陽(yáng)處在頭頂處時(shí)的路程的比例，也等于Y/X。大氣質(zhì)量（Air

Mass

，AM)1cos

h

s

2AM

1

太陽(yáng)能電池的效率對(duì)入射光的能量和光譜含量都非常敏感。為了方便不同時(shí)間和不同地點(diǎn)時(shí)太陽(yáng)能電池的數(shù)據(jù)比較，人們定義了地球大氣層外和地球表面的光譜和功率強(qiáng)度的標(biāo)準(zhǔn)值。AM=1/cosθ，當(dāng)θ=0.482時(shí)，大氣質(zhì)量為AM

1.5，是指典型晴天時(shí)太陽(yáng)光照射到一般地面的情況，其輻射總量為1kW/m2，常用于太陽(yáng)能電池和組件效率測(cè)試時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)。大氣質(zhì)量（Air

Mass

，AM)地球表面的標(biāo)準(zhǔn)光譜稱(chēng)為AM1.5G（G代表總的輻射，包括直接的和分散的輻射）或者AM1.5D（只包含直接的輻射）。AM1.5D的輻射強(qiáng)度近似于減少28%能量后的AM0光譜的光譜強(qiáng)度（18%被吸收，10%被散射）?？偟墓庾V輻射強(qiáng)度要比直射的光譜強(qiáng)度高10%。從上面的計(jì)算可得AM1.5G的值近似為970W/m2。然而，由于整數(shù)計(jì)算比較方便以及入射太陽(yáng)光存在固有的變化，人們規(guī)范了標(biāo)準(zhǔn)的AM1.5G光譜值為1KW/m2。大氣質(zhì)量（Air

Mass

，AM)ID

1.353

0.7

AM

0.678IG

1.1

ID式中ID為垂直平面的太陽(yáng)光線(xiàn)的功率強(qiáng)度，單位KW/m2。AM為大氣質(zhì)量。數(shù)值1.353KW/m2為太陽(yáng)常數(shù)，而數(shù)字0.7則源于入射到大氣層中的輻射大概有70%能到達(dá)地球。請(qǐng)總結(jié)太陽(yáng)能資源的優(yōu)缺點(diǎn)課堂問(wèn)答???aic

effect：光生伏光照射時(shí)產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)6、光電效應(yīng)與光伏效應(yīng)光電效應(yīng)，photoelctric

effect：電磁輻射照射到物體上并使其發(fā)射電子的現(xiàn)象。光電效應(yīng)現(xiàn)象-實(shí)驗(yàn)光電效應(yīng)（倫琴射線(xiàn)照射金屬）光生伏特效應(yīng)，Photovolt特效應(yīng)是指半導(dǎo)體在受到的現(xiàn)象。光電效應(yīng)電子對(duì)光的吸收臨界頻率光子能量高逸出光子能量低無(wú)逸出電子獲得能量后逸出物理表面自由粒子外光電效應(yīng)電子脫離原子核束縛自由電子內(nèi)光電效應(yīng)光伏效應(yīng)光電導(dǎo)效應(yīng)兩種可能兩個(gè)過(guò)程

E

hc

h

光伏是一種當(dāng)半導(dǎo)體受到光子輻照時(shí)，可以從半導(dǎo)體產(chǎn)生直流電（DC）的發(fā)電技術(shù)。只要光照射到太陽(yáng)電池上，它就能產(chǎn)生電能。當(dāng)光照停止后，發(fā)電也停止。太陽(yáng)電池從來(lái)不像蓄電池一樣需要充電。有些太陽(yáng)電池在地球上或在太空中已經(jīng)連續(xù)工作超過(guò)30年。7、什么是光伏？光電材料02-光伏發(fā)展歷史DevelopmentHistoryof

Photovoltaic1839年發(fā)現(xiàn)液體光伏效應(yīng)1905年愛(ài)因斯坦光電效應(yīng)光伏陣列用于衛(wèi)星1958年1877年第一片硒太陽(yáng)電池1954年貝爾實(shí)驗(yàn)室，第一塊硅太陽(yáng)電池，效率4.5%1959年晶體硅太陽(yáng)電池產(chǎn)業(yè)化1963年生產(chǎn)出民用晶體硅光伏組件1970年太陽(yáng)電池實(shí)現(xiàn)規(guī)模民用1985年1999年光伏裝機(jī)達(dá)1000MW中國(guó)光伏行業(yè)“領(lǐng)跑新南威爾士大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)，電池效率〉者計(jì)劃”：?jiǎn)尉ЫM件效率17%以上、多晶組件效率16.5%以上20%2015年貝克勒爾家族：四代五個(gè)物理學(xué)家貝克勒爾效應(yīng)In1839,atage19,experimentinginhisfather'slaboratory,Becquerelcreatedtheworld'sfirstphotovoltaiccell.Inthisexperiment,silverchlorideorsilverbromidewasusedtocoattheplatinumelectrodes;oncetheelectrodeswereilluminated,voltageandcurrentweregenerated.Becauseofthiswork,thephotovoltaiceffecthasalsobeenknownasthe

"Becquerel

e埃f德fe蒙ct·".貝克勒爾19歲時(shí)，在其父親AntoineCésar

Becquerel的實(shí)驗(yàn)室工作，用各種不同光源（包括陽(yáng)光）照射浸入硫酸溶液中的鉑金電極，發(fā)現(xiàn)了光伏效應(yīng)。貝克勒爾效應(yīng)1839年，A.E.貝克勒爾將氯化銀放在酸性溶液中，用兩片浸入電解質(zhì)溶液的金屬（鉑）作為電極，見(jiàn)下圖。貝克勒爾發(fā)現(xiàn)，如果有陽(yáng)光照射時(shí)，兩個(gè)電極間會(huì)產(chǎn)生額外的電壓。這不就是‘光’轉(zhuǎn)換成了‘電’嗎？貝克勒爾將此現(xiàn)象稱(chēng)為光生伏特效應(yīng)，這是歷史上最早被發(fā)現(xiàn)的半導(dǎo)體的第二個(gè)特征。貝克勒爾發(fā)現(xiàn)的是液體中的光生伏特效應(yīng)，也被稱(chēng)為貝克勒爾效應(yīng)。1873年，英國(guó)的史密斯發(fā)現(xiàn)硒晶體材料在光照下導(dǎo)電性增加，這是半導(dǎo)體又一個(gè)與光照有關(guān)的特性：光電導(dǎo)效應(yīng)。1883年，亞當(dāng)斯等在金屬和硒片上發(fā)現(xiàn)固態(tài)光伏效應(yīng)，并制成了第一個(gè)“硒光電池”赫茲家族普朗克與愛(ài)因斯坦1879年3月14日-1955年4月18日1858年4月23日-1947年10月4日貝爾實(shí)驗(yàn)室約翰·巴丁、威廉·肖克利、沃爾特·布拉頓在貝爾實(shí)驗(yàn)室貝爾實(shí)驗(yàn)室制成的第一批太陽(yáng)能電池光伏效應(yīng)實(shí)驗(yàn)當(dāng)研究在銅表面生長(zhǎng)氧化亞銅層的光電導(dǎo)效應(yīng)時(shí)，研究者發(fā)現(xiàn)了銅-氧化亞銅交界處的整流效應(yīng)。這一結(jié)果引領(lǐng)了大面積整流器的發(fā)展，緊接著又促進(jìn)了大面積光電池的發(fā)展。你認(rèn)為光伏發(fā)展歷史可如何劃分階段課堂問(wèn)答光伏領(lǐng)跑者計(jì)劃什么是光伏領(lǐng)跑者計(jì)劃？“光伏領(lǐng)跑者計(jì)劃”是國(guó)家能源局?jǐn)M從2015

年開(kāi)始，之后每年都實(shí)行的光伏扶持專(zhuān)項(xiàng)計(jì)劃，在“領(lǐng)跑者”計(jì)劃中所采用技術(shù)和使用的組件都是行業(yè)技術(shù)絕對(duì)領(lǐng)先的技術(shù)和產(chǎn)品，來(lái)建設(shè)擁有先進(jìn)技術(shù)的光伏發(fā)電示范基地、新技術(shù)應(yīng)用示范工程等方式實(shí)施。光伏領(lǐng)跑者分為應(yīng)用領(lǐng)跑基地和技術(shù)領(lǐng)跑基地兩大類(lèi)。加入光伏領(lǐng)跑者計(jì)劃有什么優(yōu)勢(shì)？1、國(guó)家部分用電項(xiàng)目將優(yōu)先采用“領(lǐng)跑者”先進(jìn)技術(shù)產(chǎn)品。如解決無(wú)電人口用電、偏遠(yuǎn)地區(qū)缺電問(wèn)題和光伏扶貧等公益性項(xiàng)目、國(guó)家援外項(xiàng)目、國(guó)家和各級(jí)能源主管部門(mén)組織實(shí)施的各類(lèi)光伏發(fā)電應(yīng)用示范項(xiàng)目、各級(jí)地方政府使用財(cái)政資金支持的光伏發(fā)電項(xiàng)目以及在各級(jí)政府機(jī)構(gòu)建筑設(shè)施上安裝的光伏發(fā)電項(xiàng)目等。2、政府將在關(guān)鍵設(shè)備、技術(shù)上給予“光伏領(lǐng)跑者”計(jì)劃項(xiàng)目市場(chǎng)支持。3、各級(jí)地方政府使用財(cái)政資金支持的光伏發(fā)電項(xiàng)目，應(yīng)采用“領(lǐng)跑者”先進(jìn)技術(shù)產(chǎn)品指標(biāo)。4、就整個(gè)光伏產(chǎn)業(yè)而言，隨著一些“領(lǐng)跑企業(yè)”成為業(yè)內(nèi)標(biāo)竿，將帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)內(nèi)的其它企業(yè)提升產(chǎn)品質(zhì)量和轉(zhuǎn)換效率，從而推動(dòng)整個(gè)行業(yè)的良性競(jìng)爭(zhēng)與發(fā)展。光伏領(lǐng)跑者計(jì)劃2015第一批領(lǐng)跑者項(xiàng)目光伏組件的技術(shù)指標(biāo)2017第三批領(lǐng)跑者項(xiàng)目光伏組件的技術(shù)指標(biāo)晶體硅太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)技術(shù)現(xiàn)狀與趨勢(shì)2016年1月2018年5月晶體硅太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)技術(shù)現(xiàn)狀與趨勢(shì)2016年1月2018年5月03-太陽(yáng)電池的種類(lèi)與參數(shù)Typesandparametersofsolar

cells晶體硅太陽(yáng)電池：?jiǎn)尉Ч杼?yáng)電池、多晶硅太陽(yáng)電池125

R165 156

R200 二柵

156R200

三柵多晶

156

三柵晶體硅太陽(yáng)電池：125/156晶體硅太陽(yáng)電池：彩色太陽(yáng)能電池晶體硅太陽(yáng)電池：彩色太陽(yáng)能電池/世博園中國(guó)館晶體-非晶-納米晶結(jié)構(gòu)非晶硅太陽(yáng)電池/組件非晶硅薄膜是采用濺射鍍膜或是化學(xué)氣相沉積方式，在玻璃、陶瓷、塑膠或不銹鋼基板上所生成的一種薄膜。非晶硅電池可以制備出各種輕便，具有柔性、抗輻射等各種發(fā)電產(chǎn)品，可廣泛應(yīng)用于便攜式電源及空間電源領(lǐng)域。非晶硅（amorphoussilicon,a-Si）可沉積在柔性襯底上，非晶硅柔性電池具有輕、薄，可卷曲等特點(diǎn)，其厚度是晶體硅電池的1/300，在降低原材料成本方面具有巨大的優(yōu)勢(shì)。有研究表明，在同樣標(biāo)稱(chēng)功率的情況下非晶硅薄膜電池組件的發(fā)電比晶體硅電池組件多發(fā)電10-30%。這主要得益于非晶硅具有較高的光吸收系數(shù)和較低的溫度系數(shù)。非晶硅/晶體硅光伏組件發(fā)電量對(duì)比統(tǒng)計(jì)帶狀硅太陽(yáng)能電池EFG(EdgeDefinedFilm-fed

Growth)定邊喂膜生長(zhǎng)法技術(shù)，用激光槍把硅管從中切開(kāi)，硅管可以像紙一樣展開(kāi)。再用印刷技術(shù)制備大面積的太陽(yáng)能電池(EFG)碲化鎘太陽(yáng)能電池/組件目前全世界最大碲化鎘薄膜光伏電站CdTe（碲化鎘）屬于II-VI族化合物半導(dǎo)體材料，具備直接帶隙，其帶隙寬度為1.45eV，此外還具有很高的光吸收系數(shù)（＞5×105cm-1）。理想太陽(yáng)電池轉(zhuǎn)換效率與帶隙寬度關(guān)系的計(jì)算表明CdTe的光譜響應(yīng)與太陽(yáng)光譜非常匹配。這意味著僅2μm厚的CdTe薄膜就已足夠吸收AM1.5條件下99%的太陽(yáng)光。2000-2011年各類(lèi)薄膜電池占全球光伏電池總產(chǎn)量的比重銅銦鎵硒（CIGS）太陽(yáng)能電池/組件CIGS是一種Ⅲ-Ⅵ族三元化合物半導(dǎo)體材料。由于它對(duì)可見(jiàn)光的吸收系數(shù)非常高，所以是制作薄膜太陽(yáng)電池的優(yōu)良材料。漢能美國(guó)子公司GSE銅銦鎵硒技術(shù)介紹砷化鎵太陽(yáng)能電池/組件GaAs（砷化鎵）III-V薄膜電池因其具有較高的轉(zhuǎn)換效率和高的抗輻射性能，是非常理想的太陽(yáng)能電池材料而受到人們的普遍重視。漢能美國(guó)子公司Alta

Devices全球最高轉(zhuǎn)化率砷化鎵技術(shù)介紹燃料敏化太陽(yáng)能電池/組件

化學(xué)法制備太陽(yáng)電池

柔性太陽(yáng)電池制備04-硅的性質(zhì)及其應(yīng)用Propertiesandapplicationsof

silicon硅物質(zhì)類(lèi)別：非金屬單質(zhì)，分為晶體和無(wú)定型兩種物理性質(zhì)：有金屬光澤、灰黑色固體、熔點(diǎn)高、硬度大、有脆性、半導(dǎo)體化學(xué)性質(zhì)：常溫不活潑硅的化合物硅的應(yīng)用硅的各種化合物太陽(yáng)光采集及光纖傳輸照明技術(shù)光伏產(chǎn)業(yè)中的硅能帶理論能帶理論是現(xiàn)代固體電子技術(shù)的理論基礎(chǔ)。晶體中電子的運(yùn)動(dòng)規(guī)律可以用能帶理論來(lái)研究。它的出現(xiàn)是量子力學(xué)與量子統(tǒng)計(jì)在固體中的應(yīng)用的最直接、最重要的結(jié)果。能帶論的基本出發(fā)點(diǎn)是認(rèn)為固體中的電子不再是完全被束縛在某個(gè)原子周?chē)?，而是可以在整個(gè)固體中運(yùn)動(dòng)的，稱(chēng)之為共有化電子。但電子在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中并也不像自由電子那樣，完全不受任何力的作用，電子在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中受到晶格原子勢(shì)場(chǎng)的作用。自由電子（free

electron）：在化學(xué)中是指在分子中與某個(gè)特定原子或共價(jià)鍵無(wú)關(guān)的電子。自由電子就是指不被約束在某一個(gè)原子內(nèi)部的電子。金屬中、半導(dǎo)體中的自由電荷及絕緣體中的微量自由電荷都屬于自由電子。自由電子的多寡會(huì)影響物質(zhì)的導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性，自由電子愈多，導(dǎo)電的能力愈強(qiáng)。大部分的金屬都有相當(dāng)數(shù)量的自由電子，非金屬則相反。能帶理論硅晶體結(jié)構(gòu)每個(gè)原子周?chē)加兴膫€(gè)最近鄰的原子，組成一個(gè)正四面體結(jié)構(gòu)。這四個(gè)原子分別在正四面體的頂角上，任一頂角上的原子和中心原子各貢獻(xiàn)一個(gè)價(jià)電子為該兩個(gè)原子所共有，組成四個(gè)共價(jià)鍵，它們之間具有相同的夾角（鍵角）109°28′。能帶理論世界上的物體如果以導(dǎo)電的性能來(lái)區(qū)分，有的容易導(dǎo)電，有的不容易導(dǎo)電。容易導(dǎo)電的稱(chēng)為導(dǎo)體，如金、銀、銅、鋁、鉛、錫等各種金屬；不容易導(dǎo)電的物體稱(chēng)為絕緣體，常見(jiàn)的有玻璃、橡膠、塑料、石英等等；導(dǎo)電性能介于這兩者之間的物體稱(chēng)為半導(dǎo)體，主要有鍺、硅、砷化鎵、硫化鎘等等。導(dǎo)電的原因：物體中存在自由電子。在外電場(chǎng)作用下，自由電子可以發(fā)生定向運(yùn)動(dòng)而形成電流。自由電子（free

electron）：在化學(xué)中是指在分子中與某個(gè)特定原子或共價(jià)鍵無(wú)關(guān)的電子。自由電子就是指不被約束在某一個(gè)原子內(nèi)部的電子。金屬中、半導(dǎo)體中的自由電荷及絕緣體中的微量自由電荷都屬于自由電子。自由電子的多寡會(huì)影響物質(zhì)的導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性，自由電子愈多，導(dǎo)電的能力愈強(qiáng)。大部分的金屬都有相當(dāng)數(shù)量的自由電子，非金屬則相反。能帶理論請(qǐng)用能帶理論來(lái)解釋導(dǎo)體、半導(dǎo)體、絕緣體的導(dǎo)電性課堂問(wèn)答能帶理論Fillingoftheelectronicstatesinvarioustypesofmaterialsatequilibrium.Here,heightisenergywhilewidthisthedensityofavailablestatesforacertainenergyinthemateriallisted.TheshadefollowstheFermi–Diracdistribution(black=allstatesfilled,white=nostatefilled).InmetalsandsemimetalstheFermilevelEFliesinsideatleastoneband.IninsulatorsandsemiconductorstheFermilevelisinsideabandgap;however,insemiconductorsthebandsarenearenoughtotheFermileveltobethermallypopulatedwithelectronsor

holes.能帶理論能力和導(dǎo)電到到300

℃，具有正的溫微量的不同類(lèi)型雜質(zhì)（簡(jiǎn)稱(chēng)摻雜）能顯著的改變半導(dǎo)體的導(dǎo)電摻入百萬(wàn)分之一的硼，硅的電阻率就從

2.14×103Ω?m

減小。變化也能改變半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能。鍺的溫度從200℃

升高一半左右。半導(dǎo)體的電阻率具有負(fù)的溫度系數(shù)，金屬的電阻率的導(dǎo)電能力還會(huì)隨光照、電場(chǎng)、磁場(chǎng)、壓力和氣氛的作用而發(fā)生變化摻雜特性：摻入類(lèi)型。在純硅中0.004Ω?m左右溫度特性：溫度電阻率就要降低度系數(shù)。環(huán)境特性：半導(dǎo)體（稱(chēng)為光電導(dǎo)現(xiàn)象）。對(duì)于太陽(yáng)能電池來(lái)說(shuō)，半導(dǎo)體最重要的參數(shù)是：禁帶寬度、能參與導(dǎo)電的自由載流子的數(shù)目、當(dāng)光射入到半導(dǎo)體材料時(shí)，自由載流子的產(chǎn)生和復(fù)合。假設(shè)用可見(jiàn)光照射在一塊本征硅上，硅的電阻率是否會(huì)發(fā)生變化？課堂問(wèn)答05-晶體硅生產(chǎn)工藝與流程Processforproducingcrystalline

silicon晶體與非晶體單、多晶硅片少子壽命對(duì)比鑄錠單晶：利用單晶硅為籽晶，通過(guò)鑄錠爐生長(zhǎng)的鑄造單晶，制備的電池效率較單晶低0.3%以?xún)?nèi)，具有較高的組件CTM；性?xún)r(jià)比高于單晶。晶體硅生產(chǎn)流程從沙子到硅從